SN74CBTLV3257
低电压4的第1位2 FET复用器/解复用器
SCDS040I - 1997年12月 - 修订2003年10月
D
5 Ω交换机两个端口之间的连接
D
轨到轨开关上的数据I / O端口
D
I
关闭
支持部分掉电模式
D
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
D， DBQ ， DGV ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
D
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
RGY包装
（ TOP VIEW ）
S
1B1
1B2
1A
2B1
2B2
2A
GND
2
3
4
5
6
7
8
15
14
13
12
11
10
9
S
1
16
V
CC
OE
4B1
4B2
4A
3B1
3B2
3A
1
16
15
OE
14
4B1
13
4B2
12
4A
11
3B1
10
3B2
1B1
1B2
1A
2B1
2B2
2A
2
3
4
5
6
7
8
9
描述/订购信息
该SN74CBTLV3257是一个4位-1- - 2高速FET多路复用器/多路分用器。低通态电阻
开关允许以最小的传播延迟进行的连接。
选择（ S）输入控制数据流。在FET多路复用器/多路分解器被禁用时，
输出使能（ OE ）输入为高。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
功能可确保
当它断电破坏性电流不会通过器件倒流。该器件在具有隔离
切断电源。
为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
订购信息
TA
QFN - RGY
SOIC - D
-40 ° C至85°C
SSOP （ QSOP ） - DBQ
TSSOP - PW
TVSOP - DGV
包装
磁带和卷轴
管
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74CBTLV3257RGYR
SN74CBTLV3257D
SN74CBTLV3257DR
SN74CBTLV3257DBQR
SN74CBTLV3257PWR
SN74CBTLV3257DGVR
CBTLV3257
CL257
CL257
CL257
TOP- SIDE
记号
CL257
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南
可在www.ti.com/sc/package 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
GND
版权
2003年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
3A
V
CC
1
SN74CBTLV3257
低电压4的第1位2 FET复用器/解复用器
SCDS040I - 1997年12月 - 修订2003年10月
功能表
输入
OE
L
L
H
S
L
H
X
功能
端口= B1口
端口= B2口
断开
逻辑图（正逻辑）
4
1A
SW
3
SW
7
2A
SW
6
SW
9
SW
10
SW
12
4A
SW
13
SW
4B2
14
4B1
3B2
11
2B2
5
2B1
1B2
2
1B1
3A
3B1
1
S
15
OE
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
SN74CBTLV3257
低电压4的第1位2 FET复用器/解复用器
SCDS040I - 1997年12月 - 修订2003年10月
简化原理图中，每个FET开关
A
B
（ OE）的
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
输入电压范围，V
I
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
连续通道电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 128毫安
输入钳位电流，I
IK
(V
I / O
＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注2 ） ：D包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73 ° C / W
（见注2 ） ： DBQ包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90 ° C / W
（见注2 ） ： DGV包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 120 ° C / W
（见注2 ） ： PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108 ° C / W
（见注3 ） ：红绿黄包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39 ° C / W
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注意：如果输入和输出钳位电流额定值观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-5 。
推荐工作条件（见注4 ）
民
VCC
VIH
VIL
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
2.3
1.7
2
0.7
0.8
V
V
最大
3.6
单位
V
TA
工作自由空气的温度
40
85
°C
注4 ：该设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
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3
SN74CBTLV3257
低电压4的第1位2 FET复用器/解复用器
SCDS040I - 1997年12月 - 修订2003年10月
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明）
参数
VIK
II
IOFF
ICC
I
CC
Ci
首席信息官（关）
控制输入
控制输入
一个端口
B端口
VO = 3 V或0 ，
VCC = 2.3 V ，
典型值在VCC = 2.5 V
ron
VCC = 3 V
OE = VCC
VI = 0
VI = 1.7 V ，
VI = 0
II = 64毫安
II = 24毫安
II = 15毫安
II = 64毫安
II = 24毫安
II = 15毫安
