SN74CB3Q3305
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SCDS141B - 2003年10月 - 修订2009年10月
双FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低压高带宽总线开关
检查样品：
SN74CB3Q3305
1
特点
高带宽数据路径（高达500 MHz ）
PW包
（ TOP VIEW ）
有关性能的更多信息
在CB3Q家族的特征，指的是TI的应用
报告显示，
CBT -C ， CB3T和CB3Q信号开关家庭，
文学
数SCDA008 。
5 V容限I / O的设备加电或
断电
低而平坦的导通电阻（R
on
)
超过工作范围的特点
(r
on
= 3
典型值）
轨到轨开关上的数据I / O端口
- 0- 5 - V开关采用3.3 V V
CC
- 0- 3.3 - V开关采用2.5 V V
CC
双向数据流接近零
传播延迟
低输入/输出电容最小化
装载和信号失真
(C
io的（OFF）的
= 3.5 pF的典型值）
快速开关频率（f
OE
= 20 MHz的最大值）
数据和控制输入提供冲
钳位二极管
低功耗（I
CC
= 0.25毫安典型值）
V
CC
经营范围为2.3 V至3.6 V
数据I / O的支持，以0 5 V信号电平
(0.8 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V, 5 V)
控制输入可以通过TTL驱动或
5 -V / 3.3 V CMOS输出
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
（ A114 -B ， II级）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
同时支持数字和模拟
应用范围： USB接口，差分信号
接口方面，总线隔离度，低失真信号
门
1OE
1A
1B
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
2OE
2B
2A
DCU包装
（ TOP VIEW ）
1OE
1A
1B
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
2OE
2B
2A
描述/订购信息
该SN74CB3Q3305是一个高带宽总线FET
切换利用电荷泵提高栅极
电压的导通晶体管，从而提供一个低平
导通电阻（R
on
） 。低而平坦的导通状态
电阻允许最小的传播延迟和
支持轨到轨开关上的数据输入/输出
（ I / O）端口。该器件还具有低数据的I / O
电容，以减少容性负载和信号
失真的数据总线上。专门设计
支持
高带宽
应用程序，
该
SN74CB3Q3305提供了一个优化的接口
解决方案非常适用于宽带通信，
网络和数据密集型计算系统。
该SN74CB3Q3305被组织为两个1位
有独立的输出使能（ 10E， 2OE ）开关
输入。它可以用作两个1位总线开关或作为
1个2位总线开关。当OE为高电平时，
相关的1 - bit总线开关处于ON的端口是
连接到B端口，并允许双向数据
端口之间流动。当OE为低电平时，相关联的
1位总线开关关断和一个高阻抗状态
A和B端口之间存在。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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订购信息
T
A
TSSOP - PW
VSSOP - DCU
(1)
(2)
包
(1)
订购型号
SN74CB3Q3305PW
SN74CB3Q3305PWR
SN74CB3Q3305DCUR
顶部端标记
(2)
管
磁带和卷轴
磁带和卷轴
-40 ° C至85°C
BU305
GAR_
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
最后一个字符指定封装/测试网站。
描述/订购信息（续）
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路防止损坏
通过该装置的电流逆流时被断电。该器件具有上电期间关闭隔离。
为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应通过一个连接到GND
下拉电阻;该电阻的最小值由驾驶员的电流源的能力来确定。
表1.功能表
（每条总线开关）
输入
OE
H
L
输入/输出
A
B
Z
功能
一个端口= B口
断开
逻辑图（正逻辑）
2
1A
1OE
1
SW
3
1B
5
2A
7
2OE
SW
6
2B
简化原理图，各FET开关（ SW）的
A
V
CC
B
收费
泵
EN
(1)
（1） EN为施加在开关内部的使能信号。
2
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
IN
V
I / O
I
IK
I
I / OK
I
I / O
θ
JA
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
电源电压范围
控制输入电压范围
(2)
开关I / O电压范围
I / O端口钳位电流
ON状态的开关电流
(5)
连续电流通过V
CC
或GND
封装的热阻抗
存储温度范围
(6)
(3)
(2) (3) (4)
最大
4.6
7
7
–50
–50
±64
±100
88
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
° C / W
°C
–0.5
–0.5
–0.5
V
IN
＆ LT ; 0
V
I / O
＆ LT ; 0
控制输入钳位电流
–65
150
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压都是相对于地，除非另有规定。
如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
V
I
和V
O
被用于表示为V的具体条件
I / O
.
