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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1221页 > SN74CB3T3306DCTR
SN74CB3T3306
双FET总线开关
2.5 V / 5 V电压电平转换器3.3 V低电压总线开关
SCDS119A - 2003年1月 - 修订2003年10月
D
输出电压转换曲目V
CC
D
支持混合模式信号操作上
所有的数据I / O端口
- 5 V输入低至3.3 V的输出电平
移3.3 V V
CC
- 5 V / 3.3 V输入低至2.5 V的输出
电平转换采用2.5 V V
CC
5 V容限I / O的设备加电启动
或断电
双向数据流,接近零
传播延迟
低通态电阻(R
on
)
特性(R
on
= 5
典型)
低输入/输出电容最小化
加载(C
io的(OFF)的
= 4.5 pF的典型)
数据和控制输入提供
冲钳位二极管
低功耗
(I
CC
= 20
A
MAX )
D
V
CC
经营范围为2.3 V至3.6 V
D
数据I / O的支持0 5 V信号电平
D
D
D
D
(0.8-V, 1.2-V, 1.5-V, 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, 5-V)
控制输入可以通过TTL驱动或
5 -V / 3.3 V CMOS输出
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过250毫安每
JESD 17
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
( A114 -B , II级)
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
支持数字应用:等级
翻译, USB接口,总线隔离
非常适合低功耗便携式设备
D
D
D
D
D
D
D
D
DCT或DCU包装
( TOP VIEW )
1OE
1A
1B
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
2OE
2B
2A
描述/订购信息
该SN74CB3T3306是具有低通态电阻(R高速TTL兼容的FET总线开关
on
),
允许最小的传播延迟。该设备完全支持混合模式信号的操作上的所有数据的I / O
通过提供电压转换跟踪V端口
CC
。该SN74CB3T3306支持使用5 V TTL系统,
3.3 V的LVTTL和2.5 - V CMOS开关的标准,以及用户定义的开关电平(参见图1) 。
该SN74CB3T3306被组织为两个1位总线与独立输出中启用( 10E, 2OE )输入开关。它
可以用作两个1位总线开关或作为一个2位的总线开关。当OE为低电平时,相关联的1位总线开关
为ON,和A端口被连接到B端口,并允许端口之间的双向数据流。当OE为高电平,
相关的1位总线开关是OFF,并且A和B端口之间存在着一个高阻抗状态。
订购信息
TA
-40 ° C至85°C
包装
SSOP - DCT
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74CB3T3306DCTR
TOP- SIDE
标记
WA6_ _
VSSOP - DCU
磁带和卷轴SN74CB3T3306DCUR
WA6_
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计
准则可在www.ti.com/sc/package 。
DCT :实际的顶部端标记有一个指定三个附加字符的年,月,和
封装/测试网站。
DCU :实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2003年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
SCDS119A - 2003年1月 - 修订2003年10月
SN74CB3T3306
双FET总线开关
2.5 V / 5 V电压电平转换器3.3 V低电压总线开关
描述/订购信息(续)
VCC
5.5 V
VCC
≈V
CC - 1 V
IN
OUT
≈V
CC
≈V
CC - 1 V
CB3T
0V
0V
输入电压
输出电压
注A:如果在输入高电压( VIH)水平大于或等于VCC - 1伏,并且小于或等于5.5伏,则输出高电压
(VOH )级别将等于大约VCC电压电平。
图1.典型的DC电压转换特性
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
功能可确保
当它断电破坏性电流不会通过器件倒流。该器件在具有隔离
切断电源。
为了确保上电或断电高阻抗状态, OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
功能表
(每条总线开关)
输入
OE
L
H
输入/输出
A
B
Z
功能
一个端口= B口
断开
逻辑图(正逻辑)
2
1A
1OE
1
SW
3
1B
5
2A
7
2OE
SW
6
2B
2
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SN74CB3T3306
双FET总线开关
2.5 V / 5 V电压电平转换器3.3 V低电压总线开关
SCDS119A - 2003年1月 - 修订2003年10月
简化原理图,各FET开关( SW)的
栅极电压( VG),大约是
等于Vcc + VT时,开关为ON
和VI
& GT ;
VCC + VT 。
A
VG
控制
电路
B
EN
EN为施加在开关内部的使能信号。
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
§
电源电压范围,V
CC
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
控制输入电压范围,V
IN
(见注1和2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
开关I / O电压范围,V
I / O
