SN74CBTLV16210
低电压20位FET总线开关
SCDS042J - 1997年12月 - 修订2004年7月
D
德州仪器会员
D
D
D
Widebus家庭
5 Ω交换机两个端口之间的连接
轨到轨开关上的数据I / O端口
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
DGV或DL包装
（ TOP VIEW ）
描述/订购信息
该SN74CBTLV16210提供20位
高速总线切换。低通态
开关的电阻可以连接到有
以最小的传播延迟进行。
该设备组织为双10位总线
有独立的输出使能（ OE ）开关
输入。它可以用作两个10位总线开关
或者作为一个20位的总线开关。当OE为低电平时，
相关的10位总线开关打开，端口A是
连接到端口B.当OE为高电平时，开关
是开放的，并且在高阻抗状态存在
在两个端口之间。
这
设备
is
十分
特定网络版
为
我用局部断电应用
关闭
。在我
关闭
功能确保破坏性电流不会
通过设备倒流，当它是动力
下来。该器件具有上电期间关闭隔离。
为了确保电源在高阻抗状态
或断电， OE应当连接到V
CC
通过上拉电阻;的最小值
该电阻是由电流吸收测定
驾驶员的能力。
订购信息
TA
包装
管
-40 ° C至85 C
40 C 85°C
SSOP - DL
TVSOP - DGV
磁带和卷轴
磁带和卷轴
NC
1A1
1A2
1A3
1A4
1A5
1A6
GND
1A7
1A8
1A9
1A10
2A1
2A2
V
CC
2A3
GND
2A4
2A5
2A6
2A7
2A8
2A9
2A10
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
1OE
2OE
1B1
1B2
1B3
1B4
1B5
GND
1B6
1B7
1B8
1B9
1B10
2B1
2B2
2B3
GND
2B4
2B5
2B6
2B7
2B8
2B9
2B10
NC - 无内部连接
订购
产品型号
SN74CBTLV16210DL
SN74CBTLV16210DLR
SN74CBTLV16210VR
TOP- SIDE
记号
CBTLV16210
CN210
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计
准则可在www.ti.com/sc/package 。
功能表
（每个10位总线开关）
输入
OE
L
H
功能
一个端口= B口
断开
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
Widebus是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2004年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
SN74CBTLV16210
低电压20位FET总线开关
SCDS042J - 1997年12月 - 修订2004年7月
逻辑图（正逻辑）
2
1A1
SW
46
1B1
12
1A10
SW
36
1B10
48
1OE
13
2A1
SW
35
2B1
24
2A10
SW
25
2B10
47
2OE
简化原理图中，每个FET开关
A
B
（ OE）的
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
输入电压范围，V
I
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
连续通道电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 128毫安
输入钳位电流，I
IK
(V
I
＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注2 ） ： DGV包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58 ° C / W
DL包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 63 ° C / W
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注意：如果输入和输出钳位电流额定值观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
2
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SN74CBTLV16210
低电压20位FET总线开关
SCDS042J - 1997年12月 - 修订2004年7月
推荐工作条件（见注3 ）
民
VCC
VIH
VIL
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
2.3
1.7
2
0.7
0.8
V
V
最大
3.6
单位
V
TA
工作自由空气的温度
40
85
°C
注3 ：该设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明）
参数
VIK
II
IOFF
ICC
I
CC
Ci
首席信息官（关）
控制输入
控制输入
VCC = 3 V ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 0 ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 3.6 V ，
VI = 3 V或0
VO = 3 V或0 ，
VCC = 2.3 V ，
典型值在VCC = 2.5 V
ron
VCC = 3 V
测试条件
II = -18毫安
VI = VCC或GND
VI或VO = 0 3.6 V
IO = 0，
VI = VCC或GND
一个输入为3 V ，
在VCC和GND的其他投入
4.5
OE = VCC
VI = 0
VI = 1.7 V ，
VI = 0
II = 64毫安
II = 24毫安
II = 15毫安
II = 64毫安
II = 24毫安
6.5
5
5
27
5
5
8
8
40
7
7
民
TYP
最大
1.2
±1
10
10
300
单位
V
A
A
A
A
pF
pF
VI = 2.4 V ，
II = 15毫安
10
15
所有典型值是在VCC = 3.3 V （除非另有说明） ， TA = 25 ℃。
这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的电压电平，而不是VCC或GND 。
测量由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。通态电阻由下式确定
两个（ A或B）端子的电压的降低。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明） （参见图1）
