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SN74CBT3253
1双4 FET复用器/解复用器
SCDS018O - 1995年5月 - 修订2004年1月
D
TTL兼容的输入电平
D, DB , DBQ ,或PW包装
( TOP VIEW )
RGY包装
( TOP VIEW )
1OE
1OE
S1
1B4
1B3
1B2
1B1
1A
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
2OE
S0
2B4
2B3
2B2
2B1
2A
1
16
15
2OE
14
S0
13
2B4
12
2B3
11
2B2
10
2B1
S1
1B4
1B3
1B2
1B1
1A
2
3
4
5
6
7
8
9
描述/订购信息
该SN74CBT3253是双-1-的-4高速TTL兼容的FET多路复用器/多路分用器。低
导通状态的开关的电阻允许以最小的传播延迟进行的连接。
10E, 2OE , S0,和S1中选择适当的B输出为A输入数据。
订购信息
TA
QFN - RGY
SOIC - D
40 C 85°C
-40 ° C至85 C
SSOP - DB
SSOP ( QSOP ) - DBQ
TSSOP - PW
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74CBT3253RGYR
SN74CBT3253D
SN74CBT3253DR
SN74CBT3253DBR
SN74CBT3253DBQR
SN74CBT3253PW
SN74CBT3253PWR
CU253
CBT3253
CU253
CU253
TOP- SIDE
记号
CU253
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计
准则可在www.ti.com/sc/package 。
功能表
输入
1OE
X
H
L
L
L
L
2OE
H
X
L
L
L
L
S1
X
X
L
L
H
H
S0
X
X
L
H
L
H
功能
断开1A和2A
断开1A和2A
1A至1B1和图2A至2B1
图1A至1B2和图2A至2B2
图1A至1B3和图2A至2B3
图1A至1B4和图2A至2B4
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
GND
版权
2004年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
2A
V
CC
1
SN74CBT3253
1双4 FET复用器/解复用器
SCDS018O - 1995年5月 - 修订2004年1月
逻辑图(正逻辑)
1A
7
6
1B1
5
1B2
4
1B3
3
1B4
2A
9
10
2B1
11
2B2
12
13
2B4
2B3
14
S0
2
S1
1
1OE
15
2OE
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压范围,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
输入电压范围,V
I
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
连续通道电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 128毫安
输入钳位电流,I
K
(V
I / O
< 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注2 ) :D包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73 ° C / W
(见注2 ) : DB包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 82 ° C / W
(见注2 ) : DBQ包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90 ° C / W
(见注2 ) : PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108 ° C / W
(见注3 ) :红绿黄包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39 ° C / W
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注意:如果输入和输出钳位电流额定值观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-5 。
2
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
SN74CBT3253
1双4 FET复用器/解复用器
SCDS018O - 1995年5月 - 修订2004年1月
推荐工作条件(见注4 )
VCC
VIH
VIL
TA
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
工作自由空气的温度
40
4
2
0.8
85
最大
5.5
单位
V
V
V
°C
注4 :该设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明)
参数
VIK
II
ICC
I
CC
