SN74CB3Q3306A
双FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压，高带宽总线开关
SCDS113D - 2002年12月 - 修订2003年11月
D
高带宽数据路径
（高达500 MHz
)
D
数据和控制输入提供
D
D
D
D
D
D
D
冲钳位二极管
低功耗
(I
CC
= 0.25 mA典型）
V
CC
经营范围为2.3 V至3.6 V
数据I / O的支持0 5 V信号电平
(0.8-V, 1.2-V, 1.5-V, 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, 5-V)
控制输入可以通过TTL驱动或
5 -V / 3.3 V CMOS输出
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
（ A114 -B ， II级）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
同时支持数字和模拟
应用范围： USB接口，微分
信号接口，总线隔离，
低失真信号选通
D
5 V容限I / O的设备加电启动
D
D
D
D
D
或断电
低而平坦的导通电阻（R
on
)
超过工作范围的特点
(r
on
= 4
典型）
轨到轨开关上的数据I / O端口
- 0- 5 - V开关采用3.3 V V
CC
- 0- 3.3 - V开关采用2.5 V V
CC
双向数据流，接近零
传播延迟
低输入/输出电容最小化
装载和信号失真
(C
io的（OFF）的
= 3.5 pF的典型）
快速开关频率
(f
OE
= 20 MHz的最大值）
有关业绩的更多信息
该CB3Q家族的特征，请参考TI
申请报告，
CBT -C ， CB3T和CB3Q
信号开关系列，
文献编号SCDA008 。
D
PW包
（ TOP VIEW ）
1OE
1A
1B
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
2OE
2B
2A
描述/订购信息
该SN74CB3Q3306A是利用电荷泵提升栅极电压高带宽总线的FET开关
导通晶体管，从而提供一个低而平坦的导通电阻体（r
on
） 。低而平坦的导通电阻
能达到最小的传播延迟，并支持轨到轨上的数据输入/输出（I / O）端口的切换。该
器件还具有低数据I / O电容，以减少电容性负载和对数据信号失真
总线。专门为支持高带宽应用， SN74CB3Q3306A提供
优化的界面解决方案，非常适合于宽带通信，网络和数据密集型
计算系统。
订购信息
TA
-40 ° C至85°C
包装
管
TSSOP - PW
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74CB3Q3306APW
SN74CB3Q3306APWR
BU306A
TOP- SIDE
记号
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计
准则可在www.ti.com/sc/package 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2003年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
SCDS113D - 2002年12月 - 修订2003年11月
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双FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压，高带宽总线开关
描述/订购信息（续）
该SN74CB3Q3306A被组织为两个1位开关，带独立输出使能（ 10E， 2OE ）输入。它可以
可用作两个1位总线开关，或为一个2比特的总线开关。当OE为低电平时，相关联的1位总线开关
为ON， A端口被连接到B端口，并允许端口之间的双向数据流。当OE为高电平，
相关的1位总线开关是OFF，并且A和B端口之间存在着一个高阻抗状态。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路防止损坏
通过该装置的电流逆流时被断电。该器件具有上电期间关闭隔离。
为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
功能表
（每条总线开关）
输入
OE
L
H
输入/输出
A
B
Z
功能
一个端口= B口
断开
逻辑图（正逻辑）
2
1A
1OE
1
SW
3
1B
5
2A
7
2OE
SW
6
2B
简化原理图，各FET开关（ SW）的
A
VCC
B
收费
泵
EN
EN为施加在开关内部的使能信号。
2
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双FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压，高带宽总线开关
SCDS113D - 2002年12月 - 修订2003年11月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
控制输入电压范围，V
IN
（见注1和2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
开关I / O电压范围，V
I / O
（见注1 ，2和3）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
控制输入钳位电流，I
IK
(V
IN
< 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
I / O端口钳位电流，I
I / OK
(V
I / O
< 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
通态电流开关，我
I / O
（见注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±64
mA
连续电流通过V
CC
或GND端子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±100
mA
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注5 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 88 ° C / W
