SN74CBTLV3245A

低电压八路FET总线开关

SCDS034H - 1997年7月 - 修订1999年11月

D

D

D

D

D

D

标准的“ 245型引脚

5 Ω交换机两个端口之间的连接

隔离在断电条件

ESD保护超过2000伏每

MIL -STD -883方法3015 ;超过200 V

使用机型号（ C = 200 pF的， R = 0 ）

闭锁性能超过250毫安每

JESD 17

封装选项包括缩小

小外形（ DBQ ） ，非常薄

小外形（ DGV ） ，小外形（ DW ） ，

薄小外形（ PW ）

套餐

DBQ ， DGV ， DW ，或PW包装

（ TOP VIEW ）

NC

A1

A2

A3

A4

A5

A6

A7

A8

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

20

19

18

17

16

15

14

13

12

11

V

CC

OE

B1

B2

B3

B4

B5

B6

B7

B8

NC - 无内部连接

描述

该SN74CBTLV3245A提供了8位高速总线开关在一个标准的“ 245器件的引脚。该

开关的低导通电阻可以连接到被以最小的传播延迟进行。

该设备被组织成一个8位的开关。当输出使能（OE ）为低电平时， 8位总线开关接通和A端口

被连接到B端口。当OE为高电平时，开关是断开的和之间存在高阻抗状态

两个端口。

为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应当连接到V

CC

通过上拉

电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。

该SN74CBTLV3245A的特点是操作温度范围为-40 ° C至85°C 。

功能表

输入

OE

L

H

功能

一个端口= B口

断开

逻辑图（正逻辑）

2

A1

SW

18

B1

9

A8

SW

11

B8

19

OE

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

1999年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

1

SN74CBTLV3245A

低电压八路FET总线开关

SCDS034H - 1997年7月 - 修订1999年11月

简化原理图中，每个FET开关

A

B

（ OE）的

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压范围，V

CC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V

输入电压范围，V

I

（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V

连续通道电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 128毫安

输入钳位电流，I

IK

(V

I / O

＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安

封装的热阻抗，

θ

JA

（见注2 ） ： DBQ包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 68 ° C / W

DGV包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 92 ° C / W

DW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58 ° C / W

PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 83 ° C / W

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注意：如果输入和输出钳位电流额定值观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。