VCC = 3 V ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 0 ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 3.6 V ，
VI = 3 V或0
测试条件
II = -18毫安
VI = VCC或GND
VI或VO = 0 3.6 V
IO = 0，
VI = VCC或GND
一个输入为3 V ，
在VCC和GND的其他投入
3
10.5
5.5
5
5
27
5
5
8
8
40
7
7
pF
民
TYP
最大
1.2
±1
15
10
300
单位
V
A
A
A
A
pF
VI = 2.4 V ，
10
15
所有典型值是在VCC = 3.3 V （除非另有说明） ， TA = 25 ℃。
这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的电压电平，而不是VCC或GND 。
§由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降的测量。通态电阻确定
由两个（ A或B）端子的电压的降低。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明） （参见图1）
参数
从
（输入）
A或B
tPD的
TEN
TDI发动机
TEN
TDI发动机
S
S
S
OE
OE
TO
（输出）
B或A
A或B
A或B
A或B
A或B
A或B
1.8
1.7
1
1.9
1
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
民
最大
0.15
6.1
6.1
4.8
5.6
5.5
1.8
1.7
1
2
1.6
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
民
最大
0.25
5.3
5.3
4.5
5
5.5
ns
ns
ns
ns
ns
单位
传播延迟是该开关的典型的导通状态电阻与规定的负载电容的计算的RC时间常数，当
由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
4
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低电压4的第1位2 FET复用器/解复用器
SCDS040I - 1997年12月 - 修订2003年10月
参数测量信息
2
×
VCC
从输出
被测
CL
（见注一）
RL
VCC
2.5 V
±
0.2 V
3.3 V
±
0.3 V
CL
30 pF的
50 pF的
RL
500
500
V
0.15 V
0.3 V
RL
S1
开放
GND
TEST
tPLH的/的TPH1
tPLZ / tPZL
tPHZ / tPZH
S1
开放
2
×
VCC
GND
负载电路
VCC
定时输入
tw
VCC
输入
VCC/2
电压波形
脉冲持续时间
VCC
输入
TPLH
产量
的TPH1
VCC/2
VCC/2
VCC/2
VCC/2
0V
的TPH1
VOH
VCC/2
VOL
TPLH
VOH
产量
VCC/2
VOL
电压波形
传播延迟时间
反相和同相产出
产量
波形2
S1在GND
（见注B）
VCC/2
0V
电压波形
建立和保持时间
VCC
VCC/2
VCC/2
0V
tPLZ
VCC
VCC/2
VOL + V
tPHZ
VCC/2
VOH - V
VOH
≈0
V
VOL
数据输入
VCC/2
VCC/2
0V
VCC/2
0V
TSU
th
VCC
产量
控制
t
输出PZL
波形1
S1在2
×
VCC
（见注B）
tpZH
电压波形
启用和禁用时报
低收入和高级别ENABLING
注：A CL包括探针和夹具电容。
B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平除非输出控制禁止时。
波形2是内部条件的输出，使得输出为高，除去被禁止输出的时候。
C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR
≤
10兆赫，Z0 = 50
,
tr
≤
2纳秒， TF
≤
2纳秒。
D的输出被测量一次一个地与每测量1过渡。
大肠杆菌tPLZ和tPHZ相同TDIS 。
F. tPZL和tPZH是相同的10 。
G. tPLH的和的TPH1相同公吨。
H.所有参数和波形并不适用于所有的设备。
图1.负载电路和电压波形
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5
SN74CBTLV3257
低电压4的第1位2 FET复用器/解复用器
SCDS040I - 1997年12月 - 修订2003年10月
D
5 Ω交换机两个端口之间的连接
D
轨到轨开关上的数据I / O端口
D
I
关闭
支持部分掉电模式
D
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
D， DBQ ， DGV ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
D
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
RGY包装
（ TOP VIEW ）
S
1B1
1B2
1A
2B1
2B2
2A
GND
2
3
4
5
6
7
8
15
14
13
12
11
10
9
S
1
16
V
CC
OE
4B1
4B2
4A
3B1
3B2
3A
1
16
15
OE
14
4B1
13
4B2
12
4A
11
3B1
10
3B2
1B1
1B2
1A
2B1
2B2
2A
2
3
4
5
6
7
8
9
描述/订购信息
该SN74CBTLV3257是一个4位-1- - 2高速FET多路复用器/多路分用器。低通态电阻
开关允许以最小的传播延迟进行的连接。
选择（ S）输入控制数据流。在FET多路复用器/多路分解器被禁用时，
输出使能（ OE ）输入为高。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
功能可确保
当它断电破坏性电流不会通过器件倒流。该器件在具有隔离
切断电源。
为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
订购信息
TA
QFN - RGY
SOIC - D
-40 ° C至85°C
SSOP （ QSOP ） - DBQ
TSSOP - PW
TVSOP - DGV
包装
磁带和卷轴
管
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74CBTLV3257RGYR
SN74CBTLV3257D
SN74CBTLV3257DR
SN74CBTLV3257DBQR
SN74CBTLV3257PWR
SN74CBTLV3257DGVR
CBTLV3257
CL257
CL257
CL257
TOP- SIDE