参数
TPD
TEN
从
（输入）
A或B
OE
TO
（输出）
B或A
A或B
1
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
民
最大
0.15
6.8
1
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
民
最大
0.25
6
ns
ns
单位
TDI发动机
OE
A或B
1
7.3
1
7.4
ns
传播延迟是该开关的典型的导通状态电阻与规定的负载电容的计算的RC时间常数，当
由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
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3
SN74CBTLV16210
低电压20位FET总线开关
SCDS042J - 1997年12月 - 修订2004年7月
参数测量信息
2
×
VCC
从输出
被测
CL
（见注一）
RL
VCC
2.5 V
±
0.2 V
3.3 V
±
0.3 V
CL
30 pF的
50 pF的
RL
500
500
V
0.15 V
0.3 V
RL
S1
开放
GND
TEST
tPLH的/的TPH1
tPLZ / tPZL
tPHZ / tPZH
S1
开放
2
×
VCC
GND
负载电路
VCC
定时输入
tw
VCC
输入
VCC/2
电压波形
脉冲持续时间
VCC
输入
TPLH
产量
的TPH1
VCC/2
VCC/2
VCC/2
VCC/2
0V
的TPH1
VOH
VCC/2
VOL
TPLH
VOH
产量
VCC/2
VOL
电压波形
传播延迟时间
反相和同相产出
产量
波形2
S1在GND
（见注B）
VCC/2
0V
电压波形
建立和保持时间
VCC
VCC/2
VCC/2
0V
tPLZ
VCC
VCC/2
VOL + V
tPHZ
VCC/2
VOH - V
VOH
≈0
V
VOL
数据输入
VCC/2
VCC/2
0V
VCC/2
0V
TSU
th
VCC
产量
控制
t
输出PZL
波形1
S1在2
×
VCC
（见注B）
tpZH
电压波形
启用和禁用时报
低收入和高级别ENABLING
注：A CL包括探针和夹具电容。
B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平时，除由输出控制禁止时。
波形2是内部条件的输出，使得输出为高电平，除非输出控制禁止时。
C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR
≤
10兆赫，Z0 = 50
,
tr
≤
2纳秒， TF
≤
2纳秒。
D的输出被测量一次，每测量1过渡。
大肠杆菌tPLZ和tPHZ相同TDIS 。
F. tPZL和tPZH是相同的10 。
G. tPLH的和的TPH1相同公吨。
H.所有参数和波形并不适用于所有的设备。
图1.负载电路和电压波形
4
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封装选项附录
www.ti.com
6-Aug-2007
包装信息
订购设备
74CBTLV16210DLG4
74CBTLV16210DLRG4
74CBTLV16210GRG4
74CBTLV16210VRE4
74CBTLV16210VRG4
SN74CBTLV16210DL
SN74CBTLV16210DLR
SN74CBTLV16210GR
SN74CBTLV16210VR
(1)
状态
(1)
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
包
TYPE
SSOP
SSOP
TSSOP
TVSOP
TVSOP
SSOP
SSOP
TSSOP
TVSOP
包
制图
DL
DL
DGG
DGV
DGV
DL
DL
DGG
DGV
引脚封装环保计划
(2)
数量
48
48
48
48
48
48
48
48
48
25
绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
铅/焊球涂层
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
MSL峰值温度
(3)
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
1000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
25
绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
1000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
营销状态值的定义如下：
ACTIVE ：
建议用于新设计产品的设备。
LIFEBUY ：
德州仪器日前宣布，该设备将停止，并且终身购买期间生效。
NRND ：
不建议用于新设计。设备是生产以支持现有客户，但TI不推荐使用这部分
新的设计。
预览：
设备已宣告但尚未投入生产。样品可以是或可以不是可用的。
已过时：
TI已经停止生产该设备的。
(2)
环保计划 - 该计划的环保分级：无铅（符合RoHS ） ，无铅（ RoHS豁免）或绿色环保（RoHS &无Sb / Br） - 请检查
http://www.ti.com/productcontent
获得最新供货信息和附加产品目录明细。
TBD ：
无铅/绿色转换计划尚未确定。
无铅（ RoHS指令） ：
TI的条款"Lead - Free"或"Pb - Free"意味着与当前RoHS要求的半导体产品
对于所有6种物质，其中包括铅的重量不超过均质材料0.1 ％的要求。其中，设计成被焊接
在高温下， TI无铅产品适用于特定的无铅工艺。
无铅（ RoHS豁免） ：
该组件符合RoHS豁免要么1 ）铅基模之间采用倒装芯片焊料凸点
包，或2）基于铅的管芯和引线框架之间使用裸片粘合剂。该组件，否则视为无铅（ RoHS指令
尺寸）的定义同上。
绿色环保（RoHS &无锑/溴） ：
TI定义"Green"意味着无铅（符合RoHS标准） ，无溴（ Br）和锑（Sb ）的火焰
阻燃剂（溴或锑不均质材料重量超过0.1 ％ ）
(3)
MSL ，峰值温度。 - 根据JEDEC行业标准分类的湿度敏感等级评级，并将峰值焊接
温度。
重要信息及免责声明：
本页提供的信息代表了TI的知识和信念，这是日期
提供的。 TI基于其上由第三方提供的信息，知识和信念，不作任何陈述或保证的
这些信息的准确性。正在努力更好地整合来自第三方的信息。 TI已经采取并将继续采取
合理步骤，以提供有代表性的，准确的信息，但可能还没有进行破坏性测试或化学分析
传入的材料和化学品。 TI及其供应商认为某些信息是专有的，因此CAS号码和其他有限
信息可能不提供用于释放。
