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SN74CBT3257C
4的第1位2 FET复用器/解复用器
与2 V冲保护的5 V BUS开关
SCDS137 - 2003年10月
D
冲保护的关断隔离
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
A和B端口最多-2 V
双向数据流，接近零
传播延迟
低通态电阻（R
on
)
特性（R
on
= 3
典型）
低输入/输出电容最小化
装载和信号失真
(C
io的（OFF）的
= 5.5 pF的典型）
数据和控制输入提供
冲钳位二极管
低功耗
(I
CC
= 3
A
MAX ）
V
CC
经营范围为4 V至5.5 V
数据I / O的支持0 5 V信号电平
(0.8-V, 1.2-V, 1.5-V, 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, 5-V)
控制输入可以通过TTL驱动或
5 -V / 3.3 V CMOS输出
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
（ A114 -B ， II级）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
我支持
2
I2C总线扩展
同时支持数字和模拟
应用范围： USB接口，总线隔离，
低失真信号选通
D， DB ， DBQ ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
S
1B1
1B2
1A
2B1
2B2
2A
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
OE
4B1
4B2
4A
3B1
3B2
3A
RGY包装
（ TOP VIEW ）
S
1
16
15
OE
14
4B1
13
4B2
12
4A
11
3B1
10
3B2
1B1
1B2
1A
2B1
2B2
2A
2
3
4
5
6
7
8
9
D
D
描述/订购信息
订购信息
TA
QFN - RGY
SOIC - D
40 C 85°C
-40 ° C至85 C
SSOP - DB
SSOP （ QSOP ） - DBQ
TSSOP - PW
包装
磁带和卷轴
管
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
管
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74CBT3257CRGYR
SN74CBT3257CD
SN74CBT3257CDR
SN74CBT3257CDBR
SN74CBT3257CDBQR
SN74CBT3257CPW
SN74CBT3257CPWR
CU257C
CBT3257C
CU257C
CU257C
TOP- SIDE
记号
CU257C
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南
可在www.ti.com/sc/package 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2003年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
GND
3A
V
CC
1
SCDS137 - 2003年10月
SN74CBT3257C
4的第1位2 FET复用器/解复用器
与2 V冲保护的5 V BUS开关
描述/订购信息（续）
该SN74CBT3257C是一个高速TTL兼容的FET多路复用器/多路分解器具有低通态
电阻（R
on
） ，允许最小的传播延迟。主动冲保护电路的A和
在SN74CBT3257C的B端口通过检测的冲事件提供保护冲至-2 V
并确保该开关保持在适当的断开状态。
该SN74CBT3257C是1-为2的4位多路复用器/多路分解器具有单独的输出使能（OE ）输入。该
选择（S）输入控制所述多路复用器/多路分解器的数据路径。当OE为低电平时，
多路复用器/多路分离器被使能，并在A端口被连接到B端口，并允许双向数据流
端口之间。当OE为高电平，多路复用器/多路分用器被禁用且高阻抗状态存在
A和B端口之间。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
功能可确保
当它断电破坏性电流不会通过器件倒流。该器件在具有隔离
切断电源。
为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
功能表
输入
OE
L
L
H
S1
L
H
X
输入/输出
A
B1
B2
Z
功能
端口= B1口
端口= B2口
断开
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
SN74CBT3257C
4的第1位2 FET复用器/解复用器
与2 V冲保护的5 V BUS开关
SCDS137 - 2003年10月
逻辑图（正逻辑）
4
1A
SW
3
SW
7
2A
SW
6
SW
9
SW
10
SW
12
4A
SW
13
SW
4B2
14
4B1
3B2
11
2B2
5
2B1
1B2
2
1B1
3A
3B1
1
S
15
OE
简化原理图，各FET开关（ SW）的
A
B
冲
保护电路
EN
EN为施加在开关内部的使能信号。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
3
SCDS137 - 2003年10月
SN74CBT3257C
4的第1位2 FET复用器/解复用器
与2 V冲保护的5 V BUS开关
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
控制输入电压范围，V
IN
（见注1和2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
开关I / O电压范围，V
I / O
（见注1 ，2和3）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
控制输入钳位电流，I
IK
(V
IN
< 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
I / O端口钳位电流，I
I / OK
(V
I / O
< 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
