SN74CBTU4411
11位1 4 FET复用器/解复用器
1.8 V DDR II具有电荷泵和预充电输出开关
SCDS192 - 2005年4月
D
支持SSTL_18信号电平
D
适用于DDR- II应用
D
D-端口输出被偏置预充电
D
D
D
电压（V
BIAS
)
内部终端的控制输入
高带宽（ 334 MHz的最小值）
低而平坦的导通电阻（R
on
)
特性，（R
on
= 17
W
MAX ）
D
内置400 -W下拉电阻
D
低压差和上升/下降沿
D
D
SKEW
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
（ A114 -B ， II级）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
描述/订购信息
该SN74CBTU4411是一种高带宽， SSTL_18兼容的FET多路复用器/多路分解器具有低
导通电阻（R
on
） 。该装置利用一个内部电荷泵提升通的栅极电压
晶体管，从而提供一个低平
on
。该低平
on
允许最小的传播延迟和支持
轨到轨上的数据输入/输出（I / O）端口的信号。该器件还具有非常低的数据I / O电容
最小化在数据总线上的容性负载和信号失真。匹配
on
而其中的I / O容量
渠道会导致极低的差分和上升/下降沿歪斜。这使得器件表现出最佳
表现在DDR- II的应用程序。
该设备被组织成1的- 4的11位的多路转换器/多路分解器具有单独的开关使能（ EN）输入。
当EN为低时，开关被使能和H端口连接到对D的端口1 。端口D0到D9的
禁用信道被连接到V
BIAS
通过400
电阻器。 DQS_EN决定了输出电压
为残疾人D10端口。当DQS_EN低时，该电压为V
BIAS
。当DQS_EN高，残疾人
D10的端口都连接到一个内部电压（V
BIAS_DQS
）源，它大约等于0.7伏
DD
.
当EN为高电平时，所有的通道都被禁止。端口D0到D9分别连接到V
BIAS
。对于D10港口，
禁用的输出电压由DQS_EN输入来确定。当DQS_EN低时，该电压为V
BIAS
。当
DQS_EN高时，该电压为V
DD
.
的选择（ S0，S1 ）的输入控制每个多路复用器/多路分解器的数据路径。 EN和TC输入
确定内部终止S0和S1的投入。当EN为低时，终止由所述确定
TC输入。当EN和TC为低时，终端电阻从S输入端断开。当EN
低，温度系数为高，上拉和下拉电阻器被连接到S输入。当EN为高电平时，只
下拉端接电阻器连到S输入端，而不管在TC输入端的电压电平的。
订购信息
TA
0 ° C至85°C
包装
LFBGA - GST
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74CBTU4411GSTR
TOP- SIDE
记号
CTU4411
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计
准则可在www.ti.com/sc/package 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2005年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
SCDS192 - 2005年4月
SN74CBTU4411
11位1 4 FET复用器/解复用器
1.8 V DDR II具有电荷泵和预充电输出开关
GST包装
（ TOP VIEW ）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11
端子分配
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
S1
TC
VREF
VBIAS
2D10
1D10
0D10
3D9
1D9
0D9
3D8
2
DQS_EN
S0
EN
GND
3D10
H10
GND
2D9
H9
GND
2D8
H8
1D8
0D8
3D7
H7
2D7
0D7
1D7
GND
3D6
H6
2D6
0D6
1D6
3
VDD
VDD
4
0D0
GND
5
1D0
H0
6
2D0
3D0
7
1D1
0D1
8
2D1
H1
9
3D1
GND
10
0D2
H2
0D3
H3
2D3
GND
H4
2D4
1D5
H5
VDD
11
1D2
2D2
3D2
1D3
3D3
0D4
1D4
3D4
0D5
