SN74CBTLV16211
低电压24位FET总线开关
SCDS043E - 1997年12月 - 修订1999年4月
D
D
D
D
D
5 Ω交换机两个端口之间的连接
隔离在断电条件
ESD保护超过2000伏每
MIL -STD -883方法3015 ;超过200 V
使用机型号（ C = 200 pF的， R = 0 ）
闭锁性能超过250毫安每
JESD 17
封装选择包括塑料薄膜
紧缩小外形封装（ DGG ） ，非常薄
小外形（ DGV ） ，以及300万热收缩
小外形（ DL ）封装
DGG ， DGV ，或DL包装
（ TOP VIEW ）
描述
该SN74CBTLV16211提供的24位
高速总线切换。低通态
开关的电阻可以连接到有
以最小的传播延迟进行。
该设备组织为双12位总线
有独立的输出使能（ OE ）开关
输入。它可以用作两个12位总线开关
或者一个24位总线开关。当OE为低电平时，
相关的12位总线开关上的端口A是
连接到端口B.当OE为高电平时，开关
是开放的，并且在高阻抗状态存在
在两个端口之间。
为了确保电源在高阻抗状态
或断电， OE应当连接到V
CC
通过上拉电阻;的最小值
该电阻是由电流吸收测定
驾驶员的能力。
该SN74CBTLV16211的特点是
操作温度范围为-40 ° C至85°C 。
NC
1A1
1A2
1A3
1A4
1A5
1A6
GND
1A7
1A8
1A9
1A10
1A11
1A12
2A1
2A2
V
CC
2A3
GND
2A4
2A5
2A6
2A7
2A8
2A9
2A10
2A11
2A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
1OE
2OE
1B1
1B2
1B3
1B4
1B5
GND
1B6
1B7
1B8
1B9
1B10
1B11
1B12
2B1
2B2
2B3
GND
2B4
2B5
2B6
2B7
2B8
2B9
2B10
2B11
2B12
NC - 无内部连接
功能表
（每个12位总线开关）
输入
OE
L
H
功能
一个端口= B口
断开
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1999年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
SN74CBTLV16211
低电压24位FET总线开关
SCDS043E - 1997年12月 - 修订1999年4月
逻辑图（正逻辑）
2
1A1
SW
54
1B1
14
1A12
SW
42
1B12
1OE
56
2A1
15
SW
41
2B1
28
2A12
SW
29
2B12
55
2OE
简化原理图中，每个FET开关
A
B
（ OE）的
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
输入电压范围，V
I
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
连续通道电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 128毫安
输入钳位电流，I
IK
(V
I
＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注2 ） ： DGG包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 81 ° C / W
DGV包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86 ° C / W
DL包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 74 ° C / W
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注意：如果输入和输出钳位电流额定值观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51 。
2
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SN74CBTLV16211
低电压24位FET总线开关
SCDS043E - 1997年12月 - 修订1999年4月
推荐工作条件（见注3 ）
民
VCC
VIH
VIL
电源电压
高级控制输入电压
高位
低电平
低电平控制输入电压
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
2.3
1.7
2
0.7
0.8
最大
3.6
单位
V
V
V
TA
工作自由空气的温度
–40
85
°C
注3 ：该设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明）
参数
VIK
II
IOFF
ICC
I
CC
Ci
控制输入
控制输入
VCC = 3 V ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 0 ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 3.6 V ，
VI = 3.3 V或0
VO = 3.3 V或0 ，
VCC = 2.3 V
2 3 V,
典型值在VCC = 2.5 V
ron
VCC = 3 V
测试条件
II = -18毫安
VI = VCC或GND
VI或VO = 0 3.6 V
IO = 0，
一个输入为3 V ，
OE = VCC
VI = 0
VI = 1.7 V ，
VI = 0
II = 64毫安
II = 24毫安
II = 15毫安
II = 64毫安
II = 24毫安
VI = VCC或GND
在VCC和GND的其他投入
4.5
6.5
5
5
27
5
5
8
8
40
7
7
民
TYP
最大
–1.2
±1
10
10
300
单位
V
A
A
A
A
pF
pF
首席信息官（关）
VI = 2.4 V ，
II = 15毫安
10
15
所有典型值是在VCC = 3.3 V （除非另有说明） ， TA = 25 ℃。
§这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的电压电平，而不是VCC或GND 。
测量由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。通态电阻由下式确定
两个（ A或B）端子的电压的降低。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明） （参见图1和图2）
参数
TPD
TEN
从
（输入）
A或B
OE
TO
（输出）
B或A
A或B
1
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
民
最大
0.15
7
1
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
民
最大
0.25
6.2
ns
ns
单位
TDI发动机
OE
A或B
1
7.2
1
7.7
ns
传播延迟是该开关的典型的导通状态电阻与规定的负载电容的计算的RC时间常数，当
由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
