SN74CBT16800
20位FET总线开关
与预充电输出
SCDS090 - 1999年5月
D
D
D
D
5 Ω交换机两个端口之间的连接
TTL兼容的输入电平
B端口输出被偏置预充电
电压，最大限度地减少信号失真
在现场插
封装选择包括塑料薄膜
紧缩小外形封装（ DGG ）和细很
小外形（ DGV ）包
DGG或DGV包装
（ TOP VIEW ）
描述
该SN74CBT16800提供20位
高速TTL兼容总线开关。该
开关的低导通电阻允许
连接被以最小的传播作出
延时。该器件还预充电B端口到
用户可选择的偏置电压（ BIASV ） ，以尽量减少
直播插入的噪音。
该设备组织为双10位总线
有独立的输出使能（ OE ）开关
输入。它可以用作两个10位总线开关
或者一个20位总线开关。当OE为低电平时，
相关的10位总线开关上的端口A是
连接到端口B.当OE为高电平时，开关
是开放的，之间存在高阻抗状态
两个端口，而端口B被预充电到BIASV
通过10 - kΩ电阻的等价物。
为了确保电源在高阻抗状态
或断电， OE应当连接到V
CC
通过上拉电阻;的最小值
该电阻是由电流吸收测定
驾驶员的能力。
该SN74CBT16800的特点
操作温度范围为-40 ° C至85°C 。
为
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31
30
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28
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25
功能表
（每个10位总线开关）
输入
OE
L
H
功能
一个端口= B口
一个端口= Z
B端口= BIASV
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
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产品预览资料涉及产品的形成或
开发设计阶段。特征数据和其他
规格是设计目标。德州仪器公司保留权利，以
变更通知或不通知终止这些产品。
版权
1999年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
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产品预览
BiasV
1A1
1A2
1A3
1A4
1A5
1A6
GND
1A7
1A8
1A9
1A10
2A1
2A2
V
CC
2A3
GND
2A4
2A5
2A6
2A7
2A8
2A9
2A10
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1OE
2OE
1B1
1B2
1B3
1B4
1B5
GND
1B6
1B7
1B8
1B9
1B10
2B1
2B2
2B3
GND
2B4
2B5
2B6
2B7
2B8
2B9
2B10
SN74CBT16800
20位FET总线开关
与预充电输出
SCDS090 - 1999年5月
逻辑图（正逻辑）
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BiasV
2
1A1
46
1B1
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1A10
36
1B10
48
1OE
13
2A1
35
2B1
产品预览
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2A10
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2B10
47
2OE
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
偏置电压范围， BIASV 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
输入电压范围，V
I
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
连续通道电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 128毫安
输入钳位电流，I
IK
(V
I
＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注2 ） ： DGG包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 89 ° C / W
DGV包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 93 ° C / W
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注意：如果输入和输出钳位电流额定值观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51 。
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SN74CBT16800
20位FET总线开关
与预充电输出
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推荐工作条件（见注3 ）
民
VCC
BiasV
VIH
VIL
电源电压
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
4
1.3
2
0.8
最大
5.5
VCC
单位
V
V
V
V
TA
工作自由空气的温度
–40
85
°C
注3 ：该设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI的申请报告
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明）
参数
VIK
II
IO
ICC
I
CC
Ci
首席信息官（关）
控制输入
控制输入
VCC = 4.5 V ，
VCC = 5.5 V ，
VCC = 4.5 V ，
VCC = 5.5 V ，
VCC = 3.6 V ，
VI = 3 V或0
VO = 3 V或0 ，
VCC = 4 V，
典型值在VCC = 24 V
ron
VCC = 4.5 V
测试条件
II = -18毫安
VI = 5.5 V或GND
BIASV = 2.4 V ，
IO = 0，
一个输入在2.7 V ，
OE = VCC
VI = 2.4 V ，
VI = 0
II = 15毫安
II = 64毫安
II = 30毫安
VO = 0
VI = VCC或GND
在VCC和GND的其他投入
0.25
50
2.5
民
TYP
最大
–1.2
±5
单位
V
A
mA
A
mA
pF
pF
VI = 2.4 V ，
II = 15毫安
所有典型值是在VCC = 5 V （除非另有说明） ， TA = 25 ℃。
§这是供应量的增加电流每路输入是在指定的TTL电平，而不是VCC和GND 。
测量由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。通态电阻由下式确定
两个（ A或B）端子的电压的降低。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内，C
L
= 50 pF的
（除非另有说明）（参见图1）
参数
TPD
tpZH
tPZL
tPHZ
tPLZ
BIASV = GND
BIASV = 3 V
BIASV = GND
BIASV = 3 V
OE
TEST
条件
从
（输入）
A或B
TO
（输出）
B或A
A或B
VCC = 24 V
民
最大
VCC = 5 V
±
0.5 V
民
最大
ns
ns
单位
OE
A或B
ns
传播延迟是该开关的典型的导通状态电阻与规定的负载电容的计算的RC时间常数，当
由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
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产品预览
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与预充电输出
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参数测量信息
7V
从输出
被测
CL = 50 pF的
（见注一）
500
S1
开放
GND
500
产量
控制
（低电平
使能）
tPZL
3V
输入
1.5 V
1.5 V
0V
TPLH
的TPH1
VOH
产量
1.5 V
电压波形
传播延迟时间
1.5 V
VOL
产量
波形1
S1在7 V
（见注B）
tpZH
产量
波形2
S1在打开
（见注B）
1.5 V
1.5 V
TEST
tPD的
tPLZ / tPZL
tPHZ / tPZH
S1
开放
7V
开放
3V
1.5 V
1.5 V
0V
tPLZ
3.5 V
VOL + 0.3 V
VOL
tPHZ
VOH
VOH - 0.3 V
0V
电压波形
启用和禁用时报
负载电路
产品预览
注：A CL包括探针和夹具电容。
B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平除非输出控制禁止时。
波形2是内部条件的输出，使得输出为高，除去被禁止输出的时候。
C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR
≤
10兆赫，Z0 = 50
,
tr
≤
2.5纳秒， TF
≤
2.5纳秒。
D的输出被测量一次一个地与每测量1过渡。
大肠杆菌tPLZ和tPHZ相同TDIS 。
F. tPZL和tPZH是相同的10 。
G. tPLH的和的TPH1相同公吨。
图1.负载电路和电压波形
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1999年，德州仪器
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