通态电流开关，我
I / O
（见注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±128
mA
连续电流通过V
CC
或GND端子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±100
mA
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注5 ） ：D包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73 ° C / W
（见注5 ） ： DB包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 82 ° C / W
（见注5 ） ： DBQ包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90 ° C / W
（见注5 ） ： PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108 ° C / W
（见注6 ） ：红绿黄包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39 ° C / W
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注： 1.所有电压是相对于地面，除非另有说明。
2.如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
3. VI和VO是用来表示特定的条件VI / O 。
4， II和IO用来表示特定的条件II / O 。
5.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
6.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-5 。
推荐工作条件（见注7 ）
民
VCC
VIH
VIL
VI / O
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
数据输入/输出电压
4
2
0
0
最大
5.5
5.5
0.8
5.5
单位
V
V
V
V
TA
工作自由空气的温度
40
85
°C
注7 ：该设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
4
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达拉斯，德克萨斯州75265
SN74CBT3257C
4的第1位2 FET复用器/解复用器
与2 V冲保护的5 V BUS开关
SCDS137 - 2003年10月
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明）
参数
VIK
VIKU
IIN
IOZ§
IOFF
ICC
I
CC§
CIN
首席信息官（关）
CIO （ ON）
控制输入
控制输入
一个端口
B端口
VI / O = 3 V或0 ，
VI / O = 3 V或0 ，
VCC = 4 V，
典型值在VCC = 24 V
ron
VCC = 4.5 V
关闭，
开机，
VI = 2.4 V ，
VI = 0
VIN = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IO = -15毫安
IO = 64毫安
IO = 30毫安
控制输入
数据输入
控制输入
VCC = 4.5 V ，
VCC = 5 V ，
VCC = 5.5 V ，
VCC = 5.5 V ，
VCC = 0 ，
VCC = 5.5 V ，
VCC = 5.5 V ，
VIN = 3V或0
测试条件
IIN = -18毫安
0毫安
＆ GT ;
II
≥
-50毫安，
VIN = VCC和GND ，
VIN = VCC或GND
VO = 0 5.5 V ，
VI = 0 ，
VO = 0 5.5 V ，
II / O = 0 ，
VIN = VCC和GND ，
一个输入在3.4 V，
民
TYP
最大
1.8
关闭
2
±1
关闭，
VIN = VCC或GND
VI = 0
开启或关闭
在VCC和GND的其他投入
3.5
8.5
5.5
16.5
8
3
3
12
6
6
±10
10
3
2.5
单位
V
V
A
A
A
A
mA
pF
pF
pF
pF
VI = 2.4 V ，
IO = -15毫安
5
10
VIN和IIN是指控制输入。 VI ，VO ，II和IO参阅数据引脚。
所有典型值是在VCC = 5 V （除非另有说明） ， TA = 25 ℃。
§有关的I / O端口，该参数IOZ包括输入漏电流。
这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的电压电平，而不是VCC或GND 。
测量由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。通态电阻由下式确定
两个（ A或B）端子的电压的降低。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内，C
L
= 50 pF的
（除非另有说明）（参见图3）
参数
TPD ＃
TPD （S ）
TEN
TDI发动机
从
（输入）
A或B
S
S
OE
S
OE
TO
（输出）
B或A
A
B
A或B
B
A或B
VCC = 24 V
民
最大
0.24
6
6.3
6.3
6.5
5.9
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
VCC = 5 V
±
0.5 V
民
最大
0.15
5.6
5.8
5.8
6
ns
5.9
ns
ns
ns
单位
＃传输延迟是典型通态电阻的开关和指定负载电容的计算RC时间常数，
当由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
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5
SN74CBT3257C
4的第1位2 FET复用器/解复用器
与2 V冲保护的5 V BUS开关
SCDS137 - 2003年10月
D
冲保护的关断隔离
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
A和B端口最多-2 V
双向数据流，接近零
