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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第851页 > SN74CB3Q16211DGVR
SN74CB3Q16211
24位转换器
2.5 V / 3.3 V低电压FET总线开关
SCDS167 - 2004年5月
D
德州仪器会员
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
Widebus家庭
高带宽数据路径
（高达500 MHz
)
5 V容限I / O的设备加电
或断电
低而平坦的导通电阻（R
on
)
超过工作范围的特点
(r
on
= 5
典型）
轨到轨开关上的数据I / O端口
- 0 V至5 V开关采用3.3 V V
CC
- 0 V至3.3 V开关采用2.5 V V
CC
双向数据流，接近零
传播延迟
低输入/输出电容最小化
装载和信号失真
(C
io的（OFF）的
= 4 pF的典型）
快速开关频率
(f
OE
= 20 MHz的最大值）
数据和控制输入提供
冲钳位二极管
低功耗
(I
CC
= 1 mA典型）
V
CC
经营范围为2.3 V至3.6 V
数据I / O的支持0 V至5 V信号
水平（ 0.8 V， 1.2 V， 1.5 V， 1.8 V ， 2.5 V ， 3.3 V ，
5 V)
控制输入可以通过TTL驱动或
5 -V / 3.3 V CMOS输出
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
（ A114 -B ， II级）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
同时支持数字和模拟
应用范围： PCI接口，微分
信号接口，内存交错，公交车
隔离度，低失真信号选通
有关业绩的更多信息
该CB3Q家族的特征，请参考TI
申请报告，
CBT -C ， CB3T和CB3Q
信号开关系列，
文献编号SCDA008 。
DGG ， DGV ，或DL包装
（ TOP VIEW ）
NC
1A1
1A2
1A3
1A4
1A5
1A6
GND
1A7
1A8
1A9
1A10
1A11
1A12
2A1
2A2
V
CC
2A3
GND
2A4
2A5
2A6
2A7
2A8
2A9
2A10
2A11
2A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
1OE
2OE
1B1
1B2
1B3
1B4
1B5
GND
1B6
1B7
1B8
1B9
1B10
1B11
1B12
2B1
2B2
2B3
GND
2B4
2B5
2B6
2B7
2B8
2B9
2B10
2B11
2B12
NC - 无内部连接
D
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
Widebus是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2004年，德州仪器
根据保密协议（ NDA ）仅适用于
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
SCDS167 - 2004年5月
SN74CB3Q16211
24位转换器
2.5 V / 3.3 V低电压FET总线开关
描述/订购信息
该SN74CB3Q16211是利用电荷泵提升栅极电压高带宽总线的FET开关
导通晶体管，从而提供一个低而平坦的导通电阻体（r
on
） 。低而平坦的导通电阻
能达到最小的传播延迟，并支持轨到轨上的数据输入/输出（I / O）端口的切换。该
器件还具有低数据I / O电容，以减少电容性负载和对数据信号失真
总线。专门设计用于支持高带宽应用时， SN74CB3Q16211提供优化
接口解决方案，非常适合于宽带通信，网络和数据密集型计算
系统。
该SN74CB3Q16211被组织成两个12位总线与独立的输出使能（ 10E， 2OE ）输入开关。
它可以用作两个12位总线开关或为一个24位总线开关。当OE为低电平时，相关联的12位
总线开关为ON和A端口被连接到B端口，并允许端口之间的双向数据流。当
OE为高电平时，相关联的12位总线开关为OFF，并且在A和B之间存在着一个高阻抗状态
端口。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路防止损坏
通过该装置的电流逆流时被断电。
为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
订购信息
TA
包装
管
SSOP - DL
40 C 85°C
-40 ° C至85 C
TSSOP - DGG
TVSOP - DGV
VFBGA - GQL
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74CB3Q16211DL
SN74CB3Q16211DLR
SN74CB3Q16211DGGR
SN74CB3Q16211DGVR
SN74CB3Q16211GQLR
CB3Q16211
CB3Q16211
BW211
TOP- SIDE
记号
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计准则
可在www.ti.com/sc/package 。
GQL包装
（ TOP VIEW ）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
2
3
4
5
6
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
端子分配
1
1A2
1A5
1A7
1A10
1A12
2A1
VCC
2A4
2A7
2A10
2
1A1
1A4
GND
1A8
1A11
2A2
GND
2A5
2A8
2A11
2A3
2A6
2A9
2A12
2B3
2B6
2B9
2B12
3
NC
1A3
1A6
1A9
4
1OE
1B2
1B5
1B8
5
2OE
1B3
GND
1B7
1B10
2B1
GND
2B5
2B8
2B11
6
1B1
