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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第657页 > SN74CBT3126D
SN74CBT3126
四路FET总线开关
SCDS020E - 1995年5月 - 修订1998年5月
D
D
D
D
D
标准的“ 126型引脚(D , DGV ,和PW
包)
5 Ω交换机两个端口之间的连接
TTL兼容的输入电平
闭锁性能超过250毫安每
JESD 17
封装选择包括塑料
小外形封装( D) ,收缩型小外形
( DBQ ) ,非常薄小外形( DGV ) ,和
超薄紧缩小外形( PW )封装
D, DGV ,或PW包装
( TOP VIEW )
1OE
1A
1B
2OE
2A
2B
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
CC
4OE
4A
4B
3OE
3A
3B
描述
该SN74CBT3126四倍FET总线开关
具有独立的行开关。每个开关
被禁用时,相应的输出使能
( OE )输入为低。
该SN74CBT3126的特点是操作
从-40 ° C到85°C 。
功能表
(每条总线开关)
输入
OE
L
H
功能
断开
A-B
DBQ包装
( TOP VIEW )
NC
1OE
1A
1B
2OE
2A
2B
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
4OE
4A
4B
3OE
3A
3B
NC
NC - 无内部连接
逻辑图(正逻辑)
2
1A
1
1OE
2A
5
6
2B
3
1B
2OE
3A
4
9
8
3B
10
12
11
4B
13
3OE
4A
4OE
显示引脚数都为D, DGV ,和PW包。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1998年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
SN74CBT3126
四路FET总线开关
SCDS020E - 1995年5月 - 修订1998年5月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压范围,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
输入电压范围,V
I
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
连续通道电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 128毫安
输入钳位电流,I
K
(V
I / O
< 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注2 ) :D包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 127 ° C / W
DBQ包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 139 ° C / W
DGV包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 182 ° C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 170 ° C / W
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注意:如果输入和输出钳位电流额定值观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51 。
推荐工作条件(见注3 )
VCC
VIH
VIL
TA
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
工作自由空气的温度
–40
4
2
0.8
85
最大
5.5
单位
V
V
V
°C
注3 :该设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明)
参数
VIK
II
ICC
I
CC§
Ci
首席信息官(关)
控制输入
控制输入
VCC = 4 V,
VCC = 5.5 V ,
VCC = 5.5 V ,
VCC = 5.5 V ,
VI = 3 V或0
VO = 3 V或0 ,
VCC = 4 V,
ron
VCC = 4.5 V
测试条件
II = -18毫安
VI = 5.5 V或GND
IO = 0,
一个输入在3.4 V,
OE = GND
典型值在VCC = 4 V,
VI = 0
VI = 2.4 V ,
II = 64毫安
II = 30毫安
II = 15毫安
II = 15毫安
VI = VCC或GND
在VCC和GND的其他投入
3
4
16
5
5
22
7
7
TYP
最大
–1.2
±1
3
2.5
单位
V
A
A
mA
pF
pF
VI = 2.4 V ,
10
15
所有典型值是在VCC = 5 V (除非另有说明) , TA = 25 ℃。
§这是供应量的增加电流每路输入是在指定的TTL电平,而不是VCC和GND 。
§由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降的测量。通态电阻确定
由两个( A或B)端子的电压的降低。
2
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
SN74CBT3126
四路FET总线开关
SCDS020E - 1995年5月 - 修订1998年5月
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内,C
L
= 50 pF的
(除非另有说明)(参见图1)
参数
TPD
TEN
(输入)
A或B
OE
TO
(输出)
B或A
A或B
VCC = 24 V
最大
0.35
5.4
1.6
VCC = 5 V
±
0.5 V
最大
0.25
5.1
ns
ns
单位
TDI发动机
OE
A或B
5
1
4.5
ns
传播延迟是该开关的典型的导通状态电阻与规定的负载电容的计算的RC时间常数,当
由一个理想电压源(零输出阻抗)驱动。
参数测量信息
7V
从输出
被测
CL = 50 pF的
(见注一)
500
S1
开放
GND
500
产量
控制
(低电平
使能)
tPZL
产量
波形1
S1在7 V
(见注B)
tpZH
VOH
产量
1.5 V
电压波形
传播延迟时间
1.5 V
VOL
产量
波形2
S1在打开
(见注B)
TEST
tPD的
tPLZ / tPZL
tPHZ / tPZH
S1
开放
7V
开放
3V
1.5 V
1.5 V
0V
tPLZ
3.5 V
1.5 V
tPHZ
VOH
VOH - 0.3 V
0V
电压波形
启用和禁用时报
VOL + 0.3 V
VOL
负载电路
3V
输入
1.5 V
1.5 V
0V
TPLH
的TPH1
1.5 V
注:A CL包括探针和夹具电容。
B.波形1是内部条件的输出,使得输出为低电平除非输出控制禁止时。
波形2是内部条件的输出,使得输出为高,除去被禁止输出的时候。
C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机: PRR
10兆赫,Z0 = 50
,
tr
2.5纳秒, TF
2.5纳秒。
D的输出被测量一次一个地与每测量1过渡。
大肠杆菌tPLZ和tPHZ相同TDIS 。
F. tPZL和tPZH是相同的10 。
G. tPLH的andtPHL相同公吨。
图1.负载电路和电压波形