2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51 。

推荐工作条件（见注3 ）

民

VCC

VIH

VIL

电源电压

高级控制输入电压

高位

低电平

低电平控制输入电压

VCC = 2.3 V至2.7 V

VCC = 2.7 V至3.6 V

VCC = 2.3 V至2.7 V

VCC = 2.7 V至3.6 V

2.3

1.7

2

0.7

0.8

最大

3.6

单位

V

V

V

TA

工作自由空气的温度

–40

85

°C

注3 ：该设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，

慢或浮动CMOS输入的影响，

文献编号SCBA004 。

2

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达拉斯，德克萨斯州75265

SN74CBTLV3245A

低电压八路FET总线开关

SCDS034H - 1997年7月 - 修订1999年11月

电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非

另有说明）

参数

VIK

II

IOFF

ICC

I

CC

Ci

控制输入

控制输入

控制输入

数据输入

VCC = 3 V

V,

VCC = 3.6 V ，

VCC = 0 ，

VCC = 3.6 V ，

VCC = 3.6 V ，

VI = 3 V或0

VO = 3 V或0 ，

VCC = 2.3 V ，

23V

典型值在VCC = 2.5 V

25

ron

VCC = 3 V

测试条件

II = -18毫安

18

VI = VCC或GND

VI或VO = 0 3.6 V

IO = 0，

一个输入为3 V ，

OE = VCC

VI = 0

VI = 1.7 V ，

VI = 0

IO = 64毫安

IO = 24毫安

IO = 15毫安

IO = 64毫安

IO = 24毫安

IO = 15毫安

VI = VCC或GND

在VCC和GND的其他投入

4

9

5

5

27

5

5

8

8

40

7

7

民

TYP

最大

–1.2

–0.8

±60

40

20

300

单位

V

A

A

A

A

pF

pF

首席信息官（关）

VI = 2.4 V ，

10

15

所有典型值是在VCC = 3.3 V （除非另有说明） ， TA = 25 ℃。

§这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的电压电平，而不是VCC或GND 。

测量由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。通态电阻由下式确定

两个（ A或B）端子的电压的降低。

开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非

另有说明） （参见图1和图2）

参数

TPD

TEN

TDI发动机

从

（输入）

A或B

OE

OE

TO

（输出）

B或A

A或B

A或B

1

1

VCC = 2.5 V

±

0.2 V

民

最大

0.15

6

6.1

1

1

VCC = 3.3 V

±

0.3 V

民

最大

0.25

4.7

6.4

ns

ns

ns

单位

传播延迟是典型的通态电阻的开关和指定负载电容时的所计算的RC时间常数

由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。

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3

SN74CBTLV3245A

低电压八路FET总线开关

SCDS034H - 1997年7月 - 修订1999年11月

参数测量信息

V

CC

= 2.5 V

±

0.2 V

2

×

VCC

从输出

被测

CL = 30 pF的

（见注一）

500

S1

开放

GND

500

产量

控制

（低电平

使能）

tPZL

VCC

输入

VCC/2

TPLH

VCC/2

0V

的TPH1

VOH

产量

VCC/2

电压波形

传播延迟时间

VCC/2

VOL

产量

波形2

S1在GND

（见注B）

产量

波形1

S1在2

×

VCC

（见注B）

tpZH

TEST

tPD的

tPLZ / tPZL

tPHZ / tPZH

S1

开放

2

×

VCC

GND

VCC

VCC/2

VCC/2

0V

tPLZ

VCC

VCC/2

VOL + 0.15 V

VOL

tPHZ

VOH

VOH - 0.15 V

0V

电压波形

启用和禁用时报

负载电路

VCC/2

注：A CL包括探针和夹具电容。

B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平除非输出控制禁止时。

波形2是内部条件的输出，使得输出为高，除去被禁止输出的时候。

C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR

≤

10兆赫，Z0 = 50

,

tr

≤

2纳秒， TF

≤

2纳秒。

D的输出被测量一次一个地与每测量1过渡。

大肠杆菌tPLZ和tPHZ相同TDIS 。

F. tPZL和tPZH是相同的10 。

G. tPLH的和的TPH1相同公吨。

图1.负载电路和电压波形

4

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SN74CBTLV3245A

低电压八路FET总线开关

SCDS034H - 1997年7月 - 修订1999年11月

参数测量信息

V

CC

= 3.3 V

±

0.3 V

2

×

VCC

从输出

被测

CL = 50 pF的

（见注一）

500

S1

开放

GND

500

TEST

tPD的

tPLZ / tPZL

tPHZ / tPZH

S1

开放

2

×

VCC

GND

负载电路

产量

控制

tPZL

VCC

产量

波形1

S1在2

×

VCC

（见注B）

tpZH

VOH

产量

波形2

S1在GND

（见注B）

VCC

VCC/2

VCC/2

0V

tPLZ

VCC

VCC/2

VOL + 0.3 V

VOL

tPHZ

VOH

VOH - 0.3 V

0V

电压波形

启用和禁用时报

输入

VCC/2

TPLH

VCC/2

0V

的TPH1