Ci
首席信息官(关)
控制输入
控制输入
一个端口
B端口
VO = 3 V或0 ,
OE = VCC
VI = 0
VI = 2.4 V ,
II = 64毫安
II = 30毫安
II = 15毫安
VCC = 4.5 V ,
VCC = 5 V ,
VCC = 5.5 V ,
VCC = 5.5 V ,
VI = 3 V或0
测试条件
II = -18毫安
VI = 5.5 V或GND
IO = 0,
一个输入在3.4 V,
VI = VCC或GND
在VCC和GND的其他投入
3.5
10
4
5
5
10
7
7
15
pF
TYP
最大
1.2
±1
3
2.5
单位
V
A
A
mA
pF
ron
VCC = 4.5 V
所有典型值是在VCC = 5 V (除非另有说明) , TA = 25 ℃。
§这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的TTL电平,而不是VCC或GND 。
§由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降的测量。通态电阻确定
由两个( A或B)端子的电压较低。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内,C
L
= 50 pF的
(除非另有说明)(参见图1)
参数
TPD
tPD的
TEN
TDI发动机
(输入)
A或B
S
S
OE
S
A或B
OE
7.3
2.3
7
A或B
TO
(输出)
B或A
A或B
VCC = 24 V
最大
0.35
6.6
7.1
7.3
7.9
1.6
1.3
1.4
1.1
VCC = 5 V
±
0.5 V
最大
0.25
6.2
6.3
6.4
7.4
ns
ns
ns
ns
单位
传播延迟是该开关的典型的导通状态电阻与规定的负载电容的计算的RC时间常数,当
由一个理想电压源(零输出阻抗)驱动。
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3
SN74CBT3253
1双4 FET复用器/解复用器
SCDS018O - 1995年5月 - 修订2004年1月
参数测量信息
500
S1
7V
开放
GND
500
产量
控制
(低电平
使能)
tPZL
3V
输入
1.5 V
1.5 V
0V
TPLH
产量
1.5 V
电压波形
传播延迟时间
的TPH1
1.5 V
VOH
VOL
产量
波形1
S1在7 V
(见注B)
tpZH
产量
波形2
S1在打开
(见注B)
3V
1.5 V
1.5 V
0V
tPLZ
3.5 V
1.5 V
VOL + 0.3 V
VOL
tPHZ
VOH
VOH - 0.3 V
0V
电压波形
启用和禁用时报
TEST
tPD的
tPLZ / tPZL
tPHZ / tPZH
S1
开放
7V
开放
从输出
被测
CL = 50 pF的
(见注一)
负载电路
1.5 V
注:A CL包括探针和夹具电容。
B.波形1是内部条件的输出,使得输出为低电平除非输出控制禁止时。
波形2是内部条件的输出,使得输出为高,除去被禁止输出的时候。
C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机: PRR
10兆赫,Z0 = 50
,
tr
2.5纳秒, TF
2.5纳秒。
D的输出被测量一次一个地与每测量1过渡。
大肠杆菌tPLZ和tPHZ相同TDIS 。
F. tPZL和tPZH是相同的10 。
G.的TPH1和tPLH的相同公吨。
H.所有参数和波形并不适用于所有的设备。
图1.负载电路和电压波形
4
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
重要通知
德州仪器(TI)及其附属公司( TI)保留随时更正,修改,增强的权利,
改进或其它更改其产品和服务,在任何时间,停止任何产品或服务,恕不另行通知。
客户在下订单前应获取最新的相关信息,并验证这些信息是否是最新的,
完整的。所有产品的销售都遵循TI销售条款与在订单确认时所提供的条件。
其硬件产品的TI保证产品性能在销售时按照TI的时间规范
标准保修。测试及其它质量控制技术被用于TI认为有必要支持这项程度
质保。除非政府做出了硬性规定,每种产品的所有参数进行测试不一定
进行。
TI对应用帮助或客户产品设计不承担任何责任。客户有责任为他们的产品和
使用TI组件的应用程序。为尽量减小与客户产品和应用,客户应该带来的风险
提供充分的设计与操作安全措施。
TI不保证或表示任何许可,无论明示或暗示,在任何TI专利权,版权,屏蔽批
工作的权利,或与之有关的任何组合,机器或流程等TI知识产权中, TI的产品或服务
被使用。对于第三方产品或服务通过TI发布的信息,不能构成从TI许可使用这种
产品或服务或者保证或认可。使用此类信息可能需要下从第三方的许可
该专利或第三方的其他知识产权,或从TI的专利权或TI的其它知识产权的许可。
对于TI的数据手册或数据表中复制信息是允许的,只要还原度没有改变,是
带有相关授权,条件,限制和声明。这些信息与变更再现是一种
不公平和欺诈性商业行为。 TI是不负责或承担此类篡改过的文件。
TI产品或服务的使用或超出TI针对该产品或服务规定的参数声明不同的转售
所有的空隙,并表示对相关TI产品或服务的任何默示保证,是一种不公平,欺诈性商业
实践中。 TI是不负责或承担任何此类陈述。
TI产品未被授权用于安全关键型应用(如生命支持)使用,其中TI产品的失败会
合理预期造成严重的人身伤害或死亡,除非各方人员签订的协议
