SN74CBTLV16212
低电压24位FET总线交换开关
SCDS044I - 1997年12月 - 修订2003年10月
D
德州仪器会员
D
D
D
D
D
D
Widebus家庭
4 Ω开关两个端口之间的连接
轨到轨开关上的数据I / O端口
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
先开后进行功能
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
DGG ， DGV ，或DL包装
（ TOP VIEW ）
描述/订购信息
该SN74CBTLV16212提供的24位
高速总线开关或更换。低
导通状态的开关导通电阻允许
连接被以最小的传播作出
延时。
该器件的工作作为一个24位总线开关或
12位总线交换器，它提供了数据
通过这四个信号端口之间交换
数据选择（ S0，S1， S2）的端子。
这
设备
is
十分
特定网络版
为
我用局部断电应用
关闭
。在我
关闭
功能确保破坏性电流不会
通过设备倒流，当它是动力
下来。该器件具有上电期间关闭隔离。
该SN74CBTLV16212被指定的
突破前先通过功能有没有
B口之间的电流切换时。
S0
1A1
1A2
2A1
2A2
3A1
3A2
GND
4A1
4A2
5A1
5A2
6A1
6A2
7A1
7A2
V
CC
8A1
GND
8A2
9A1
9A2
10A1
10A2
11A1
11A2
12A1
12A2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
S1
S2
1B1
1B2
2B1
2B2
3B1
GND
3B2
4B1
4B2
5B1
5B2
6B1
6B2
7B1
7B2
8B1
GND
8B2
9B1
9B2
10B1
10B2
11B1
11B2
12B1
12B2
订购信息
TA
包装
管
SSOP - DL
-40 ° C至85°C
TSSOP - DGG
TVSOP - DGV
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74CBTLV16212DL
SN74CBTLV16212DLR
SN74CBTLV16212GR
SN74CBTLV16212VR
CBTLV16212
CBTLV16212
CN212
TOP- SIDE
记号
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计
准则可在www.ti.com/sc/package 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
Widebus是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2003年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
SN74CBTLV16212
低电压24位FET总线交换开关
SCDS044I - 1997年12月 - 修订2003年10月
功能表
输入
S2
L
L
L
L
H
H
H
H
S1
L
L
H
H
L
L
H
H
S0
L
H
L
H
L
H
L
H
输入/输出
A1
Z
B1
B2
Z
Z
Z
B1
B2
A2
Z
Z
Z
B1
B2
Z
B2
B1
功能
断开
A1口= B1口
A1口= B2口
A2口= B1口
A2口= B2口
断开
A1口= B1口
A2口= B2口
A1口= B2口
A2口= B1口
2
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达拉斯，德克萨斯州75265
SN74CBTLV16212
低电压24位FET总线交换开关
SCDS044I - 1997年12月 - 修订2003年10月
逻辑图（正逻辑）
2
1A1
SW
54
1B1
SW
SW
3
1A2
SW
53
1B2
12A1
27
SW
30
12B1
SW
SW
28
12A2
SW
29
12B2
1
S0
56
S1
55
S2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
3
SN74CBTLV16212
低电压24位FET总线交换开关
SCDS044I - 1997年12月 - 修订2003年10月
简化原理图中，每个FET开关
A
B
（ OE）的
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
输入电压范围，V
I
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
连续通道电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 128毫安
输入钳位电流，I
IK
(V
I
＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注2 ） ： DGG包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64 ° C / W
DGV包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48 ° C / W
DL包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 56 ° C / W
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注意：如果输入和输出钳位电流额定值观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件（见注3 ）
民
VCC
VIH
VIL
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
2.3
1.7
2
0.7
0.8
V
V
最大
3.6
单位
V
TA
工作自由空气的温度
40
85
°C
注3 ：该设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
4
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达拉斯，德克萨斯州75265
SN74CBTLV16212
低电压24位FET总线交换开关
SCDS044I - 1997年12月 - 修订2003年10月
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明）
参数
VIK
II
IOFF
ICC
I
CC
Ci
控制输入
控制输入
VCC = 3 V ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 0 ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 3.6 V ，
VI = 3 V或0
VO = 3 V或0 ，
VCC = 2.3 V ，
典型值在VCC = 2.5 V
ron
VCC = 3 V
测试条件
II = -18毫安
VI = VCC或GND
VI或VO = 0 3.6 V
IO = 0，
一个输入为3 V ，
VI = VCC或GND
在VCC和GND的其他投入
5
S1，S2和S3 = GND
VI = 0
VI = 1.7 V ，
VI = 0
II = 64毫安
II = 24毫安
II = 15毫安
II = 64毫安
II = 24毫安
8
5
5
27
5
5
8
8
40
7
7
民
TYP
最大
1.2
±1
10
10
300
单位
V
A
A
A
A
pF
pF
首席信息官（关）
VI = 2.4 V ，
II = 15毫安
10
15
所有典型值是在VCC = 3.3 V （除非另有说明） ， TA = 25 ℃。
这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的电压电平，而不是VCC或GND 。
测量由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。通态电阻由下式确定
两个（ A或B）端子的电压的降低。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明） （参见图1）
参数
TPD
tPD的
TEN
从
（输入）
A或B
S
S
TO
（输出）
B或A
B或A
A或B
3
3
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
民
最大
0.15
11.1
10.9
3
3
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
民
最大
0.25
8.8
8.6
ns
ns
ns
单位
TDI发动机
S
A或B
1
8.7
2
8.8
ns
传播延迟是该开关的典型的导通状态电阻与规定的负载电容的计算的RC时间常数，当
由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
5