I
I
我
O
被用于表示对我的具体条件
I / O
.
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
IH
V
IL
V
I / O
T
A
(1)
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
数据输入/输出电压
工作自由空气的温度
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
2.3
1.7
2
0
0
0
–40
最大
3.6
5.5
5.5
0.7
0.8
5.5
85
单位
V
V
V
V
°C
该设备的所有未使用的控制输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
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3
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电气特性
(1)
在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）
参数
V
IK
I
IN
I
OZ
I
关闭
I
CC
ΔI
CC
I
CCD
C
in
C
io的（OFF）的
C
io的（上）
(4)
(3)
测试条件
V
CC
= 3.6 V,
I
I
= -18毫安
V
IN
= 0 5.5 V
V
O
= 0 5.5 V ，
V
I
= 0,
V
O
= 0 5.5 V ，
I
I / O
= 0,
打开或关闭，
关闭，
V
IN
= V
CC
或GND
V
I
= 0
V
IN
= V
CC
或GND
民
典型值
(2)
最大
–1.8
±1
±1
1
单位
V
μA
μA
μA
mA
μA
毫安/
兆赫
pF
pF
pF
控制
输入
V
CC
= 3.6 V,
V
CC
= 3.6 V,
V
CC
= 0,
V
CC
= 3.6 V,
0.25
0.7
25
控制
输入
V
CC
= 3.6 V ，一个输入在3 V ，在V其他投入
CC
或GND
0.040
2.5
V
I / O
= 5.5 V ， 3.3 V或0
V
I / O
= 5.5 V ， 3.3 V或0
3.5
8
3
3.5
3
3.5
(5)
A和B端口开放，
每个控制V
CC
= 3.6 V,
输入
控制输入，50 ％占空比开关
控制
输入
V
CC
= 3.3 V,
V
CC
= 3.3 V,
V
CC
= 3.3 V,
V
CC
= 2.3 V,
典型的V
CC
= 2.5 V
V
CC
= 3 V
V
IN
= 5.5 V ， 3.3 V或0
关闭，
V
IN
= V
CC
或GND ，
开机，
V
IN
= V
CC
或GND ，
V
I
= 0, I
O
= 30毫安
V
I
= 1.7 V，I
O
= -15毫安
V
I
= 0, I
O
= 30毫安
V
I
= 2.4 V，I
O
= -15毫安
0.045
3.5
5
10.5
8
9
6
8
r
on
(6)
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
V
IN
我
IN
见控制输入。 V
I
, V
O
, I
I
和我
O
参阅数据引脚。
所有典型值是在V
CC
= 3.3V （除非另有说明）中，T
A
= 25°C.
对于I / O端口，参数我
OZ
包括输入漏电流。
这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的TTL电平，而不是V
CC
或GND 。
此参数指定与单个控制输入的工作频率相关联的动态电源电流（见
图2
).
测得的由A和B端子之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。导通电阻
由两个（ A或B）端子的电压的降低来确定。
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有说明） （见
图3）
参数
f
OE
(1)
t
pd
(2)
从
（输入）
OE
A或B
OE
OE
TO
（输出）
A或B
B或A
A或B
A或B
V
CC
= 2.5 V
± 0.2 V
民
最大
10
0.09
1
1
5
4.5
V
CC
= 3.3 V
± 0.3 V
民
最大
20
0.15
1
1
4.5
5
单位
兆赫
ns
ns
ns
t
en
t
DIS
(1)
(2)
最大开关频率控制输入（V
O
＆ GT ; V
CC
, V
I
= 5 V ，R
L
≥
1 MΩ ，C
L
= 0)
传播延迟是典型的通态电阻，开关和所述特定网络连接编负载的所计算的RC时间常数
电容，当由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
4
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典型
on
vs
V
I
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
I
- V
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
r
on
- 导通状态电阻 -
V
CC
= 3.3 V
T
A
= 25°C
I
O
= -15毫安
图1.典型
on
VS V
I
典型的我
CC
vs
OE开关频率
12
10
8
ICC - 毫安
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
OE开关频率 - 兆赫
一个OE开关
V
CC
= 3.3 V
T
A
= 25°C
A和B端口开放
图2.典型的我
CC
VS OE开关频率
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双FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低压高带宽总线开关