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达拉斯,德克萨斯州75265
3
重要通知
德州仪器(TI)及其附属公司( TI)保留随时修改他们的产品或终止的权利
任何产品或服务,恕不另行通知,并告知客户获得相关信息的最新版本
验证,在下订单之前,该信息被依靠的最新及完整。所有产品的销售
受在订单确认时所提供的销售条款和条件,包括
关于保修,专利侵权,并赔偿责任限制。
其半导体产品的TI保证产品性能在销售的时候规格
根据TI的标准保修服务。测试和其它质量控制技术被利用的程度
TI认为有必要支持这项保证。每个器件的所有参数的具体测试不一定
除了那些由政府强制要求执行。
采用半导体产品的某些应用程序可能涉及的潜在风险
死亡,人身伤害,或严重的财产或环境损害( “ CRITICAL
应用程序“) 。 TI半导体产品并非设计,授权,或
担保能适用用于生命支持设备或系统或其他
关键应用。 TI产品在这些应用中夹杂物被理解为
完全根据客户的风险。
为了最小化与用户的应用程序,适当的设计与操作相关的风险
保障措施必须由客户提供,以尽量减少固有的或程序上的危害。
TI对应用帮助或客户产品设计不承担任何责任。 TI不声明或保证
任何许可,无论是明示或暗示,是任何专利权,版权,屏蔽作品权或其他准予下
TI覆盖或与之相关的任何组合,机器或流程的知识产权进行此类
半导体产品或服务可能使用或正在使用。 TI的对任何第三方公布的信息
方的产品或服务不构成TI的批准,保证或认可。
版权
1998年,德州仪器
SN74CBT3126
四路FET总线开关
SCDS020K - 1995年5月 - 修订2003年10月
D
标准的“ 126型引脚(D , DB , DGV ,
D
和PW包)
5 Ω交换机两个端口之间的连接
D
TTL兼容的输入电平
D
闭锁性能超过250毫安每
JESD 17
DBQ包装
( TOP VIEW )
D, DB , DGV ,或PW包装
( TOP VIEW )
RGY包装
( TOP VIEW )
1OE
1OE
1A
1B
2OE
2A
2B
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
CC
4OE
4A
4B
3OE
3A
3B
V
CC
1
14
13
4OE
12
4A
11
4B
10
3OE
9
3A
1A
1B
2OE
2A
2B
2
3
4
5
6
7
8
NC
1OE
1A
1B
2OE
2A
2B
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
4OE
4A
4B
3OE
3A
3B
NC
GND
3B
NC - 无内部连接
描述/订购信息
该SN74CBT3126四倍FET总线开关具有独立的行开关。每个开关被禁用
当相关的输出使能( OE )输入为低。
为了确保上电或断电高阻抗状态, OE应通过一个连接到GND
下拉电阻;该电阻的最小值由的所述电流源能力决定
驱动程序。
订购信息
T
A
QFN - RGY
SOIC - D
-40 ° C至85°C
40°C
SSOP - DB
SSOP ( QSOP ) - DBQ
TSSOP - PW
TVSOP - DGV
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74CBT3126RGYR
SN74CBT3126D
SN74CBT3126DR
SN74CBT3126DBR
SN74CBT3126DBQR
SN74CBT3126PW
SN74CBT3126PWR
SN74CBT3126DGVR
TOP- SIDE
记号
CU126
CBT3126
CU126
CU126
CU126
CU126
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计
准则可在www.ti.com/sc/package 。
功能表
(每条总线开关)
输入
OE
L
H
功能
断开
A-B
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2003年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
SN74CBT3126
四路FET总线开关
SCDS020K - 1995年5月 - 修订2003年10月
逻辑图(正逻辑)
2
1A
1
1OE
2A
5
6
2B
3
1B
2OE
3A
4
9
8
3B
10
12
11
4B
13
3OE
4A
4OE
显示引脚数都为D, DB , DGV , PW和RGY包。
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压范围,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
输入电压范围,V
I
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
连续通道电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 128毫安
输入钳位电流,I
K
(V
I / O
< 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注2 ) :D包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86 ° C / W
(见注2 ) : DB包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 96 ° C / W
(见注2 ) : DBQ包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90 ° C / W
(见注2 ) : DGV包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 127 ° C / W
(见注2 ) : PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113 ° C / W
(见注3 ) :红绿黄包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 47 ° C / W
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注意:如果输入和输出钳位电流额定值观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-5 。
推荐工作条件(见注4 )
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
工作自由空气的温度
40
4
2
0.8
85
最大
5.5
单位
V
V
V
°C
注4 :该设备的所有未使用的控制输入必须在V举行
CC
或GND,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。
2
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
SN74CBT3126
四路FET总线开关
SCDS020K - 1995年5月 - 修订2003年10月
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明)
参数
V
IK
I
I
I
CC
ΔI
CC
C
i
C
io的(OFF)的
控制输入
控制输入
V
CC
= 4.5 V,
V
CC
= 5.5 V,
V
CC
= 5.5 V,
V
CC
= 5.5 V,
V
I
= 3 V或0
V
O
= 3 V或0 ,
V
CC
= 4 V,
r
上?