传播延迟
低通态电阻（R
on
)
特性（R
on
= 3
典型）
低输入/输出电容最小化
装载和信号失真
(C
io的（OFF）的
= 5.5 pF的典型）
数据和控制输入提供
冲钳位二极管
低功耗
(I
CC
= 3
A
MAX ）
V
CC
经营范围为4 V至5.5 V
数据I / O的支持0 5 V信号电平
(0.8-V, 1.2-V, 1.5-V, 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, 5-V)
控制输入可以通过TTL驱动或
5 -V / 3.3 V CMOS输出
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
（ A114 -B ， II级）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
我支持
2
I2C总线扩展
同时支持数字和模拟
应用范围： USB接口，总线隔离，
低失真信号选通
D， DB ， DBQ ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
S
1B1
1B2
1A
2B1
2B2
2A
GND
1
2
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4
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14
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9
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CC
OE
4B1
4B2
4A
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3B2
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RGY包装
（ TOP VIEW ）
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1
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OE
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13
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12
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3B1
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3B2
1B1
1B2
1A
2B1
2B2
2A
2
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D
D
描述/订购信息
订购信息
TA
QFN - RGY
SOIC - D
40 C 85°C
-40 ° C至85 C
SSOP - DB
SSOP （ QSOP ） - DBQ
TSSOP - PW
包装
磁带和卷轴
管
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
管
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74CBT3257CRGYR
SN74CBT3257CD
SN74CBT3257CDR
SN74CBT3257CDBR
SN74CBT3257CDBQR
SN74CBT3257CPW
SN74CBT3257CPWR
CU257C
CBT3257C
CU257C
CU257C
TOP- SIDE
记号
CU257C
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南
可在www.ti.com/sc/package 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2003年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
GND
3A
V
CC
1
SCDS137 - 2003年10月
SN74CBT3257C
4的第1位2 FET复用器/解复用器
与2 V冲保护的5 V BUS开关
描述/订购信息（续）
该SN74CBT3257C是一个高速TTL兼容的FET多路复用器/多路分解器具有低通态
电阻（R
on
） ，允许最小的传播延迟。主动冲保护电路的A和
在SN74CBT3257C的B端口通过检测的冲事件提供保护冲至-2 V
并确保该开关保持在适当的断开状态。
该SN74CBT3257C是1-为2的4位多路复用器/多路分解器具有单独的输出使能（OE ）输入。该
选择（S）输入控制所述多路复用器/多路分解器的数据路径。当OE为低电平时，
多路复用器/多路分离器被使能，并在A端口被连接到B端口，并允许双向数据流
端口之间。当OE为高电平，多路复用器/多路分用器被禁用且高阻抗状态存在
A和B端口之间。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
功能可确保
当它断电破坏性电流不会通过器件倒流。该器件在具有隔离
切断电源。
为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
功能表
输入
OE
L
L
H
S1
L
H
X
输入/输出
A
B1
B2
Z
功能
端口= B1口
端口= B2口
断开
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
SN74CBT3257C
4的第1位2 FET复用器/解复用器
与2 V冲保护的5 V BUS开关
SCDS137 - 2003年10月
逻辑图（正逻辑）
4
1A
SW
3
SW
7
2A
SW
6
SW
9
SW
10
SW
12
4A
SW
13
SW
4B2
14
4B1
3B2
11
2B2
5
2B1
1B2
2
1B1
3A
3B1
1
S
15
OE
简化原理图，各FET开关（ SW）的
A
B
冲
保护电路
EN
EN为施加在开关内部的使能信号。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
3
SCDS137 - 2003年10月
SN74CBT3257C
