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SN74CB3T3245
8位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压，5 -V容限电平转换器
SCDS136 - 2003年10月 - 修订2005年3月
特点
标准的“ 245型引脚
输出电压转换曲目V
CC
支持混合模式信号操作上的所有
数据I / O端口
- 5 V输入低至3.3 V的输出电平转换
3.3 - V V
CC
- 5 V / 3.3 V输入低至2.5 V的输出电平
移2.5 V V
CC
5 V容限I / O的设备加电或
断电
双向数据流接近零
传播延迟
低通态电阻（R
on
）特性
(r
on
= 5
典型值）
低输入/输出电容最小化
加载（C
io的（OFF）的
= 5 pF的典型值）
数据和控制输入提供冲
钳位二极管
低功耗（I
CC
= 40
A
MAX ）
V
CC
经营范围为2.3 V至3.6 V
数据I / O的支持，以0 5 V信号电平
(0.8 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V, 5 V)
控制输入可以通过TTL驱动或
5 -V / 3.3 V CMOS输出
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过250毫安
每JESD 17
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -B ，
II级）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
支持数字应用：等级
翻译， PCI接口，USB接口，
内存交叉存取，总线隔离
非常适合低功耗便携式设备
DBQ ， DGV ， DW ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
NC
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
OE
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
NC - 无内部连接
描述/订购信息
该SN74CB3T3245是具有低通态电阻（R高速TTL兼容的FET总线开关
on
） ，允许
为最小的传播延迟。该设备完全支持的所有数据I / O端口通过混合模式信号操作
提供电压转换跟踪V
CC
。该SN74CB3T3245支持使用5 V TTL ， 3.3 - V系统
LVTTL和2.5 - V CMOS开关的标准，以及用户定义的切换电平（参见图1） 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2003-2005 ，德州仪器
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2.5 V / 3.3 V低电压，5 -V容限电平转换器
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描述/订购信息（续）
V
CC
5.5 V
V
CC
9V
CC
1 V
IN
OUT
9V
CC
9V
CC
1 V
CB3T
0V
0V
输入电压
输出电压
注一：如果输入高电压（V
IH
）电平大于或等于（Ⅴ
CC
- 1 V）和小于或等于5.5伏，
然后将输出的高电压（V
OH
）级别将等于大约在V
CC
电压电平。
图1.典型的DC电压转换特性
该SN74CB3T3245是与单个输出中，使能（OE ）输入和一个标准的' 245的引脚8位总线开关。
当OE为低电平时， 8位总线开关为ON，并在A端口被连接到B端口，并允许双向数据
端口之间流动。当OE为高电平时， 8位总线开关为OFF，并且之间存在高阻抗状态
A和B端口。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
功能可确保有害
当它断电电流不会通过器件倒流。该器件具有上电期间关闭隔离。
为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
订购信息
T
A
SOIC - DW
-40 ° C至85°C
SSOP （ QSOP ） - DBQ
TSSOP - PW
TVSOP - DGV
(1)
包
(1)
管
磁带和卷轴
磁带和卷轴
管
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购型号
SN74CB3T3245DW
SN74CB3T3245DWR
SN74CB3T3245DBQR
SN74CB3T3245PW
SN74CB3T3245PWR
SN74CB3T3245DGVR
顶部端标记
CB3T3245
CB3T3245
KS245
KS245
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
功能表
输入
OE
L
H
输入/输出
A
B
Z
功能
一个端口= B口
断开
2
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2.5 V / 3.3 V低电压，5 -V容限电平转换器
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逻辑图（正逻辑）
2
A1
9
SW
SW
11
18
B1
A8
B8
19
OE
简化原理图，各FET开关（ SW）的
A
V
G(1)
控制
电路
B
EN
(2)
1 ）栅极电压（V
G
）近似等于V
CC
+ V
T
当开关处于ON和V
I
＆ GT ;
(V
CC
+ V
T
).