(见注1 ,2和3)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
控制输入钳位电流,I
IK
(V
IN
< 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
I / O端口钳位电流,I
I / OK
(V
I / O
< 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
通态电流开关,我
I / O
(见注4 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±128
mA
连续电流通过V
CC
或GND端子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±100
mA
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注5 ) : DCT封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 220 ° C / W
DCU包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 227 ° C / W
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注: 1.所有电压是相对于地面,除非另有说明。
2.如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
3. VI和VO是用来表示特定的条件VI / O 。
4, II和IO用来表示特定的条件II / O 。
5.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件(见注6 )
VCC
VIH
VIL
VI / O
TA
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
数据输入/输出电压
工作自由空气的温度
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
2.3
1.7
2
0
0
0
40
最大
3.6
5.5
5.5
0.7
0.8
5.5
85
V
V
°C
V
单位
V
注6 :设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。
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3
SCDS119A - 2003年1月 - 修订2003年10月
SN74CB3T3306
双FET总线开关
2.5 V / 5 V电压电平转换器3.3 V低电压总线开关
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明)
参数
VIK
VOH
IIN
控制输入
VCC = 3 V ,
II = -18毫安
参见图3和4
VCC = 3.6 V ,
VIN = 3.6 V至5.5 V或GND
VCC = 3.6 V ,
开机,
VIN = VCC或GND
VCC = 3.6 V ,
VO = 0 5.5 V ,
VI = 0 ,
关闭,
VIN = VCC或GND
VCC = 0 ,
VO = 0 5.5 V ,
VI = 0 ,
VCC = 3.6 V ,
II / O = 0 ,
打开或关闭,
VIN = VCC或GND
VCC = 3 V至3.6 V ,
一个输入在VCC - 0.6 V,
在VCC和GND的其他投入
VCC = 3.3 V ,
VIN = VCC或GND
VCC = 3.3 V ,
VI / O = 5.5 V , 3.3 V或GND ,
关闭,
VIN = VCC或GND
VCC = 3.3 V ,
开机,
VIN = VCC或GND
VCC = 2.3 V ,
典型值在VCC = 2.5 V ,
VI = 0
VCC = 3 V ,
VI = 0
VI / O = 5.5 V或3.3 V
VI / O = GND
IO = 24毫安
IO = 16毫安
IO = 64毫安
IO = 32毫安
VI = VCC或GND
VI = 5.5 V
VI = VCC - 0.7 V至5.5 V
VI = 0.7 V至VCC - 0.7 V
VI = 0到0.7伏
±10
±20
40
±5
A
A
测试条件
TYP
最大
1.2
单位
V
II
IOZ§
±10
A
IOFF
10
A
20
A
A
20
A
ICC
I
CC§
CIN
控制输入
300
控制输入
3
pF
首席信息官(关)
4.5
pF
4
pF
15
5
5
5
5
8
8
7
7
CIO ( ON)
ron
VIN和IIN是指控制输入。 VI ,VO ,II和IO参阅数据引脚。
所有典型值是在VCC = 3.3 V (除非另有说明) , TA = 25 ℃。
§有关的I / O端口,该参数IOZ包括输入漏电流。
§这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的TTL电平,而不是VCC或GND 。
§由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降的测量。导通电阻是通过确定
两个( A或B)端子的电压较低。
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双FET总线开关
2.5 V / 5 V电压电平转换器3.3 V低电压总线开关
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开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明) (参见图2)
参数
TPD
TEN
(输入)
A或B
OE
TO
(输出)
B或A
A或B
1
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
最大
0.15
8.5
1
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
最大
0.25
6.5
ns
ns
单位
TDI发动机
OE
A或B
1
9
1
9
ns
