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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1766页 > SN74CB3Q6800DGVR
SN74CB3Q6800
具有预充电输出10位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压高带宽总线开关
SCDS142A - 2003年10月 - 修订2003年11月
D
高带宽数据路径
(高达500 MHz
)
D
数据和控制输入提供
D
D
D
D
D
D
D
冲钳位二极管
低功耗
(I
CC
= 0.75 mA典型)
V
CC
经营范围为2.3 V至3.6 V
数据I / O的支持0 5 V信号电平
(0.8-V, 1.2-V, 1.5-V, 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, 5-V)
控制输入可以通过TTL驱动或
5 -V / 3.3 V CMOS输出
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
( A114 -B , II级)
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
同时支持数字和模拟
应用范围: PCI接口,微分
信号接口,内存交错,公交车
隔离度,低失真信号选通
D
5 V容限I / O的设备加电启动
D
D
D
或断电
低而平坦的导通电阻(R
on
)
超过工作范围的特点
(r
on
= 4.5
典型)
轨到轨开关上的数据I / O端口
- 0- 5 - V开关采用3.3 V V
CC
- 0- 3.3 - V开关采用2.5 V V
CC
B端口输出被偏置预充电
电压( BIASV ),以最大限度地减少信号
失真在实时插入和
热插拔
支持PCI热插拔
双向数据流,接近零
传播延迟
低输入/输出电容最小化
装载和信号失真
(C
io的(OFF)的
= 3.5 pF的典型)
快速开关频率
(f
ON
= 20 MHz的最大值)
有关业绩的更多信息
该CB3Q家族的特征,请参考TI
申请报告,
CBT -C , CB3T和CB3Q
信号开关系列,
文献编号SCDA008 。
D
D
D
D
D
DBQ , DGV ,或PW包装
( TOP VIEW )
ON
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
B9
B10
BiasV
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2003年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
SCDS142A - 2003年10月 - 修订2003年11月
SN74CB3Q6800
具有预充电输出10位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压高带宽总线开关
描述/订购信息
该SN74CB3Q6800是利用电荷泵提升栅极电压高带宽总线的FET开关
导通晶体管,从而提供一个低而平坦的导通电阻体(r
on
) 。低而平坦的导通电阻
能达到最小的传播延迟,并支持轨到轨上的数据输入/输出(I / O)端口的切换。该
器件还具有低数据I / O电容,以减少电容性负载和对数据信号失真
总线。专门设计用于支持高带宽应用时, SN74CB3Q6800提供优化
接口解决方案,非常适合于宽带通信,网络和数据密集型计算
系统。
该SN74CB3Q6800是与单个输出使能(ON)的输入为10位总线开关。当ON为低电平时, 10位
总线开关为ON和A端口被连接到B端口,并允许端口之间的双向数据流。当
ON为高电平时, 10位总线开关是OFF,并且A和B端口之间存在着一个高阻抗状态。在B
端口是通过一个10千欧电阻器的等效预充电到偏置电压( BIASV )当ON为高,或者如果
器件掉电(V
CC
= 0 V).
在插入过程中(或去除)的卡的插入(或从)的有源总线,该卡的输出电压可以是接近
GND 。当连接器引脚进行接触,该卡的寄生电容试图迫使总线信号
GND ,创造了活跃的总线上的可能的故障。这种毛刺效果可以通过使用总线开关可以减少
与总线开关的预充电偏压( BIASV )等于接收机的输入阈值电压电平
在有源总线。此方法将确保任何毛刺由卡的插入(或取出)产生不会
穿过接收器的输入阈值区域中的有源总线上,减少活插入噪声的影响。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路防止损坏
通过该装置的电流逆流时被断电。该器件具有上电期间关闭隔离。
为了确保上电或断电高阻抗状态,对应该连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
订购信息
TA
包装
SSOP ( QSOP ) - DBQ
-40 ° C至85°C
TSSOP - PW
TVSOP - DGV
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74CB3Q6800DBQR
SN74CB3Q6800PW
SN74CB3Q6800PWR
SN74CB3Q6800DGVR
BY800
BY800
TOP- SIDE
记号
CB3Q6800
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计指南
可在www.ti.com/sc/package 。
功能表
输入
ON
L
H
输入/输出
A
B
Z
功能
一个端口= B口
断开
B端口= BIASV
2
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达拉斯,德克萨斯州75265
SN74CB3Q6800
具有预充电输出10位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压高带宽总线开关
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逻辑图(正逻辑)
13
BiasV
2
A1
SW
23
B1
11
A10
SW
14
B10
1
ON
简化原理图,各FET开关( SW)的
BiasV
A
VCC
B
收费
EN
EN为施加在开关内部的使能信号。
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3
SCDS142A - 2003年10月 - 修订2003年11月
SN74CB3Q6800
具有预充电输出10位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压高带宽总线开关
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压范围,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
偏置电源电压范围, BIASV 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