记号
CL257
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南
可在www.ti.com/sc/package 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
GND
版权
2003年，德州仪器
邮政信箱655303
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3A
V
CC
1
SN74CBTLV3257
低电压4的第1位2 FET复用器/解复用器
SCDS040I - 1997年12月 - 修订2003年10月
功能表
输入
OE
L
L
H
S
L
H
X
功能
端口= B1口
端口= B2口
断开
逻辑图（正逻辑）
4
1A
SW
3
SW
7
2A
SW
6
SW
9
SW
10
SW
12
4A
SW
13
SW
4B2
14
4B1
3B2
11
2B2
5
2B1
1B2
2
1B1
3A
3B1
1
S
15
OE
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
SN74CBTLV3257
低电压4的第1位2 FET复用器/解复用器
SCDS040I - 1997年12月 - 修订2003年10月
简化原理图中，每个FET开关
A
B
（ OE）的
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
输入电压范围，V
I
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
连续通道电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 128毫安
输入钳位电流，I
IK
(V
I / O
＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注2 ） ：D包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73 ° C / W
（见注2 ） ： DBQ包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90 ° C / W
（见注2 ） ： DGV包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 120 ° C / W
（见注2 ） ： PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108 ° C / W
（见注3 ） ：红绿黄包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39 ° C / W
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注意：如果输入和输出钳位电流额定值观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-5 。
推荐工作条件（见注4 ）
民
VCC
VIH
VIL
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
2.3
1.7
2
0.7
0.8
V
V
最大
3.6
单位
V
TA
工作自由空气的温度
40
85
°C
注4 ：该设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
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3
SN74CBTLV3257
低电压4的第1位2 FET复用器/解复用器
SCDS040I - 1997年12月 - 修订2003年10月
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明）
参数
VIK
II
IOFF
ICC
I
CC
Ci
首席信息官（关）
控制输入
控制输入
一个端口
B端口
VO = 3 V或0 ，
VCC = 2.3 V ，
典型值在VCC = 2.5 V
ron
VCC = 3 V
OE = VCC
VI = 0
VI = 1.7 V ，
VI = 0
II = 64毫安
II = 24毫安
II = 15毫安
II = 64毫安
II = 24毫安
II = 15毫安
VCC = 3 V ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 0 ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 3.6 V ，
VI = 3 V或0
测试条件
II = -18毫安
VI = VCC或GND
VI或VO = 0 3.6 V
IO = 0，
VI = VCC或GND
一个输入为3 V ，
在VCC和GND的其他投入
3
10.5
5.5
5
5
27
5
5
8
8
40
7
7
pF
民
TYP
最大
1.2
±1
15
10
300
单位
V
A
A
A
A
pF
VI = 2.4 V ，
10
15
所有典型值是在VCC = 3.3 V （除非另有说明） ， TA = 25 ℃。
这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的电压电平，而不是VCC或GND 。
§由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降的测量。通态电阻确定
由两个（ A或B）端子的电压的降低。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明） （参见图1）
参数
从
（输入）
A或B
tPD的
TEN
TDI发动机
TEN
TDI发动机
S
S
S
OE
OE
TO
（输出）
B或A
A或B
A或B
A或B
A或B
A或B
1.8
1.7
1
1.9
1
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
民
最大
0.15
6.1
6.1
4.8
5.6
5.5
1.8
1.7
1
2
1.6
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
民
最大
0.25
5.3
5.3
4.5
5
5.5
ns
ns
ns
ns
ns
单位
传播延迟是该开关的典型的导通状态电阻与规定的负载电容的计算的RC时间常数，当
由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
4
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SN74CBTLV3257
低电压4的第1位2 FET复用器/解复用器