SCDS141A - 2003年10月 - 修订2005年4月
特点
高带宽数据路径（高达500 MHz
(1)
)
5 V容限I / O的设备加电或
断电
低而平坦的导通电阻（R
on
)
超过工作范围的特点
(r
on
= 3
典型值）
轨到轨开关上的数据I / O端口
- 0- 5 - V开关采用3.3 V V
CC
- 0- 3.3 - V开关采用2.5 V V
CC
双向数据流接近零
传播延迟
低输入/输出电容最小化
装载和信号失真
(C
io的（OFF）的
= 3.5 pF的典型值）
快速开关频率（f
OE
= 20 MHz的最大值）
有关性能的更多信息
在CB3Q家族的特征，指的是TI的应用
报告显示，
CBT -C ， CB3T和CB3Q信号开关家庭，
文献编号SCDA008 。
(1)
数据和控制输入提供冲
钳位二极管
低功耗（I
CC
= 0.25毫安典型值）
V
CC
经营范围为2.3 V至3.6 V
数据I / O的支持，以0 5 V信号电平
(0.8 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V, 5 V)
控制输入可以通过TTL驱动或
5 -V / 3.3 V CMOS输出
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
（ A114 -B ， II级）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
同时支持数字和模拟
应用范围： USB接口，微分
信号接口，总线隔离，低失真
信号门
PW包
（ TOP VIEW ）
1OE
1A
1B
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
2OE
2B
2A
描述/订购信息
该SN74CB3Q3305是利用电荷泵提升的栅极电压高带宽总线的FET开关
导通晶体管，从而提供一个低而平坦的导通电阻（R
on
） 。低而平坦的导通电阻允许
为最小的传播延迟，并支持轨到轨开关上的数据输入/输出（I / O）端口。该装置
还具有低的数据I / O电容，以减少电容性负载，并在数据总线上的信号失真。
专门设计用于支持高带宽应用时， SN74CB3Q3305提供优化
接口解决方案，非常适合于宽带通信，网络和数据密集型计算
系统。
该SN74CB3Q3305被组织为两个1位开关，带独立输出使能（ 10E， 2OE ）输入。它可以
可用作两个1位总线开关或作为一个2位的总线开关。当OE为高电平时，相关的1位总线开关是
ON和A端口被连接到B端口，并允许端口之间的双向数据流。当OE为低电平时，
相关的1 - bit总线开关切断， A和B端口之间存在一个高阻抗状态。
订购信息
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
TSSOP - PW
包
(1)
管
磁带和卷轴
订购型号
SN74CB3Q3305PW
SN74CB3Q3305PWR
顶部端标记
BU305
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2003-2005 ，德州仪器
SN74CB3Q3305
双FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低压高带宽总线开关
SCDS141A - 2003年10月 - 修订2005年4月
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描述/订购信息（续）
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路防止损坏
通过该装置的电流逆流时被断电。该器件具有上电期间关闭隔离。
为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应通过一个连接到GND
下拉电阻;该电阻的最小值由驾驶员的电流源的能力来确定。
功能表
（每条总线开关）
输入
OE
H
L
输入/输出
A
B
Z
功能
一个端口= B口
断开
逻辑图（正逻辑）
2
1A
1OE
1
SW
3
1B
5
2A
7
2OE
SW
6
2B
简化原理图，各FET开关（ SW）的
A
V
CC
B
收费
泵
EN
(1)
（1） EN为施加在开关内部的使能信号。
2
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双FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低压高带宽总线开关
SCDS141A - 2003年10月 - 修订2005年4月
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
IN
V
I / O
I
IK
I
I / OK
I
I / O
θ
JA
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
电源电压范围
控制输入电压范围
(2) (3)
开关I / O电压范围
(2) (3) (4)
控制输入钳位电流
I / O端口钳位电流
通态开关
当前
(5)
连续电流通过V
CC
或GND
封装的热阻抗
(6)
存储温度范围
–65
V
IN
＆ LT ; 0
V
I / O
＆ LT ; 0
–0.5
–0.5
–0.5
最大
4.6
7
7
–50
–50
±64
±100
88
150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
° C / W
°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压都是相对于地，除非另有规定。
如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
V
I
和V
O
被用于表示为V的具体条件
I / O
.
I
I
我
O
被用于表示对我的具体条件
I / O
.