1B4
1B6
1B9
1B11
1B12
2B2
2B4
2B7
2B10
NC - 无内部连接
2
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达拉斯，德克萨斯州75265
SN74CB3Q16211
24位转换器
2.5 V / 3.3 V低电压FET总线开关
SCDS167 - 2004年5月
功能表
（每个12位总线开关）
输入
OE
L
H
输入/输出
A
B
Z
功能
一个端口= B口
断开
逻辑图（正逻辑）
2
1A1
SW
54
1B1
14
1A12
SW
42
1B12
56
1OE
15
2A1
SW
41
2B1
28
2A12
SW
29
2B12
55
2OE
显示引脚数都为DGG ， DGV ，和DL包。
简化原理图，各FET开关（ SW）的
A
VCC
B
收费
泵
EN
EN为施加在开关内部的使能信号。
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3
SCDS167 - 2004年5月
SN74CB3Q16211
24位转换器
2.5 V / 3.3 V低电压FET总线开关
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
CC
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
控制输入电压范围，V
IN
（见注1和2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
开关I / O电压范围，V
I / O
（见注1 ，2和3）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
控制输入钳位电流，I
IK
(V
IN
< 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
I / O端口钳位电流，I
I / OK
(V
I / O
< 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
通态电流开关，我
I / O
（见注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±64
mA
连续电流通过V
CC
或GND端子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±100
mA
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注5 ） ： DGG包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64 ° C / W
DGV包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48 ° C / W
DL包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 56 ° C / W
GQL包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42 ° C / W
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注： 1.所有电压是相对于地面，除非另有说明。
2.如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
3. VI和VO是用来表示特定的条件VI / O 。
4， II和IO用来表示特定的条件II / O 。
5.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件（见注3 ）
民
VCC
VIH
VIL
VI / O
TA
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
数据输入/输出电压
工作自由空气的温度
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
2.3
1.7
2
0
0
0
40
最大
3.6
5.5
5.5
0.7
0.8
5.5
85
V
V
°C
V
单位
V
注6 ：设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
4
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SN74CB3Q16211
24位转换器
2.5 V / 3.3 V低电压FET总线开关
SCDS167 - 2004年5月
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明）
参数
VIK
IIN
IOZ§
IOFF
ICC
I
CC§
ICCD
CIN
控制输入
每个控制
输入
控制输入
控制输入
VCC = 3.6 V ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 0 ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 3.3 V ，
VCC = 3.3 V ，
VCC = 3.3 V ，
VCC = 2.3 V ，
典型值在VCC = 2.5 V
VCC = 3 V
测试条件
II = -18毫安
VIN = 0 5.5 V
VO = 0 5.5 V ，
VI = 0 ，
VO = 0 5.5 V ，
II / O = 0 ，
打开或关闭，
一个输入为3 V ，
关闭，
VIN = VCC或GND
VI = 0
VIN = VCC或GND
在VCC和GND的其他投入
0.15
3.5
4
10
5
5
5
5
1
民
TYP
最大
1.8
±1
±1
1
3
30
0.25
5
5
12.5
8
9
6.5
8
单位
V
A
A
A
mA
A
毫安/
兆赫
pF
pF
pF
A和B端口开放，
控制输入，50 ％占空比开关
VIN = 5.5 V ， 3.3 V或0
关闭，
VI / O = 5.5 V ， 3.3 V或0
