【SN74CB3T338410位FET总线开关2.5 V / 5 V电压电平转换器3.3 V低电压总线】,IC型号SN74CB3T3384DBQR,SN74CB3T3384DBQR PDF资料,SN74CB3T3384DBQR经销商,ic,电子元器件-51电子网

SN74CB3T3384

10位FET总线开关

2.5 V / 5 V电压电平转换器3.3 V低电压总线开关

SCDS159B - 2003年10月 - 修订2004年3月

输出电压转换曲目V

支持混合模式信号操作上

所有的数据I / O端口

- 5 V输入低至3.3 V的输出电平

移3.3 V V

- 5 V / 3.3 V输入低至2.5 V的输出

电平转换采用2.5 V V

5 V容限I / O的设备加电启动

或断电

双向数据流，接近零

传播延迟

低通态电阻（R

)

特性（R

= 5

典型）

低输入/输出电容最小化

加载（C

io的（OFF）的

= 5 pF的典型）

数据和控制输入提供

冲钳位二极管

低功耗

= 40

MAX ）

经营范围为2.3 V至3.6 V

数据I / O的支持0 5 V信号电平

（例如： 0.8 V， 1.2 V， 1.5 V， 1.8 V，

2.5-V, 3.3-V, 5-V)

控制输入可以通过TTL驱动或

5 -V / 3.3 V / 2.5 V CMOS输出

关闭

支持部分掉电模式

手术

闭锁性能超过250毫安每

JESD 17

ESD性能测试每JESD 22

- 2000 -V人体模型

（ A114 -B ， II级）

- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）

支持数字应用：等级

翻译，内存交错，公交车

隔离

非常适合低功耗便携式设备

DBQ ， DGV ， DW ，或PW包装

（ TOP VIEW ）

1OE

1B1

1A1

1A2

1B2

1B3

1A3

1A4

1B4

1B5

1A5

GND

2B5

2A5

2A4

2B4

2B3

2A3

2A2

2B2

2B1

2A1

2OE

描述/订购信息

订购信息

SOIC - DW

-40 ° C至85°C

SSOP （ QSOP ） - DBQ

TSSOP - PW

TVSOP - DGV

包装

管

磁带和卷轴

管

磁带和卷轴

订购

产品型号

SN74CB3T3384DW

SN74CB3T3384DWR

SN74CB3T3384DBQR

SN74CB3T3384PW

SN74CB3T3384PWR

SN74CB3T3384DGVR

KS384

CB3T3384

TOP- SIDE

记号

包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计准则

可在www.ti.com/sc/package 。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

2004年，德州仪器

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达拉斯，德克萨斯州75265

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SN74CB3T3384

10位FET总线开关

2.5 V / 5 V电压电平转换器3.3 V低电压总线开关

描述/订购信息（续）

该SN74CB3T3384是具有低通态电阻（R高速TTL兼容的FET总线开关

允许最小的传播延迟。该设备完全支持混合模式信号的操作上的所有数据的I / O

通过提供电压转换跟踪V端口

。该SN74CB3T3384支持使用5 V TTL系统，

3.3 V的LVTTL和2.5 - V CMOS开关的标准，以及用户定义的开关电平（参见图1）。

VCC

5.5 V

VCC

≈V

CC - 1 V

OUT

≈V

CC - 1 V

CB3T

输入电压

输出电压

注A：如果在输入高电压（ VIH）水平大于或等于VCC - 1伏，并且小于或等于5.5 V时，输出高

电压（VOH ）级别将等于大约VCC电压电平。

图1.典型的直流电压，翻译特点

该SN74CB3T3384被组织为两个5 - bit总线，独立输出中启用（ 10E， 2OE ）输入切换。它

可以被用作两个5位总线开关或作为一个10位的总线开关。当OE为低电平时，相关联的5位总线

开关为ON，并在A端口被连接到B端口，并允许端口之间的双向数据流。当

OE为高电平时，相关的5位总线开关是OFF，并且A和B端口之间存在着一个高阻抗状态。

这个装置是用我的部分掉电应用完全指定

关闭

。在我

关闭

功能可确保

当它断电破坏性电流不会通过器件倒流。该器件在具有隔离

切断电源。

为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应当连接到V

通过上拉

电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。

功能表

（每个5比特总线开关）

输入

输入/输出

功能

一个端口= B口

断开

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逻辑图（正逻辑）

1A1

1B1

1A5

1B5

1OE

2A1

2B1

2A5

2B5

2OE

简化原理图，各FET开关（ SW）的

栅极电压（ VG），大约是

等于Vcc + VT时，开关为ON

和VI

＆ GT ;

