SN74CBTLV3861
低电压10位FET总线开关
SCDS041D - 1997年12月 - 修订1999年11月
D
D
D
D
D
D
功能上等同于QS3861
5 Ω交换机两个端口之间的连接
隔离在断电条件
流通结构优化PCB
布局
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
封装选项包括缩小
小外形（ DBQ ） ，非常薄
小外形（ DGV ） ，小外形（ DW ） ，
薄小外形（ PW ）
套餐
DBQ ， DGV ， DW ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
描述
该SN74CBTLV3861提供10位
高速总线切换。低通态
开关的电阻可以连接到有
以最小的传播延迟进行。
NC
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
OE
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
B9
B10
NC - 无内部连接
该设备被组织为一个10位的总线开关。当输出使能（OE ）为低电平时， 10位总线开关是上
和端口A连接到端口B，当OE为高电平时，开关断开和高阻抗状态存在
在两个端口之间。
为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
该SN74CBTLV3861的特点是操作温度范围为-40 ° C至85°C 。
功能表
输入
OE
L
H
功能
一个端口= B口
断开
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1999年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
SN74CBTLV3861
低电压10位FET总线开关
SCDS041D - 1997年12月 - 修订1999年11月
逻辑图（正逻辑）
2
A1
SW
22
B1
11
A10
SW
13
B10
23
OE
简化原理图中，每个FET开关
A
B
（ OE）的
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
输入电压范围，V
I
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
连续通道电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 128毫安
输入钳位电流，I
IK
(V
I / O
＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注2 ） ： DBQ包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 61 ° C / W
DGV包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86 ° C / W
DW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 46 ° C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 88 ° C / W
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注意：如果输入和输出钳位电流额定值观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51 。
2
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SN74CBTLV3861
低电压10位FET总线开关
SCDS041D - 1997年12月 - 修订1999年11月
推荐工作条件（见注3 ）
民
VCC
VIH
VIL
电源电压
高级控制输入电压
高位
低电平
低电平控制输入电压
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
2.3
1.7
2
0.7
0.8
最大
3.6
单位
V
V
V
TA
工作自由空气的温度
–40
85
°C
注3 ：该设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明）
参数
VIK
II
IOFF
ICC
I
CC
Ci
控制输入
控制输入
VCC = 3 V ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 0 ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 3.6 V ，
VI = 3 V或0
VO = 3 V或0 ，
VCC = 2.3 V ，
23V
典型值在VCC = 2.5 V
25
ron
VCC = 3 V
测试条件
II = -18毫安
VI = VCC或GND
VI或VO = 0 3.6 V
IO = 0，
一个输入为3 V ，
OE = VCC
VI = 0
VI = 1.7 V ，
VI = 0
II = 64毫安
II = 24毫安
II = 15毫安
II = 64毫安
II = 24毫安
II = 15毫安
VI = VCC或GND
在VCC和GND的其他投入
3
5
5
5
27
5
5
8
8
40
7
7
民
TYP
最大
–1.2
±1
10
10
300
单位
V
A
A
A
A
pF
pF
首席信息官（关）
VI = 2.4 V ，
10
15
所有典型值是在VCC = 3.3 V （除非另有说明） ， TA = 25 ℃。
§这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的电压电平，而不是VCC或GND 。
测量由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。通态电阻由下式确定
两个（ A或B）端子的电压的降低。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明） （参见图1和图2）
参数
TPD
TEN
TDI发动机
从
（输入）
A或B
OE
OE
TO
（输出）
B或A
A或B
A或B
2.1
1.7
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
民
最大
0.35
5.5
5.5
2.1
2.5
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
民
最大
0.25
4.9
5.8
ns
ns
ns
单位
传播延迟是该开关的典型的导通状态电阻与规定的负载电容的计算的RC时间常数，当
由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
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3
SN74CBTLV3861
低电压10位FET总线开关
SCDS041D - 1997年12月 - 修订1999年11月
参数测量信息
V
CC
= 2.5 V
±
0.2 V
2
×
VCC
从输出
被测
CL = 30 pF的
（见注一）
500
S1
开放
GND
500
产量
控制
（低电平
使能）
tPZL
VCC
输入
VCC/2
TPLH
VCC/2
0V
的TPH1
VOH
产量
VCC/2
电压波形
传播延迟时间
VCC/2
VOL
产量
波形2
S1在GND
（见注B）
产量
波形1
S1在2
×
VCC
（见注B）
tpZH
TEST
tPD的
tPLZ / tPZL
tPHZ / tPZH
S1
开放
2
×
VCC
GND
VCC
VCC/2
VCC/2
0V
tPLZ
VCC
VCC/2
VOL + 0.15 V
VOL
tPHZ
VOH
VOH - 0.15 V
0V
电压波形
启用和禁用时报
负载电路
VCC/2
注：A CL包括探针和夹具电容。
B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平除非输出控制禁止时。
波形2是内部条件的输出，使得输出为高，除去被禁止输出的时候。
C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR
≤
10兆赫，Z0 = 50
,
tr
≤
2纳秒， TF
≤
2纳秒。
D的输出被测量一次一个地与每测量1过渡。
大肠杆菌tPLZ和tPHZ相同TDIS 。
F. tPZL和tPZH是相同的10 。
G. tPLH的和的TPH1相同公吨。
图1.负载电路和电压波形
4
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SN74CBTLV3861
低电压10位FET总线开关
SCDS041D - 1997年12月 - 修订1999年11月
参数测量信息
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
2
×
VCC
从输出
被测
CL = 50 pF的
（见注一）
500
S1
开放
GND
500
TEST
tPD的
tPLZ / tPZL
tPHZ / tPZH
S1
开放
2
×
VCC
GND
负载电路
产量
控制
tPZL
VCC
产量
波形1
S1在2
×
VCC
（见注B）
tpZH
VOH
产量
波形2
S1在GND
（见注B）
VCC
VCC/2
VCC/2
0V
tPLZ
VCC
VCC/2
VOL + 0.3 V
VOL
tPHZ
VOH
VOH - 0.3 V
0V
电压波形
启用和禁用时报
输入
VCC/2
TPLH
VCC/2
0V
的TPH1
产量
VCC/2
电压波形
传播延迟时间
VCC/2
VOL
VCC/2
注：A CL包括探针和夹具电容。
B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平除非输出控制禁止时。
波形2是内部条件的输出，使得输出为高，除去被禁止输出的时候。
C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR
≤
10兆赫，Z0 = 50
,
tr
≤
2纳秒， TF
≤
2纳秒。
D的输出被测量一次一个地与每测量1过渡。
大肠杆菌tPLZ和tPHZ相同TDIS 。
F. tPZL和tPZH是相同的10 。
G. tPLH的和的TPH1相同公吨。
图2.负载电路和电压波形
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5
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低电压10位FET总线开关
SCDS041H - 1997年12月 - 修订2003年10月
D
5 Ω交换机两个端口之间的连接
D
轨到轨开关上的数据I / O端口
D
I
关闭
支持部分掉电模式
D
D
手术
流通结构优化PCB
布局
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
DBQ ， DGV ， DW ， NS ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
描述/订购信息
该SN74CBTLV3861提供10位
高速总线切换。低通态
开关的电阻可以连接到有
以最小的传播延迟进行。
该设备被组织为一个10位的总线开关。
当输出使能（OE ）为低电平时， 10位总线
开关打开，端口A连接到端口B.
当OE为高电平时，开关断开，并且
在两者之间存在高阻抗状态
端口。
NC
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
OE
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
B9
B10
NC - 无内部连接
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
功能可确保
当它断电破坏性电流不会通过器件倒流。该器件在具有隔离
切断电源。
为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
订购信息
TA
包装
QSOP - DBQ
SOIC - DW
-40 ° C至85°C
SOP - NS
TSSOP - PW
TVSOP - DGV
磁带和卷轴
管
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74CBTLV3861DBQR
SN74CBTLV3861DW
SN74CBTLV3861DWR
SN74CBTLV3861NSR
SN74CBTLV3861PWR
SN74CBTLV3861DGVR
CBTLV3861
CBTLV3861
CL861
CL861
TOP- SIDE
记号
CL861
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计
准则可在www.ti.com/sc/package 。
功能表
输入
OE
L
H
功能
一个端口= B口
断开
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2003年，德州仪器
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1
SN74CBTLV3861
低电压10位FET总线开关
SCDS041H - 1997年12月 - 修订2003年10月
逻辑图（正逻辑）
2
A1
SW
22
B1
11
A10
SW
13
B10
23
OE
简化原理图中，每个FET开关
A
B
（ OE）的
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
输入电压范围，V
I
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
连续通道电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 128毫安
输入钳位电流，I
IK
(V
I / O
＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注2 ） ： DBQ包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 61 ° C / W
DGV包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86 ° C / W
DW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 46 ° C / W
NS包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 65 ° C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 88 ° C / W
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注意：如果输入和输出钳位电流额定值观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
2
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SN74CBTLV3861
低电压10位FET总线开关
SCDS041H - 1997年12月 - 修订2003年10月
推荐工作条件（见注3 ）
民
VCC
VIH
VIL
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
2.3
1.7
2
0.7
0.8
V
V
最大
3.6
单位
V
TA
工作自由空气的温度
40
85
°C
注3 ：该设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明）
参数
VIK
II
IOFF
ICC
I
CC
Ci
控制输入
控制输入
VCC = 3 V ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 0 ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 3.6 V ，
VI = 3 V或0
VO = 3 V或0 ，
VCC = 2.3 V ，
典型值在VCC = 2.5 V
ron
VCC = 3 V
测试条件
II = -18毫安