产量

VCC/2

电压波形

传播延迟时间

VCC/2

VOL

VCC/2

注：A CL包括探针和夹具电容。

B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平除非输出控制禁止时。

波形2是内部条件的输出，使得输出为高，除去被禁止输出的时候。

C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR

≤

10兆赫，Z0 = 50

,

tr

≤

2纳秒， TF

≤

2纳秒。

D的输出被测量一次一个地与每测量1过渡。

大肠杆菌tPLZ和tPHZ相同TDIS 。

F. tPZL和tPZH是相同的10 。

G. tPLH的和的TPH1相同公吨。

图2.负载电路和电压波形

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5

SN74CBTLV3245A

低电压八路FET总线开关

SCDS034L - 1997年7月 - 修订2003年10月

D

D

D

D

标准的“ 245型引脚

5 Ω交换机两个端口之间的连接

轨到轨开关上的数据I / O端口

I

关闭

支持部分掉电模式

手术

DBQ ， DGV ， DW ，或PW包装

（ TOP VIEW ）

D

闭锁性能超过250毫安每

D

JESD 17

ESD保护超过JESD 22

- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）

- 200 -V机型号（ A115 -A ）

RGY包装

（ TOP VIEW ）

NC

A1

A2

A3

A4

A5

A6

A7

A8

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

20

19

18

17

16

15

14

13

12

11

V

CC

OE

B1

B2

B3

B4

B5

B6

B7

B8

1

20

19

OE

18

B1

17

B2

16

B3

15

B4

14

B5

13

B6

12

B7

A1

A2

A3

A4

A5

A6

A7

A8

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

NC - 无内部连接

NC - 无内部连接

描述/订购信息

该SN74CBTLV3245A提供了8位高速总线开关在一个标准的“ 245器件的引脚。该

开关的低导通电阻可以连接到被以最小的传播延迟进行。

该设备被组织成一个8位的开关。当输出使能（OE ）为低电平时， 8位总线开关打开，

和端口A连接到端口B，当OE为高时，开关被打开，并且高阻抗状态存在

在两个端口之间。

这个装置是用我的部分掉电应用完全指定

关闭

。在我

关闭

功能可确保

当它断电破坏性电流不会通过器件倒流。该器件在具有隔离

切断电源。

为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应当连接到V

CC

通过上拉

电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。

订购信息

TA

QFN - RGY

SOIC - DW

-40 ° C至85°C

SSOP （ QSOP ） - DBQ

TSSOP - PW

TVSOP - DGV

包装

磁带和卷轴

管

磁带和卷轴

磁带和卷轴

磁带和卷轴

磁带和卷轴

订购

产品型号

SN74CBTLV3245ARGYR

SN74CBTLV3245ADW

SN74CBTLV3245ADWR

SN74CBTLV3245ADBQR

SN74CBTLV3245APWR

SN74CBTLV3245ADGVR

CBTLV3245A

CBTLV3245A

CL245A

CL245A

TOP- SIDE

记号

CL245A

包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计准则

可在www.ti.com/sc/package 。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

2003年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

GND

B8

V

CC

NC

1

SN74CBTLV3245A

低电压八路FET总线开关

SCDS034L - 1997年7月 - 修订2003年10月

功能表

输入

OE

L

H

功能

一个端口= B口

断开

逻辑图（正逻辑）

2

A1

SW

18

B1

9

A8

SW

11

B8

19

OE

简化原理图中，每个FET开关

A

B

（ OE）的

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压范围，V

CC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V

输入电压范围，V

I

（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V

连续通道电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 128毫安

输入钳位电流，I

IK

(V

I / O

＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安

封装的热阻抗，

θ

JA

（见注2 ） ： DBQ包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 68 ° C / W

（见注2 ） ： DGV包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 92 ° C / W

（见注2 ） ： DW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58 ° C / W

（见注2 ） ： PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 83 ° C / W

（见注3 ） ：红绿黄包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37 ° C / W

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注意：如果输入和输出钳位电流额定值观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。