VCC + VT 。

VG ？

控制

电路

EN为施加在开关内部的使能信号。

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10位FET总线开关

2.5 V / 5 V电压电平转换器3.3 V低电压总线开关

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压范围，V

（见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至7V的

控制输入电压范围，V

（见注1和2 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至7V的

开关I / O电压范围，V

I / O

（见注1 ，2和3）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至7V的

控制输入钳位电流，I

< 0）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -50毫安

I / O端口钳位电流，I

I / OK

I / O

< 0）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -50毫安

通态电流开关，我

I / O

（见注4 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±128

连续电流通过V

或GND端子。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±100

封装的热阻抗，

（见注5 ）： DBQ包。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 61 ° C / W

DGV包。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 86 ° C / W

DW包。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 46 ° C / W

PW包。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 88 ° C / W

存储温度范围，T

英镑

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65 ℃150 ℃的

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注： 1.所有电压是相对于地面，除非另有说明。

2.如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。

3. VI和VO是用来表示特定的条件VI / O 。

4， II和IO用来表示特定的条件II / O 。

5.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

推荐工作条件（见注6 ）

民

VCC

VIH

VIL

VI / O

电源电压

高层次的控制输入电压

低级别的控制输入电压

数据输入/输出电压

工作自由空气的温度

VCC = 2.3 V至2.7 V

VCC = 2.7 V至3.6 V

VCC = 2.3 V至2.7 V

VCC = 2.7 V至3.6 V

2.3

1.7

最大

3.6

5.5

0.7

0.8

5.5

°C

单位

注6 ：设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，

慢或浮动CMOS输入的影响，

文献编号SCBA004 。

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SCDS159B - 2003年10月 - 修订2004年3月

电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非

另有说明）

参数

VIK

VOH

IIN

控制输入

VCC = 3 V ，

II = -18毫安

参见图3和4

VCC = 3.6 V ，

VIN = 3.6 V至5.5 V或GND

VCC = 3.6 V ，

开机，

VIN = GND

VCC = 3.6 V ，

VO = 0 5.5 V ，

VI = 0 ，

关闭，

VIN = VCC

VCC = 0 ，

VO = 0 5.5 V ，

VI = 0

VCC = 3.6 V ，

II / O = 0 ，

打开或关闭，

VIN = VCC或GND

VCC = 3 V至3.6 V ，

一个输入在VCC - 0.6 V，

在VCC和GND的其他投入

VCC = 3.3 V ，

VIN = VCC或GND

VCC = 3.3 V ，

VI / O = 5.5 V ， 3.3 V或GND ，

关闭，

VIN = VCC

VCC = 3.3 V ，

开机，

VIN = GND

VCC = 2.3 V ，

典型值在VCC = 2.5 V ，

VI = 0

VCC = 3 V ，

VI = 0

VI / O = 5.5 V或3.3 V

VI / O = GND

IO = 24毫安

IO = 16毫安

IO = 64毫安

IO = 32毫安

VI = VCC或GND

VI = 5.5 V

VI = VCC - 0.7 V至5.5 V

VI = 0.7 V至VCC - 0.7 V

VI = 0到0.7伏

±10

±20

±5

测试条件

民

TYP

最大

1.2

单位

IOZ§

±10

IOFF

ICC

CC§

CIN

控制输入

300

控制输入

首席信息官（关）

CIO （ ON）

ron

VIN和IIN是指控制输入。 VI ，VO ，II和IO参阅数据引脚。

所有典型值是在VCC = 3.3 V （除非另有说明）， TA = 25 ℃。

§有关的I / O端口，该参数IOZ包括输入漏电流。

§这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的TTL电平，而不是VCC或GND 。

§由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降的测量。导通电阻是通过确定

两个（ A或B）端子的电压较低。

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