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
IH
V
IL
V
I / O
T
A
(1)
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
数据输入/输出电压
工作自由空气的温度
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
2.3
1.7
2
0
0
0
–40
最大
3.6
5.5
5.5
0.7
0.8
5.5
85
单位
V
V
V
V
°C
该设备的所有未使用的控制输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
3
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双FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低压高带宽总线开关
SCDS141A - 2003年10月 - 修订2005年4月
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电气特性
(1)
在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）
参数
V
IK
I
IN
I
OZ （3）
I
关闭
I
CC
I
CC (4)
I
的CCD （5）
C
in
C
io的（OFF）的
C
io的（上）
控制
输入
控制
输入
V
CC
= 3.6 V,
V
CC
= 3.6 V,
V
CC
= 3.6 V,
V
CC
= 0,
V
CC
= 3.6 V,
测试条件
I
I
= -18毫安
V
IN
= 0 5.5 V
V
O
= 0 5.5 V ，
V
I
= 0,
V
O
= 0 5.5 V ，
I
I / O
= 0,
打开或关闭，
关闭，
V
IN
= V
CC
或GND
V
I
= 0
V
IN
= V
CC
或GND
0.25
民
典型值
(2)
最大
–1.8
±1
±1
1
0.7
25
0.040
2.5
V
I / O
= 5.5 V ， 3.3 V或0
V
I / O
= 5.5 V ， 3.3 V或0
3.5
8
3
3.5
3
3.5
0.045
3.5
5
10.5
8
9
6
8
单位
V
A
A
A
mA
A
毫安/
兆赫
pF
pF
pF
V
CC
= 3.6 V ，一个输入在3 V ，在V其他投入
CC
或GND
A和B端口开放，
每个控制V
CC
= 3.6 V,
输入
控制输入，50 ％占空比开关
控制
输入
V
CC
= 3.3 V,
V
CC
= 3.3 V,
V
CC
= 3.3 V,
V
CC
= 2.3 V,
典型的V
CC
= 2.5 V
V
CC
= 3 V
V
IN
= 5.5 V ， 3.3 V或0
关闭，
V
IN
= V
CC
或GND ，
开机，
V
IN
= V
CC
或GND ，
V
I
= 0, I
O
= 30毫安
V
I
= 1.7 V，I
O
= -15毫安
V
I
= 0, I
O
= 30毫安
V
I
= 2.4 V，I
O
= -15毫安
r
（6）上
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
V
IN
我
IN
见控制输入。 V
I
, V
O
, I
I
和我
O
参阅数据引脚。
所有典型值是在V
CC
= 3.3V （除非另有说明）中，T
A
= 25°C.
对于I / O端口，参数我
OZ
包括输入漏电流。
这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的TTL电平，而不是V
CC
或GND 。
此参数指定与单个控制输入的工作频率相关联的动态电源电流（见
图2）。
测得的由A和B端子之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。导通电阻
由两个（ A或B）端子的电压的降低来确定。
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有说明） （见图3）
参数
f
OE
(1)
t
PD （2）
t
en
t
DIS
(1)
(2)
从
（输入）
OE
A或B
OE
OE
TO
（输出）
A或B
B或A
A或B
A或B
1
1
V
CC
= 2.5 V
± 0.2 V
民
最大
10
0.09
5
4.5
1
1
V
CC
= 3.3 V
± 0.3 V
民
最大
20
0.15
4.5
5
兆赫
ns
ns
ns
单位
最大开关频率控制输入（V
O
＆ GT ; V
CC
, V
I
= 5 V ，R
L
≥
1 MΩ ，C
L
= 0)
传播延迟是典型的通态电阻，开关和所述特定网络连接编负载的所计算的RC时间常数
电容，当由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
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SN74CB3Q3305
双FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低压高带宽总线开关
SCDS141A - 2003年10月 - 修订2005年4月
典型
on
vs
V
I
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
I
- V
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
r
on
- 导通状态电阻 -
V
CC
= 3.3 V
T
A
= 25°C
I
O
= -15毫安
图1.典型
on
VS V
I
典型的我
CC
vs
OE开关频率
12
10
8
ICC - 毫安
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
OE开关频率 - 兆赫
一个OE开关
V
CC
= 3.3 V
T
A
= 25°C
A和B端口开放
图2.典型的我
CC
VS OE开关频率
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