2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-5 。

2

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

SN74CBTLV3245A

低电压八路FET总线开关

SCDS034L - 1997年7月 - 修订2003年10月

推荐工作条件（见注4 ）

民

VCC

VIH

VIL

电源电压

高层次的控制输入电压

低级别的控制输入电压

VCC = 2.3 V至2.7 V

VCC = 2.7 V至3.6 V

VCC = 2.3 V至2.7 V

VCC = 2.7 V至3.6 V

2.3

1.7

2

0.7

0.8

V

V

最大

3.6

单位

V

TA

工作自由空气的温度

40

85

°C

注4 ：该设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，

慢或浮动CMOS输入的影响，

文献编号SCBA004 。

电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非

另有说明）

参数

控制输入

VIK

II

IOFF

ICC

I

CC

Ci

控制输入

控制输入

数据输入

VCC = 3 V ，

VCC = 3.6 V ，

VCC = 0 ，

VCC = 3.6 V ，

VCC = 3.6 V ，

VI = 3 V或0

VO = 3 V或0 ，

VCC = 2.3 V ，

典型值在VCC = 2.5 V

ron

VCC = 3 V

II = -18毫安

VI = VCC或GND

VI或VO = 0 3.6 V

IO = 0，

一个输入为3 V ，

OE = VCC

VI = 0

VI = 1.7 V ，

VI = 0

IO = 64毫安

IO = 24毫安

IO = 15毫安

IO = 64毫安

IO = 24毫安

IO = 15毫安

VI = VCC或GND

在VCC和GND的其他投入

4

9

5

5

27

5

5

8

8

40

7

7

测试条件

民

TYP

最大

1.2

0.8

±60

40

20

300

V

A

A

A

A

pF

pF

单位

首席信息官（关）

VI = 2.4 V ，

10

15

所有典型值是在VCC = 3.3 V （除非另有说明） ， TA = 25 ℃。

这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的电压电平，而不是VCC或GND 。

测量由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。通态电阻由下式确定

两个（ A或B）端子的电压的降低。

开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非

另有说明） （参见图1）

参数

TPD

TEN

TDI发动机

从

（输入）

A或B

OE

OE

TO

（输出）

B或A

A或B

A或B

1

1

VCC = 2.5 V

±

0.2 V

民

最大

0.15

6

6.1

1

1

VCC = 3.3 V

±

0.3 V

民

最大

0.25

4.7

6.4

ns

ns

ns

单位

传播延迟是该开关的典型的导通状态电阻与规定的负载电容的计算的RC时间常数，当

由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

3

SN74CBTLV3245A

低电压八路FET总线开关

SCDS034L - 1997年7月 - 修订2003年10月

参数测量信息

2

×

VCC

从输出

被测

CL

（见注一）

RL

VCC

2.5 V

±0.2

V

3.3 V

±0.3

V

CL

30 pF的

50 pF的

RL

500

500

V

0.15 V

0.3 V

RL

S1

开放

GND

TEST

tPLH的/的TPH1

tPLZ / tPZL

tPHZ / tPZH

S1

开放

2

×

VCC

GND

负载电路

VCC

定时输入

tw

VCC

输入

VCC/2

VCC/2

0V

电压波形

脉冲持续时间

VCC

输入

TPLH

产量

的TPH1

VCC/2

VCC/2

VCC/2

VCC/2

0V

的TPH1

VOH

VCC/2

VOL

TPLH

VOH

产量

VCC/2

VOL

电压波形

传播延迟时间

反相和同相产出

产量

波形2

S1在GND

（见注B）

电压波形

建立和保持时间

VCC

VCC/2

VCC/2

0V

tPLZ

VCC

VCC/2