SCDS040I - 1997年12月 - 修订2003年10月
参数测量信息
2
×
VCC
从输出
被测
CL
（见注一）
RL
VCC
2.5 V
±
0.2 V
3.3 V
±
0.3 V
CL
30 pF的
50 pF的
RL
500
500
V
0.15 V
0.3 V
RL
S1
开放
GND
TEST
tPLH的/的TPH1
tPLZ / tPZL
tPHZ / tPZH
S1
开放
2
×
VCC
GND
负载电路
VCC
定时输入
tw
VCC
输入
VCC/2
电压波形
脉冲持续时间
VCC
输入
TPLH
产量
的TPH1
VCC/2
VCC/2
VCC/2
VCC/2
0V
的TPH1
VOH
VCC/2
VOL
TPLH
VOH
产量
VCC/2
VOL
电压波形
传播延迟时间
反相和同相产出
产量
波形2
S1在GND
（见注B）
VCC/2
0V
电压波形
建立和保持时间
VCC
VCC/2
VCC/2
0V
tPLZ
VCC
VCC/2
VOL + V
tPHZ
VCC/2
VOH - V
VOH
≈0
V
VOL
数据输入
VCC/2
VCC/2
0V
VCC/2
0V
TSU
th
VCC
产量
控制
t
输出PZL
波形1
S1在2
×
VCC
（见注B）
tpZH
电压波形
启用和禁用时报
低收入和高级别ENABLING
注：A CL包括探针和夹具电容。
B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平除非输出控制禁止时。
波形2是内部条件的输出，使得输出为高，除去被禁止输出的时候。
C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR
≤
10兆赫，Z0 = 50
,
tr
≤
2纳秒， TF
≤
2纳秒。
D的输出被测量一次一个地与每测量1过渡。
大肠杆菌tPLZ和tPHZ相同TDIS 。
F. tPZL和tPZH是相同的10 。
G. tPLH的和的TPH1相同公吨。
H.所有参数和波形并不适用于所有的设备。
图1.负载电路和电压波形
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5
SN74CBTLV3257
低电压4的第1位2 FET复用器/解复用器
SCDS040I - 1997年12月 - 修订2003年10月
D
5 Ω交换机两个端口之间的连接
D
轨到轨开关上的数据I / O端口
D
I
关闭
支持部分掉电模式
D
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
D， DBQ ， DGV ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
D
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
RGY包装
（ TOP VIEW ）
S
1B1
1B2
1A
2B1
2B2
2A
GND
2
3
4
5
6
7
8
15
14
13
12
11
10
9
S
1
16
V
CC
OE
4B1
4B2
4A
3B1
3B2
3A
1
16
15
OE
14
4B1
13
4B2
12
4A
11
3B1
10
3B2
1B1
1B2
1A
2B1
2B2
2A
2
3
4
5
6
7
8
9
描述/订购信息
该SN74CBTLV3257是一个4位-1- - 2高速FET多路复用器/多路分用器。低通态电阻
开关允许以最小的传播延迟进行的连接。
选择（ S）输入控制数据流。在FET多路复用器/多路分解器被禁用时，
输出使能（ OE ）输入为高。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
功能可确保
当它断电破坏性电流不会通过器件倒流。该器件在具有隔离
切断电源。
为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
订购信息
TA
QFN - RGY
SOIC - D
-40 ° C至85°C
SSOP （ QSOP ） - DBQ
TSSOP - PW
TVSOP - DGV
包装
磁带和卷轴
管
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74CBTLV3257RGYR
SN74CBTLV3257D
SN74CBTLV3257DR
SN74CBTLV3257DBQR
SN74CBTLV3257PWR
SN74CBTLV3257DGVR
CBTLV3257
CL257
CL257
CL257
TOP- SIDE
记号
CL257
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南
可在www.ti.com/sc/package 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
GND
版权
2003年，德州仪器
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达拉斯，德克萨斯州75265
3A
V
CC
1
SN74CBTLV3257
低电压4的第1位2 FET复用器/解复用器
SCDS040I - 1997年12月 - 修订2003年10月
功能表
输入
OE
L
L
H
S
L
H
X
功能
端口= B1口
端口= B2口
断开
逻辑图（正逻辑）
4
1A
SW
3
SW
7
2A
SW
6
SW
9
SW
10
SW
12
4A
SW
13
SW
4B2
14
4B1
3B2
11
2B2
5
2B1
1B2
2
1B1
3A
3B1
1
S
15
OE
2
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达拉斯，德克萨斯州75265
SN74CBTLV3257
低电压4的第1位2 FET复用器/解复用器
SCDS040I - 1997年12月 - 修订2003年10月
简化原理图中，每个FET开关
A
B
（ OE）的
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
输入电压范围，V
I
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
连续通道电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 128毫安
输入钳位电流，I
IK
(V
I / O
＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注2 ） ：D包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73 ° C / W
（见注2 ） ： DBQ包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90 ° C / W
