SN74CBTD1G125

单FET总线开关

与电平转换

SCDS063C - 1998年7月 - 修订1999年10月

D

D

D

D

D

5 Ω交换机两个端口之间的连接

TTL兼容控制输入电平

ESD保护超过2000伏每

MIL -STD -883方法3015 ;超过200 V

使用机型号（ C = 200 pF的， R = 0 ）

闭锁性能超过100mA的每

JESD 78 ， II类

封装在一个塑料小外形

晶体管（ DBV ， DCK ）包

DBV OR DCK包装

（ TOP VIEW ）

OE

A

GND

1

2

3

5

4

V

CC

B

描述

该SN74CBTD1G125功能单一高速的线路开关。该开关时禁用输出使能

（ OE ）输入为高。二极管到V

CC

被集成在芯片上，以允许介于5 - V输入和3.3 V电平转换

输出。

该SN74CBTD1G125的特点是操作温度范围为-40 ° C至85°C 。

功能表

输入

OE

L

H

功能

一个端口= B口

断开

逻辑图（正逻辑）

2

A

1

OE

4

B

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

1999年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

1

SN74CBTD1G125

单FET总线开关

与电平转换

SCDS063C - 1998年7月 - 修订1999年10月

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压范围，V

CC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的

输入电压范围，V

I

（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的

连续通道电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 128毫安

输入钳位电流，I

IK

(V

I / O

＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安

封装的热阻抗，

θ

JA

（见注2 ） ： DBV封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 347 ° C / W

DCK包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 389 ° C / W

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注意：如果输入和输出钳位电流额定值观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。

2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51 。

推荐工作条件（见注3 ）

民

VCC

VIH

VIL

TA

电源电压

高层次的控制输入电压

低级别的控制输入电压

工作自由空气的温度

–40

4.5

2

0.8

85

最大

5.5

单位

V

V

V

°C

注3 ：该设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，

慢或浮动CMOS输入的影响，

文献编号SCBA004 。

电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非

另有说明）

参数

VIK

VOH

II

ICC

I

CC§

Ci

首席信息官（关）

ron

控制输入

控制输入

VCC = 4.5 V ，

见图2

VCC = 5.5 V ，

VCC = 5.5 V ，

VCC = 5.5 V ，

VI = 3 V或0

VO = 3 V或0 ，

VCC = 4.5 V

测试条件

II = -18毫安

VI = 5.5 V或GND

IO = 0，

一个输入在3.4 V，

OE = VCC

VI = 0

VI = 2.4 V ，

II = 64毫安

II = 30毫安

II = 15毫安

民

TYP

最大

–1.2

±1

VI = VCC或GND

在VCC和GND的其他投入

2

3.5

5

5

35

7

7

50

1.5

2.5

单位

V

A

mA

mA

pF

pF

所有典型值是在VCC = 5V ， TA = 25 ℃。

§这是供应量的增加电流每路输入是在指定的TTL电平，而不是VCC和GND 。

§由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降的测量。通态电阻确定

由两个（ A或B）端子的电压较低。

2

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

SN74CBTD1G125

单FET总线开关

与电平转换

SCDS063C - 1998年7月 - 修订1999年10月

开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内，C

L

= 50 pF的

（除非另有说明）（参见图1）

参数

TPD

TEN

TDI发动机

从

（输入）

A或B

OE

OE

TO

（输出）

B或A

A或B

A或B

2

1

民

最大

0.25

5.9

4.7

单位

ns

ns

ns

传播延迟是该开关的典型的导通状态电阻与规定的负载电容的计算的RC时间常数，当

由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。

参数测量信息

7V

从输出

被测

CL = 50 pF的

（见注一）

500

S1

开放

GND

500

产量

控制

（低电平

使能）

tPZL

3V

输入

1.5 V

1.5 V

0V

TPLH

1.5 V

电压波形

传播延迟时间

的TPH1

VOH

产量

1.5 V

VOL

产量

波形2

S1在打开

（见注B）

产量

波形1

S1在7 V

（见注B）

tpZH

TEST

tPD的

tPLZ / tPZL

tPHZ / tPZH

S1

开放

7V

开放

3V

1.5 V

1.5 V

0V

tPLZ

3.5 V

1.5 V

VOL + 0.3 V

VOL

tPHZ

VOH

VOH - 0.3 V

0V

电压波形

启用和禁用时报

负载电路

1.5 V

注：A CL包括探针和夹具电容。

B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平除非输出控制禁止时。

波形2是内部条件的输出，使得输出为高，除去被禁止输出的时候。

C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR

≤

10兆赫，Z0 = 50

,

tr

≤

2.5纳秒， TF

≤

2.5纳秒。

D的输出，测量与每个测量一个输入过渡。

大肠杆菌tPLZ和tPHZ相同TDIS 。

F. tPZL和tPZH是相同的10 。

G. tPLH的和的TPH1相同公吨。

图1.负载电路和电压波形

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

3

SN74CBTD1G125

单FET总线开关

与电平转换

SCDS063C - 1998年7月 - 修订1999年10月

典型特征

输出电压高

vs

电源电压

4

TA = 85°C

3.75

V

OH

- 输出电压高 - V

3.5

3.25

3

2.75

2.5

2.25

2

1.75

1.5

4.5

100

A

V

OH

- 输出电压高 - V

6毫安

12毫安

24毫安

4

3.75

3.5

3.25

3

2.75

2.5

2.25

2

1.75

4.75

5

5.25

5.5

5.75

1.5

4.5

4.75

5

5.25

5.5

5.75

100

A

6毫安

12毫安

24毫安

输出电压高

vs

电源电压

TA = 25°C

VCC - 电源电压 - V

VCC - 电源电压 - V

输出电压高

vs

电源电压

4

3.75

V

OH

- 输出电压高 - V

3.5

3.25

3

2.75

2.5

2.25

2

1.75

1.5

4.5

TA = 0 ℃，

100

A

6毫安

12毫安

24毫安

4.75

5

5.25

5.5

VCC - 电源电压 - V

5.75

图2. V

OH

值

4

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

重要通知

德州仪器（TI）及其附属公司（ TI）保留随时修改他们的产品或终止的权利

任何产品或服务，恕不另行通知，并告知客户获得相关信息的最新版本

验证，在下订单之前，该信息被依靠的最新及完整。所有产品的销售

受在订单确认时所提供的销售条款和条件，包括

关于保修，专利侵权，并赔偿责任限制。

其半导体产品的TI保证产品性能在销售的时候规格

根据TI的标准保修服务。测试和其它质量控制技术被利用的程度

TI认为有必要支持这项保证。每个器件的所有参数的具体测试不一定

除了那些由政府强制要求执行。

采用半导体产品的某些应用程序可能涉及的潜在风险

死亡，人身伤害，或严重的财产或环境损害（ “ CRITICAL

应用程序“） 。 TI半导体产品并非设计，授权，或

担保能适用用于生命支持设备或系统或其他

关键应用。 TI产品在这些应用中夹杂物被理解为

完全根据客户的风险。

为了最小化与用户的应用程序，适当的设计与操作相关的风险

保障措施必须由客户提供，以尽量减少固有的或程序上的危害。

TI对应用帮助或客户产品设计不承担任何责任。 TI不声明或保证

任何许可，无论是明示或暗示，是任何专利权，版权，屏蔽作品权或其他准予下

TI覆盖或与之相关的任何组合，机器或流程的知识产权进行此类

半导体产品或服务可能使用或正在使用。 TI的对任何第三方公布的信息

方的产品或服务不构成TI的批准，保证或认可。

版权

1999年，德州仪器