专门管理此类用途。购房者表示,他们拥有所有必要的专业知识,在安全性和可能产生的后果
其申请,并承认和同意,他们全权负责所有的法律,法规和安全相关的
关于其产品的任何使用TI产品在此类关键安全应用中,即使有任何要求
应用程序相关的信息,或者可能由TI提供了支持。此外,购买者必须全额赔偿TI及其
代表因在此类关键安全应用中使用TI产品的任何损失。
TI产品并非设计或专门用于军事/航空应用,以及除非TI的产品环境中使用
由TI专门指定由TI指定的军用产品才满足军用军用级或"enhanced plastic."只产品
规格。购买者认可并同意,任何此类使用TI产品而TI未指定为军用级是
仅在买方的风险,他们全权负责遵守所有法律和法规要求
此类相关使用。
TI产品并非设计或专门用于汽车,除非特定的TI产品的应用或环境
由TI指定为符合ISO / TS 16949的要求。购买者认可并同意,如果他们使用任何
在汽车应用中的非指定产品,TI将不承担任何未能满足这些要求。
以下是URL地址以获取有关其它TI产品和应用解决方案的信息:
制品
放大器器
数据转换器
DSP
接口
逻辑
电源管理
微控制器
低功耗
无线
amplifier.ti.com
dataconverter.ti.com
dsp.ti.com
interface.ti.com
logic.ti.com
power.ti.com
microcontroller.ti.com
www.ti.com/lpw
应用
音频
汽车
宽带
数字控制
军事
光网络
安全
电话
视频&影像
无线
www.ti.com/audio
www.ti.com/automotive
www.ti.com/broadband
www.ti.com/digitalcontrol
www.ti.com/military
www.ti.com/opticalnetwork
www.ti.com/security
www.ti.com/telephony
www.ti.com/video
www.ti.com/wireless
邮寄地址:德州仪器,邮政信箱655303 ,达拉斯,德克萨斯州75265
2007 ,德州仪器
SN74CBT3253
1双4 FET复用器/解复用器
SCDS018O - 1995年5月 - 修订2004年1月
D
TTL兼容的输入电平
D, DB , DBQ ,或PW包装
( TOP VIEW )
RGY包装
( TOP VIEW )
1OE
1OE
S1
1B4
1B3
1B2
1B1
1A
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
2OE
S0
2B4
2B3
2B2
2B1
2A
1
16
15
2OE
14
S0
13
2B4
12
2B3
11
2B2
10
2B1
S1
1B4
1B3
1B2
1B1
1A
2
3
4
5
6
7
8
9
描述/订购信息
该SN74CBT3253是双-1-的-4高速TTL兼容的FET多路复用器/多路分用器。低
导通状态的开关的电阻允许以最小的传播延迟进行的连接。
10E, 2OE , S0,和S1中选择适当的B输出为A输入数据。
订购信息
TA
QFN - RGY
SOIC - D
40 C 85°C
-40 ° C至85 C
SSOP - DB
SSOP ( QSOP ) - DBQ
TSSOP - PW
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74CBT3253RGYR
SN74CBT3253D
SN74CBT3253DR
SN74CBT3253DBR
SN74CBT3253DBQR
SN74CBT3253PW
SN74CBT3253PWR
CU253
CBT3253
CU253
CU253
TOP- SIDE
记号
CU253
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计
准则可在www.ti.com/sc/package 。
功能表
输入
1OE
X
H
L
L
L
L
2OE
H
X
L
L
L
L
S1
X
X
L
L
H
H
S0
X
X
L
H
L
H
功能
断开1A和2A
断开1A和2A
1A至1B1和图2A至2B1
图1A至1B2和图2A至2B2
图1A至1B3和图2A至2B3
图1A至1B4和图2A至2B4
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
GND
版权
2004年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
2A
V
CC
1
SN74CBT3253
1双4 FET复用器/解复用器
SCDS018O - 1995年5月 - 修订2004年1月
逻辑图(正逻辑)
1A
7
6
1B1
5
1B2
4
1B3
3
1B4
2A
9
10
2B1
11
2B2
12
13
2B4
2B3
14
S0
2
S1
1
1OE
15
2OE
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压范围,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
输入电压范围,V
I
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
连续通道电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 128毫安
输入钳位电流,I
K
(V
I / O