4的第1位2 FET复用器/解复用器
与2 V冲保护的5 V BUS开关
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
控制输入电压范围，V
IN
（见注1和2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
开关I / O电压范围，V
I / O
（见注1 ，2和3）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
控制输入钳位电流，I
IK
(V
IN
< 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
I / O端口钳位电流，I
I / OK
(V
I / O
< 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
通态电流开关，我
I / O
（见注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±128
mA
连续电流通过V
CC
或GND端子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±100
mA
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注5 ） ：D包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73 ° C / W
（见注5 ） ： DB包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 82 ° C / W
（见注5 ） ： DBQ包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90 ° C / W
（见注5 ） ： PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108 ° C / W
（见注6 ） ：红绿黄包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39 ° C / W
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注： 1.所有电压是相对于地面，除非另有说明。
2.如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
3. VI和VO是用来表示特定的条件VI / O 。
4， II和IO用来表示特定的条件II / O 。
5.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
6.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-5 。
推荐工作条件（见注7 ）
民
VCC
VIH
VIL
VI / O
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
数据输入/输出电压
4
2
0
0
最大
5.5
5.5
0.8
5.5
单位
V
V
V
V
TA
工作自由空气的温度
40
85
°C
注7 ：该设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
4
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
SN74CBT3257C
4的第1位2 FET复用器/解复用器
与2 V冲保护的5 V BUS开关
SCDS137 - 2003年10月
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明）
参数
VIK
VIKU
IIN
IOZ§
IOFF
ICC
I
CC§
CIN
首席信息官（关）
CIO （ ON）
控制输入
控制输入
一个端口
B端口
VI / O = 3 V或0 ，
VI / O = 3 V或0 ，
VCC = 4 V，
典型值在VCC = 24 V
ron
VCC = 4.5 V
关闭，
开机，
VI = 2.4 V ，
VI = 0
VIN = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IO = -15毫安
IO = 64毫安
IO = 30毫安
控制输入
数据输入
控制输入
VCC = 4.5 V ，
VCC = 5 V ，
VCC = 5.5 V ，
VCC = 5.5 V ，
VCC = 0 ，
VCC = 5.5 V ，
VCC = 5.5 V ，
VIN = 3V或0
测试条件
IIN = -18毫安
0毫安
＆ GT ;
II
≥
-50毫安，
VIN = VCC和GND ，
VIN = VCC或GND
VO = 0 5.5 V ，
VI = 0 ，
VO = 0 5.5 V ，
II / O = 0 ，
VIN = VCC和GND ，
一个输入在3.4 V，
民
TYP
最大
1.8
关闭
2
±1
关闭，
VIN = VCC或GND
VI = 0
开启或关闭
在VCC和GND的其他投入
3.5
8.5
5.5
16.5
8
3
3
12
6
6
±10
10
3
2.5
单位
V
V
A
A
A
A
mA
pF
pF
pF
pF
VI = 2.4 V ，
IO = -15毫安
5
10
VIN和IIN是指控制输入。 VI ，VO ，II和IO参阅数据引脚。
所有典型值是在VCC = 5 V （除非另有说明） ， TA = 25 ℃。
§有关的I / O端口，该参数IOZ包括输入漏电流。
这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的电压电平，而不是VCC或GND 。
测量由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。通态电阻由下式确定
两个（ A或B）端子的电压的降低。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内，C
L
= 50 pF的
（除非另有说明）（参见图3）
参数
TPD ＃
TPD （S ）
TEN
TDI发动机
从
（输入）
A或B
S
S
OE
S
OE
TO
（输出）
B或A
A
B
A或B
B
A或B
VCC = 24 V
民
最大
0.24
6
6.3
6.3
6.5
5.9
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