传播延迟是典型的通态电阻,开关和所述指定的负载电容的计算的RC时间常数,
当由一个理想电压源(零输出阻抗)驱动。
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5
SN74CB3T3306
双FET总线开关
2.5 V / 5 V电压电平转换器3.3 V低电压总线开关
SCDS119A - 2003年1月 - 修订2003年10月
D
输出电压转换曲目V
CC
D
支持混合模式信号操作上
所有的数据I / O端口
- 5 V输入低至3.3 V的输出电平
移3.3 V V
CC
- 5 V / 3.3 V输入低至2.5 V的输出
电平转换采用2.5 V V
CC
5 V容限I / O的设备加电启动
或断电
双向数据流,接近零
传播延迟
低通态电阻(R
on
)
特性(R
on
= 5
典型)
低输入/输出电容最小化
加载(C
io的(OFF)的
= 4.5 pF的典型)
数据和控制输入提供
冲钳位二极管
低功耗
(I
CC
= 20
A
MAX )
D
V
CC
经营范围为2.3 V至3.6 V
D
数据I / O的支持0 5 V信号电平
D
D
D
D
(0.8-V, 1.2-V, 1.5-V, 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, 5-V)
控制输入可以通过TTL驱动或
5 -V / 3.3 V CMOS输出
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过250毫安每
JESD 17
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
( A114 -B , II级)
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
支持数字应用:等级
翻译, USB接口,总线隔离
非常适合低功耗便携式设备
D
D
D
D
D
D
D
D
DCT或DCU包装
( TOP VIEW )
1OE
1A
1B
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
2OE
2B
2A
描述/订购信息
该SN74CB3T3306是具有低通态电阻(R高速TTL兼容的FET总线开关
on
),
允许最小的传播延迟。该设备完全支持混合模式信号的操作上的所有数据的I / O
通过提供电压转换跟踪V端口
CC
。该SN74CB3T3306支持使用5 V TTL系统,
3.3 V的LVTTL和2.5 - V CMOS开关的标准,以及用户定义的开关电平(参见图1) 。
该SN74CB3T3306被组织为两个1位总线与独立输出中启用( 10E, 2OE )输入开关。它
可以用作两个1位总线开关或作为一个2位的总线开关。当OE为低电平时,相关联的1位总线开关
为ON,和A端口被连接到B端口,并允许端口之间的双向数据流。当OE为高电平,
相关的1位总线开关是OFF,并且A和B端口之间存在着一个高阻抗状态。
订购信息
TA
-40 ° C至85°C
包装
SSOP - DCT
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74CB3T3306DCTR
TOP- SIDE
标记
WA6_ _
VSSOP - DCU
磁带和卷轴SN74CB3T3306DCUR
WA6_
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计
准则可在www.ti.com/sc/package 。
DCT :实际的顶部端标记有一个指定三个附加字符的年,月,和
封装/测试网站。
DCU :实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2003年,德州仪器
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1
SCDS119A - 2003年1月 - 修订2003年10月
SN74CB3T3306
双FET总线开关
2.5 V / 5 V电压电平转换器3.3 V低电压总线开关
描述/订购信息(续)
VCC
5.5 V
VCC
≈V
CC - 1 V
IN
OUT
≈V
CC
≈V
CC - 1 V
CB3T
0V
0V
输入电压
输出电压
注A:如果在输入高电压( VIH)水平大于或等于VCC - 1伏,并且小于或等于5.5伏,则输出高电压
(VOH )级别将等于大约VCC电压电平。
图1.典型的DC电压转换特性
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
功能可确保
当它断电破坏性电流不会通过器件倒流。该器件在具有隔离
切断电源。
为了确保上电或断电高阻抗状态, OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
功能表
(每条总线开关)
输入
OE
L
H
输入/输出
A
B
Z
功能
一个端口= B口
断开
逻辑图(正逻辑)
2
1A
1OE
1
SW
3
1B
5
2A
7
2OE
SW
6
2B
2
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双FET总线开关
2.5 V / 5 V电压电平转换器3.3 V低电压总线开关
SCDS119A - 2003年1月 - 修订2003年10月
简化原理图,各FET开关( SW)的
栅极电压( VG),大约是
等于Vcc + VT时,开关为ON
和VI
& GT ;
VCC + VT 。
A
VG
控制
电路
B
EN
EN为施加在开关内部的使能信号。
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
§
电源电压范围,V
CC
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
控制输入电压范围,V
IN
(见注1和2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
开关I / O电压范围,V
I / O
(见注1 ,2和3)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