VOL + V

tPHZ

VCC/2

VOH - V

VOH

≈0

V

VOL

数据输入

VCC/2

0V

TSU

VCC/2

th

VCC

VCC/2

0V

产量

控制

t

输出PZL

波形1

S1在2

×

VCC

（见注B）

tpZH

电压波形

启用和禁用时报

低收入和高级别ENABLING

注：A CL包括探针和夹具电容。

B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平除非输出控制禁止时。

波形2是内部条件的输出，使得输出为高，除去被禁止输出的时候。

C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR

≤

10兆赫，Z0 = 50

,

tr

≤

2纳秒， TF

≤

2纳秒。

D的输出被测量一次一个地与每测量1过渡。

大肠杆菌tPLZ和tPHZ相同TDIS 。

F. tPZL和tPZH是相同的10 。

G. tPLH的和的TPH1相同公吨。

H.所有参数和波形并不适用于所有的设备。

图1.负载电路和电压波形

4

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

封装选项附录

www.ti.com

25-Feb-2005

包装信息

订购设备

SN74CBTLV3245ADBQR

SN74CBTLV3245ADGVR

SN74CBTLV3245ADW

SN74CBTLV3245ADWR

SN74CBTLV3245APW

SN74CBTLV3245APWR

SN74CBTLV3245ARGYR

(1)

状态

(1)

活跃

活跃

活跃

活跃

活跃

活跃

活跃

包

TYPE

SSOP /

QSOP

TVSOP

SOIC

SOIC

TSSOP

TSSOP

QFN

包

制图

DBQ

DGV

DW

DW

PW

PW

RGY

引脚封装环保计划

(2)

数量

20

20

20

20

20

20

20

2500

2000

25

2000

70

2000

无铅

（符合RoHS ）

无铅

（符合RoHS ）

无铅

（符合RoHS ）

无铅

（符合RoHS ）

无铅

（符合RoHS ）

无铅

（符合RoHS ）

铅/焊球涂层

CU镍钯金

CU镍钯金

CU镍钯金

CU镍钯金

CU镍钯金

CU镍钯金

CU镍钯金

MSL峰值温度

(3)

等级- 2-260C - 1年/

Level-1-235C-UNLIM

Level-1-250C-UNLIM

等级- 2-250C - 1年/

Level-1-235C-UNLIM

等级- 2-250C - 1年/

Level-1-235C-UNLIM

Level-1-250C-UNLIM

Level-1-250C-UNLIM

Level-2-260C-1YEAR

1000绿色环保（RoHS &

无锑/溴）

营销状态值的定义如下：

ACTIVE ：

建议用于新设计产品的设备。

LIFEBUY ：

德州仪器日前宣布，该设备将停止，并且终身购买期间生效。

NRND ：

不建议用于新设计。设备是生产以支持现有客户，但TI不推荐使用这部分

新的设计。

预览：

设备已宣告但尚未投入生产。样品可以是或可以不是可用的。

已过时：

TI已经停止生产该设备的。

(2)

环保计划 - 可能目前还无法使用 - 请查看

http://www.ti.com/productcontent

最新供货信息和附加

产品内容的详细信息。

无：

尚未有铅（无铅） 。

无铅（ RoHS指令） ：

TI的条款"Lead - Free"或"Pb - Free"意味着与当前RoHS要求的半导体产品

对于所有6种物质，其中包括铅的重量不超过均质材料0.1 ％的要求。其中，设计成被焊接

在高温下， TI无铅产品适用于特定的无铅工艺。

绿色环保（RoHS &无锑/溴） ：

TI定义"Green"意味着"Pb - Free" ，另外，使用不含有卤素的包装材料，

包括溴（Br）或锑（ Sb）的产品总重量的0.1％以上。

(3)

MSL ，峰值温度。 - 根据JEDECindustry标准分类的湿度敏感等级评价和峰值焊接

温度。

重要信息及免责声明：

本页提供的信息代表了TI的知识和信念，这是日期

提供的。 TI基于其上由第三方提供的信息，知识和信念，不作任何陈述或保证的

这些信息的准确性。正在努力更好地整合来自第三方的信息。 TI已经采取并将继续采取

合理步骤，以提供有代表性的，准确的信息，但可能还没有进行破坏性测试或化学分析

传入的材料和化学品。 TI及其供应商认为某些信息是专有的，因此CAS号码和其他有限

信息可能不提供用于释放。

在任何情况下，所产生的这种信息TI的责任超过了TI的部分（ S）的总购买价格问题由TI出售本文档中

为客户在年度基础上。

附录1页