控制输入电压范围,V
IN
(见注1和2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
开关I / O电压范围,V
I / O
(见注1 ,2和3)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
控制输入钳位电流,I
IK
(V
IN
< 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
I / O端口钳位电流,I
I / OK
(V
I / O
< 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
通态电流开关,我
I / O
(见注4 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±64
mA
连续电流通过V
CC
或GND端子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±100
mA
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注5 ) : DBQ包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 61 ° C / W
DGV包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86 ° C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 88 ° C / W
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注: 1.所有电压是相对于地面,除非另有说明。
2.如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
3. VI和VO是用来表示特定的条件VI / O 。
4, II和IO用来表示特定的条件II / O 。
5.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件(见注6 )
VCC
BiasV
VIH
VIL
VI / O
TA
电源电压
偏置电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
数据输入/输出电压
工作自由空气的温度
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
2.3
0
1.7
2
0
0
0
40
最大
3.6
5
5.5
5.5
0.7
0.8
5.5
85
V
V
°C
V
单位
V
V
注6 :设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。 BIASV是一个电源电压,而不是控制输入。
4
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2.5 V / 3.3 V低电压高带宽总线开关
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电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明)
参数
VIK
IIN
IO
IOZ§
IOFF
ICC
I
CC§
ICCD
CIN
首席信息官(关)
CIO ( ON)
控制输入
每个控制
输入
控制输入
一个端口
控制输入
B端口
VCC = 3.6 V ,
VCC = 3.6 V ,
VCC = 3.V ,
VCC = 3.6 V ,
VCC = 0 ,
VCC = 3.6 V ,
VCC = 3.6 V ,
VCC = 3.6 V ,
VCC = 3.3 V ,
VCC = 3.3 V ,
VCC = 3.3 V ,
VCC = 2.3 V ,
典型值在VCC = 2.5 V
VCC = 3 V
测试条件
II = -18毫安
VIN = 0 5.5 V
BIASV = 2.4 V ,
VO = 0,
VO = 0 5.5 V ,
VI = 0 ,
VO = 0 5.5 V ,
II / O = 0 ,
打开或关闭,
一个输入为3 V ,
A和B端口开放,
0.38
2.5
3.5
9
4.5
4.8
4.5
4.6
0.45
3.5
5
11
8
9
6
8
VIN = 5.5 V , 3.3 V或0
关闭,
VI / O = 5.5 V , 3.3 V或0
VIN = VCC和GND ,
开机,
VIN = VCC和GND ,
VI = 0 ,
VI = 1.7 V ,
VI = 0 ,
VI = 2.4 V ,
VI / O = 5.5 V , 3.3 V或0
IO = 30毫安
IO = -15毫安
IO = 30毫安
IO = -15毫安
关闭,
VIN = VCC或GND
关闭,
VIN = VCC或GND
VI = 0
VIN = VCC或GND
在VCC和GND的其他投入
0.75
0.2
±1
1
2
30
TYP
最大
1.8
±1
单位
V
A
mA
A
A
mA
A
毫安/
兆赫
pF
pF
pF
控制输入,50 %占空比开关
罗恩#
VIN和IIN是指控制输入。 VI ,VO ,II和IO参阅数据引脚。
所有典型值是在VCC = 3.3 V (除非另有说明) , TA = 25 ℃。
§有关的I / O端口,该参数IOZ包括输入漏电流。
§这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的TTL电平,而不是VCC或GND 。
此参数指定与单个控制输入的工作频率相关联的动态电源电流(见图2) 。
#测量由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。通态电阻由下式确定
两个( A或B)端子的电压的降低。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明) (参见图3)
参数
FON ||
tPD的
k
tpZH
tPZL
tPHZ
tPLZ
测试条件
(输入)
ON
A或B
BIASV = GND
BIASV = 3 V
BIASV = GND
ON
BIASV = 3 V
A或B
ON
A或B
TO
(输出)
A或B
B或A
1.5
1.5
1
1
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
最大
10
0.135
8.5
8.5
5
6.9
1.5
1.5
1
1
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
最大
20
0.225
6.7
6.7
5
6.9
ns
ns
兆赫
ns
单位
||最大开关频率控制输入( VO
& GT ;
VCC , VI = 5V , RL
1 M ,CL = 0)。
k
传播延迟是典型的通态电阻,开关和所述指定的负载电容的计算的RC时间常数,
当由一个理想电压源(零输出阻抗)驱动。