2） EN为施加在开关内部的使能信号。
3
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
IN
V
I / O
I
IK
I
I / OK
I
I / O
电源电压范围
(2)
控制输入电压范围
(2) (3)
开关I / O电压范围
(2) (3) (4)
控制输入钳位电流
I / O端口钳位电流
通态开关
当前
(5)
DBQ包装
θ
JA
封装的热阻抗
(6)
DGV包
DW包装
PW包
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
存储温度范围
–65
连续电流通过V
CC
或GND
V
IN
＆ LT ; 0
V
I / O
＆ LT ; 0
–0.5
–0.5
–0.5
最大
7
7
7
–50
–50
±128
±100
68
92
58
83
150
°C
° C / W
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压都是相对于地，除非另有规定。
如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
V
I
和V
O
被用于表示为V的具体条件
I / O
.
I
I
我
O
被用于表示对我的具体条件
I / O
.
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
IH
V
IL
V
I / O
T
A
(1)
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
数据输入/输出电压
工作自由空气的温度
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
2.3
1.7
2
0
0
0
–40
最大
3.6
5.5
5.5
0.7
0.8
5.5
85
单位
V
V
V
V
°C
该设备的所有未使用的控制输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
4
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电气特性
(1)
在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）
参数
V
IK
V
OH
I
IN
I
I
I
OZ （3）
I
关闭
I
CC
I
CC (4)
C
in
C
io的（OFF）的
C
io的（上）
控制输入
控制输入
控制输入
V
CC
= 3 V，I
I
= -18毫安
参见图3和图4中
V
CC
= 3.6 V, V
IN
= 3.6 V至5.5 V或GND
V
I
= V
CC
- 0.7 V至5.5 V
V
CC
= 3.6 V ，开关， V
IN
= V
CC
或GND V
I
= 0.7 V到V
CC
– 0.7 V
V
I
= 0到0.7伏
V
CC
= 3.6 V, V
O
= 0 5.5 V ，V
I
= 0 ，关闭，V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
= 0, V
O
= 0 5.5 V ，V
I
= 0,
V
CC
= 3.6 V，I
I / O
= 0,
打开或关闭，V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
= 3.3 V, V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
= 3.3 V, V
I / O
= 5.5 V ， 3.3 V或GND ，关闭，V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
= 3.3 V ，开关， V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
= 2.3 V ，典型值在V
CC
= 2.5 V, V
I
= 0
r
（5）上
V
CC
= 3 V, V
I
= 0
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
V
I / O
= 5.5 V或3.3 V
V
I / O
= GND
I
O
= 24毫安
I
O
= 16毫安
I
O
= 64毫安
I
O
= 32毫安
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= 5.5 V
4
5
5
13
5
5
5
5
8.5
8.5
7
7
±10
±20
–40
±5
±10
10
40
40
300
A
A
A
A
pF
pF
pF
A
A
测试条件
民
典型值
(2)
最大
–1.2
单位
V
V
CC
= 3 V至3.6 V ，一个输入在V
CC
- 0.6 V，在V其他投入
CC
或GND
V
IN
我
IN
见控制输入。 V
I
, V
O
, I
I
和我
O
参阅数据引脚。
所有典型值是在V
CC
= 3.3V （除非另有说明）中，T
A
= 25°C.
