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SN74CB3Q16811
具有预充电输出的24位开关
2.5 V / 3.3 V低压FET总线开关
SCDS153B - 2003年10月 - 修订2005年3月
特点
德州仪器Widebus会员
家庭
SN74CB3Q总线开关等同于
IDTQS3VH总线开关
5 V容限I / O的设备加电或
断电
低而平坦的导通电阻（R
on
)
超过工作范围的特点
(r
on
= 5
典型值）
轨到轨开关上的数据I / O端口
- 0- 5 - V开关采用3.3 V V
CC
- 0- 3.3 - V开关采用2.5 V V
CC
B端口输出被偏置预充电
电压（ BIASV ），以最大限度地减少信号失真
在实时插入和热插拔
支持PCI热插拔
双向数据流接近零
传播延迟
低输入/输出电容最小化
装载和信号失真
(C
io的（OFF）的
= 4 pF的典型值）
快速开关频率（f
ON
= 20 MHz的最大值）
数据和控制输入提供冲
钳位二极管
低功耗（I
CC
= 0.75毫安典型值）
V
CC
经营范围为2.3 V至3.6 V
数据I / O的支持，以0 5 V信号电平
(0.8 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V, 5 V)
控制输入可以通过TTL驱动或
5 -V / 3.3 V CMOS输出
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
（ A114 -B ， II级）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
同时支持数字和模拟
应用范围： PCI热插拔，热插接，
内存交叉存取，总线隔离，并
低失真信号选通
描述/订购信息
该SN74CB3Q16811是利用电荷泵提升的栅极电压高带宽总线的FET开关
导通晶体管，从而提供一个低而平坦的导通电阻（R
on
） 。低而平坦的导通电阻允许
为最小的传播延迟，并支持轨到轨开关上的数据输入/输出（I / O）端口。该装置
还具有低的数据I / O电容，以减少电容性负载，并在数据总线上的信号失真。
专门设计用于支持高带宽应用时， SN74CB3Q16811提供优化
接口解决方案，非常适合于宽带通信，网络和数据密集型计算
系统。
订购信息
T
A
SSOP - DL
-40 ° C至85°C
TSSOP - DGG
TVSOP - DGV
(1)
包
(1)
管
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购型号
SN74CB3Q16811DL
SN74CB3Q16811DLR
SN74CB3Q16811DGGR
SN74CB3Q16811DGVR
顶部端标记
CB3Q16811
CB3Q16811
BW811
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
描述/订购信息（续）
该SN74CB3Q16811被组织成两个12位总线与独立的输出使能（ 10E， 2OE ）输入开关。它
可以用作两个12位总线开关或为一个24位的总线开关。当OE为低电平时，相关联的12位总线
开关为ON，并在A端口被连接到B端口，并允许端口之间的双向数据流。当OE
为高电平时，相关联的12位总线开关是OFF，并且A和B端口之间存在高阻抗状态。
B端口是通过一个10千欧电阻器的等效预充电到偏置电压（ BIASV ）当OE为高，或者如果
该器件掉电（V
CC
= 0 V).
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
Widebus是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2003-2005 ，德州仪器
SN74CB3Q16811
具有预充电输出的24位开关
2.5 V / 3.3 V低压FET总线开关
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在插入过程中（或去除）的卡的插入（或从）的有源总线，该卡的输出电压可以是接近
GND 。当连接器引脚进行接触，该卡的寄生电容试图迫使总线信号
GND ，创造了活跃的总线上的可能的故障。这种毛刺效果可以通过使用具有一个总线开关可以减少
根据总线开关等于接收机的输入阈值电压电平的预充电偏压（ BIASV ）
有源总线。这种方法确保了由该卡的插入（或取出）产生任何毛刺不交叉
有源总线上的接收器的输入阈值区域，减少活插入噪声的影响。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路防止损坏
通过该装置的电流逆流时被断电。
为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
DGG ， DGV ，或DL包装
（ TOP VIEW ）
BiasV
1A1
1A2
1A3
1A4
1A5
1A6
GND
1A7
1A8
1A9
1A10
1A11
1A12
2A1
2A2
V
CC
2A3
GND
2A4
2A5
2A6
2A7
2A8
2A9
2A10
2A11
2A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
1OE
2OE
1B1
1B2
1B3
1B4
1B5
GND
1B6
1B7
1B8
1B9
1B10
1B11
1B12
2B1
2B2
2B3
GND
2B4
2B5
2B6
2B7
2B8
2B9
2B10
2B11
2B12
表1.功能表
（每个12位总线开关）
输入
OE
L
H
输入/输出
A
B
Z
功能
一个端口= B口
断开
B端口= BIASV
2
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逻辑图（正逻辑）
1
BiasV
2
1A1
SW
54
1B1
14
1A12
SW
42
1B12
56
1OE
15
2A1
SW
41
2B1
28
2A12
SW
29
2B12
55
2OE
3
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简化原理图，各FET开关（ SW）的
BiasV
A
V
CC
B
收费
泵
EN
(1)
（1） EN为施加在开关内部的使能信号。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
BiasV
V
IN
V
I / O
I
IK
I
I / OK
I
I / O
电源电压范围
偏置电源电压范围
控制输入电压范围
(2) (3)
开关I / O电压
范围
(2) (3) (4)
V
IN
＆ LT ; 0
V
I / O
＆ LT ; 0
控制输入钳位电流
I / O端口钳位电流
通态开关
当前
(5)
DGG包装
θ
JA
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
封装的热阻抗
(6)
存储温度范围
DGV包
DL包装
–65
连续电流通过V
CC
或GND
–0.5
–0.5
–0.5
–0.5
最大
4.6
7
7
7
–50
–50
±64
±100
64
48
56
150
°C
° C / W
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压都是相对于地，除非另有规定。
如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
V
I
和V
O
被用于表示为V的具体条件
I / O
.