VIN = VCC和GND ，
开机，
VIN = VCC和GND ，
VI = 0 ，
VI = 1.7 V ，
VI = 0 ，
VI = 2.4 V ，
VI / O = 5.5 V ， 3.3 V或0
IO = 30毫安
IO = -15毫安
IO = 30毫安
IO = -15毫安
首席信息官（关）
CIO （ ON）
罗恩＃
注7 ： VIN和IIN是指控制输入。 VI ，VO ，II和IO参阅数据引脚。
所有典型值是在VCC = 3.3 V （除非另有说明） ， TA = 25 ℃。
§有关的I / O端口，该参数IOZ包括输入漏电流。
§这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的TTL电平，而不是VCC或GND 。
此参数指定与单个控制输入的工作频率相关联的动态电源电流（见图2） 。
＃测量由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。通态电阻由下式确定
两个（ A或B）端子的电压的降低。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明） （参见图3）
参数
FOE ||
tPD的
k
TEN
TDI发动机
从
（输入）
OE
A或B
OE
OE
TO
（输出）
A或B
B或A
A或B
A或B
1.5
1
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
民
最大
10
0.15
8
7.5
1.5
1
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
民
最大
20
0.25
8
7.5
兆赫
ns
ns
ns
单位
||最大开关频率控制输入（ VO
＆ GT ;
VCC ， VI = 5V ， RL
≥
1 MΩ ， CL = 0 ）
k
传播延迟是典型的通态电阻，开关和所述指定的负载电容的计算的RC时间常数，
当由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
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达拉斯，德克萨斯州75265
5
SN74CB3Q16211
24位转换器
2.5 V / 3.3 V低电压FET总线开关
SCDS167 - 2004年5月
D
德州仪器会员
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
Widebus家庭
高带宽数据路径
（高达500 MHz
)
5 V容限I / O的设备加电
或断电
低而平坦的导通电阻（R
on
)
超过工作范围的特点
(r
on
= 5
典型）
轨到轨开关上的数据I / O端口
- 0 V至5 V开关采用3.3 V V
CC
- 0 V至3.3 V开关采用2.5 V V
CC
双向数据流，接近零
传播延迟
低输入/输出电容最小化
装载和信号失真
(C
io的（OFF）的
= 4 pF的典型）
快速开关频率
(f
OE
= 20 MHz的最大值）
数据和控制输入提供
冲钳位二极管
低功耗
(I
CC
= 1 mA典型）
V
CC
经营范围为2.3 V至3.6 V
数据I / O的支持0 V至5 V信号
水平（ 0.8 V， 1.2 V， 1.5 V， 1.8 V ， 2.5 V ， 3.3 V ，
5 V)
控制输入可以通过TTL驱动或
5 -V / 3.3 V CMOS输出
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
（ A114 -B ， II级）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
同时支持数字和模拟
应用范围： PCI接口，微分
信号接口，内存交错，公交车
隔离度，低失真信号选通
有关业绩的更多信息
该CB3Q家族的特征，请参考TI
申请报告，
CBT -C ， CB3T和CB3Q
信号开关系列，
文献编号SCDA008 。
DGG ， DGV ，或DL包装
（ TOP VIEW ）
NC
1A1
1A2
1A3
1A4
1A5
1A6
GND
1A7
1A8
1A9
1A10
1A11
1A12
2A1
2A2
V
CC
2A3
GND
2A4
2A5
2A6
2A7
2A8
2A9
2A10
2A11
2A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
1OE
2OE
1B1
1B2
1B3
1B4
1B5
GND
1B6
1B7
1B8
1B9
1B10
1B11
1B12
2B1
2B2
2B3
GND
2B4
2B5
2B6
2B7
2B8
2B9
2B10
2B11
2B12
NC - 无内部连接
D
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
Widebus是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2004年，德州仪器
根据保密协议（ NDA ）仅适用于
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1
SCDS167 - 2004年5月
SN74CB3Q16211
24位转换器
2.5 V / 3.3 V低电压FET总线开关
描述/订购信息
该SN74CB3Q16211是利用电荷泵提升栅极电压高带宽总线的FET开关
导通晶体管，从而提供一个低而平坦的导通电阻体（r
on
） 。低而平坦的导通电阻
能达到最小的传播延迟，并支持轨到轨上的数据输入/输出（I / O）端口的切换。该
器件还具有低数据I / O电容，以减少电容性负载和对数据信号失真
总线。专门设计用于支持高带宽应用时， SN74CB3Q16211提供优化
接口解决方案，非常适合于宽带通信，网络和数据密集型计算
系统。
该SN74CB3Q16211被组织成两个12位总线与独立的输出使能（ 10E， 2OE ）输入开关。
它可以用作两个12位总线开关或为一个24位总线开关。当OE为低电平时，相关联的12位
总线开关为ON和A端口被连接到B端口，并允许端口之间的双向数据流。当