对于I / O端口，参数我
OZ
包括输入漏电流。
这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的TTL电平，而不是V
CC
或GND 。
测量由A和B端子之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。导通电阻确定
由两个（ A或B）端子的电压的降低。
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有说明） （见图2）
参数
t
PD （1）
t
en
t
DIS
(1)
从
（输入）
A或B
OE
OE
TO
（输出）
B或A
A或B
A或B
1
1
V
CC
= 2.5 V
±
0.2 V
民
最大
0.15
10.5
5.5
1
1
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
民
最大
0.25
8
7.5
ns
ns
ns
单位
传播延迟是典型的通态电阻，开关和所述特定网络连接编负载的所计算的RC时间常数
电容，当由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
5
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2.5 V / 3.3 V低电压，5 -V容限电平转换器
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特点
标准的“ 245型引脚
输出电压转换曲目V
CC
支持混合模式信号操作上的所有
数据I / O端口
- 5 V输入低至3.3 V的输出电平转换
3.3 - V V
CC
- 5 V / 3.3 V输入低至2.5 V的输出电平
移2.5 V V
CC
5 V容限I / O的设备加电或
断电
双向数据流接近零
传播延迟
低通态电阻（R
on
）特性
(r
on
= 5
典型值）
低输入/输出电容最小化
加载（C
io的（OFF）的
= 5 pF的典型值）
数据和控制输入提供冲
钳位二极管
低功耗（I
CC
= 40
A
MAX ）
V
CC
经营范围为2.3 V至3.6 V
数据I / O的支持，以0 5 V信号电平
(0.8 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V, 5 V)
控制输入可以通过TTL驱动或
5 -V / 3.3 V CMOS输出
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过250毫安
每JESD 17
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -B ，
II级）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
支持数字应用：等级
翻译， PCI接口，USB接口，
内存交叉存取，总线隔离
非常适合低功耗便携式设备
DBQ ， DGV ， DW ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
NC
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
OE
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
NC - 无内部连接
描述/订购信息
该SN74CB3T3245是具有低通态电阻（R高速TTL兼容的FET总线开关
on
） ，允许
为最小的传播延迟。该设备完全支持的所有数据I / O端口通过混合模式信号操作
提供电压转换跟踪V
CC
。该SN74CB3T3245支持使用5 V TTL ， 3.3 - V系统
LVTTL和2.5 - V CMOS开关的标准，以及用户定义的切换电平（参见图1） 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2003-2005 ，德州仪器
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2.5 V / 3.3 V低电压，5 -V容限电平转换器
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描述/订购信息（续）
V
CC
5.5 V
V
CC
9V
CC
1 V
IN
OUT
9V
CC
9V
CC
1 V
CB3T
0V
0V
输入电压
输出电压
注一：如果输入高电压（V
IH
）电平大于或等于（Ⅴ
CC
- 1 V）和小于或等于5.5伏，
然后将输出的高电压（V
OH
）级别将等于大约在V
CC
电压电平。
图1.典型的DC电压转换特性
该SN74CB3T3245是与单个输出中，使能（OE ）输入和一个标准的' 245的引脚8位总线开关。
当OE为低电平时， 8位总线开关为ON，并在A端口被连接到B端口，并允许双向数据
端口之间流动。当OE为高电平时， 8位总线开关为OFF，并且之间存在高阻抗状态
A和B端口。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
功能可确保有害
当它断电电流不会通过器件倒流。该器件具有上电期间关闭隔离。
为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
订购信息
T
A
SOIC - DW
-40 ° C至85°C
SSOP （ QSOP ） - DBQ
TSSOP - PW
TVSOP - DGV
(1)
包
(1)
管
磁带和卷轴
磁带和卷轴
管
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购型号
SN74CB3T3245DW
SN74CB3T3245DWR
SN74CB3T3245DBQR
SN74CB3T3245PW
SN74CB3T3245PWR
SN74CB3T3245DGVR
顶部端标记
CB3T3245
CB3T3245
KS245
KS245
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
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功能表
输入
OE
L
H
输入/输出
A
B
Z
功能
一个端口= B口
断开
2
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8位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压，5 -V容限电平转换器
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逻辑图（正逻辑）
2
A1
9
SW
SW
11
18
B1
A8
B8
19
OE
简化原理图，各FET开关（ SW）的
A
V
G(1)
控制
电路
B
EN
(2)
1 ）栅极电压（V
G
）近似等于V
CC
+ V
T
当开关处于ON和V
I
＆ GT ;
(V
CC
+ V
T
).