（见注2 ） ： DGV包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 120 ° C / W
（见注2 ） ： PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108 ° C / W
（见注3 ） ：红绿黄包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39 ° C / W
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注意：如果输入和输出钳位电流额定值观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-5 。
推荐工作条件（见注4 ）
民
VCC
VIH
VIL
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
2.3
1.7
2
0.7
0.8
V
V
最大
3.6
单位
V
TA
工作自由空气的温度
40
85
°C
注4 ：该设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
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3
SN74CBTLV3257
低电压4的第1位2 FET复用器/解复用器
SCDS040I - 1997年12月 - 修订2003年10月
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明）
参数
VIK
II
IOFF
ICC
I
CC
Ci
首席信息官（关）
控制输入
控制输入
一个端口
B端口
VO = 3 V或0 ，
VCC = 2.3 V ，
典型值在VCC = 2.5 V
ron
VCC = 3 V
OE = VCC
VI = 0
VI = 1.7 V ，
VI = 0
II = 64毫安
II = 24毫安
II = 15毫安
II = 64毫安
II = 24毫安
II = 15毫安
VCC = 3 V ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 0 ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 3.6 V ，
VI = 3 V或0
测试条件
II = -18毫安
VI = VCC或GND
VI或VO = 0 3.6 V
IO = 0，
VI = VCC或GND
一个输入为3 V ，
在VCC和GND的其他投入
3
10.5
5.5
5
5
27
5
5
8
8
40
7
7
pF
民
TYP
最大
1.2
±1
15
10
300
单位
V
A
A
A
A
pF
VI = 2.4 V ，
10
15
所有典型值是在VCC = 3.3 V （除非另有说明） ， TA = 25 ℃。
这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的电压电平，而不是VCC或GND 。
§由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降的测量。通态电阻确定
由两个（ A或B）端子的电压的降低。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明） （参见图1）
参数
从
（输入）
A或B
tPD的
TEN
TDI发动机
TEN
TDI发动机
S
S
S
OE
OE
TO
（输出）
B或A
A或B
A或B
A或B
A或B
A或B
1.8
1.7
1
1.9
1
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
民
最大
0.15
6.1
6.1
4.8
5.6
5.5
1.8
1.7
1
2
1.6
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
民
最大
0.25
5.3
5.3
4.5
5
5.5
ns
ns
ns
ns
ns
单位
传播延迟是该开关的典型的导通状态电阻与规定的负载电容的计算的RC时间常数，当
由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
4
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SN74CBTLV3257
低电压4的第1位2 FET复用器/解复用器
SCDS040I - 1997年12月 - 修订2003年10月
参数测量信息
2
×
VCC
从输出
被测
CL
（见注一）
RL
VCC
2.5 V
±
0.2 V
3.3 V
±
0.3 V
CL
30 pF的
50 pF的
RL
500
500
V
0.15 V
0.3 V
RL
S1
开放
GND
TEST
tPLH的/的TPH1
tPLZ / tPZL
tPHZ / tPZH
S1
开放
2
×
VCC
GND
负载电路
VCC
定时输入
tw
VCC
输入
VCC/2
电压波形
脉冲持续时间
VCC
输入
TPLH
产量
的TPH1
VCC/2
VCC/2
VCC/2
VCC/2
0V
的TPH1
VOH
VCC/2
VOL
TPLH
VOH
产量
VCC/2
VOL
电压波形
传播延迟时间
反相和同相产出
产量
波形2
S1在GND
（见注B）
VCC/2
0V
电压波形
建立和保持时间
VCC
VCC/2
VCC/2
0V
tPLZ
VCC
VCC/2
VOL + V
tPHZ
VCC/2
VOH - V
VOH
≈0
V
VOL
数据输入
VCC/2
VCC/2
0V
VCC/2
0V
TSU
th
VCC
产量
控制
t
输出PZL
波形1
S1在2
×
VCC
（见注B）
tpZH
电压波形
启用和禁用时报
低收入和高级别ENABLING
注：A CL包括探针和夹具电容。
B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平除非输出控制禁止时。
波形2是内部条件的输出，使得输出为高，除去被禁止输出的时候。
C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR
≤
10兆赫，Z0 = 50
,
tr
≤
2纳秒， TF
≤
2纳秒。
D的输出被测量一次一个地与每测量1过渡。
大肠杆菌tPLZ和tPHZ相同TDIS 。
F. tPZL和tPZH是相同的10 。
G. tPLH的和的TPH1相同公吨。
H.所有参数和波形并不适用于所有的设备。
图1.负载电路和电压波形
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5
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