OE为高电平时，相关联的12位总线开关为OFF，并且在A和B之间存在着一个高阻抗状态
端口。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路防止损坏
通过该装置的电流逆流时被断电。
为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
订购信息
TA
包装
管
SSOP - DL
40 C 85°C
-40 ° C至85 C
TSSOP - DGG
TVSOP - DGV
VFBGA - GQL
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74CB3Q16211DL
SN74CB3Q16211DLR
SN74CB3Q16211DGGR
SN74CB3Q16211DGVR
SN74CB3Q16211GQLR
CB3Q16211
CB3Q16211
BW211
TOP- SIDE
记号
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计准则
可在www.ti.com/sc/package 。
GQL包装
（ TOP VIEW ）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
2
3
4
5
6
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
端子分配
1
1A2
1A5
1A7
1A10
1A12
2A1
VCC
2A4
2A7
2A10
2
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1A4
GND
1A8
1A11
2A2
GND
2A5
2A8
2A11
2A3
2A6
2A9
2A12
2B3
2B6
2B9
2B12
3
NC
1A3
1A6
1A9
4
1OE
1B2
1B5
1B8
5
2OE
1B3
GND
1B7
1B10
2B1
GND
2B5
2B8
2B11
6
1B1
1B4
1B6
1B9
1B11
1B12
2B2
2B4
2B7
2B10
NC - 无内部连接
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
SN74CB3Q16211
24位转换器
2.5 V / 3.3 V低电压FET总线开关
SCDS167 - 2004年5月
功能表
（每个12位总线开关）
输入
OE
L
H
输入/输出
A
B
Z
功能
一个端口= B口
断开
逻辑图（正逻辑）
2
1A1
SW
54
1B1
14
1A12
SW
42
1B12
56
1OE
15
2A1
SW
41
2B1
28
2A12
SW
29
2B12
55
2OE
显示引脚数都为DGG ， DGV ，和DL包。
简化原理图，各FET开关（ SW）的
A
VCC
B
收费
泵
EN
EN为施加在开关内部的使能信号。
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3
SCDS167 - 2004年5月
SN74CB3Q16211
24位转换器
2.5 V / 3.3 V低电压FET总线开关
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
CC
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
控制输入电压范围，V
IN
（见注1和2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
开关I / O电压范围，V
I / O
（见注1 ，2和3）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
控制输入钳位电流，I
IK
(V
IN
< 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
I / O端口钳位电流，I
I / OK
(V
I / O
< 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
通态电流开关，我
I / O
（见注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±64
mA
连续电流通过V
CC
或GND端子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±100
mA
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注5 ） ： DGG包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64 ° C / W
DGV包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48 ° C / W
DL包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 56 ° C / W
GQL包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42 ° C / W
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注： 1.所有电压是相对于地面，除非另有说明。
2.如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
3. VI和VO是用来表示特定的条件VI / O 。
4， II和IO用来表示特定的条件II / O 。
5.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件（见注3 ）
民
VCC
VIH
VIL
VI / O
TA
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
数据输入/输出电压
工作自由空气的温度
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