在任何情况下，所产生的这种信息TI的责任超过了TI的部分（ S）的总购买价格问题由TI出售本文档中
为客户在年度基础上。
附录1页
SN74CBTLV16210
低电压20位FET总线开关
SCDS042J - 1997年12月 - 修订2004年7月
D
德州仪器会员
D
D
D
Widebus家庭
5 Ω交换机两个端口之间的连接
轨到轨开关上的数据I / O端口
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
DGV或DL包装
（ TOP VIEW ）
描述/订购信息
该SN74CBTLV16210提供20位
高速总线切换。低通态
开关的电阻可以连接到有
以最小的传播延迟进行。
该设备组织为双10位总线
有独立的输出使能（ OE ）开关
输入。它可以用作两个10位总线开关
或者作为一个20位的总线开关。当OE为低电平时，
相关的10位总线开关打开，端口A是
连接到端口B.当OE为高电平时，开关
是开放的，并且在高阻抗状态存在
在两个端口之间。
这
设备
is
十分
特定网络版
为
我用局部断电应用
关闭
。在我
关闭
功能确保破坏性电流不会
通过设备倒流，当它是动力
下来。该器件具有上电期间关闭隔离。
为了确保电源在高阻抗状态
或断电， OE应当连接到V
CC
通过上拉电阻;的最小值
该电阻是由电流吸收测定
驾驶员的能力。
订购信息
TA
包装
管
-40 ° C至85 C
40 C 85°C
SSOP - DL
TVSOP - DGV
磁带和卷轴
磁带和卷轴
NC
1A1
1A2
1A3
1A4
1A5
1A6
GND
1A7
1A8
1A9
1A10
2A1
2A2
V
CC
2A3
GND
2A4
2A5
2A6
2A7
2A8
2A9
2A10
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
1OE
2OE
1B1
1B2
1B3
1B4
1B5
GND
1B6
1B7
1B8
1B9
1B10
2B1
2B2
2B3
GND
2B4
2B5
2B6
2B7
2B8
2B9
2B10
NC - 无内部连接
订购
产品型号
SN74CBTLV16210DL
SN74CBTLV16210DLR
SN74CBTLV16210VR
TOP- SIDE
记号
CBTLV16210
CN210
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计
准则可在www.ti.com/sc/package 。
功能表
（每个10位总线开关）
输入
OE
L
H
功能
一个端口= B口
断开
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
Widebus是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2004年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
SN74CBTLV16210
低电压20位FET总线开关
SCDS042J - 1997年12月 - 修订2004年7月
逻辑图（正逻辑）
2
1A1
SW
46
1B1
12
1A10
SW
36
1B10
48
1OE
13
2A1
SW
35
2B1
24
2A10
SW
25
2B10
47
2OE
简化原理图中，每个FET开关
A
B
（ OE）的
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
输入电压范围，V
I
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
连续通道电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 128毫安
输入钳位电流，I
IK
(V
I
＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注2 ） ： DGV包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58 ° C / W
DL包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 63 ° C / W
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注意：如果输入和输出钳位电流额定值观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
SN74CBTLV16210
低电压20位FET总线开关
SCDS042J - 1997年12月 - 修订2004年7月
推荐工作条件（见注3 ）
民
VCC
VIH
VIL
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
2.3
1.7
2
0.7
0.8
V
V
最大
3.6
单位
V
TA
工作自由空气的温度
40
85
°C
注3 ：该设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明）
参数
VIK
II
IOFF
ICC
I
CC
Ci
首席信息官（关）
控制输入
控制输入
VCC = 3 V ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 0 ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 3.6 V ，
VI = 3 V或0
VO = 3 V或0 ，
VCC = 2.3 V ，
典型值在VCC = 2.5 V
ron
VCC = 3 V
测试条件
II = -18毫安
VI = VCC或GND
VI或VO = 0 3.6 V
IO = 0，
VI = VCC或GND
一个输入为3 V ，
在VCC和GND的其他投入
4.5
OE = VCC
VI = 0
VI = 1.7 V ，
VI = 0
II = 64毫安
II = 24毫安
II = 15毫安
II = 64毫安
II = 24毫安
6.5
5
5
27
5
5
8
8
40
7
7
民
TYP
最大
1.2
±1
10
10
300
单位
V
A
A
A
A
pF
pF
VI = 2.4 V ，
II = 15毫安
10
15
所有典型值是在VCC = 3.3 V （除非另有说明） ， TA = 25 ℃。
这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的电压电平，而不是VCC或GND 。
测量由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。通态电阻由下式确定
两个（ A或B）端子的电压的降低。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明） （参见图1）