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注： 1.所有电压是相对于地面，除非另有说明。
2.如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
3. VI和VO是用来表示特定的条件VI / O 。
4， II和IO用来表示特定的条件II / O 。
5.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件（见注6 ）
民
VCC
VIH
VIL
VI / O
TA
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
数据输入/输出电压
工作自由空气的温度
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
2.3
1.7
2
0
0
0
40
最大
3.6
5.5
5.5
0.7
0.8
5.5
85
V
V
°C
V
单位
V
注6 ：设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
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3
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双FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压，高带宽总线开关
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明）
参数
VIK
IIN
IOZ§
IOFF
ICC
I
CC§
ICCD
CIN
控制输入
每个控制
输入
控制输入
控制输入
VCC = 3.6 V ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 0 ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 3.6 V ，
测试条件
II = -18毫安
VIN = 0 5.5 V
VO = 0 5.5 V ，
VI = 0 ，
VO = 0 5.5 V ，
II / O = 0 ，
打开或关闭，
一个输入为3 V ，
关闭，
VIN = VCC或GND
VI = 0
VIN = VCC或GND
在VCC和GND的其他投入
0.03
2.5
3.5
8
4
5
4
5
0.25
民
TYP
最大
1.8
±1
±1
1
0.7
25
0.1
3.5
5
10.5
8
9
6
8
单位
V
A
A
A
mA
A
毫安/
兆赫
pF
pF
pF
VCC = 3.6 V ，
A和B端口开放，
控制输入，50 ％占空比开关
VCC = 3.3 V ，
VCC = 3.3 V ，
VCC = 3.3 V ，
VCC = 2.3 V ，
典型值在VCC = 2.5 V
VCC = 3 V
VIN = 5.5 V ， 3.3 V或0
关闭，
VI / O = 5.5 V ， 3.3 V或0
VIN = VCC和GND ，
开机，
VIN = VCC和GND ，
VI = 0 ，
VI = 1.7 V ，
VI = 0 ，
VI = 2.4 V ，
VI / O = 5.5 V ， 3.3 V或0
IO = 30毫安
IO = -15毫安
IO = 30毫安
IO = -15毫安
首席信息官（关）
CIO （ ON）
罗恩＃
VIN和IIN是指控制输入。 VI ，VO ，II和IO参阅数据引脚。
所有典型值是在VCC = 3.3 V （除非另有说明） ， TA = 25 ℃。
§有关的I / O端口，该参数IOZ包括输入漏电流。
§这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的TTL电平，而不是VCC或GND 。
此参数指定与单个控制输入的工作频率相关联的动态电源电流（见图2） 。
＃测量由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。通态电阻由下式确定
两个（ A或B）端子的电压的降低。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明） （参见图3）
参数
FOE ||
tPD的
k
TEN
TDI发动机
从
（输入）
OE
A或B
OE
OE
TO
（输出）
A或B
B或A
A或B
A或B
1.5
1
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
民
最大
10
0.2
6.5
6
1.5
1
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
民
最大
20
0.2
5.5
5
兆赫
ns
ns
ns
单位
||最大开关频率控制输入（ VO
＆ GT ;
VCC ， VI = 5V ， RL
≥
1 MΩ ， CL = 0 ）
k
传播延迟是典型的通态电阻的开关的所计算的RC时间常数和指定负载电容时
由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
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典型
on
vs
V
I
16
r
on
- 导通状态电阻 -
14
12
10
8
6
4
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
VI = V
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
VCC = 3.3 V
TA = 25°C
IO = -15毫安
图1.典型
on
VS V
I
, V
CC
= 3.3 V和I
O
= -15毫安
典型的我
CC
vs
OE开关频率
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
OE开关频率 - 兆赫
一个OE开关
VCC = 3.3 V
TA = 25°C
A和B端口开放
ICC - 毫安
图2.典型的我
CC
VS OE开关频率，V
CC
= 3.3 V
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2.5 V / 3.3 V低电压，高带宽总线开关