2.3
1.7
2
0
0
0
40
最大
3.6
5.5
5.5
0.7
0.8
5.5
85
V
V
°C
V
单位
V
注6 ：设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
4
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24位转换器
2.5 V / 3.3 V低电压FET总线开关
SCDS167 - 2004年5月
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明）
参数
VIK
IIN
IOZ§
IOFF
ICC
I
CC§
ICCD
CIN
控制输入
每个控制
输入
控制输入
控制输入
VCC = 3.6 V ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 0 ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 3.3 V ，
VCC = 3.3 V ，
VCC = 3.3 V ，
VCC = 2.3 V ，
典型值在VCC = 2.5 V
VCC = 3 V
测试条件
II = -18毫安
VIN = 0 5.5 V
VO = 0 5.5 V ，
VI = 0 ，
VO = 0 5.5 V ，
II / O = 0 ，
打开或关闭，
一个输入为3 V ，
关闭，
VIN = VCC或GND
VI = 0
VIN = VCC或GND
在VCC和GND的其他投入
0.15
3.5
4
10
5
5
5
5
1
民
TYP
最大
1.8
±1
±1
1
3
30
0.25
5
5
12.5
8
9
6.5
8
单位
V
A
A
A
mA
A
毫安/
兆赫
pF
pF
pF
A和B端口开放，
控制输入，50 ％占空比开关
VIN = 5.5 V ， 3.3 V或0
关闭，
VI / O = 5.5 V ， 3.3 V或0
VIN = VCC和GND ，
开机，
VIN = VCC和GND ，
VI = 0 ，
VI = 1.7 V ，
VI = 0 ，
VI = 2.4 V ，
VI / O = 5.5 V ， 3.3 V或0
IO = 30毫安
IO = -15毫安
IO = 30毫安
IO = -15毫安
首席信息官（关）
CIO （ ON）
罗恩＃
注7 ： VIN和IIN是指控制输入。 VI ，VO ，II和IO参阅数据引脚。
所有典型值是在VCC = 3.3 V （除非另有说明） ， TA = 25 ℃。
§有关的I / O端口，该参数IOZ包括输入漏电流。
§这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的TTL电平，而不是VCC或GND 。
此参数指定与单个控制输入的工作频率相关联的动态电源电流（见图2） 。
＃测量由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。通态电阻由下式确定
两个（ A或B）端子的电压的降低。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明） （参见图3）
参数
FOE ||
tPD的
k
TEN
TDI发动机
从
（输入）
OE
A或B
OE
OE
TO
（输出）
A或B
B或A
A或B
A或B
1.5
1
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
民
最大
10
0.15
8
7.5
1.5
1
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
民
最大
20
0.25
8
7.5
兆赫
ns
ns
ns
单位
||最大开关频率控制输入（ VO
＆ GT ;
VCC ， VI = 5V ， RL
≥
1 MΩ ， CL = 0 ）
k
传播延迟是典型的通态电阻，开关和所述指定的负载电容的计算的RC时间常数，
当由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
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SN74CB3Q16211
24位转换器
2.5 V / 3.3 V低电压FET总线开关
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D
德州仪器会员
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
Widebus家庭
高带宽数据路径
（高达500 MHz
)
5 V容限I / O的设备加电
或断电
低而平坦的导通电阻（R
on
)
超过工作范围的特点
(r
on
= 5
典型）
轨到轨开关上的数据I / O端口
- 0 V至5 V开关采用3.3 V V
CC
- 0 V至3.3 V开关采用2.5 V V
CC
双向数据流，接近零
传播延迟
低输入/输出电容最小化
装载和信号失真
(C
io的（OFF）的
= 4 pF的典型）
快速开关频率
(f
OE
= 20 MHz的最大值）
数据和控制输入提供
冲钳位二极管
低功耗
(I
CC
= 1 mA典型）
V
CC
经营范围为2.3 V至3.6 V
数据I / O的支持0 V至5 V信号
水平（ 0.8 V， 1.2 V， 1.5 V， 1.8 V ， 2.5 V ， 3.3 V ，
5 V)
控制输入可以通过TTL驱动或
5 -V / 3.3 V CMOS输出
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
（ A114 -B ， II级）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
同时支持数字和模拟
应用范围： PCI接口，微分
信号接口，内存交错，公交车
隔离度，低失真信号选通
有关业绩的更多信息
该CB3Q家族的特征，请参考TI
申请报告，
CBT -C ， CB3T和CB3Q
信号开关系列，
文献编号SCDA008 。
DGG ， DGV ，或DL包装
（ TOP VIEW ）
NC