I
I
我
O
被用于表示对我的具体条件
I / O
.
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
4
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推荐工作条件
(1)
最小最大
V
CC
BiasV
V
IH
V
IL
V
I / O
T
A
(1)
电源电压
偏压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
数据输入/输出电压
工作自由空气的温度
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
2.3
0
1.7
2
0
0
0
–40
3.6
5
5.5
5.5
0.7
0.8
5.5
85
单位
V
V
V
V
V
°C
该设备的所有未使用的控制输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
电气特性
(1)
在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）
参数
V
IK
I
IN
I
O
I
OZ （3）
I
关闭
I
CC
I
CC (4)
I
的CCD （5）
C
in
C
io的（OFF）的
C
io的（上）
控制输入
每个控制
输入
控制输入
一个端口
控制输入
B端口
V
CC
= 3.6 V,
V
CC
= 3.6 V,
V
CC
= 3.V,
V
CC
= 3.6 V,
V
CC
= 0,
V
CC
= 3.6 V,
V
CC
= 3.6 V,
V
CC
= 3.6 V,
V
CC
= 3.3 V,
V
CC
= 3.3 V,
V
CC
= 3.3 V,
V
CC
= 2.3 V,
典型的V
CC
= 2.5 V
V
CC
= 3 V
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
测试条件
I
I
= -18毫安
V
IN
= 0 5.5 V
BIASV = 2.4 V ，
V
O
= 0,
V
O
= 0 5.5 V ，
V
I
= 0,
V
O
= 0 5.5 V ，
I
I / O
= 0,
打开或关闭，
一个输入为3 V ，
关闭，
V
IN
= V
CC
或GND
关闭，
V
IN
= V
CC
或GND
V
I
= 0
V
IN
= V
CC
或GND
其他输入在V
CC
或GND
0.38
3.5
V
I / O
= 5.5 V ， 3.3 V或0
V
I / O
= 5.5 V ， 3.3 V或0
I
O
= 30毫安
I
O
= -15毫安
I
O
= 30毫安
I
O
= -15毫安
4
10
5
5
5
5
1
0.2
±1
1
3
30
0.45
5
5
12.5
8
9
6.5
8
最小值典型值
(2)
最大
–1.8
±1
单位
V
A
mA
A
A
mA
A
毫安/
兆赫
pF
pF
pF
A和B端口开放，
控制输入，50 ％占空比开关
V
IN
= 5.5 V ， 3.3 V或0
关闭，
V
IN
= V
CC
或GND ，
开机，
V
IN
= V
CC
或GND ，
V
I
= 0,
V
I
= 1.7 V,
V
I
= 0,
V
I
= 2.4 V,
r
（6）上
V
IN
我
IN
见控制输入。 V
I
, V
O
, I
I
和我
O
参阅数据引脚。
所有典型值是在V
CC
= 3.3V （除非另有说明）中，T
A
= 25°C.
对于I / O端口，参数我
OZ
包括输入漏电流。
这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的TTL电平，而不是V
CC
或GND 。
此参数指定与单个控制输入的工作频率相关联的动态电源电流（见
图2）。
测得的由A和B端子之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。导通电阻
由两个（ A或B）端子的电压的降低来确定。
5
QQ：2881677436 复制
