SN74CBTLV3126

低压翻两番FET总线开关

SCDS038D - 1997年12月 - 修订1999年7月

D

D

D

D

D

标准的“ 126型引脚

5 Ω交换机两个端口之间的连接

隔离在断电条件

闭锁性能超过100mA的每

JESD 78 ， II类

封装选择包括塑料

小外形封装（ D） ，收缩型小外形

（ DBQ ） ，非常薄小外形（ DGV ） ，和

超薄紧缩小外形（ PW ）封装

D， DGV ，或PW包装

（ TOP VIEW ）

1OE

1A

1B

2OE

2A

2B

GND

1

2

3

4

5

6

7

14

13

12

11

10

9

8

V

CC

4OE

4A

4B

3OE

3A

3B

描述

该SN74CBTLV3126四倍FET总线开关

具有独立的行开关。每个开关

被禁用时，相应的输出使能

（ OE ）输入为低。

为了确保电源在高阻抗状态

或断电，操作环境应连接到GND

通过一个下拉电阻;的最小值

该电阻是由电流吸收测定

驾驶员的能力。

该SN74CBTLV3126的特点是

操作温度范围为-40 ° C至85°C 。

DBQ包装

（ TOP VIEW ）

NC

1OE

1A

1B

2OE

2A

2B

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

16

15

14

13

12

11

10

9

V

CC

4OE

4A

4B

3OE

3A

3B

NC

NC - 无内部连接

功能表

（每条总线开关）

输入

OE

L

H

功能

断开

一个端口= B口

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

1999年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

1

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低压翻两番FET总线开关

SCDS038D - 1997年12月 - 修订1999年7月

逻辑图（正逻辑）

2

1A

1OE

2A

4

2OE

1

5

SW

6

2B

SW

3

1B

9

3A

3OE

4A

13

4OE

10

12

SW

SW

8

3B

11

4B

简化原理图中，每个FET开关

A

B

（ OE）的

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压范围，V

CC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V

输入电压范围，V

I

（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V

连续通道电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 128毫安

输入钳位电流，I

IK

(V

I / O

＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安

封装的热阻抗，

θ

JA

（见注2 ） ：D包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 127 ° C / W

DBQ包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 139 ° C / W

DGV包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 182 ° C / W

PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 170 ° C / W

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注意：如果输入和输出钳位电流额定值观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。

2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51 。

2

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推荐工作条件（见注3 ）

民

VCC

VIH

VIL

电源电压

高级控制输入电压

高位

低电平

低电平控制输入电压

VCC = 2.3 V至2.7 V

VCC = 2.7 V至3.6 V

VCC = 2.3 V至2.7 V

VCC = 2.7 V至3.6 V

2.3

1.7

2

0.7

0.8

最大

3.6

单位

V

V

V

TA

工作自由空气的温度

–40

85

°C

注3 ：该设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，

慢或浮动CMOS输入的影响，

文献编号SCBA004 。

电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非

另有说明）

参数

VIK

II

IOFF

ICC

I

CC

Ci

控制输入

控制输入

VCC = 3 V ，

VCC = 3.6 V ，

VCC = 0 ，

VCC = 3.6 V ，

VCC = 3.6 V ，

VI = 3 V或0

VO = 3 V或0 ，

VCC = 2.3 V ，

23V

典型值在VCC = 2.5 V

ron

VCC = 3 V

测试条件

II = -18毫安

VI = VCC或GND

VI或VO = 0 4.5 V

IO = 0，

VI = VCC或GND

一个输入为3 V ，

在VCC和GND的其他投入

2.5

OE = VCC

VI = 0

VI = 1.7 V ，

VI = 0

II = 64毫安

II = 24毫安

II = 15毫安

II = 64毫安

II = 24毫安

7

5

5

27

5

5

8

8

40

7

7

民

TYP

最大

–1.2

±1

10

10

300

单位

V

A

A

A

A

pF

pF

首席信息官（关）

VI = 2.4 V ，

II = 15毫安

10

15

所有典型值是在VCC = 3.3 V （除非另有说明） ， TA = 25 ℃。

§这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的电压电平，而不是VCC或GND 。

测量由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。通态电阻由下式确定

两个（ A或B）端子的电压的降低。

开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非

另有说明） （参见图1和图2）

参数

TPD

TEN

TDI发动机

从

（输入）

A或B

OE

OE

TO

（输出）

B或A

A或B

A或B

1.6

1.3

VCC = 2.5 V

±

0.2 V

民

最大

0.35

4.5

4.7

1.9

1

VCC = 3.3 V

±

0.3 V

民

最大

0.25

4.2

4.8

ns

ns

ns

单位

传播延迟是该开关的典型的导通状态电阻与规定的负载电容的计算的RC时间常数，当

由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。

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参数测量信息

V

CC

= 2.5 V

±

0.2 V

2

×

VCC

从输出

被测

CL = 30 pF的

（见注一）

500

S1

开放

GND

500

VCC

VCC/2

VCC/2

0V

tPZL

VCC

输入

VCC/2

TPLH

VCC/2

0V

的TPH1

VOH

产量

VCC/2

电压波形

传播延迟时间

VCC/2

VOL

产量

波形2

S1在GND

（见注B）

产量

波形1

S1在2

×

VCC

（见注B）

tpZH

tPLZ

VCC

VCC/2

VOL + 0.15 V

VOL

tPHZ

VOH

VOH - 0.15 V

0V

电压波形

启用和禁用时报

TEST

tPD的

tPLZ / tPZL

tPHZ / tPZH

S1

开放

2

×

VCC

GND

负载电路

产量

控制

VCC/2

注：A CL包括探针和夹具电容。

B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平除非输出控制禁止时。

波形2是内部条件的输出，使得输出为高，除去被禁止输出的时候。

C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR

≤

10兆赫，Z0 = 50

,

tr

≤

2纳秒， TF

≤

2纳秒。

D的输出被测量一次一个地与每测量1过渡。

大肠杆菌tPLZ和tPHZ相同TDIS 。

F. tPZL和tPZH是相同的10 。

G. tPLH的和的TPH1相同公吨。

图1.负载电路和电压波形

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参数测量信息

V

CC

= 3.3 V

±

0.3 V

6V

从输出

被测

CL = 50 pF的

（见注一）

500

S1

开放

GND

500

TEST

tPD的

tPLZ / tPZL

tPHZ / tPZH

S1

开放

2

×

VCC

GND

负载电路

产量

控制

tPZL

VCC

产量

波形1

S1在2

×

VCC

（见注B）

tpZH

VOH

产量

波形2

S1在GND

（见注B）

VCC

VCC/2

VCC/2

0V

tPLZ

VCC

VCC/2

VOL + 0.3 V

VOL

tPHZ

VOH

VOH - 0.3 V

0V

电压波形

启用和禁用时报

输入

VCC/2

TPLH

VCC/2

0V

的TPH1

产量

VCC/2

电压波形

传播延迟时间

VCC/2

VOL

VCC/2

注：A CL包括探针和夹具电容。

B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平除非输出控制禁止时。

波形2是内部条件的输出，使得输出为高，除去被禁止输出的时候。

C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR

≤

10兆赫，Z0 = 50

,

tr

≤

2纳秒， TF

≤

2纳秒。

D的输出被测量一次一个地与每测量1过渡。

大肠杆菌tPLZ和tPHZ相同TDIS 。

F. tPZL和tPZH是相同的10 。

G. tPLH的和的TPH1相同公吨。

图2.负载电路和电压波形

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