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SN74CBTLV16800
低电压20位FET总线开关
与预充电输出
SCDS045F - 1997年12月 - 修订1999年5月
D
D
D
D
D
D
5 Ω交换机两个端口之间的连接
隔离在断电条件
B端口输出被偏置预充电
电压,最大限度地减少信号失真
在现场插
ESD保护超过2000伏每
MIL -STD -883方法3015 ;超过200 V
使用机型号( C = 200 pF的, R = 0 )
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
封装选择包括塑料薄膜
紧缩小外形封装( DGG ) ,非常薄
小外形( DGV ) ,以及300万热收缩
小外形( DL )封装
DGG , DGV ,或DL包装
( TOP VIEW )
注:对于磁带和卷轴订单输入:
该DGGR包被缩写为GR ,并
在DGVR包简称VR 。
描述
该SN74CBTLV16800提供20位
高速总线切换。低通态
开关的电阻可以连接到有
以最小的传播延迟进行。该装置
也预充电B端口到一个用户可选
偏置电压( BIASV ) ,以尽量减少活插入
噪声。
BiasV
1A1
1A2
1A3
1A4
1A5
1A6
GND
1A7
1A8
1A9
1A10
2A1
2A2
V
CC
2A3
GND
2A4
2A5
2A6
2A7
2A8
2A9
2A10
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
1OE
2OE
1B1
1B2
1B3
1B4
1B5
GND
1B6
1B7
1B8
1B9
1B10
2B1
2B2
2B3
GND
2B4
2B5
2B6
2B7
2B8
2B9
2B10
该设备组织为双10位总线开关,带独立输出使能( OE )输入。它可用于
为两个10位总线开关或者一个20位总线开关。当OE为低电平时,相关联的10位总线开关打开,
和端口A连接到端口B,当OE为高电平时,开关是断开的,之间存在高阻抗状态
两个端口,而端口B被预充电到BIASV通过一个10 - kΩ电阻的等价物。
为了确保上电或断电高阻抗状态, OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
该SN74CBTLV16800的特点是操作温度范围为-40 ° C至85°C 。
功能表
(每个10位总线开关)
输入
OE
L
H
功能
一个端口= B口
一个端口= Z
B端口= BIASV
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1999年,德州仪器
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达拉斯,德克萨斯州75265
1
SN74CBTLV16800
低电压20位FET总线开关
与预充电输出
SCDS045F - 1997年12月 - 修订1999年5月
逻辑图(正逻辑)
1
2
1A1
SW
46
1B1
BiasV
12
1A10
SW
36
1B10
48
1OE
13
2A1
SW
35
2B1
24
2A10
SW
25
2B10
47
2OE
简化原理图中,每个FET开关
A
B
( OE)的
2
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SN74CBTLV16800
低电压20位FET总线开关
与预充电输出
SCDS045F - 1997年12月 - 修订1999年5月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压范围,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
偏置电压范围, BIASV 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
输入电压范围,V
I
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
连续通道电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 128毫安
输入钳位电流,I
IK
(V
I
& LT ; 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注2 ) : DGG包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 89 ° C / W
DGV包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 93 ° C / W
DL包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 94 ° C / W
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注意:如果输入和输出钳位电流额定值观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51 。
推荐工作条件(见注3 )
VCC
BiasV
VIH
VIL
电源电压
偏压
高级控制输入电压
高位
低电平
低电平控制输入电压
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
2.3
1.3
1.7
2
0.7
0.8
最大
3.6
VCC
单位
V
V
V
V
TA
工作自由空气的温度
–40
85
°C
注3 :该设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明)
参数
VIK
II
IOFF
IO
ICC
I
CC§
Ci
首席信息官(关)
一个端口
VCC = 3 V ,
VCC = 3.6 V ,
VCC = 0 ,