2） EN为施加在开关内部的使能信号。
3
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
IN
V
I / O
I
IK
I
I / OK
I
I / O
电源电压范围
(2)
控制输入电压范围
(2) (3)
开关I / O电压范围
(2) (3) (4)
控制输入钳位电流
I / O端口钳位电流
通态开关
当前
(5)
DBQ包装
θ
JA
封装的热阻抗
(6)
DGV包
DW包装
PW包
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
存储温度范围
–65
连续电流通过V
CC
或GND
V
IN
＆ LT ; 0
V
I / O
＆ LT ; 0
–0.5
–0.5
–0.5
最大
7
7
7
–50
–50
±128
±100
68
92
58
83
150
°C
° C / W
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压都是相对于地，除非另有规定。
如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
V
I
和V
O
被用于表示为V的具体条件
I / O
.
I
I
我
O
被用于表示对我的具体条件
I / O
.
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
IH
V
IL
V
I / O
T
A
(1)
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
数据输入/输出电压
工作自由空气的温度
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
2.3
1.7
2
0
0
0
–40
最大
3.6
5.5
5.5
0.7
0.8
5.5
85
单位
V
V
V
V
°C
该设备的所有未使用的控制输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
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8位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压，5 -V容限电平转换器
SCDS136 - 2003年10月 - 修订2005年3月
电气特性
(1)
在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）
参数
V
IK
V
OH
I
IN
I
I
I
OZ （3）
I
关闭
I
CC
I
CC (4)
C
in
C
io的（OFF）的
C
io的（上）
控制输入
控制输入
控制输入
V
CC
= 3 V，I
I
= -18毫安
参见图3和图4中
V
CC
= 3.6 V, V
IN
= 3.6 V至5.5 V或GND
V
I
= V
CC
- 0.7 V至5.5 V
V
CC
= 3.6 V ，开关， V
IN
= V
CC
或GND V
I
= 0.7 V到V
CC
– 0.7 V
V
I
= 0到0.7伏
V
CC
= 3.6 V, V
O
= 0 5.5 V ，V
I
= 0 ，关闭，V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
= 0, V
O
= 0 5.5 V ，V
I
= 0,
V
CC
= 3.6 V，I
I / O
= 0,
打开或关闭，V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
= 3.3 V, V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
= 3.3 V, V
I / O
= 5.5 V ， 3.3 V或GND ，关闭，V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
= 3.3 V ，开关， V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
= 2.3 V ，典型值在V
CC
= 2.5 V, V
I
= 0
r
（5）上
V
CC
= 3 V, V
I
= 0
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
V
I / O
= 5.5 V或3.3 V
V
I / O
= GND
I
O
= 24毫安
I
O
= 16毫安
I
O
= 64毫安
I
O
= 32毫安
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= 5.5 V
4
5
5
13
5
5
5
5
8.5
8.5
7
7
±10
±20
–40
±5
±10
10
40
40
300
A
A
A
A
pF
pF
pF
A
A
测试条件
民
典型值
(2)
最大
–1.2
单位
V
V
CC
= 3 V至3.6 V ，一个输入在V
CC
- 0.6 V，在V其他投入
CC
或GND
V
IN
我
IN
见控制输入。 V
I
, V
O
, I
I
和我
O
参阅数据引脚。
所有典型值是在V
CC
= 3.3V （除非另有说明）中，T
A
= 25°C.