SCDS113D - 2002年12月 - 修订2003年11月
D
高带宽数据路径
（高达500 MHz
)
D
数据和控制输入提供
D
D
D
D
D
D
D
冲钳位二极管
低功耗
(I
CC
= 0.25 mA典型）
V
CC
经营范围为2.3 V至3.6 V
数据I / O的支持0 5 V信号电平
(0.8-V, 1.2-V, 1.5-V, 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, 5-V)
控制输入可以通过TTL驱动或
5 -V / 3.3 V CMOS输出
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
（ A114 -B ， II级）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
同时支持数字和模拟
应用范围： USB接口，微分
信号接口，总线隔离，
低失真信号选通
D
5 V容限I / O的设备加电启动
D
D
D
D
D
或断电
低而平坦的导通电阻（R
on
)
超过工作范围的特点
(r
on
= 4
典型）
轨到轨开关上的数据I / O端口
- 0- 5 - V开关采用3.3 V V
CC
- 0- 3.3 - V开关采用2.5 V V
CC
双向数据流，接近零
传播延迟
低输入/输出电容最小化
装载和信号失真
(C
io的（OFF）的
= 3.5 pF的典型）
快速开关频率
(f
OE
= 20 MHz的最大值）
有关业绩的更多信息
该CB3Q家族的特征，请参考TI
申请报告，
CBT -C ， CB3T和CB3Q
信号开关系列，
文献编号SCDA008 。
D
PW包
（ TOP VIEW ）
1OE
1A
1B
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
2OE
2B
2A
描述/订购信息
该SN74CB3Q3306A是利用电荷泵提升栅极电压高带宽总线的FET开关
导通晶体管，从而提供一个低而平坦的导通电阻体（r
on
） 。低而平坦的导通电阻
能达到最小的传播延迟，并支持轨到轨上的数据输入/输出（I / O）端口的切换。该
器件还具有低数据I / O电容，以减少电容性负载和对数据信号失真
总线。专门为支持高带宽应用， SN74CB3Q3306A提供
优化的界面解决方案，非常适合于宽带通信，网络和数据密集型
计算系统。
订购信息
TA
-40 ° C至85°C
包装
管
TSSOP - PW
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74CB3Q3306APW
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BU306A
TOP- SIDE
记号
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计
准则可在www.ti.com/sc/package 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2003年，德州仪器
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双FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压，高带宽总线开关
描述/订购信息（续）
该SN74CB3Q3306A被组织为两个1位开关，带独立输出使能（ 10E， 2OE ）输入。它可以
可用作两个1位总线开关，或为一个2比特的总线开关。当OE为低电平时，相关联的1位总线开关
为ON， A端口被连接到B端口，并允许端口之间的双向数据流。当OE为高电平，
相关的1位总线开关是OFF，并且A和B端口之间存在着一个高阻抗状态。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路防止损坏
通过该装置的电流逆流时被断电。该器件具有上电期间关闭隔离。
为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
功能表
（每条总线开关）
输入
OE
L
H
输入/输出
A
B
Z
功能
一个端口= B口
断开
逻辑图（正逻辑）
2
1A
1OE
1
SW
3
1B
5
2A
7
2OE
SW
6
2B
简化原理图，各FET开关（ SW）的
A
VCC
B
收费
泵
EN
EN为施加在开关内部的使能信号。
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2.5 V / 3.3 V低电压，高带宽总线开关
SCDS113D - 2002年12月 - 修订2003年11月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
控制输入电压范围，V
IN
（见注1和2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
开关I / O电压范围，V
I / O
（见注1 ，2和3）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
控制输入钳位电流，I
IK
(V
IN
< 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
I / O端口钳位电流，I
I / OK
(V
I / O
< 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
通态电流开关，我
I / O
（见注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±64
mA
连续电流通过V
CC
或GND端子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±100
mA
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注5 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 88 ° C / W
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注： 1.所有电压是相对于地面，除非另有说明。