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具有预充电输出10位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压高带宽总线开关
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D
高带宽数据路径
(高达500 MHz
)
D
数据和控制输入提供
D
D
D
D
D
D
D
冲钳位二极管
低功耗
(I
CC
= 0.75 mA典型)
V
CC
经营范围为2.3 V至3.6 V
数据I / O的支持0 5 V信号电平
(0.8-V, 1.2-V, 1.5-V, 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, 5-V)
控制输入可以通过TTL驱动或
5 -V / 3.3 V CMOS输出
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
( A114 -B , II级)
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
同时支持数字和模拟
应用范围: PCI接口,微分
信号接口,内存交错,公交车
隔离度,低失真信号选通
D
5 V容限I / O的设备加电启动
D
D
D
或断电
低而平坦的导通电阻(R
on
)
超过工作范围的特点
(r
on
= 4.5
典型)
轨到轨开关上的数据I / O端口
- 0- 5 - V开关采用3.3 V V
CC
- 0- 3.3 - V开关采用2.5 V V
CC
B端口输出被偏置预充电
电压( BIASV ),以最大限度地减少信号
失真在实时插入和
热插拔
支持PCI热插拔
双向数据流,接近零
传播延迟
低输入/输出电容最小化
装载和信号失真
(C
io的(OFF)的
= 3.5 pF的典型)
快速开关频率
(f
ON
= 20 MHz的最大值)
有关业绩的更多信息
该CB3Q家族的特征,请参考TI
申请报告,
CBT -C , CB3T和CB3Q
信号开关系列,
文献编号SCDA008 。
D
D
D
D
D
DBQ , DGV ,或PW包装
( TOP VIEW )
ON
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
B9
B10
BiasV
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
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1
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具有预充电输出10位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压高带宽总线开关
描述/订购信息
该SN74CB3Q6800是利用电荷泵提升栅极电压高带宽总线的FET开关
导通晶体管,从而提供一个低而平坦的导通电阻体(r
on
) 。低而平坦的导通电阻
能达到最小的传播延迟,并支持轨到轨上的数据输入/输出(I / O)端口的切换。该
器件还具有低数据I / O电容,以减少电容性负载和对数据信号失真
总线。专门设计用于支持高带宽应用时, SN74CB3Q6800提供优化
接口解决方案,非常适合于宽带通信,网络和数据密集型计算
系统。
该SN74CB3Q6800是与单个输出使能(ON)的输入为10位总线开关。当ON为低电平时, 10位
总线开关为ON和A端口被连接到B端口,并允许端口之间的双向数据流。当
ON为高电平时, 10位总线开关是OFF,并且A和B端口之间存在着一个高阻抗状态。在B
端口是通过一个10千欧电阻器的等效预充电到偏置电压( BIASV )当ON为高,或者如果
器件掉电(V
CC
= 0 V).
在插入过程中(或去除)的卡的插入(或从)的有源总线,该卡的输出电压可以是接近
GND 。当连接器引脚进行接触,该卡的寄生电容试图迫使总线信号
GND ,创造了活跃的总线上的可能的故障。这种毛刺效果可以通过使用总线开关可以减少
与总线开关的预充电偏压( BIASV )等于接收机的输入阈值电压电平
在有源总线。此方法将确保任何毛刺由卡的插入(或取出)产生不会
穿过接收器的输入阈值区域中的有源总线上,减少活插入噪声的影响。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路防止损坏
通过该装置的电流逆流时被断电。该器件具有上电期间关闭隔离。
为了确保上电或断电高阻抗状态,对应该连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
订购信息
TA
包装
SSOP ( QSOP ) - DBQ
-40 ° C至85°C
TSSOP - PW
TVSOP - DGV
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74CB3Q6800DBQR
SN74CB3Q6800PW
SN74CB3Q6800PWR
SN74CB3Q6800DGVR
BY800
BY800
TOP- SIDE
记号
CB3Q6800
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计指南
可在www.ti.com/sc/package 。
功能表
输入
ON
L
H
输入/输出
A
B
Z
功能
一个端口= B口
断开
B端口= BIASV
2
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
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具有预充电输出10位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压高带宽总线开关
SCDS142A - 2003年10月 - 修订2003年11月
逻辑图(正逻辑)
13
BiasV
2
A1
SW
23
B1
11
A10
SW
14
B10
1
ON
简化原理图,各FET开关( SW)的
BiasV
A
VCC
B
收费
EN
EN为施加在开关内部的使能信号。
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3
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SN74CB3Q6800
具有预充电输出10位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压高带宽总线开关
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压范围,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
偏置电源电压范围, BIASV 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
控制输入电压范围,V
IN
(见注1和2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