对于I / O端口，参数我
OZ
包括输入漏电流。
这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的TTL电平，而不是V
CC
或GND 。
测量由A和B端子之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。导通电阻确定
由两个（ A或B）端子的电压的降低。
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有说明） （见图2）
参数
t
PD （1）
t
en
t
DIS
(1)
从
（输入）
A或B
OE
OE
TO
（输出）
B或A
A或B
A或B
1
1
V
CC
= 2.5 V
±
0.2 V
民
最大
0.15
10.5
5.5
1
1
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
民
最大
0.25
8
7.5
ns
ns
ns
单位
传播延迟是典型的通态电阻，开关和所述特定网络连接编负载的所计算的RC时间常数
电容，当由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
5
www.ti.com
SN74CB3T3245
8位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压，5 -V容限电平转换器
SCDS136 - 2003年10月 - 修订2005年3月
特点
标准的“ 245型引脚
输出电压转换曲目V
CC
支持混合模式信号操作上的所有
数据I / O端口
- 5 V输入低至3.3 V的输出电平转换
3.3 - V V
CC
- 5 V / 3.3 V输入低至2.5 V的输出电平
移2.5 V V
CC
5 V容限I / O的设备加电或
断电
双向数据流接近零
传播延迟
低通态电阻（R
on
）特性
(r
on
= 5
典型值）
低输入/输出电容最小化
加载（C
io的（OFF）的
= 5 pF的典型值）
数据和控制输入提供冲
钳位二极管
低功耗（I
CC
= 40
A
MAX ）
V
CC
经营范围为2.3 V至3.6 V
数据I / O的支持，以0 5 V信号电平
(0.8 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V, 5 V)
控制输入可以通过TTL驱动或
5 -V / 3.3 V CMOS输出
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过250毫安
每JESD 17
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -B ，
II级）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
支持数字应用：等级
翻译， PCI接口，USB接口，
内存交叉存取，总线隔离
非常适合低功耗便携式设备
DBQ ， DGV ， DW ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
NC
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
OE
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
NC - 无内部连接
描述/订购信息
该SN74CB3T3245是具有低通态电阻（R高速TTL兼容的FET总线开关
on
） ，允许
为最小的传播延迟。该设备完全支持的所有数据I / O端口通过混合模式信号操作
提供电压转换跟踪V
CC
。该SN74CB3T3245支持使用5 V TTL ， 3.3 - V系统
LVTTL和2.5 - V CMOS开关的标准，以及用户定义的切换电平（参见图1） 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2003-2005 ，德州仪器
SN74CB3T3245
8位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压，5 -V容限电平转换器
SCDS136 - 2003年10月 - 修订2005年3月
www.ti.com
描述/订购信息（续）
V
CC
5.5 V
V
CC
9V
CC
1 V
IN
OUT
9V
CC
9V
CC
1 V
CB3T
0V
0V
输入电压
输出电压
注一：如果输入高电压（V
IH
）电平大于或等于（Ⅴ
CC
- 1 V）和小于或等于5.5伏，
然后将输出的高电压（V
OH
）级别将等于大约在V
CC
电压电平。
图1.典型的DC电压转换特性
该SN74CB3T3245是与单个输出中，使能（OE ）输入和一个标准的' 245的引脚8位总线开关。
当OE为低电平时， 8位总线开关为ON，并在A端口被连接到B端口，并允许双向数据
端口之间流动。当OE为高电平时， 8位总线开关为OFF，并且之间存在高阻抗状态
A和B端口。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
功能可确保有害
当它断电电流不会通过器件倒流。该器件具有上电期间关闭隔离。
为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
订购信息
T
A
SOIC - DW
-40 ° C至85°C
SSOP （ QSOP ） - DBQ
TSSOP - PW
TVSOP - DGV
(1)
包
(1)
管
磁带和卷轴
磁带和卷轴
管
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购型号
SN74CB3T3245DW
SN74CB3T3245DWR
SN74CB3T3245DBQR
SN74CB3T3245PW
SN74CB3T3245PWR
SN74CB3T3245DGVR
顶部端标记
CB3T3245
CB3T3245
KS245
KS245
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
功能表
输入
OE
L
H
输入/输出
A
B
Z
功能
一个端口= B口
断开
2
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SN74CB3T3245
8位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压，5 -V容限电平转换器
SCDS136 - 2003年10月 - 修订2005年3月
逻辑图（正逻辑）
2
A1
9
SW
SW
11
18
B1
A8
B8
19
OE
简化原理图，各FET开关（ SW）的
A
V
G(1)
控制
电路
B
EN
(2)
1 ）栅极电压（V
G
）近似等于V
CC
+ V
T
当开关处于ON和V
I
＆ GT ;
(V
CC
+ V
T
).