1A1
1A2
1A3
1A4
1A5
1A6
GND
1A7
1A8
1A9
1A10
1A11
1A12
2A1
2A2
V
CC
2A3
GND
2A4
2A5
2A6
2A7
2A8
2A9
2A10
2A11
2A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
1OE
2OE
1B1
1B2
1B3
1B4
1B5
GND
1B6
1B7
1B8
1B9
1B10
1B11
1B12
2B1
2B2
2B3
GND
2B4
2B5
2B6
2B7
2B8
2B9
2B10
2B11
2B12
NC - 无内部连接
D
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
Widebus是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2004年，德州仪器
根据保密协议（ NDA ）仅适用于
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1
SCDS167 - 2004年5月
SN74CB3Q16211
24位转换器
2.5 V / 3.3 V低电压FET总线开关
描述/订购信息
该SN74CB3Q16211是利用电荷泵提升栅极电压高带宽总线的FET开关
导通晶体管，从而提供一个低而平坦的导通电阻体（r
on
） 。低而平坦的导通电阻
能达到最小的传播延迟，并支持轨到轨上的数据输入/输出（I / O）端口的切换。该
器件还具有低数据I / O电容，以减少电容性负载和对数据信号失真
总线。专门设计用于支持高带宽应用时， SN74CB3Q16211提供优化
接口解决方案，非常适合于宽带通信，网络和数据密集型计算
系统。
该SN74CB3Q16211被组织成两个12位总线与独立的输出使能（ 10E， 2OE ）输入开关。
它可以用作两个12位总线开关或为一个24位总线开关。当OE为低电平时，相关联的12位
总线开关为ON和A端口被连接到B端口，并允许端口之间的双向数据流。当
OE为高电平时，相关联的12位总线开关为OFF，并且在A和B之间存在着一个高阻抗状态
端口。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路防止损坏
通过该装置的电流逆流时被断电。
为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
订购信息
TA
包装
管
SSOP - DL
40 C 85°C
-40 ° C至85 C
TSSOP - DGG
TVSOP - DGV
VFBGA - GQL
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74CB3Q16211DL
SN74CB3Q16211DLR
SN74CB3Q16211DGGR
SN74CB3Q16211DGVR
SN74CB3Q16211GQLR
CB3Q16211
CB3Q16211
BW211
TOP- SIDE
记号
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计准则
可在www.ti.com/sc/package 。
GQL包装
（ TOP VIEW ）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
2
3
4
5
6
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
端子分配
1
1A2
1A5
1A7
1A10
1A12
2A1
VCC
2A4
2A7
2A10
2
1A1
1A4
GND
1A8
1A11
2A2
GND
2A5
2A8
2A11
2A3
2A6
2A9
2A12
2B3
2B6
2B9
2B12
3
NC
1A3
1A6
1A9
4
1OE
1B2
1B5
1B8
5
2OE
1B3
GND
1B7
1B10
2B1
GND
2B5
2B8
2B11
6
1B1
1B4
1B6
1B9
1B11
1B12
2B2
2B4
2B7
2B10
NC - 无内部连接
2
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SN74CB3Q16211
24位转换器
2.5 V / 3.3 V低电压FET总线开关
SCDS167 - 2004年5月
功能表
（每个12位总线开关）
输入
OE
L
H
输入/输出
A
B
Z
功能
一个端口= B口
断开
逻辑图（正逻辑）
2
1A1
SW
54
1B1
14
1A12
SW
42
1B12
56
1OE
15
2A1
SW
41
2B1
28
2A12
SW
29
2B12
55
2OE
显示引脚数都为DGG ， DGV ，和DL包。
简化原理图，各FET开关（ SW）的
A
VCC
B
收费
泵
EN
EN为施加在开关内部的使能信号。
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SN74CB3Q16211
24位转换器
2.5 V / 3.3 V低电压FET总线开关
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
CC
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
控制输入电压范围，V
IN
（见注1和2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
开关I / O电压范围，V
I / O
（见注1 ，2和3）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
控制输入钳位电流，I
IK
(V
IN
< 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
I / O端口钳位电流，I
I / OK
(V
I / O
< 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
通态电流开关，我
I / O