开关I / O电压范围,V
I / O
(见注1 ,2和3)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
控制输入钳位电流,I
IK
(V
IN
< 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
I / O端口钳位电流,I
I / OK
(V
I / O
< 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
通态电流开关,我
I / O
(见注4 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±64
mA
连续电流通过V
CC
或GND端子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±100
mA
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注5 ) : DBQ包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 61 ° C / W
DGV包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86 ° C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 88 ° C / W
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注: 1.所有电压是相对于地面,除非另有说明。
2.如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
3. VI和VO是用来表示特定的条件VI / O 。
4, II和IO用来表示特定的条件II / O 。
5.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件(见注6 )
VCC
BiasV
VIH
VIL
VI / O
TA
电源电压
偏置电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
数据输入/输出电压
工作自由空气的温度
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
2.3
0
1.7
2
0
0
0
40
最大
3.6
5
5.5
5.5
0.7
0.8
5.5
85
V
V
°C
V
单位
V
V
注6 :设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。 BIASV是一个电源电压,而不是控制输入。
4
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SN74CB3Q6800
具有预充电输出10位FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压高带宽总线开关
SCDS142A - 2003年10月 - 修订2003年11月
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明)
参数
VIK
IIN
IO
IOZ§
IOFF
ICC
I
CC§
ICCD
CIN
首席信息官(关)
CIO ( ON)
控制输入
每个控制
输入
控制输入
一个端口
控制输入
B端口
VCC = 3.6 V ,
VCC = 3.6 V ,
VCC = 3.V ,
VCC = 3.6 V ,
VCC = 0 ,
VCC = 3.6 V ,
VCC = 3.6 V ,
VCC = 3.6 V ,
VCC = 3.3 V ,
VCC = 3.3 V ,
VCC = 3.3 V ,
VCC = 2.3 V ,
典型值在VCC = 2.5 V
VCC = 3 V
测试条件
II = -18毫安
VIN = 0 5.5 V
BIASV = 2.4 V ,
VO = 0,
VO = 0 5.5 V ,
VI = 0 ,
VO = 0 5.5 V ,
II / O = 0 ,
打开或关闭,
一个输入为3 V ,
A和B端口开放,
0.38
2.5
3.5
9
4.5
4.8
4.5
4.6
0.45
3.5
5
11
8
9
6
8
VIN = 5.5 V , 3.3 V或0
关闭,
VI / O = 5.5 V , 3.3 V或0
VIN = VCC和GND ,
开机,
VIN = VCC和GND ,
VI = 0 ,
VI = 1.7 V ,
VI = 0 ,
VI = 2.4 V ,
VI / O = 5.5 V , 3.3 V或0
IO = 30毫安
IO = -15毫安
IO = 30毫安
IO = -15毫安
关闭,
VIN = VCC或GND
关闭,
VIN = VCC或GND
VI = 0
VIN = VCC或GND
在VCC和GND的其他投入
0.75
0.2
±1
1
2
30
TYP
最大
1.8
±1
单位
V
A
mA
A
A
mA
A
毫安/
兆赫
pF
pF
pF
控制输入,50 %占空比开关
罗恩#
VIN和IIN是指控制输入。 VI ,VO ,II和IO参阅数据引脚。
所有典型值是在VCC = 3.3 V (除非另有说明) , TA = 25 ℃。
§有关的I / O端口,该参数IOZ包括输入漏电流。
§这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的TTL电平,而不是VCC或GND 。
此参数指定与单个控制输入的工作频率相关联的动态电源电流(见图2) 。
#测量由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。通态电阻由下式确定
两个( A或B)端子的电压的降低。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明) (参见图3)
参数
FON ||
tPD的
k
tpZH
tPZL
tPHZ
tPLZ
测试条件
(输入)
ON
A或B
BIASV = GND
BIASV = 3 V
BIASV = GND
ON
BIASV = 3 V
A或B
ON
A或B
TO
(输出)
A或B
B或A
1.5
1.5
1
1
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
最大
10
0.135
8.5
8.5
5
6.9
1.5
1.5
1
1
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
最大
20
0.225
6.7
6.7
5
6.9
ns
ns
兆赫
ns
单位
||最大开关频率控制输入( VO
& GT ;
VCC , VI = 5V , RL
1 M ,CL = 0)。
k
传播延迟是典型的通态电阻,开关和所述指定的负载电容的计算的RC时间常数,
当由一个理想电压源(零输出阻抗)驱动。
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