2） EN为施加在开关内部的使能信号。
3
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8位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压，5 -V容限电平转换器
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
IN
V
I / O
I
IK
I
I / OK
I
I / O
电源电压范围
(2)
控制输入电压范围
(2) (3)
开关I / O电压范围
(2) (3) (4)
控制输入钳位电流
I / O端口钳位电流
通态开关
当前
(5)
DBQ包装
θ
JA
封装的热阻抗
(6)
DGV包
DW包装
PW包
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
存储温度范围
–65
连续电流通过V
CC
或GND
V
IN
＆ LT ; 0
V
I / O
＆ LT ; 0
–0.5
–0.5
–0.5
最大
7
7
7
–50
–50
±128
±100
68
92
58
83
150
°C
° C / W
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压都是相对于地，除非另有规定。
如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
V
I
和V
O
被用于表示为V的具体条件
I / O
.
I
I
我
O
被用于表示对我的具体条件
I / O
.
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
IH
V
IL
V
I / O
T
A
(1)
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
数据输入/输出电压
工作自由空气的温度
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
2.3
1.7
2
0
0
0
–40
最大
3.6
5.5
5.5
0.7
0.8
5.5
85
单位
V
V
V
V
°C
该设备的所有未使用的控制输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
4
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8位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压，5 -V容限电平转换器
SCDS136 - 2003年10月 - 修订2005年3月
电气特性
(1)
在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）
参数
V
IK
V
OH
I
IN
I
I
I
OZ （3）
I
关闭
I
CC
I
CC (4)
C
in
C
io的（OFF）的
C
io的（上）
控制输入
控制输入
控制输入
V
CC
= 3 V，I
I
= -18毫安
参见图3和图4中
V
CC
= 3.6 V, V
IN
= 3.6 V至5.5 V或GND
V
I
= V
CC
- 0.7 V至5.5 V
V
CC
= 3.6 V ，开关， V
IN
= V
CC
或GND V
I
= 0.7 V到V
CC
– 0.7 V
V
I
= 0到0.7伏
V
CC
= 3.6 V, V
O
= 0 5.5 V ，V
I
= 0 ，关闭，V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
= 0, V
O
= 0 5.5 V ，V
I
= 0,
V
CC
= 3.6 V，I
I / O
= 0,
打开或关闭，V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
= 3.3 V, V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
= 3.3 V, V
I / O
= 5.5 V ， 3.3 V或GND ，关闭，V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
= 3.3 V ，开关， V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
= 2.3 V ，典型值在V
CC
= 2.5 V, V
I
= 0
r
（5）上
V
CC
= 3 V, V
I
= 0
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
V
I / O
= 5.5 V或3.3 V
V
I / O
= GND
I
O
= 24毫安
I
O
= 16毫安
I
O
= 64毫安
I
O
= 32毫安
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= 5.5 V
4
5
5
13
5
5
5
5
8.5
8.5
7
7
±10
±20
–40
±5
±10
10
40
40
300
A
A
A
A
pF
pF
pF
A
A
测试条件
民
典型值
(2)
最大
–1.2
单位
V
V
CC
= 3 V至3.6 V ，一个输入在V
CC
- 0.6 V，在V其他投入
CC
或GND
V
IN
我
IN
见控制输入。 V
I
, V
O
, I
I
和我
O
参阅数据引脚。
所有典型值是在V
CC
= 3.3V （除非另有说明）中，T
A
= 25°C.