VI = VCC或GND
VI或VO = 0 3.6 V
IO = 0，
一个输入为3 V ，
OE = VCC
VI = 0
VI = 1.7 V ，
VI = 0
II = 64毫安
II = 24毫安
II = 15毫安
II = 64毫安
II = 24毫安
II = 15毫安
VI = VCC或GND
在VCC和GND的其他投入
3
5
5
5
27
5
5
8
8
40
7
7
民
TYP
最大
1.2
±1
10
10
300
单位
V
A
A
A
A
pF
pF
首席信息官（关）
VI = 2.4 V ，
10
15
所有典型值是在VCC = 3.3 V （除非另有说明） ， TA = 25 ℃。
这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的电压电平，而不是VCC或GND 。
测量由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。通态电阻由下式确定
两个（ A或B）端子的电压的降低。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明） （参见图1）
参数
TPD
TEN
TDI发动机
从
（输入）
A或B
OE
OE
TO
（输出）
B或A
A或B
A或B
2.1
1.7
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
民
最大
0.15
5.5
5.5
2.1
2.5
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
民
最大
0.25
4.9
5.8
ns
ns
ns
单位
传播延迟是该开关的典型的导通状态电阻与规定的负载电容的计算的RC时间常数，当
由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
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3
SN74CBTLV3861
低电压10位FET总线开关
SCDS041H - 1997年12月 - 修订2003年10月
参数测量信息
2
×
VCC
从输出
被测
CL
（见注一）
RL
VCC
2.5 V
±0.2
V
3.3 V
±0.3
V
CL
30 pF的
50 pF的
RL
500
500
V
0.15 V
0.3 V
RL
S1
开放
GND
TEST
tPLH的/的TPH1
tPLZ / tPZL
tPHZ / tPZH
S1
开放
2
×
VCC
GND
负载电路
VCC
定时输入
tw
VCC
输入
VCC/2
电压波形
脉冲持续时间
VCC
输入
TPLH
产量
的TPH1
VCC/2
VCC/2
VCC/2
VCC/2
0V
的TPH1
VOH
VCC/2
VOL
TPLH
VOH
产量
VCC/2
VOL
电压波形
传播延迟时间
反相和同相产出
产量
波形2
S1在GND
（见注B）
VCC/2
0V
电压波形
建立和保持时间
VCC
VCC/2
VCC/2
0V
tPLZ
VCC
VCC/2
VOL + V
tPHZ
VCC/2
VOH - V
VOH
≈0
V
VOL
数据输入
VCC/2
VCC/2
0V
VCC/2
0V
TSU
th
VCC
产量
控制
t
输出PZL
波形1
S1在2
×
VCC
（见注B）
tpZH
电压波形
启用和禁用时报
低收入和高级别ENABLING
注：A CL包括探针和夹具电容。
B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平除非输出控制禁止时。
波形2是内部条件的输出，使得输出为高，除去被禁止输出的时候。
C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR
≤
10兆赫，Z0 = 50
,
tr
≤
2纳秒， TF
≤
2纳秒。
D的输出被测量一次一个地与每测量1过渡。
大肠杆菌tPLZ和tPHZ相同TDIS 。
F. tPZL和tPZH是相同的10 。
G. tPLH的和的TPH1相同公吨。
H.所有参数和波形并不适用于所有的设备。
图1.负载电路和电压波形
4
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封装选项附录
www.ti.com
4-Jun-2007
包装信息
订购设备
74CBTLV3861DBQRE4
74CBTLV3861DBQRG4
74CBTLV3861DGVRE4
74CBTLV3861DGVRG4
74CBTLV3861DWRE4
74CBTLV3861DWRG4
74CBTLV3861NSRG4
74CBTLV3861PWRE4
74CBTLV3861PWRG4
SN74CBTLV3861DBQR
SN74CBTLV3861DGV
SN74CBTLV3861DGVR
SN74CBTLV3861DW
SN74CBTLV3861DWE4
SN74CBTLV3861DWG4
SN74CBTLV3861DWR
SN74CBTLV3861NSR
SN74CBTLV3861NSRE4
SN74CBTLV3861PW
SN74CBTLV3861PWE4
SN74CBTLV3861PWG4
SN74CBTLV3861PWR
(1)
状态
(1)
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
过时的
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
包
TYPE
SSOP /
QSOP
SSOP /
QSOP
TVSOP
TVSOP
SOIC
SOIC
SO
TSSOP
TSSOP
SSOP /
QSOP
TVSOP
TVSOP
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SO
SO
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
包
制图
DBQ
DBQ
DGV
DGV
DW
DW
NS
PW
PW
DBQ
DGV
DGV
DW
DW
DW
DW
NS
NS
PW
PW
PW
PW
引脚封装环保计划
(2)
数量
24
24
24
24
24
24
24
24
24
24
24
24
24
24
24
24
24
24
24
24
24
24
2500绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2500绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2500绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
待定
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
25
25
25
绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
铅/焊球涂层
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
TI打电话
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
MSL峰值温度
(3)
等级- 2-260C - 1年
等级- 2-260C - 1年
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
等级- 2-260C - 1年
TI打电话
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
60
60
60
绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
营销状态值的定义如下：
ACTIVE ：
建议用于新设计产品的设备。
LIFEBUY ：
德州仪器日前宣布，该设备将停止，并且终身购买期间生效。
NRND ：
不建议用于新设计。设备是生产以支持现有客户，但TI不推荐使用这部分
新的设计。
预览：
设备已宣告但尚未投入生产。样品可以是或可以不是可用的。
已过时：
TI已经停止生产该设备的。
附录1页
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