（见注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±64
mA
连续电流通过V
CC
或GND端子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±100
mA
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注5 ） ： DGG包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64 ° C / W
DGV包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48 ° C / W
DL包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 56 ° C / W
GQL包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42 ° C / W
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注： 1.所有电压是相对于地面，除非另有说明。
2.如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
3. VI和VO是用来表示特定的条件VI / O 。
4， II和IO用来表示特定的条件II / O 。
5.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件（见注3 ）
民
VCC
VIH
VIL
VI / O
TA
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
数据输入/输出电压
工作自由空气的温度
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
2.3
1.7
2
0
0
0
40
最大
3.6
5.5
5.5
0.7
0.8
5.5
85
V
V
°C
V
单位
V
注6 ：设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
4
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SN74CB3Q16211
24位转换器
2.5 V / 3.3 V低电压FET总线开关
SCDS167 - 2004年5月
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明）
参数
VIK
IIN
IOZ§
IOFF
ICC
I
CC§
ICCD
CIN
控制输入
每个控制
输入
控制输入
控制输入
VCC = 3.6 V ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 0 ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 3.3 V ，
VCC = 3.3 V ，
VCC = 3.3 V ，
VCC = 2.3 V ，
典型值在VCC = 2.5 V
VCC = 3 V
测试条件
II = -18毫安
VIN = 0 5.5 V
VO = 0 5.5 V ，
VI = 0 ，
VO = 0 5.5 V ，
II / O = 0 ，
打开或关闭，
一个输入为3 V ，
关闭，
VIN = VCC或GND
VI = 0
VIN = VCC或GND
在VCC和GND的其他投入
0.15
3.5
4
10
5
5
5
5
1
民
TYP
最大
1.8
±1
±1
1
3
30
0.25
5
5
12.5
8
9
6.5
8
单位
V
A
A
A
mA
A
毫安/
兆赫
pF
pF
pF
A和B端口开放，
控制输入，50 ％占空比开关
VIN = 5.5 V ， 3.3 V或0
关闭，
VI / O = 5.5 V ， 3.3 V或0
VIN = VCC和GND ，
开机，
VIN = VCC和GND ，
VI = 0 ，
VI = 1.7 V ，
VI = 0 ，
VI = 2.4 V ，
VI / O = 5.5 V ， 3.3 V或0
IO = 30毫安
IO = -15毫安
IO = 30毫安
IO = -15毫安
首席信息官（关）
CIO （ ON）
罗恩＃
注7 ： VIN和IIN是指控制输入。 VI ，VO ，II和IO参阅数据引脚。
所有典型值是在VCC = 3.3 V （除非另有说明） ， TA = 25 ℃。
§有关的I / O端口，该参数IOZ包括输入漏电流。
§这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的TTL电平，而不是VCC或GND 。
此参数指定与单个控制输入的工作频率相关联的动态电源电流（见图2） 。
＃测量由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。通态电阻由下式确定
两个（ A或B）端子的电压的降低。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明） （参见图3）
参数
FOE ||
tPD的
k
TEN
TDI发动机
从
（输入）
OE
A或B
OE
OE
TO
（输出）
A或B
B或A
A或B
A或B
1.5
1
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
民
最大
10
0.15
8
7.5
1.5
1
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
民
最大
20
0.25
8
7.5
兆赫
ns
ns
ns
单位
||最大开关频率控制输入（ VO
＆ GT ;
VCC ， VI = 5V ， RL
≥
1 MΩ ， CL = 0 ）
k
传播延迟是典型的通态电阻，开关和所述指定的负载电容的计算的RC时间常数，
当由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
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