< 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注2 ) :D包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73 ° C / W
(见注2 ) : DB包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 82 ° C / W
(见注2 ) : DBQ包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90 ° C / W
(见注2 ) : PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108 ° C / W
(见注3 ) :红绿黄包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39 ° C / W
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注意:如果输入和输出钳位电流额定值观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-5 。
2
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
SN74CBT3253
1双4 FET复用器/解复用器
SCDS018O - 1995年5月 - 修订2004年1月
推荐工作条件(见注4 )
VCC
VIH
VIL
TA
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
工作自由空气的温度
40
4
2
0.8
85
最大
5.5
单位
V
V
V
°C
注4 :该设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明)
参数
VIK
II
ICC
I
CC
Ci
首席信息官(关)
控制输入
控制输入
一个端口
B端口
VO = 3 V或0 ,
OE = VCC
VI = 0
VI = 2.4 V ,
II = 64毫安
II = 30毫安
II = 15毫安
VCC = 4.5 V ,
VCC = 5 V ,
VCC = 5.5 V ,
VCC = 5.5 V ,
VI = 3 V或0
测试条件
II = -18毫安
VI = 5.5 V或GND
IO = 0,
一个输入在3.4 V,
VI = VCC或GND
在VCC和GND的其他投入
3.5
10
4
5
5
10
7
7
15
pF
TYP
最大
1.2
±1
3
2.5
单位
V
A
A
mA
pF
ron
VCC = 4.5 V
所有典型值是在VCC = 5 V (除非另有说明) , TA = 25 ℃。
§这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的TTL电平,而不是VCC或GND 。
§由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降的测量。通态电阻确定
由两个( A或B)端子的电压较低。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内,C
L
= 50 pF的
(除非另有说明)(参见图1)
参数
TPD
tPD的
TEN
TDI发动机
(输入)
A或B
S
S
OE
S
A或B
OE
7.3
2.3
7
A或B
TO
(输出)
B或A
A或B
VCC = 24 V
最大
0.35
6.6
7.1
7.3
7.9
1.6
1.3
1.4
1.1
VCC = 5 V
±
0.5 V
最大
0.25
6.2
6.3
6.4
7.4
ns
ns
ns
ns
单位
传播延迟是该开关的典型的导通状态电阻与规定的负载电容的计算的RC时间常数,当
由一个理想电压源(零输出阻抗)驱动。
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
3
SN74CBT3253
1双4 FET复用器/解复用器
SCDS018O - 1995年5月 - 修订2004年1月
参数测量信息
500
S1
7V
开放
GND
500
产量
控制
(低电平
使能)
tPZL
3V
输入
1.5 V
1.5 V
0V
TPLH
产量
1.5 V
电压波形
传播延迟时间
的TPH1
1.5 V
VOH
VOL
产量
波形1
S1在7 V
(见注B)
tpZH
产量
波形2
S1在打开
(见注B)
3V
1.5 V
1.5 V
0V
tPLZ
3.5 V
1.5 V
VOL + 0.3 V
VOL
tPHZ
VOH
VOH - 0.3 V
0V
电压波形
启用和禁用时报
TEST
tPD的
tPLZ / tPZL
tPHZ / tPZH
S1
开放
7V
开放
从输出
被测
CL = 50 pF的
(见注一)
负载电路
1.5 V
注:A CL包括探针和夹具电容。
B.波形1是内部条件的输出,使得输出为低电平除非输出控制禁止时。
波形2是内部条件的输出,使得输出为高,除去被禁止输出的时候。
C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机: PRR
10兆赫,Z0 = 50
,
tr
2.5纳秒, TF
2.5纳秒。
D的输出被测量一次一个地与每测量1过渡。
大肠杆菌tPLZ和tPHZ相同TDIS 。
F. tPZL和tPZH是相同的10 。
G.的TPH1和tPLH的相同公吨。
H.所有参数和波形并不适用于所有的设备。