控制输入钳位电流,I
IK
(V
IN
< 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
I / O端口钳位电流,I
I / OK
(V
I / O
< 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
通态电流开关,我
I / O
(见注4 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±128
mA
连续电流通过V
CC
或GND端子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±100
mA
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注5 ) : DCT封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 220 ° C / W
DCU包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 227 ° C / W
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注: 1.所有电压是相对于地面,除非另有说明。
2.如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
3. VI和VO是用来表示特定的条件VI / O 。
4, II和IO用来表示特定的条件II / O 。
5.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件(见注6 )
VCC
VIH
VIL
VI / O
TA
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
数据输入/输出电压
工作自由空气的温度
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
2.3
1.7
2
0
0
0
40
最大
3.6
5.5
5.5
0.7
0.8
5.5
85
V
V
°C
V
单位
V
注6 :设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
3
SCDS119A - 2003年1月 - 修订2003年10月
SN74CB3T3306
双FET总线开关
2.5 V / 5 V电压电平转换器3.3 V低电压总线开关
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明)
参数
VIK
VOH
IIN
控制输入
VCC = 3 V ,
II = -18毫安
参见图3和4
VCC = 3.6 V ,
VIN = 3.6 V至5.5 V或GND
VCC = 3.6 V ,
开机,
VIN = VCC或GND
VCC = 3.6 V ,
VO = 0 5.5 V ,
VI = 0 ,
关闭,
VIN = VCC或GND
VCC = 0 ,
VO = 0 5.5 V ,
VI = 0 ,
VCC = 3.6 V ,
II / O = 0 ,
打开或关闭,
VIN = VCC或GND
VCC = 3 V至3.6 V ,
一个输入在VCC - 0.6 V,
在VCC和GND的其他投入
VCC = 3.3 V ,
VIN = VCC或GND
VCC = 3.3 V ,
VI / O = 5.5 V , 3.3 V或GND ,
关闭,
VIN = VCC或GND
VCC = 3.3 V ,
开机,
VIN = VCC或GND
VCC = 2.3 V ,
典型值在VCC = 2.5 V ,
VI = 0
VCC = 3 V ,
VI = 0
VI / O = 5.5 V或3.3 V
VI / O = GND
IO = 24毫安
IO = 16毫安
IO = 64毫安
IO = 32毫安
VI = VCC或GND
VI = 5.5 V
VI = VCC - 0.7 V至5.5 V
VI = 0.7 V至VCC - 0.7 V
VI = 0到0.7伏
±10
±20
40
±5
A
A
测试条件
TYP
最大
1.2
单位
V
II
IOZ§
±10
A
IOFF
10
A
20
A
A
20
A
ICC
I
CC§
CIN
控制输入
300
控制输入
3
pF
首席信息官(关)
4.5
pF
4
pF
15
5
5
5
5
8
8
7
7
CIO ( ON)
ron
VIN和IIN是指控制输入。 VI ,VO ,II和IO参阅数据引脚。
所有典型值是在VCC = 3.3 V (除非另有说明) , TA = 25 ℃。
§有关的I / O端口,该参数IOZ包括输入漏电流。
§这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的TTL电平,而不是VCC或GND 。
§由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降的测量。导通电阻是通过确定
两个( A或B)端子的电压较低。
4
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双FET总线开关
2.5 V / 5 V电压电平转换器3.3 V低电压总线开关
SCDS119A - 2003年1月 - 修订2003年10月
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明) (参见图2)
参数
TPD
TEN
(输入)
A或B
OE
TO
(输出)
B或A
A或B
1
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
最大
0.15
8.5
1
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
最大
0.25
6.5
ns
ns
单位
TDI发动机
OE
A或B
1
9
1
9
ns
传播延迟是典型的通态电阻,开关和所述指定的负载电容的计算的RC时间常数,
当由一个理想电压源(零输出阻抗)驱动。
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