参数
TPD
TEN
从
（输入）
A或B
OE
TO
（输出）
B或A
A或B
1
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
民
最大
0.15
6.8
1
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
民
最大
0.25
6
ns
ns
单位
TDI发动机
OE
A或B
1
7.3
1
7.4
ns
传播延迟是该开关的典型的导通状态电阻与规定的负载电容的计算的RC时间常数，当
由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
3
SN74CBTLV16210
低电压20位FET总线开关
SCDS042J - 1997年12月 - 修订2004年7月
参数测量信息
2
×
VCC
从输出
被测
CL
（见注一）
RL
VCC
2.5 V
±
0.2 V
3.3 V
±
0.3 V
CL
30 pF的
50 pF的
RL
500
500
V
0.15 V
0.3 V
RL
S1
开放
GND
TEST
tPLH的/的TPH1
tPLZ / tPZL
tPHZ / tPZH
S1
开放
2
×
VCC
GND
负载电路
VCC
定时输入
tw
VCC
输入
VCC/2
电压波形
脉冲持续时间
VCC
输入
TPLH
产量
的TPH1
VCC/2
VCC/2
VCC/2
VCC/2
0V
的TPH1
VOH
VCC/2
VOL
TPLH
VOH
产量
VCC/2
VOL
电压波形
传播延迟时间
反相和同相产出
产量
波形2
S1在GND
（见注B）
VCC/2
0V
电压波形
建立和保持时间
VCC
VCC/2
VCC/2
0V
tPLZ
VCC
VCC/2
VOL + V
tPHZ
VCC/2
VOH - V
VOH
≈0
V
VOL
数据输入
VCC/2
VCC/2
0V
VCC/2
0V
TSU
th
VCC
产量
控制
t
输出PZL
波形1
S1在2
×
VCC
（见注B）
tpZH
电压波形
启用和禁用时报
低收入和高级别ENABLING
注：A CL包括探针和夹具电容。
B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平时，除由输出控制禁止时。
波形2是内部条件的输出，使得输出为高电平，除非输出控制禁止时。
C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR
≤
10兆赫，Z0 = 50
,
tr
≤
2纳秒， TF
≤
2纳秒。
D的输出被测量一次，每测量1过渡。
大肠杆菌tPLZ和tPHZ相同TDIS 。
F. tPZL和tPZH是相同的10 。
G. tPLH的和的TPH1相同公吨。
H.所有参数和波形并不适用于所有的设备。
图1.负载电路和电压波形
4
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达拉斯，德克萨斯州75265
封装选项附录
www.ti.com
6-Aug-2007
包装信息
订购设备
74CBTLV16210DLG4
74CBTLV16210DLRG4
74CBTLV16210GRG4
74CBTLV16210VRE4
74CBTLV16210VRG4
SN74CBTLV16210DL
SN74CBTLV16210DLR
SN74CBTLV16210GR
SN74CBTLV16210VR
(1)
状态
(1)
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
包
TYPE
SSOP
SSOP
TSSOP
TVSOP
TVSOP
SSOP
SSOP
TSSOP
TVSOP
包
制图
DL
DL
DGG
DGV
DGV
DL
DL
DGG
DGV
引脚封装环保计划
(2)
数量
48
48
48
48
48
48
48
48
48
25
绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
铅/焊球涂层
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
MSL峰值温度
(3)
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
1000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
25
绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
1000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
营销状态值的定义如下：
ACTIVE ：
建议用于新设计产品的设备。
LIFEBUY ：
德州仪器日前宣布，该设备将停止，并且终身购买期间生效。
NRND ：
不建议用于新设计。设备是生产以支持现有客户，但TI不推荐使用这部分
新的设计。
预览：
设备已宣告但尚未投入生产。样品可以是或可以不是可用的。
已过时：
TI已经停止生产该设备的。
(2)
环保计划 - 该计划的环保分级：无铅（符合RoHS ） ，无铅（ RoHS豁免）或绿色环保（RoHS &无Sb / Br） - 请检查
http://www.ti.com/productcontent
获得最新供货信息和附加产品目录明细。
TBD ：
无铅/绿色转换计划尚未确定。
无铅（ RoHS指令） ：
TI的条款"Lead - Free"或"Pb - Free"意味着与当前RoHS要求的半导体产品
对于所有6种物质，其中包括铅的重量不超过均质材料0.1 ％的要求。其中，设计成被焊接
在高温下， TI无铅产品适用于特定的无铅工艺。
无铅（ RoHS豁免） ：
该组件符合RoHS豁免要么1 ）铅基模之间采用倒装芯片焊料凸点
包，或2）基于铅的管芯和引线框架之间使用裸片粘合剂。该组件，否则视为无铅（ RoHS指令
尺寸）的定义同上。
绿色环保（RoHS &无锑/溴） ：
TI定义"Green"意味着无铅（符合RoHS标准） ，无溴（ Br）和锑（Sb ）的火焰
阻燃剂（溴或锑不均质材料重量超过0.1 ％ ）
(3)
MSL ，峰值温度。 - 根据JEDEC行业标准分类的湿度敏感等级评级，并将峰值焊接
温度。
重要信息及免责声明：
本页提供的信息代表了TI的知识和信念，这是日期
提供的。 TI基于其上由第三方提供的信息，知识和信念，不作任何陈述或保证的
这些信息的准确性。正在努力更好地整合来自第三方的信息。 TI已经采取并将继续采取
合理步骤，以提供有代表性的，准确的信息，但可能还没有进行破坏性测试或化学分析
传入的材料和化学品。 TI及其供应商认为某些信息是专有的，因此CAS号码和其他有限
信息可能不提供用于释放。
在任何情况下，所产生的这种信息TI的责任超过了TI的部分（ S）的总购买价格问题由TI出售本文档中