图1.负载电路和电压波形
4
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
封装选项附录
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18-Jul-2006
包装信息
订购设备
SN74CBT3253D
SN74CBT3253DBLE
SN74CBT3253DBQR
SN74CBT3253DBQRE4
SN74CBT3253DBQRG4
SN74CBT3253DBR
SN74CBT3253DBRE4
SN74CBT3253DE4
SN74CBT3253DR
SN74CBT3253DRE4
SN74CBT3253PW
SN74CBT3253PWE4
SN74CBT3253PWG4
SN74CBT3253PWLE
SN74CBT3253PWR
SN74CBT3253PWRE4
SN74CBT3253PWRG4
SN74CBT3253RGYR
SN74CBT3253RGYRG4
(1)
状态
(1)
活跃
过时的
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
过时的
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
TYPE
SOIC
SSOP
SSOP /
QSOP
SSOP /
QSOP
SSOP /
QSOP
SSOP
SSOP
SOIC
SOIC
SOIC
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
QFN
QFN
制图
D
DB
DBQ
DBQ
DBQ
DB
DB
D
D
D
PW
PW
PW
PW
PW
PW
PW
RGY
RGY
引脚封装环保计划
(2)
数量
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
40
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
待定
2500绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2500绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2500绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
40
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
铅/焊球涂层
CU镍钯金
TI打电话
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
TI打电话
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
MSL峰值温度
(3)
Level-1-260C-UNLIM
TI打电话
Level-2-260C-1YEAR
Level-2-260C-1YEAR
Level-2-260C-1YEAR
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
TI打电话
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-2-260C-1YEAR
Level-2-260C-1YEAR
2500绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2500绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
90
90
90
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
待定
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
2000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
1000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
1000绿色环保(RoHS &
无锑/溴)
营销状态值的定义如下:
ACTIVE :
建议用于新设计产品的设备。
LIFEBUY :
德州仪器日前宣布,该设备将停止,并且终身购买期间生效。
NRND :
不建议用于新设计。设备是生产以支持现有客户,但TI不推荐使用这部分
新的设计。
预览:
设备已宣告但尚未投入生产。样品可以是或可以不是可用的。
已过时:
TI已经停止生产该设备的。
(2)
环保计划 - 该计划的环保分级:无铅(符合RoHS ) ,无铅( RoHS豁免)或绿色环保(RoHS &无Sb / Br) - 请检查
http://www.ti.com/productcontent
获得最新供货信息和附加产品目录明细。
TBD :
无铅/绿色转换计划尚未确定。
无铅( RoHS指令) :
TI的条款"Lead - Free"或"Pb - Free"意味着与当前RoHS要求的半导体产品
对于所有6种物质,其中包括铅的重量不超过均质材料0.1 %的要求。其中,设计成被焊接
在高温下, TI无铅产品适用于特定的无铅工艺。
无铅( RoHS豁免) :
该组件符合RoHS豁免要么1 )铅基模之间采用倒装芯片焊料凸点
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