V
CC
= 4.5 V
OE = GND
典型的V
CC
= 4 V,
V
I
= 0
V
I
= 2.4 V,
测试条件
I
I
= -18毫安
V
I
= 5.5 V或GND
I
O
= 0,
一个输入在3.4 V,
V
I
= V
CC
或GND
其他输入在V
CC
或GND
典型值
最大
1.2
±1
3
2.5
单位
V
μA
μA
mA
pF
pF
3
4
V
I
= 2.4 V,
I
I
= 64毫安
I
I
= 30毫安
I
I
= 15毫安
I
I
= 15毫安
16
5
5
10
22
7
7
15
Ω
所有典型值是在V
CC
= 5V (除非另有说明)中,T
A
= 25°C.
这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的TTL电平,而不是V
CC
或GND 。
§
测得的由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。通态电阻确定
由两个( A或B)端子的电压的降低。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内,C
L
= 50 pF的
(除非另有说明)(参见图1)
参数
t
PD
t
en
t
DIS
(输入)
A或B
OE
OE
TO
(输出)
B或A
A或B
A或B
V
CC
= 4 V
最大
0.35
5.4
5
V
CC
= 5 V
±
0.5 V
最大
0.25
1.6
1
5.1
4.5
单位
ns
ns
ns
传播延迟是该开关的典型的通态电阻所计算的RC时间常数和指定的负载电容,当
由一个理想电压源(零输出阻抗)驱动。
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
3
SN74CBT3126
四路FET总线开关
SCDS020K - 1995年5月 - 修订2003年10月
参数测量信息
7V
从输出
被测
C
L
= 50 pF的
(见注一)
500
Ω
S1
开放
GND
500
Ω
TEST
t
pd
t
PLZ
/t
PZL
t
PHZ
/t
PZH
S1
开放
7V
开放
3V
负载电路
产量
控制
1.5 V
1.5 V
0V
t
PZL
3V
输入
1.5 V
1.5 V
0V
t
PLH
产量
1.5 V
电压波形
传播延迟时间
t
PHL
V
OH
1.5 V
V
OL
产量
波形1
S1在7 V
(见注B)
t
PZH
产量
波形2
S1在打开
(见注B)
t
PLZ
3.5 V
1.5 V
V
OL
+ 0.3 V
V
OL
t
PHZ
V
OH
V
OH
0.3 V
0V
电压波形
启用和禁用时报
1.5 V
注意事项: A.
L
包括探头和夹具电容。
B.波形1是内部条件的输出,使得输出为低电平除非输出控制禁止时。
波形2是内部条件的输出,使得输出为高,除去被禁止输出的时候。
C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机: PRR
10兆赫,Z
O
= 50
Ω,
t
r
2.5纳秒,T
f
2.5纳秒。
D的输出被测量一次一个地与每测量1过渡。
E.吨
PLZ
和T
PHZ
相同吨
DIS
.
F.吨
PZL
和T
PZH
相同吨
en
.
G·T
PLH
和T
PHL
相同吨
pd
.
H.所有参数和波形并不适用于所有的设备。
图1.负载电路和电压波形
4
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
封装选项附录
www.ti.com
11-Apr-2013
包装信息
订购设备
SN74CBT3126D
SN74CBT3126DBQR
SN74CBT3126DBQRE4
SN74CBT3126DBQRG4
SN74CBT3126DBR
SN74CBT3126DBRE4
SN74CBT3126DBRG4
SN74CBT3126DE4
SN74CBT3126DG4
SN74CBT3126DR
SN74CBT3126DRE4
SN74CBT3126DRG4
SN74CBT3126PW
SN74CBT3126PWE4
SN74CBT3126PWG4
SN74CBT3126PWR
SN74CBT3126PWRE4
状态
(1)
封装类型封装引脚封装
制图
数量
SOIC
SSOP
SSOP
SSOP
SSOP
SSOP
SSOP
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
D
DBQ
DBQ
DBQ
DB
DB
DB
D
D
D
D
D
PW
PW
PW
PW
PW
14
16
16
16
14
14
14
14
14
14
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环保计划
(2)
铅/焊球涂层
CU镍钯金
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MSL峰值温度
(3)
欧普温度(° C)
-40到85
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顶侧标志
(4)
样本
活跃
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等级- 2-260C - 1年
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Level-1-260C-UNLIM
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人:李先生/吴小姐/ 朱先生
地址:深圳市福田区航都大厦17F1 可提供13%增值税发票
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
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联系人:张先生/陈小姐
地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
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全新原装正品/质量有保证
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