SN74CBTLV3857

低电压10位FET总线开关

具有内部下拉电阻

SCDS085B - 1998年10月 - 修订1999年8月

D

D

D

D

D

D

D

D

使能信号SSTL_2兼容

流通结构优化PCB

布局

专为使用200 Mbit / s的双

数据速率（ DDR ） SDRAM的应用

开关导通电阻的目的是

消除串联电阻为DDR SDRAM

内部10 kΩ的下拉电阻来

地面上的B端口

内部50 kΩ的上拉电阻上

输出使能输入

闭锁性能超过100mA的每

JESD 78 ， II类

封装选项包括缩小

小外形（ DBQ ） ，非常薄

小外形（ DGV ） ，小外形（ DW ） ，

薄小外形（ PW ）

套餐

DBQ ， DGV ， DW ，或PW包装

（ TOP VIEW ）

V

REF

A1

A2

A3

A4

A5

A6

A7

A8

A9

A10

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

14

13

V

CC

OE

B1

B2

B3

B4

B5

B6

B7

B8

B9

B10

描述

这10位FET总线开关是专为3 - V至3.6 -VV

CC

操作和SSTL_2输出使能（ OE ）输入

的水平。

当OE为低电平时， 10位总线开关是打开的，并且端口A连接到端口B，当OE为高电平时，开关是

在两个端口之间存在开放的，高阻抗状态。有10 kΩ的下拉电阻到地

关于B端口。

通态电阻被设计为替代在SSTL_2数据串联端接电阻的FET开关

路径。

该SN74CBTLV3857的特点是操作温度范围为-40 ° C至85°C 。

功能表

输入

OE

L

H

功能

一个端口= B口

断开

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

1999年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

1

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低电压10位FET总线开关

具有内部下拉电阻

SCDS085B - 1998年10月 - 修订1999年8月

逻辑图（正逻辑）

2

A1

SW

RINT

11

A10

VCC

SW

RINT

13

B10

22

B1

OE

VREF

23

1

简化原理图中，每个FET开关

A

B

（ OE）的

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压范围，V

CC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V

输入电压范围（ OE只） ，V

I

（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V

CC

+ 0.5 V

输入电压范围（除OE） ，V

I

（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V

连续通道电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48毫安

输入钳位电流，I

IK

(V

I / O

＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安

封装的热阻抗，

θ

JA

（见注2 ） ： DBQ包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 103 ° C / W

DGV包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 139 ° C / W

DW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 81 ° C / W

PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 120 ° C / W

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注意：如果输入和输出电流额定值，观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。

2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51 。

2

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推荐工作条件（见注3 ）

民

VCC

VREF

VIH

VIL

VIH

VIL

电源电压

基准电压（ 0.38

×

VCC ）

交流高电平控制输入电压

AC低电平控制输入电压

直流高电平控制输入电压

DC低电平控制输入电压

VREF + 180毫伏

VREF - 180毫伏

85

3

1.15

VREF + 350毫伏

VREF - 350毫伏

喃

3.3

1.25

最大

3.6

1.35

单位

V

V

V

V

V

V

TA

工作自由空气的温度

–40

°C

注3 ：该设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，

慢或浮动CMOS输入的影响，

文献编号SCBA004 。

电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非

另有说明）

参数

VIK

OE

II

一个端口

B端口

VREF

ICC

Ci

控制输入

VCC = 3.6 V ，

VI = 3 V或0

VO = 3 V或0 ，

IO = 0，

OE = VCC

VI = 0 ，

VI = 0.9 V，

VI = 1.25 V ，

VI = 1.6 V，

的roff

ff

VCC = 0

II = 24毫安

II = 24毫安

II = 24毫安

II = 24毫安

1

VI = VCC或GND

3.5

5

5

6

7

9

8

11

13

40

VCC = 3 6 V

3.6 V,

VI = VCC或GND

VCC = 3 V ，

测试条件

II = -18毫安

民

TYP

最大

–1.2

±1

±5

±1

±5

25

单位

V

mA

A

mA

A

mA

pF

pF

首席信息官（关）

ron

VCC = 3 V

M

VCC = 3 V至3.6 V ，

VI = 1.65 V ，

OE = VCC

1

所有典型值是在VCC = 3.3 V ， TA = 25 ℃。

由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降的测量。电阻由下测定

的2 （ A或B）端子的电压。

开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非

另有说明） （参见图1）

参数

TPD

TEN

TDI发动机

从

（输入）

A或B

OE

OE

TO

（输出）

B或A

A或B

A或B

1.4

1.4

VCC = 3.3 V

±

0.3 V

民

最大

0.25

4.2

4.8

ns

ns

ns

单位

传播延迟是典型的通态电阻的开关和指定负载电容时的所计算的RC时间常数

由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。

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参数测量信息

V

CC

= 3.3 V

±

0.3 V和V

DDQ

= 2.5

±

0.2 V

500

S1

VDDQ

×

2

开放

GND

500

TEST

tPD的

tPLZ / tPZL

tPHZ / tPZH

S1

开放

VDDQ

×

2

GND

从输出

被测

CL = 50 pF的

（见注一）

负载电路

产量

控制

VREF-

VREF-

VIH （AC）

VIL （ AC） §

tPZL

VDDQ

输入

VDDQ/2

VDDQ/2

0V

TPLH

的TPH1

VOH

VDDQ/2

VOL

产量

波形2

S1在GND

（见注B）

产量

波形1

S1在2

×

VDDQ

（见注B）

tpZH

tPLZ

VDDQ

VDDQ/2

VOL + 0.15 V

VOL

tPHZ

VOH

VOH - 0.15 V

0V

产量

VDDQ/2

电压波形

传播延迟时间

VDDQ/2

电压波形

启用和禁用时报

VREF = 0.38

×

VCC

VIH （ AC） = VREF + 350毫伏

§ VIL （ AC ） = VREF - 350毫伏

注：A CL包括探针和夹具电容。

B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平除非输出控制禁止时。

波形2是内部条件的输出，使得输出为高，除去被禁止输出的时候。

C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR

≤

10兆赫，Z0 = 50

,

tr

≤

2纳秒， TF

≤

2纳秒。

D的输出被测量一次一个地与每测量1过渡。

大肠杆菌tPLZ和tPHZ相同TDIS 。

F. tPZL和tPZH是相同的10 。

G. tPLH的和的TPH1相同公吨。

图1.负载电路和电压波形

4

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版权

1999年，德州仪器