VCC = 5 V
±
0.5 V
民
最大
0.15
5.6
5.8
5.8
6
ns
5.9
ns
ns
ns
单位
＃传输延迟是典型通态电阻的开关和指定负载电容的计算RC时间常数，
当由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
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5
SN74CBT3257C
4的第1位2 FET复用器/解复用器
与2 V冲保护的5 V BUS开关
SCDS137 - 2003年10月
D
冲保护的关断隔离
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
A和B端口最多-2 V
双向数据流，接近零
传播延迟
低通态电阻（R
on
)
特性（R
on
= 3
典型）
低输入/输出电容最小化
装载和信号失真
(C
io的（OFF）的
= 5.5 pF的典型）
数据和控制输入提供
冲钳位二极管
低功耗
(I
CC
= 3
A
MAX ）
V
CC
经营范围为4 V至5.5 V
数据I / O的支持0 5 V信号电平
(0.8-V, 1.2-V, 1.5-V, 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, 5-V)
控制输入可以通过TTL驱动或
5 -V / 3.3 V CMOS输出
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
（ A114 -B ， II级）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
我支持
2
I2C总线扩展
同时支持数字和模拟
应用范围： USB接口，总线隔离，
低失真信号选通
D， DB ， DBQ ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
S
1B1
1B2
1A
2B1
2B2
2A
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
OE
4B1
4B2
4A
3B1
3B2
3A
RGY包装
（ TOP VIEW ）
S
1
16
15
OE
14
4B1
13
4B2
12
4A
11
3B1
10
3B2
1B1
1B2
1A
2B1
2B2
2A
2
3
4
5
6
7
8
9
D
D
描述/订购信息
订购信息
TA
QFN - RGY
SOIC - D
40 C 85°C
-40 ° C至85 C
SSOP - DB
SSOP （ QSOP ） - DBQ
TSSOP - PW
包装
磁带和卷轴
管
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
管
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74CBT3257CRGYR
SN74CBT3257CD
SN74CBT3257CDR
SN74CBT3257CDBR
SN74CBT3257CDBQR
SN74CBT3257CPW
SN74CBT3257CPWR
CU257C
CBT3257C
CU257C
CU257C
TOP- SIDE
记号
CU257C
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南
可在www.ti.com/sc/package 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2003年，德州仪器
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GND
3A
V
CC
1
SCDS137 - 2003年10月
SN74CBT3257C
4的第1位2 FET复用器/解复用器
与2 V冲保护的5 V BUS开关
描述/订购信息（续）
该SN74CBT3257C是一个高速TTL兼容的FET多路复用器/多路分解器具有低通态
电阻（R
on
） ，允许最小的传播延迟。主动冲保护电路的A和
在SN74CBT3257C的B端口通过检测的冲事件提供保护冲至-2 V
并确保该开关保持在适当的断开状态。
该SN74CBT3257C是1-为2的4位多路复用器/多路分解器具有单独的输出使能（OE ）输入。该
选择（S）输入控制所述多路复用器/多路分解器的数据路径。当OE为低电平时，
多路复用器/多路分离器被使能，并在A端口被连接到B端口，并允许双向数据流
端口之间。当OE为高电平，多路复用器/多路分用器被禁用且高阻抗状态存在
A和B端口之间。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
功能可确保
当它断电破坏性电流不会通过器件倒流。该器件在具有隔离
切断电源。
为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
功能表
输入
OE
L
L
H
S1
L
H
X
输入/输出
A
B1
B2
Z
功能
端口= B1口
端口= B2口
断开
2
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SN74CBT3257C
4的第1位2 FET复用器/解复用器
与2 V冲保护的5 V BUS开关
SCDS137 - 2003年10月
逻辑图（正逻辑）
4
1A
SW
3
SW
7
2A
SW
6
SW
9
SW
10
SW
12
4A
SW
13
SW
4B2
14
4B1
3B2
11
2B2
5
2B1
1B2
2
1B1
3A
3B1
1
S
15
OE
简化原理图，各FET开关（ SW）的
A
B
冲
保护电路
EN
EN为施加在开关内部的使能信号。
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3
SCDS137 - 2003年10月
SN74CBT3257C
4的第1位2 FET复用器/解复用器
与2 V冲保护的5 V BUS开关
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
控制输入电压范围，V
IN
（见注1和2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
开关I / O电压范围，V
I / O
（见注1 ，2和3）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