2.如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
3. VI和VO是用来表示特定的条件VI / O 。
4， II和IO用来表示特定的条件II / O 。
5.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件（见注6 ）
民
VCC
VIH
VIL
VI / O
TA
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
数据输入/输出电压
工作自由空气的温度
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
2.3
1.7
2
0
0
0
40
最大
3.6
5.5
5.5
0.7
0.8
5.5
85
V
V
°C
V
单位
V
注6 ：设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
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双FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压，高带宽总线开关
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明）
参数
VIK
IIN
IOZ§
IOFF
ICC
I
CC§
ICCD
CIN
控制输入
每个控制
输入
控制输入
控制输入
VCC = 3.6 V ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 0 ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 3.6 V ，
测试条件
II = -18毫安
VIN = 0 5.5 V
VO = 0 5.5 V ，
VI = 0 ，
VO = 0 5.5 V ，
II / O = 0 ，
打开或关闭，
一个输入为3 V ，
关闭，
VIN = VCC或GND
VI = 0
VIN = VCC或GND
在VCC和GND的其他投入
0.03
2.5
3.5
8
4
5
4
5
0.25
民
TYP
最大
1.8
±1
±1
1
0.7
25
0.1
3.5
5
10.5
8
9
6
8
单位
V
A
A
A
mA
A
毫安/
兆赫
pF
pF
pF
VCC = 3.6 V ，
A和B端口开放，
控制输入，50 ％占空比开关
VCC = 3.3 V ，
VCC = 3.3 V ，
VCC = 3.3 V ，
VCC = 2.3 V ，
典型值在VCC = 2.5 V
VCC = 3 V
VIN = 5.5 V ， 3.3 V或0
关闭，
VI / O = 5.5 V ， 3.3 V或0
VIN = VCC和GND ，
开机，
VIN = VCC和GND ，
VI = 0 ，
VI = 1.7 V ，
VI = 0 ，
VI = 2.4 V ，
VI / O = 5.5 V ， 3.3 V或0
IO = 30毫安
IO = -15毫安
IO = 30毫安
IO = -15毫安
首席信息官（关）
CIO （ ON）
罗恩＃
VIN和IIN是指控制输入。 VI ，VO ，II和IO参阅数据引脚。
所有典型值是在VCC = 3.3 V （除非另有说明） ， TA = 25 ℃。
§有关的I / O端口，该参数IOZ包括输入漏电流。
§这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的TTL电平，而不是VCC或GND 。
此参数指定与单个控制输入的工作频率相关联的动态电源电流（见图2） 。
＃测量由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。通态电阻由下式确定
两个（ A或B）端子的电压的降低。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明） （参见图3）
参数
FOE ||
tPD的
k
TEN
TDI发动机
从
（输入）
OE
A或B
OE
OE
TO
（输出）
A或B
B或A
A或B
A或B
1.5
1
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
民
最大
10
0.2
6.5
6
1.5
1
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
民
最大
20
0.2
5.5
5
兆赫
ns
ns
ns
单位
||最大开关频率控制输入（ VO
＆ GT ;
VCC ， VI = 5V ， RL
≥
1 MΩ ， CL = 0 ）
k
传播延迟是典型的通态电阻的开关的所计算的RC时间常数和指定负载电容时
由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
4
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达拉斯，德克萨斯州75265
SN74CB3Q3306A
双FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压，高带宽总线开关
SCDS113D - 2002年12月 - 修订2003年11月
典型
on
vs
V
I
16
r
on
- 导通状态电阻 -
14
12
10
8
6
4
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
VI = V
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
VCC = 3.3 V
TA = 25°C
IO = -15毫安
图1.典型
on
VS V
I
, V
CC
= 3.3 V和I
O
= -15毫安
典型的我
CC
vs
OE开关频率
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
OE开关频率 - 兆赫
一个OE开关
VCC = 3.3 V
TA = 25°C
A和B端口开放
ICC - 毫安
图2.典型的我
CC
VS OE开关频率，V
CC
= 3.3 V
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5
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