2D5
3D5
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
SN74CBTU4411
11位1 4 FET复用器/解复用器
1.8 V DDR II具有电荷泵和预充电输出开关
SCDS192 - 2005年4月
功能表
输入
EN
L
L
L
L
DQS_EN
L
L
L
L
S1
L
L
H
H
S0
L
H
L
H
输入/输出
Hn
0Dn
1Dn
2Dn
3Dn
功能
HN = 0DN
1DN ， 2Dn ， 3DN连接到VBIAS
HN = 1DN
0DN ， 2Dn ， 3DN连接到VBIAS
HN = 2Dn
0DN ， 1DN ， 3DN连接到VBIAS
HN = 3DN
0DN ， 1DN ， 2Dn连接到VBIAS
H0 - H9 = 0D0-0D9
1D0-1D9 ， 2D0-2D9 ， 3D0-3D9连接到VBIAS
H10 = 0D10
1D10 ， 2D10 ， 3D10连接到VBIAS_DQS
H0 - H9 = 1D0-1D9
0D0-0D9 ， 2D0-2D9 ， 3D0-3D9连接到VBIAS
H10 = 1D10
0D10 ， 2D10 ， 3D10连接到VBIAS_DQS
H0 - H9 = 2D0-2D9
0D0-0D9 ， 1D0-1D9 ， 3D0-3D9连接到VBIAS
H10 = 2D10
0D10 ， 1D10 ， 3D10连接到VBIAS_DQS
H0 - H9 = 3D0-3D9
0D0-0D9 ， 1D0-1D9 ， 2D0-2D9连接到VBIAS
H10 = 3D10
0D10 ， 1D10 ， 2D10连接到VBIAS_DQS
0DN ， 1DN ， 2Dn ， 3DN连接到VBIAS
0D0-0D9 ， 1D0-1D9 ， 2D0-2D9 ， 3D0-3D9连接到VBIAS
0D10 ， 1D10 ， 2D10 ， 3D10连接到VDD
L
H
L
L
0Dn
L
H
L
H
1Dn
L
H
H
L
2Dn
L
H
H
H
3Dn
H
H
L
H
X
X
X
X
Z
Z
VBIAS_DQS是一个内部电压条件。
输入
EN
L
L
H
TC
L
H
X
功能
从s输入端断开终端电阻
带有S输入端连接终端电阻
下拉端接电阻连接上拉
从S输入端接电阻器断开
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
3
SCDS192 - 2005年4月
SN74CBTU4411
11位1 4 FET复用器/解复用器
1.8 V DDR II具有电荷泵和预充电输出开关
逻辑图（正逻辑）
D1
VBIAS
B5
H0
SW1
SW1
SW1
SW1
A5
A6
2D0
B6
3D0
A4
0D0
1D0
F2
H10
SW2
SW2
SW2
G1
0D10
F1
1D10
E1
2D10
E2
SW2
3D10
VDD
EN
TC
C2
B1
M1
VREF
r1
S0
B2
r2
M2
VDD
控制解码
逻辑
M1
r1
S1
A1
r2
M2
A2
DQS_EN
R1 +罗恩（ M1 ） ， R2 +罗恩（ M2） = 160
典型的。
4
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
SN74CBTU4411
11位1 4 FET复用器/解复用器
1.8 V DDR II具有电荷泵和预充电输出开关
SCDS192 - 2005年4月
简化示意图，各FET开关（SW1）
H
VDD
r3§
D
收费
泵
M3
§
EN
适用于港口通过H9 H0
适用于港口D0到D9
§ R3 +罗恩（ M3 ） = 400
典型的。
EN为施加在开关内部的使能信号。
VBIAS
简化示意图，各FET开关（SW2）
VDD
EN_DQS1
#
M4
||
r4||
H10
VDD
VBIAS_DQS
r5
k
M5
k
M6
h
r6
h
EN_DQS2
#
D10
收费
泵
EN1
#
EN2
#
VBIAS
＃ EN_DQS1 ， EN_DQS2 ， EN1 ， EN2和是施加到开关内部的使能信号。
|| R4 +罗恩（ M4 ） = 1 kΩ的典型。
k
R + r（下M5） = 400
典型的。
5
h
R + R（ M6 ） = 2.3 kΩ的典型。
6对
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
5
QQ：2881677436 复制