为客户在年度基础上。
附录1页
SN74CBTLV16210
低电压20位FET总线开关
SCDS042J - 1997年12月 - 修订2004年7月
D
德州仪器会员
D
D
D
Widebus家庭
5 Ω交换机两个端口之间的连接
轨到轨开关上的数据I / O端口
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
DGV或DL包装
（ TOP VIEW ）
描述/订购信息
该SN74CBTLV16210提供20位
高速总线切换。低通态
开关的电阻可以连接到有
以最小的传播延迟进行。
该设备组织为双10位总线
有独立的输出使能（ OE ）开关
输入。它可以用作两个10位总线开关
或者作为一个20位的总线开关。当OE为低电平时，
相关的10位总线开关打开，端口A是
连接到端口B.当OE为高电平时，开关
是开放的，并且在高阻抗状态存在
在两个端口之间。
这
设备
is
十分
特定网络版
为
我用局部断电应用
关闭
。在我
关闭
功能确保破坏性电流不会
通过设备倒流，当它是动力
下来。该器件具有上电期间关闭隔离。
为了确保电源在高阻抗状态
或断电， OE应当连接到V
CC
通过上拉电阻;的最小值
该电阻是由电流吸收测定
驾驶员的能力。
订购信息
TA
包装
管
-40 ° C至85 C
40 C 85°C
SSOP - DL
TVSOP - DGV
磁带和卷轴
磁带和卷轴
NC
1A1
1A2
1A3
1A4
1A5
1A6
GND
1A7
1A8
1A9
1A10
2A1
2A2
V
CC
2A3
GND
2A4
2A5
2A6
2A7
2A8
2A9
2A10
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
1OE
2OE
1B1
1B2
1B3
1B4
1B5
GND
1B6
1B7
1B8
1B9
1B10
2B1
2B2
2B3
GND
2B4
2B5
2B6
2B7
2B8
2B9
2B10
NC - 无内部连接
订购
产品型号
SN74CBTLV16210DL
SN74CBTLV16210DLR
SN74CBTLV16210VR
TOP- SIDE
记号
CBTLV16210
CN210
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计
准则可在www.ti.com/sc/package 。
功能表
（每个10位总线开关）
输入
OE
L
H
功能
一个端口= B口
断开
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
Widebus是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2004年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
SN74CBTLV16210
低电压20位FET总线开关
SCDS042J - 1997年12月 - 修订2004年7月
逻辑图（正逻辑）
2
1A1
SW
46
1B1
12
1A10
SW
36
1B10
48
1OE
13
2A1
SW
35
2B1
24
2A10
SW
25
2B10
47
2OE
简化原理图中，每个FET开关
A
B
（ OE）的
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
输入电压范围，V
I
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
连续通道电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 128毫安
输入钳位电流，I
IK
(V
I
＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注2 ） ： DGV包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58 ° C / W
DL包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 63 ° C / W
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注意：如果输入和输出钳位电流额定值观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
2
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SN74CBTLV16210
低电压20位FET总线开关
SCDS042J - 1997年12月 - 修订2004年7月
推荐工作条件（见注3 ）
民
VCC
VIH
VIL
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
2.3
1.7
2
0.7
0.8
V
V
最大
3.6
单位
V
TA
工作自由空气的温度
40
85
°C
注3 ：该设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明）
参数
VIK
II
IOFF
ICC
I
CC
Ci
首席信息官（关）
控制输入
控制输入
VCC = 3 V ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 0 ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 3.6 V ，
VI = 3 V或0
VO = 3 V或0 ，
VCC = 2.3 V ，
典型值在VCC = 2.5 V
ron
VCC = 3 V
测试条件
II = -18毫安
VI = VCC或GND
VI或VO = 0 3.6 V
IO = 0，
VI = VCC或GND
一个输入为3 V ，
在VCC和GND的其他投入
4.5
OE = VCC
VI = 0
VI = 1.7 V ，
VI = 0
II = 64毫安
II = 24毫安
II = 15毫安
II = 64毫安
II = 24毫安
6.5
5
5
27
5
5
8
8
40
7
7
民
TYP
最大
1.2
±1
10
10
300
单位
V
A
A
A
A
pF
pF
VI = 2.4 V ，
II = 15毫安
10
15
所有典型值是在VCC = 3.3 V （除非另有说明） ， TA = 25 ℃。
这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的电压电平，而不是VCC或GND 。
测量由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。通态电阻由下式确定
两个（ A或B）端子的电压的降低。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明） （参见图1）