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低电压24位FET总线开关
SCDS043E - 1997年12月 - 修订1999年4月
参数测量信息
V
CC
= 2.5 V
±
0.2 V
2
×
VCC
从输出
被测
CL = 30 pF的
（见注一）
500
S1
开放
GND
500
产量
控制
（低电平
使能）
tPZL
VCC
输入
VCC/2
TPLH
VCC/2
0V
的TPH1
VOH
产量
VCC/2
电压波形
传播延迟时间
VCC/2
VOL
产量
波形2
S1在GND
（见注B）
产量
波形1
S1在2
×
VCC
（见注B）
tpZH
TEST
tPD的
tPLZ / tPZL
tPHZ / tPZH
S1
开放
2
×
VCC
GND
VCC
VCC/2
VCC/2
0V
tPLZ
VCC
VCC/2
VOL + 0.15 V
VOL
tPHZ
VOH
VOH - 0.15 V
0V
电压波形
启用和禁用时报
负载电路
VCC/2
注：A CL包括探针和夹具电容。
B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平除非输出控制禁止时。
波形2是内部条件的输出，使得输出为高，除去被禁止输出的时候。
C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR
≤
10兆赫，Z0 = 50
,
tr
≤
2纳秒， TF
≤
2纳秒。
D的输出被测量一次一个地与每测量1过渡。
大肠杆菌tPLZ和tPHZ相同TDIS 。
F. tPZL和tPZH是相同的10 。
G. tPLH的和的TPH1相同公吨。
图1.负载电路和电压波形
4
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SN74CBTLV16211
低电压24位FET总线开关
SCDS043E - 1997年12月 - 修订1999年4月
参数测量信息
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
6V
从输出
被测
CL = 50 pF的
（见注一）
500
S1
开放
GND
500
产量
控制
（低电平
使能）
tPZL
产量
波形1
S1在6 V
（见注B）
产量
波形2
S1在GND
（见注B）
tpZH
TEST
tPD的
tPLZ / tPZL
tPHZ / tPZH
S1
开放
6V
GND
3V
1.5 V
1.5 V
0V
tPLZ
3V
1.5 V
tPHZ
VOH
VOH - 0.3 V
0V
电压波形
启用和禁用时报
VOL + 0.3 V
VOL
负载电路
3V
输入
1.5 V
1.5 V
0V
TPLH
产量
1.5 V
电压波形
传播延迟时间
的TPH1
VOH
1.5 V
VOL
1.5 V
注：A CL包括探针和夹具电容。
B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平除非输出控制禁止时。
波形2是内部条件的输出，使得输出为高，除去被禁止输出的时候。
C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR
≤
10兆赫，Z0 = 50
,
tr
≤
2.5纳秒， TF
≤
2.5纳秒。
D的输出被测量一次一个地与每测量1过渡。
大肠杆菌tPLZ和tPHZ相同TDIS 。
F. tPZL和tPZH是相同的10 。
G. tPLH的和的TPH1相同公吨。
图2.负载电路和电压波形
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5
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低电压24位FET总线开关
SCDS043I - 1997年12月 - 修订2003年10月
D
德州仪器会员
D
D
D
D
D
Widebus家庭
5 Ω交换机两个端口之间的连接
轨到轨开关上的数据I / O端口
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过250毫安每
JESD 17
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
DGG ， DGV ，或DL包装
（ TOP VIEW ）
描述/订购信息
该SN74CBTLV16211提供的24位
高速总线切换。低通态
开关的电阻可以连接到有
以最小的传播延迟进行。
该设备组织为双12位总线
有独立的输出使能（ OE ）开关
输入。它可以用作两个12位总线开关
或为一个24位的总线开关。当OE为低电平时，
相关的12位总线开关打开，端口A是
连接到端口B.当OE为高电平时，开关
是开放的，并且在高阻抗状态存在
在两个端口之间。
这
设备
is
十分
特定网络版
为
我用局部断电应用
关闭
。在我
关闭
功能确保破坏性电流不会
通过设备倒流，当它是动力
下来。该器件具有上电期间关闭隔离。
为了确保电源在高阻抗状态
或断电， OE应当连接到V
CC
通过上拉电阻;的最小值
该电阻是由电流吸收测定
驾驶员的能力。
订购信息
TA
包装
管
SSOP - DL
-40 ° C至85°C
TSSOP - DGG
TVSOP - DGV
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
NC
1A1
1A2
1A3
1A4
1A5
1A6
GND
1A7
1A8
1A9
1A10
1A11
1A12
2A1
2A2
V
CC
2A3
GND
2A4
2A5
2A6
2A7
2A8
2A9
2A10
2A11
2A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
1OE
2OE
1B1
1B2
1B3
1B4
1B5
GND
1B6
1B7
1B8
1B9
1B10
1B11
1B12
2B1
2B2
2B3
GND
2B4
2B5
2B6
2B7
2B8
2B9
2B10
2B11
2B12
NC - 无内部连接
订购
产品型号
SN74CBTLV16211DL
SN74CBTLV16211DLR
SN74CBTLV16211GR
SN74CBTLV16211VR
TOP- SIDE
记号
CBTLV16211
CBTLV16211
CN211
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计
准则可在www.ti.com/sc/package 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
Widebus是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2003年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
SN74CBTLV16211
低电压24位FET总线开关
SCDS043I - 1997年12月 - 修订2003年10月
功能表
（每个12位总线开关）
输入
OE
L
H
功能
一个端口= B口
断开
逻辑图（正逻辑）
2
1A1
SW
54
1B1
14
1A12
SW
42
1B12
56
1OE
15
2A1
SW
41
2B1
28
2A12
SW
29
2B12
55