对于I / O端口，参数我
OZ
包括输入漏电流。
这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的TTL电平，而不是V
CC
或GND 。
测量由A和B端子之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。导通电阻确定
由两个（ A或B）端子的电压的降低。
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有说明） （见图2）
参数
t
PD （1）
t
en
t
DIS
(1)
从
（输入）
A或B
OE
OE
TO
（输出）
B或A
A或B
A或B
1
1
V
CC
= 2.5 V
±
0.2 V
民
最大
0.15
10.5
5.5
1
1
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
民
最大
0.25
8
7.5
ns
ns
ns
单位
传播延迟是典型的通态电阻，开关和所述特定网络连接编负载的所计算的RC时间常数
电容，当由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
5
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SN74CB3T3245
8位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压，5 -V容限电平转换器
SCDS136 - 2003年10月 - 修订2005年3月
特点
标准的“ 245型引脚
输出电压转换曲目V
CC
支持混合模式信号操作上的所有
数据I / O端口
- 5 V输入低至3.3 V的输出电平转换
3.3 - V V
CC
- 5 V / 3.3 V输入低至2.5 V的输出电平
移2.5 V V
CC
5 V容限I / O的设备加电或
断电
双向数据流接近零
传播延迟
低通态电阻（R
on
）特性
(r
on
= 5
典型值）
低输入/输出电容最小化
加载（C
io的（OFF）的
= 5 pF的典型值）
数据和控制输入提供冲
钳位二极管
低功耗（I
CC
= 40
A
MAX ）
V
CC
经营范围为2.3 V至3.6 V
数据I / O的支持，以0 5 V信号电平
(0.8 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V, 5 V)
控制输入可以通过TTL驱动或
5 -V / 3.3 V CMOS输出
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过250毫安
每JESD 17
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -B ，
II级）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
支持数字应用：等级
翻译， PCI接口，USB接口，
内存交叉存取，总线隔离
非常适合低功耗便携式设备
DBQ ， DGV ， DW ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
NC
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
OE
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
NC - 无内部连接
描述/订购信息
该SN74CB3T3245是具有低通态电阻（R高速TTL兼容的FET总线开关
on
） ，允许
为最小的传播延迟。该设备完全支持的所有数据I / O端口通过混合模式信号操作
提供电压转换跟踪V
CC
。该SN74CB3T3245支持使用5 V TTL ， 3.3 - V系统
LVTTL和2.5 - V CMOS开关的标准，以及用户定义的切换电平（参见图1） 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2003-2005 ，德州仪器
SN74CB3T3245
8位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压，5 -V容限电平转换器
SCDS136 - 2003年10月 - 修订2005年3月
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描述/订购信息（续）
V
CC
5.5 V
V
CC
9V
CC
1 V
IN
OUT
9V
CC
9V
CC
1 V
CB3T
0V
0V
输入电压
输出电压
注一：如果输入高电压（V
IH
）电平大于或等于（Ⅴ
CC
- 1 V）和小于或等于5.5伏，
然后将输出的高电压（V
OH
）级别将等于大约在V
CC
电压电平。
图1.典型的DC电压转换特性
该SN74CB3T3245是与单个输出中，使能（OE ）输入和一个标准的' 245的引脚8位总线开关。
当OE为低电平时， 8位总线开关为ON，并在A端口被连接到B端口，并允许双向数据
端口之间流动。当OE为高电平时， 8位总线开关为OFF，并且之间存在高阻抗状态
A和B端口。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
功能可确保有害
当它断电电流不会通过器件倒流。该器件具有上电期间关闭隔离。
为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
订购信息
T
A
SOIC - DW
-40 ° C至85°C
SSOP （ QSOP ） - DBQ
TSSOP - PW
TVSOP - DGV
(1)
包
(1)
管
磁带和卷轴
磁带和卷轴
管
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购型号
SN74CB3T3245DW
SN74CB3T3245DWR
SN74CB3T3245DBQR
SN74CB3T3245PW
SN74CB3T3245PWR
SN74CB3T3245DGVR
顶部端标记
CB3T3245
CB3T3245
KS245
KS245
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
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功能表
输入
OE
L
H
输入/输出
A
B
Z
功能
一个端口= B口
断开
2
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SN74CB3T3245
8位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压，5 -V容限电平转换器
SCDS136 - 2003年10月 - 修订2005年3月
逻辑图（正逻辑）
2
A1
9
SW
SW
11
18
B1
A8
B8
19
OE
简化原理图，各FET开关（ SW）的
A
V
G(1)
控制
电路
B
EN
(2)
1 ）栅极电压（V
G
）近似等于V
CC
+ V
T
当开关处于ON和V
I
＆ GT ;
(V
CC
+ V
T
).