参数
TPD
TEN
从
（输入）
A或B
OE
TO
（输出）
B或A
A或B
1
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
民
最大
0.15
6.8
1
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
民
最大
0.25
6
ns
ns
单位
TDI发动机
OE
A或B
1
7.3
1
7.4
ns
传播延迟是该开关的典型的导通状态电阻与规定的负载电容的计算的RC时间常数，当
由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
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3
SN74CBTLV16210
低电压20位FET总线开关
SCDS042J - 1997年12月 - 修订2004年7月
参数测量信息
2
×
VCC
从输出
被测
CL
（见注一）
RL
VCC
2.5 V
±
0.2 V
3.3 V
±
0.3 V
CL
30 pF的
50 pF的
RL
500
500
V
0.15 V
0.3 V
RL
S1
开放
GND
TEST
tPLH的/的TPH1
tPLZ / tPZL
tPHZ / tPZH
S1
开放
2
×
VCC
GND
负载电路
VCC
定时输入
tw
VCC
输入
VCC/2
电压波形
脉冲持续时间
VCC
输入
TPLH
产量
的TPH1
VCC/2
VCC/2
VCC/2
VCC/2
0V
的TPH1
VOH
VCC/2
VOL
TPLH
VOH
产量
VCC/2
VOL
电压波形
传播延迟时间
反相和同相产出
产量
波形2
S1在GND
（见注B）
VCC/2
0V
电压波形
建立和保持时间
VCC
VCC/2
VCC/2
0V
tPLZ
VCC
VCC/2
VOL + V
tPHZ
VCC/2
VOH - V
VOH
≈0
V
VOL
数据输入
VCC/2
VCC/2
0V
VCC/2
0V
TSU
th
VCC
产量
控制
t
输出PZL
波形1
S1在2
×
VCC
（见注B）
tpZH
电压波形
启用和禁用时报
低收入和高级别ENABLING
注：A CL包括探针和夹具电容。
B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平时，除由输出控制禁止时。
波形2是内部条件的输出，使得输出为高电平，除非输出控制禁止时。
C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR
≤
10兆赫，Z0 = 50
,
tr
≤
2纳秒， TF
≤
2纳秒。
D的输出被测量一次，每测量1过渡。
大肠杆菌tPLZ和tPHZ相同TDIS 。
F. tPZL和tPZH是相同的10 。
G. tPLH的和的TPH1相同公吨。
H.所有参数和波形并不适用于所有的设备。
图1.负载电路和电压波形
4
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封装选项附录
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6-Aug-2007
包装信息
订购设备
74CBTLV16210DLG4
74CBTLV16210DLRG4
74CBTLV16210GRG4
74CBTLV16210VRE4
74CBTLV16210VRG4
SN74CBTLV16210DL
SN74CBTLV16210DLR
SN74CBTLV16210GR
SN74CBTLV16210VR
(1)
状态
(1)
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
包
TYPE
SSOP
SSOP
TSSOP
TVSOP
TVSOP
SSOP
SSOP
TSSOP
TVSOP
包
制图
DL
DL
DGG
DGV
DGV
DL
DL
DGG
DGV
引脚封装环保计划
(2)
数量
48
48
48
48
48
48
48
48
48
25
绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
铅/焊球涂层
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
MSL峰值温度
(3)
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
1000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
25
绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
1000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
营销状态值的定义如下：
ACTIVE ：
建议用于新设计产品的设备。
LIFEBUY ：
德州仪器日前宣布，该设备将停止，并且终身购买期间生效。
NRND ：
不建议用于新设计。设备是生产以支持现有客户，但TI不推荐使用这部分
新的设计。
预览：
设备已宣告但尚未投入生产。样品可以是或可以不是可用的。
已过时：
TI已经停止生产该设备的。
(2)
环保计划 - 该计划的环保分级：无铅（符合RoHS ） ，无铅（ RoHS豁免）或绿色环保（RoHS &无Sb / Br） - 请检查
http://www.ti.com/productcontent
获得最新供货信息和附加产品目录明细。
TBD ：
无铅/绿色转换计划尚未确定。
无铅（ RoHS指令） ：
TI的条款"Lead - Free"或"Pb - Free"意味着与当前RoHS要求的半导体产品
对于所有6种物质，其中包括铅的重量不超过均质材料0.1 ％的要求。其中，设计成被焊接
在高温下， TI无铅产品适用于特定的无铅工艺。
无铅（ RoHS豁免） ：
该组件符合RoHS豁免要么1 ）铅基模之间采用倒装芯片焊料凸点
包，或2）基于铅的管芯和引线框架之间使用裸片粘合剂。该组件，否则视为无铅（ RoHS指令
尺寸）的定义同上。
绿色环保（RoHS &无锑/溴） ：
TI定义"Green"意味着无铅（符合RoHS标准） ，无溴（ Br）和锑（Sb ）的火焰
阻燃剂（溴或锑不均质材料重量超过0.1 ％ ）
(3)
MSL ，峰值温度。 - 根据JEDEC行业标准分类的湿度敏感等级评级，并将峰值焊接
温度。
重要信息及免责声明：
本页提供的信息代表了TI的知识和信念，这是日期
提供的。 TI基于其上由第三方提供的信息，知识和信念，不作任何陈述或保证的
这些信息的准确性。正在努力更好地整合来自第三方的信息。 TI已经采取并将继续采取
合理步骤，以提供有代表性的，准确的信息，但可能还没有进行破坏性测试或化学分析