2OE
简化原理图中，每个FET开关
A
B
（ OE）的
2
邮政信箱655303
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SN74CBTLV16211
低电压24位FET总线开关
SCDS043I - 1997年12月 - 修订2003年10月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
输入电压范围，V
I
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
连续通道电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 128毫安
输入钳位电流，I
IK
(V
I
＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注2 ） ： DGG包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64 ° C / W
DGV包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48 ° C / W
DL包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 56 ° C / W
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注意：如果输入和输出钳位电流额定值观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件（见注3 ）
民
VCC
VIH
VIL
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
2.3
1.7
2
0.7
0.8
V
V
最大
3.6
单位
V
TA
工作自由空气的温度
40
85
°C
注3 ：该设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
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3
SN74CBTLV16211
低电压24位FET总线开关
SCDS043I - 1997年12月 - 修订2003年10月
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明）
参数
VIK
II
IOFF
ICC
I
CC
Ci
控制输入
控制输入
VCC = 3 V ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 0 ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 3.6 V ，
VI = 3.3 V或0
VO = 3.3 V或0 ，
VCC = 2.3 V ，
典型值在VCC = 2.5 V
ron
VCC = 3 V
测试条件
II = -18毫安
VI = VCC或GND
VI或VO = 0 3.6 V
IO = 0，
一个输入为3 V ，
OE = VCC
VI = 0
VI = 1.7 V ，
VI = 0
II = 64毫安
II = 24毫安
II = 15毫安
II = 64毫安
II = 24毫安
VI = VCC或GND
在VCC和GND的其他投入
4.5
6.5
5
5
27
5
5
8
8
40
7
7
民
TYP
最大
1.2
±1
10
10
300
单位
V
A
A
A
A
pF
pF
首席信息官（关）
VI = 2.4 V ，
II = 15毫安
10
15
所有典型值是在VCC = 3.3 V （除非另有说明） ， TA = 25 ℃。
这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的电压电平，而不是VCC或GND 。
测量由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。通态电阻由下式确定
两个（ A或B）端子的电压的降低。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明） （参见图1）
参数
TPD
TEN
从
（输入）
A或B
OE
TO
（输出）
B或A
A或B
1
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
民
最大
0.15
7
1
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
民
最大
0.25
6.2
ns
ns
单位
TDI发动机
OE
A或B
1
7.2
1
7.7
ns
传播延迟是该开关的典型的导通状态电阻与规定的负载电容的计算的RC时间常数，当
由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
4
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SN74CBTLV16211
低电压24位FET总线开关
SCDS043I - 1997年12月 - 修订2003年10月
参数测量信息
2
×
VCC
从输出
被测
CL
（见注一）
RL
VCC
2.5 V
±0.2
V
3.3 V
±0.3
V
CL
30 pF的
50 pF的
RL
500
500
V
0.15 V
0.3 V
RL
S1
开放
GND
TEST
tPLH的/的TPH1
tPLZ / tPZL
tPHZ / tPZH
S1
开放
2
×
VCC
GND
负载电路
VCC
定时输入
tw
VCC
输入
VCC/2
VCC/2
0V
电压波形
脉冲持续时间
VCC
输入
TPLH
产量
的TPH1
VCC/2
VCC/2
VCC/2
VCC/2
0V
的TPH1
VOH
VCC/2
VOL
TPLH
VOH
产量
VCC/2
VOL
电压波形
传播延迟时间
反相和同相产出
产量
波形2
S1在GND
（见注B）
电压波形
建立和保持时间
VCC
VCC/2
VCC/2
0V
tPLZ
VCC
VCC/2
VOL + V
tPHZ
VCC/2
VOH - V
VOH
≈0
V
VOL
数据输入
VCC/2
0V
TSU
VCC/2
th
VCC
VCC/2
0V
产量
控制
t
输出PZL
波形1
S1在2
×
VCC
（见注B）
tpZH
电压波形
启用和禁用时报
低收入和高级别ENABLING
注：A CL包括探针和夹具电容。
B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平除非输出控制禁止时。
波形2是内部条件的输出，使得输出为高，除去被禁止输出的时候。
C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR
≤
10兆赫，Z0 = 50
,
tr
≤
2纳秒， TF
≤
2纳秒。
D的输出被测量一次一个地与每测量1过渡。
大肠杆菌tPLZ和tPHZ相同TDIS 。
F. tPZL和tPZH是相同的10 。
G. tPLH的和的TPH1相同公吨。
H.所有参数和波形并不适用于所有的设备。
图1.负载电路和电压波形
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