SN74CBTLV16212
低电压24位FET总线交换开关
SCDS044I - 1997年12月 - 修订2003年10月
D
德州仪器会员
D
D
D
D
D
D
Widebus家庭
4 Ω开关两个端口之间的连接
轨到轨开关上的数据I / O端口
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
先开后进行功能
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
DGG ， DGV ，或DL包装
（ TOP VIEW ）
描述/订购信息
该SN74CBTLV16212提供的24位
高速总线开关或更换。低
导通状态的开关导通电阻允许
连接被以最小的传播作出
延时。
该器件的工作作为一个24位总线开关或
12位总线交换器，它提供了数据
通过这四个信号端口之间交换
数据选择（ S0，S1， S2）的端子。
这
设备
is
十分
特定网络版
为
我用局部断电应用
关闭
。在我
关闭
功能确保破坏性电流不会
通过设备倒流，当它是动力
下来。该器件具有上电期间关闭隔离。
该SN74CBTLV16212被指定的
突破前先通过功能有没有
B口之间的电流切换时。
S0
1A1
1A2
2A1
2A2
3A1
3A2
GND
4A1
4A2
5A1
5A2
6A1
6A2
7A1
7A2
V
CC
8A1
GND
8A2
9A1
9A2
10A1
10A2
11A1
11A2
12A1
12A2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
S1
S2
1B1
1B2
2B1
2B2
3B1
GND
3B2
4B1
4B2
5B1
5B2
6B1
6B2
7B1
7B2
8B1
GND
8B2
9B1
9B2
10B1
10B2
11B1
11B2
12B1
12B2
订购信息
TA
包装
管
SSOP - DL
-40 ° C至85°C
TSSOP - DGG
TVSOP - DGV
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74CBTLV16212DL
SN74CBTLV16212DLR
SN74CBTLV16212GR
SN74CBTLV16212VR
CBTLV16212
CBTLV16212
CN212
TOP- SIDE
记号
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计
准则可在www.ti.com/sc/package 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
Widebus是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2003年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
SN74CBTLV16212
低电压24位FET总线交换开关
SCDS044I - 1997年12月 - 修订2003年10月
功能表
输入
S2
L
L
L
L
H
H
H
H
S1
L
L
H
H
L
L
H
H
S0
L
H
L
H
L
H
L
H
输入/输出
A1
Z
B1
B2
Z
Z
Z
B1
B2
A2
Z
Z
Z
B1
B2
Z
B2
B1
功能
断开
A1口= B1口
A1口= B2口
A2口= B1口
A2口= B2口
断开
A1口= B1口
A2口= B2口
A1口= B2口
A2口= B1口
2
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达拉斯，德克萨斯州75265
SN74CBTLV16212
低电压24位FET总线交换开关
SCDS044I - 1997年12月 - 修订2003年10月
逻辑图（正逻辑）
2
1A1
SW
54
1B1
SW
SW
3
1A2
SW
53
1B2
12A1
27
SW
30
12B1
SW
SW
28
12A2
SW
29
12B2
1
S0
56
S1
55
S2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
3
SN74CBTLV16212
低电压24位FET总线交换开关
SCDS044I - 1997年12月 - 修订2003年10月
简化原理图中，每个FET开关
A
B
（ OE）的
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
输入电压范围，V
I
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
连续通道电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 128毫安
输入钳位电流，I
IK
(V
I
＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注2 ） ： DGG包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64 ° C / W
DGV包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48 ° C / W
DL包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 56 ° C / W
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注意：如果输入和输出钳位电流额定值观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件（见注3 ）
民
VCC
VIH
VIL
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
2.3
1.7
2
0.7
0.8
V
V
最大
3.6
单位
V
TA
工作自由空气的温度
40
85
°C
注3 ：该设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
4
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SN74CBTLV16212
低电压24位FET总线交换开关
SCDS044I - 1997年12月 - 修订2003年10月
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明）
参数
VIK
II
IOFF
ICC
I
CC
Ci
控制输入
控制输入
VCC = 3 V ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 0 ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 3.6 V ，
VI = 3 V或0
VO = 3 V或0 ，
VCC = 2.3 V ，
典型值在VCC = 2.5 V
ron
VCC = 3 V
测试条件
II = -18毫安
VI = VCC或GND
VI或VO = 0 3.6 V
IO = 0，
一个输入为3 V ，
VI = VCC或GND
在VCC和GND的其他投入
5
S1，S2和S3 = GND
VI = 0
VI = 1.7 V ，
VI = 0
II = 64毫安
II = 24毫安
II = 15毫安
II = 64毫安
II = 24毫安
8
5
5
27
5
5
8
8
40
7
7
民
TYP
最大
1.2
±1
10
10
300
单位
V
A
A
A
A
pF
pF
首席信息官（关）
VI = 2.4 V ，
II = 15毫安
10
15
所有典型值是在VCC = 3.3 V （除非另有说明） ， TA = 25 ℃。
这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的电压电平，而不是VCC或GND 。
测量由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。通态电阻由下式确定
两个（ A或B）端子的电压的降低。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明） （参见图1）
参数
TPD
tPD的
TEN
从
（输入）
A或B
S
S
TO
（输出）
B或A
B或A
A或B
3
3
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
民
最大
0.15
11.1
10.9
3
3
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
民
最大
0.25
8.8
8.6
ns
ns
ns
单位
TDI发动机
S
A或B
1
8.7
2
8.8
ns
传播延迟是该开关的典型的导通状态电阻与规定的负载电容的计算的RC时间常数，当
由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
5
QQ：2881677436 复制