传入的材料和化学品。 TI及其供应商认为某些信息是专有的，因此CAS号码和其他有限
信息可能不提供用于释放。
在任何情况下，所产生的这种信息TI的责任超过了TI的部分（ S）的总购买价格问题由TI出售本文档中
为客户在年度基础上。
附录1页
SN74CBTLV16210
低电压20位FET总线开关
SCDS042J - 1997年12月 - 修订2004年7月
D
德州仪器会员
D
D
D
Widebus家庭
5 Ω交换机两个端口之间的连接
轨到轨开关上的数据I / O端口
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
DGV或DL包装
（ TOP VIEW ）
描述/订购信息
该SN74CBTLV16210提供20位
高速总线切换。低通态
开关的电阻可以连接到有
以最小的传播延迟进行。
该设备组织为双10位总线
有独立的输出使能（ OE ）开关
输入。它可以用作两个10位总线开关
或者作为一个20位的总线开关。当OE为低电平时，
相关的10位总线开关打开，端口A是
连接到端口B.当OE为高电平时，开关
是开放的，并且在高阻抗状态存在
在两个端口之间。
这
设备
is
十分
特定网络版
为
我用局部断电应用
关闭
。在我
关闭
功能确保破坏性电流不会
通过设备倒流，当它是动力
下来。该器件具有上电期间关闭隔离。
为了确保电源在高阻抗状态
或断电， OE应当连接到V
CC
通过上拉电阻;的最小值
该电阻是由电流吸收测定
驾驶员的能力。
订购信息
TA
包装
管
-40 ° C至85 C
40 C 85°C
SSOP - DL
TVSOP - DGV
磁带和卷轴
磁带和卷轴
NC
1A1
1A2
1A3
1A4
1A5
1A6
GND
1A7
1A8
1A9
1A10
2A1
2A2
V
CC
2A3
GND
2A4
2A5
2A6
2A7
2A8
2A9
2A10
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
1OE
2OE
1B1
1B2
1B3
1B4
1B5
GND
1B6
1B7
1B8
1B9
1B10
2B1
2B2
2B3
GND
2B4
2B5
2B6
2B7
2B8
2B9
2B10
NC - 无内部连接
订购
产品型号
SN74CBTLV16210DL
SN74CBTLV16210DLR
SN74CBTLV16210VR
TOP- SIDE
记号
CBTLV16210
CN210
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计
准则可在www.ti.com/sc/package 。
功能表
（每个10位总线开关）
输入
OE
L
H
功能
一个端口= B口
断开
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
Widebus是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2004年，德州仪器
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1
SN74CBTLV16210
低电压20位FET总线开关
SCDS042J - 1997年12月 - 修订2004年7月
逻辑图（正逻辑）
2
1A1
SW
46
1B1
12
1A10
SW
36
1B10
48
1OE
13
2A1
SW
35
2B1
24
2A10
SW
25
2B10
47
2OE
简化原理图中，每个FET开关
A
B
（ OE）的
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
输入电压范围，V
I
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
连续通道电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 128毫安
输入钳位电流，I
IK
(V
I
＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注2 ） ： DGV包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58 ° C / W
DL包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 63 ° C / W
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注意：如果输入和输出钳位电流额定值观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
2
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SN74CBTLV16210
低电压20位FET总线开关
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推荐工作条件（见注3 ）
民
VCC
VIH
VIL
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
2.3
1.7
2
0.7
0.8
V
V
最大
3.6
单位
V
TA
工作自由空气的温度
40
85
°C
注3 ：该设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明）
参数
VIK
II
IOFF
ICC
I
CC
Ci
首席信息官（关）
控制输入
控制输入
VCC = 3 V ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 0 ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 3.6 V ，
VI = 3 V或0
VO = 3 V或0 ，
VCC = 2.3 V ，
典型值在VCC = 2.5 V
ron
VCC = 3 V
测试条件
II = -18毫安
VI = VCC或GND
VI或VO = 0 3.6 V
IO = 0，
VI = VCC或GND
一个输入为3 V ，
在VCC和GND的其他投入
4.5
OE = VCC
VI = 0
VI = 1.7 V ，
VI = 0
II = 64毫安
II = 24毫安
II = 15毫安
II = 64毫安
II = 24毫安
6.5
5
5
27
5
5
8
8
40
7
7
民
TYP
最大
1.2
±1
10
10
300
单位
V
A
A
A
A
pF
pF
VI = 2.4 V ，
II = 15毫安
10
15
所有典型值是在VCC = 3.3 V （除非另有说明） ， TA = 25 ℃。
这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的电压电平，而不是VCC或GND 。