控制输入钳位电流，I
IK
(V
IN
< 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
I / O端口钳位电流，I
I / OK
(V
I / O
< 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
通态电流开关，我
I / O
（见注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±128
mA
连续电流通过V
CC
或GND端子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±100
mA
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注5 ） ：D包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73 ° C / W
（见注5 ） ： DB包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 82 ° C / W
（见注5 ） ： DBQ包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90 ° C / W
（见注5 ） ： PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108 ° C / W
（见注6 ） ：红绿黄包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39 ° C / W
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注： 1.所有电压是相对于地面，除非另有说明。
2.如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
3. VI和VO是用来表示特定的条件VI / O 。
4， II和IO用来表示特定的条件II / O 。
5.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
6.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-5 。
推荐工作条件（见注7 ）
民
VCC
VIH
VIL
VI / O
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
数据输入/输出电压
4
2
0
0
最大
5.5
5.5
0.8
5.5
单位
V
V
V
V
TA
工作自由空气的温度
40
85
°C
注7 ：该设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
4
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4的第1位2 FET复用器/解复用器
与2 V冲保护的5 V BUS开关
SCDS137 - 2003年10月
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明）
参数
VIK
VIKU
IIN
IOZ§
IOFF
ICC
I
CC§
CIN
首席信息官（关）
CIO （ ON）
控制输入
控制输入
一个端口
B端口
VI / O = 3 V或0 ，
VI / O = 3 V或0 ，
VCC = 4 V，
典型值在VCC = 24 V
ron
VCC = 4.5 V
关闭，
开机，
VI = 2.4 V ，
VI = 0
VIN = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IO = -15毫安
IO = 64毫安
IO = 30毫安
控制输入
数据输入
控制输入
VCC = 4.5 V ，
VCC = 5 V ，
VCC = 5.5 V ，
VCC = 5.5 V ，
VCC = 0 ，
VCC = 5.5 V ，
VCC = 5.5 V ，
VIN = 3V或0
测试条件
IIN = -18毫安
0毫安
＆ GT ;
II
≥
-50毫安，
VIN = VCC和GND ，
VIN = VCC或GND
VO = 0 5.5 V ，
VI = 0 ，
VO = 0 5.5 V ，
II / O = 0 ，
VIN = VCC和GND ，
一个输入在3.4 V，
民
TYP
最大
1.8
关闭
2
±1
关闭，
VIN = VCC或GND
VI = 0
开启或关闭
在VCC和GND的其他投入
3.5
8.5
5.5
16.5
8
3
3
12
6
6
±10
10
3
2.5
单位
V
V
A
A
A
A
mA
pF
pF
pF
pF
VI = 2.4 V ，
IO = -15毫安
5
10
VIN和IIN是指控制输入。 VI ，VO ，II和IO参阅数据引脚。
所有典型值是在VCC = 5 V （除非另有说明） ， TA = 25 ℃。
§有关的I / O端口，该参数IOZ包括输入漏电流。
这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的电压电平，而不是VCC或GND 。
测量由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。通态电阻由下式确定
两个（ A或B）端子的电压的降低。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内，C
L
= 50 pF的
（除非另有说明）（参见图3）
参数
TPD ＃
TPD （S ）
TEN
TDI发动机
从
（输入）
A或B
S
S
OE
S
OE
TO
（输出）
B或A
A
B
A或B
B
A或B
VCC = 24 V
民
最大
0.24
6
6.3
6.3
6.5
5.9
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
VCC = 5 V
±
0.5 V
民
最大
0.15
5.6
5.8
5.8
6
ns
5.9
ns
ns
ns
单位
＃传输延迟是典型通态电阻的开关和指定负载电容的计算RC时间常数，
当由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
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