2） EN为施加在开关内部的使能信号。
3
SN74CB3T3245
8位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压，5 -V容限电平转换器
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
IN
V
I / O
I
IK
I
I / OK
I
I / O
电源电压范围
(2)
控制输入电压范围
(2) (3)
开关I / O电压范围
(2) (3) (4)
控制输入钳位电流
I / O端口钳位电流
通态开关
当前
(5)
DBQ包装
θ
JA
封装的热阻抗
(6)
DGV包
DW包装
PW包
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
存储温度范围
–65
连续电流通过V
CC
或GND
V
IN
＆ LT ; 0
V
I / O
＆ LT ; 0
–0.5
–0.5
–0.5
最大
7
7
7
–50
–50
±128
±100
68
92
58
83
150
°C
° C / W
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压都是相对于地，除非另有规定。
如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
V
I
和V
O
被用于表示为V的具体条件
I / O
.
I
I
我
O
被用于表示对我的具体条件
I / O
.
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
IH
V
IL
V
I / O
T
A
(1)
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
数据输入/输出电压
工作自由空气的温度
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
2.3
1.7
2
0
0
0
–40
最大
3.6
5.5
5.5
0.7
0.8
5.5
85
单位
V
V
V
V
°C
该设备的所有未使用的控制输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
4
www.ti.com
SN74CB3T3245
8位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压，5 -V容限电平转换器
SCDS136 - 2003年10月 - 修订2005年3月
电气特性
(1)
在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）
参数
V
IK
V
OH
I
IN
I
I
I
OZ （3）
I
关闭
I
CC
I
CC (4)
C
in
C
io的（OFF）的
C
io的（上）
控制输入
控制输入
控制输入
V
CC
= 3 V，I
I
= -18毫安
参见图3和图4中
V
CC
= 3.6 V, V
IN
= 3.6 V至5.5 V或GND
V
I
= V
CC
- 0.7 V至5.5 V
V
CC
= 3.6 V ，开关， V
IN
= V
CC
或GND V
I
= 0.7 V到V
CC
– 0.7 V
V
I
= 0到0.7伏
V
CC
= 3.6 V, V
O
= 0 5.5 V ，V
I
= 0 ，关闭，V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
= 0, V
O
= 0 5.5 V ，V
I
= 0,
V
CC
= 3.6 V，I
I / O
= 0,
打开或关闭，V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
= 3.3 V, V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
= 3.3 V, V
I / O
= 5.5 V ， 3.3 V或GND ，关闭，V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
= 3.3 V ，开关， V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
= 2.3 V ，典型值在V
CC
= 2.5 V, V
I
= 0
r
（5）上
V
CC
= 3 V, V
I
= 0
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
V
I / O
= 5.5 V或3.3 V
V
I / O
= GND
I
O
= 24毫安
I
O
= 16毫安
I
O
= 64毫安
I
O
= 32毫安
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= 5.5 V
4
5
5
13
5
5
5
5
8.5
8.5
7
7
±10
±20
–40
±5
±10
10
40
40
300
A
A
A
A
pF
pF
pF
A
A
测试条件
民
典型值
(2)
最大
–1.2
单位
V
V
CC
= 3 V至3.6 V ，一个输入在V
CC
- 0.6 V，在V其他投入
CC
或GND
V
IN
我
IN
见控制输入。 V
I
, V
O
, I
I
和我
O
参阅数据引脚。
所有典型值是在V
CC
= 3.3V （除非另有说明）中，T
A
= 25°C.
对于I / O端口，参数我
OZ
包括输入漏电流。
这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的TTL电平，而不是V
CC
或GND 。
测量由A和B端子之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。导通电阻确定
由两个（ A或B）端子的电压的降低。
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有说明） （见图2）
参数
t
PD （1）
t
en
t
DIS
(1)
从
（输入）
A或B
OE
OE
TO
（输出）
B或A
A或B
A或B
1
1
V
CC
= 2.5 V
±
0.2 V
民
最大
0.15
10.5
5.5
1
1
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
民
最大
0.25
8
7.5
ns
ns
ns
单位
传播延迟是典型的通态电阻，开关和所述特定网络连接编负载的所计算的RC时间常数
电容，当由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
5
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