测量由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。通态电阻由下式确定
两个（ A或B）端子的电压的降低。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明） （参见图1）
参数
TPD
TEN
从
（输入）
A或B
OE
TO
（输出）
B或A
A或B
1
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
民
最大
0.15
6.8
1
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
民
最大
0.25
6
ns
ns
单位
TDI发动机
OE
A或B
1
7.3
1
7.4
ns
传播延迟是该开关的典型的导通状态电阻与规定的负载电容的计算的RC时间常数，当
由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
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3
SN74CBTLV16210
低电压20位FET总线开关
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参数测量信息
2
×
VCC
从输出
被测
CL
（见注一）
RL
VCC
2.5 V
±
0.2 V
3.3 V
±
0.3 V
CL
30 pF的
50 pF的
RL
500
500
V
0.15 V
0.3 V
RL
S1
开放
GND
TEST
tPLH的/的TPH1
tPLZ / tPZL
tPHZ / tPZH
S1
开放
2
×
VCC
GND
负载电路
VCC
定时输入
tw
VCC
输入
VCC/2
电压波形
脉冲持续时间
VCC
输入
TPLH
产量
的TPH1
VCC/2
VCC/2
VCC/2
VCC/2
0V
的TPH1
VOH
VCC/2
VOL
TPLH
VOH
产量
VCC/2
VOL
电压波形
传播延迟时间
反相和同相产出
产量
波形2
S1在GND
（见注B）
VCC/2
0V
电压波形
建立和保持时间
VCC
VCC/2
VCC/2
0V
tPLZ
VCC
VCC/2
VOL + V
tPHZ
VCC/2
VOH - V
VOH
≈0
V
VOL
数据输入
VCC/2
VCC/2
0V
VCC/2
0V
TSU
th
VCC
产量
控制
t
输出PZL
波形1
S1在2
×
VCC
（见注B）
tpZH
电压波形
启用和禁用时报
低收入和高级别ENABLING
注：A CL包括探针和夹具电容。
B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平时，除由输出控制禁止时。
波形2是内部条件的输出，使得输出为高电平，除非输出控制禁止时。
C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR
≤
10兆赫，Z0 = 50
,
tr
≤
2纳秒， TF
≤
2纳秒。
D的输出被测量一次，每测量1过渡。
大肠杆菌tPLZ和tPHZ相同TDIS 。
F. tPZL和tPZH是相同的10 。
G. tPLH的和的TPH1相同公吨。
H.所有参数和波形并不适用于所有的设备。
图1.负载电路和电压波形
4
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封装选项附录
www.ti.com
5-Sep-2005
包装信息
订购设备
74CBTLV16210GRG4
74CBTLV16210VRE4
SN74CBTLV16210DL
SN74CBTLV16210DLR
SN74CBTLV16210GR
SN74CBTLV16210VR
(1)
状态
(1)
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
包
TYPE
TSSOP
TVSOP
SSOP
SSOP
TSSOP
TVSOP
包
制图
DGG
DGV
DL
DL
DGG
DGV
引脚封装环保计划
(2)
数量
48
48
48
48
48
48
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
25
绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
铅/焊球涂层
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
MSL峰值温度
(3)
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
1000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
营销状态值的定义如下：
ACTIVE ：
建议用于新设计产品的设备。
LIFEBUY ：
德州仪器日前宣布，该设备将停止，并且终身购买期间生效。
NRND ：
不建议用于新设计。设备是生产以支持现有客户，但TI不推荐使用这部分
新的设计。
预览：
设备已宣告但尚未投入生产。样品可以是或可以不是可用的。
已过时：
TI已经停止生产该设备的。
(2)
环保计划 - 该计划的环保分级：无铅（ RoHS指令）或绿色环保（RoHS &无Sb / Br） - 请检查
http://www.ti.com/productcontent
获得最新供货信息和附加产品目录明细。
TBD ：
无铅/绿色转换计划尚未确定。
无铅（ RoHS指令） ：
TI的条款"Lead - Free"或"Pb - Free"意味着与当前RoHS要求的半导体产品
对于所有6种物质，其中包括铅的重量不超过均质材料0.1 ％的要求。其中，设计成被焊接
在高温下， TI无铅产品适用于特定的无铅工艺。
绿色环保（RoHS &无锑/溴） ：
TI定义"Green"意味着无铅（符合RoHS标准） ，无溴（ Br）和锑（Sb ）的火焰
阻燃剂（溴或锑不均质材料重量超过0.1 ％ ）
(3)
MSL ，峰值温度。 - 根据JEDEC行业标准分类的湿度敏感等级评级，并将峰值焊接
温度。
重要信息及免责声明：
本页提供的信息代表了TI的知识和信念，这是日期
提供的。 TI基于其上由第三方提供的信息，知识和信念，不作任何陈述或保证的
这些信息的准确性。正在努力更好地整合来自第三方的信息。 TI已经采取并将继续采取
合理步骤，以提供有代表性的，准确的信息，但可能还没有进行破坏性测试或化学分析
传入的材料和化学品。 TI及其供应商认为某些信息是专有的，因此CAS号码和其他有限
信息可能不提供用于释放。
在任何情况下，所产生的这种信息TI的责任超过了TI的部分（ S）的总购买价格问题由TI出售本文档中
为客户在年度基础上。
附录1页
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