VCC = 3 V ,
VCC = 3.6 V ,
VCC = 3.6 V ,
VI = 3 V或0
VO = 3 V或0 ,
VCC = 2.3 V
2 3 V,
典型值在VCC = 2.5 V
ron
VCC = 3 V
测试条件
II = -18毫安
VI = VCC或GND
VI或VO = 0 3.6 V
BIASV = 2.4 V ,
VO = 0,
OE = VCC
IO = 0,
VI = VCC或GND
一个输入为3 V ,
关闭,
VI = 0
VI = 1.7 V ,
VI = 0
在VCC和GND的其他投入
4.5
BIASV =打开
II = 64毫安
II = 24毫安
II = 15毫安
II = 64毫安
II = 24毫安
6.5
5
5
25
5
5
9
9
35
7
7
0.25
10
300
TYP
最大
–1.2
±1
10
单位
V
A
A
mA
A
A
pF
pF
控制输入
控制输入
VI = 2.4 V ,
II = 15毫安
8
15
所有典型值是在VCC = 3.3 V (除非另有说明) , TA = 25 ℃。
§这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的电压电平,而不是VCC或GND 。
测量由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。通态电阻由下式确定
两个( A或B)端子的电压的降低。
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3
SN74CBTLV16800
低电压20位FET总线开关
与预充电输出
SCDS045F - 1997年12月 - 修订1999年5月
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明) (参见图1和图2)
参数
TPD
tpZH
tPZL
tPHZ
tPLZ
BIASV = GND
BIASV = 3 V
BIASV = GND
BIASV = 3 V
OE
TEST
条件
(输入)
A或B
TO
(输出)
B或A
A或B
2.9
2.8
1.4
1.3
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
最大
0.35
7.7
6.4
6.8
4.2
2.2
2.1
2.6
1.5
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
最大
0.25
5.5
5.3
7.6
5.1
ns
ns
单位
OE
A或B
ns
传播延迟是该开关的典型的导通状态电阻与规定的负载电容的计算的RC时间常数,当
由一个理想电压源(零输出阻抗)驱动。
参数测量信息
V
CC
= 2.5 V
±
0.2 V
2
×
VCC
从输出
被测
CL = 30 pF的
(见注一)
500
S1
开放
GND
500
产量
控制
(低电平
使能)
tPZL
VCC
输入
VCC/2
TPLH
VCC/2
0V
的TPH1
VOH
产量
VCC/2
电压波形
传播延迟时间
VCC/2
VOL
产量
波形2
S1在GND
(见注B)
产量
波形1
S1在2
×
VCC
(见注B)
tpZH
TEST
tPD的
tPLZ / tPZL
tPHZ / tPZH
S1
开放
2
×
VCC
GND
VCC
VCC/2
VCC/2
0V
tPLZ
VCC
VCC/2
VOL + 0.15 V
VOL
tPHZ
VOH
VOH - 0.15 V
0V
电压波形
启用和禁用时报
负载电路
VCC/2
注:A CL包括探针和夹具电容。
B.波形1是内部条件的输出,使得输出为低电平除非输出控制禁止时。
波形2是内部条件的输出,使得输出为高,除去被禁止输出的时候。
C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机: PRR
10兆赫,Z0 = 50
,
tr
2纳秒, TF
2纳秒。
D的输出被测量一次一个地与每测量1过渡。
大肠杆菌tPLH的和的TPH1相同公吨。
图1.负载电路和电压波形
4
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SN74CBTLV16800
低电压20位FET总线开关
与预充电输出
SCDS045F - 1997年12月 - 修订1999年5月
参数测量信息
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
6V
从输出
被测
CL = 50 pF的
(见注一)
500
S1
开放
GND
500
产量
控制
(低电平
使能)
tPZL
3V
输入
1.5 V
1.5 V
0V
TPLH
产量
1.5 V
电压波形
传播延迟时间
的TPH1
VOH
1.5 V
VOL
产量
波形1
S1在6 V
(见注B)
tpZH
产量
波形2
S1在GND
(见注B)
1.5 V
TEST
tPD的
tPLZ / tPZL
tPHZ / tPZH
S1
开放
6V
GND
3V
1.5 V
1.5 V
0V
tPLZ
3V
1.5 V
VOL + 0.3 V
VOL
tPHZ
VOH
VOH - 0.3 V
0V
电压波形
启用和禁用时报
负载电路
注:A CL包括探针和夹具电容。
B.波形1是内部条件的输出,使得输出为低电平除非输出控制禁止时。
波形2是内部条件的输出,使得输出为高,除去被禁止输出的时候。
C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机: PRR
10兆赫,Z0 = 50
,
tr
2.5纳秒, TF
2.5纳秒。
D的输出被测量一次一个地与每测量1过渡。
大肠杆菌tPLZ和tPHZ相同TDIS 。
F. tPZL和tPZH是相同的10 。
G. tPLH的和的TPH1相同公吨。
图2.负载电路和电压波形
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