SN74AUP1G98

低功耗可配置多功能门

SCES506B - 2003年11月 - 修订2004年8月

D

可以在德州仪器

D

D

D

D

D

D

D

采用NanoStar 和NanoFree 软件包

低静态功耗;

I

CC

= 0.9

A

最大

低动态功耗;

C

pd

= 4.6 pF的典型值在3.3 V

低输入电容;

i

= 1.5 pF的典型值

低噪声 - 过冲和下冲

<10%

V的

CC

I

关闭

支持部分掉电模式

手术

包括施密特触发器输入

宽工作V

CC

0.8 V至3.6 V范围

DBV OR DCK包装

（ TOP VIEW ）

D

优化的3.3 -V操作

D

3.6 V的I / O容错支持混合模式

D

D

D

D

信号操作

t

pd

= 5.3 ns（最大值） 3.3 V

适用于点对点的应用点

闭锁性能超过100mA的每

JESD 78 ， II类

ESD性能测试每JESD 22

- 2000 -V人体模型

（ A114 -B ， II级）

- 200 -V机型号（ A115 -A ）

- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）

ESD保护超过

±5000

V带

人体模型

YEP或YZP包装

（底视图）

D

B

GND

A

1

2

3

6

5

4

C

V

CC

Y

A

GND

B

3 4

2 5

1 6

Y

V

CC

C

描述/订购信息

该AUP系列是TI公司的主要解决方案业界的低功耗需求在电池供电的便携式

应用程序。这家可确保在整个V极低static-和动态功耗

CC

为0.8V到3.6V范围内，从而导致电池寿命的增加（参见图1） 。该产品还保持着良好的

信号完整性（参见很低下冲和过冲，如图2所示的特性） 。

静态功耗

(A)

100%

80%

60%

40%

20%

0%

AUP

3.3-V

逻辑

动态功耗

（PF ）

100%

80%

电压 - V

60%

40%

20%

0%

AUP

3.3-V

LVC

逻辑

开关特性

在25兆赫

3.5

3

2.5

2

1.5

1

0.5

0

0.5

0

20 25 30

时间 - NS

在CL = 15 pF的AUP1G08数据

5

10

15

35

40

45

输入

产量

单，双和三栅极

图1. AUP - 功耗最低的家庭

图2.优异的信号完整性

该SN74AUP1G98具有可配置的多种功能。输出状态由8模式确定

的3位输入。用户可以选择的逻辑功能MUX ， AND，OR ， NAND ， NOR ，逆变器和noninverter 。

所有的输入可以连接到V

CC

或GND 。

该设备的功能与施密特触发器输入一个独立的门，这让缓慢的输入转换

和更好的开关噪声免疫力的输入。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

采用NanoStar和NanoFree是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

2004年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

1

SN74AUP1G98

低功耗可配置多功能门

SCES506B - 2003年11月 - 修订2004年8月

描述/订购信息（续）

采用NanoStar 和NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破，采用了

模具作为包。

这个装置是用我的部分掉电应用完全指定

关闭

。在我

关闭

电路禁止输出，

防止有害的电流回流通过该装置，当它被断电。

订购信息

TA

包装

采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）

0.23毫米大的凸起 - YEP

-40 ° C至85°C

NanoFree - WCSP （ DSBGA ）

0.23毫米大的凸起 - YZP （无铅）

SOT （ SOT - 23 ） - DBV

SOT （ SC - 70 ） - DCK

订购

产品型号

磁带和卷轴

磁带和卷轴

磁带和卷轴

磁带和卷轴

SN74AUP1G98YEPR

TOP- SIDE

标记

_ _HR_

SN74AUP1G98YZPR

SN74AUP1G98DBVR

SN74AUP1G98DCKR

H98_

HR ？

包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在

www.ti.com/sc/package 。

DBV / DCK ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。

YEP / YZP ：实际的顶部端标记有三个前述的字符来表示年，月，和序列码，和一个

下面的字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成

（1 =锡铅，

=无铅） 。

功能表

输入

C

L

L

L

L

H

H

H

H

B

L

L

H

H

L

L

H

H

A

L

H

L

H

L

H

L

H

产量

Y

H

H

L

L

H

L

H

L

逻辑图（正逻辑）

A

3

4

B

1

Y

C

6

2

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

SN74AUP1G98

低功耗可配置多功能门

SCES506B - 2003年11月 - 修订2004年8月

功能选择表

逻辑功能

2比1的数据选择器倒置输出

2输入与非门

2输入NOR门与反相输入

2输入与门与反相输入

与一个反相输入2输入与非门

2输入或门与反相输入

2输入或非门

非反相缓冲器

逆变器

图号

3

4

5

5

6

6

7

8

9

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

3

SN74AUP1G98

低功耗可配置多功能门

SCES506B - 2003年11月 - 修订2004年8月

逻辑配置

VCC

C

B

B

A

GND

Y

A

1

2

3

6

5

4

Y

GND

C

C

A

A

Y

1

2

3

6

5

4

Y

C

VCC

图3. 2选1数据选择器

随着反向输出

当C是L，Y = B

当C为H，Y = A

VCC

C

A

1

C

A

GND

2

Y

A

3

6

5

4

Y

C

C

B

Y

C

B

图4. 2输入与非门

VCC

Y

B

Y

1

2

3

6

5

4

Y

C

GND

图5. 2输入或非门

随着一个反相输入

2输入与门与反相输入

VCC

图6. 2输入与非门

随着一个反相输入

2输入或门与反相输入

VCC

C

B

Y

B

1

2

3

6

5

4

C

Y

C

Y

1

2

3

6

5

4

C

Y

GND

GND

图7. 2输入或非门

图8.非反相缓冲器

VCC

B

Y

B

1

2

3

6

5

4

Y

GND

图9.变频器

4

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

SN74AUP1G98

低功耗可配置多功能门

SCES506B - 2003年11月 - 修订2004年8月

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压范围，V

CC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V

输入电压范围，V

I

（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V

电压范围应用于任何输出的高阻抗或断电状态下，V

O

（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V

在高或低的状态下，V输出电压范围

O

（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V

CC

+ 0.5 V

输入钳位电流，I

IK

(V

I

＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安

输出钳位电流，I

OK

(V

O

＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安

连续输出电流，I

O

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±20

mA

连续电流通过V

CC

或GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

±50

mA

封装的热阻抗，

θ

JA

（见注2 ） ： DBV封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 165 ° C / W

DCK包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 259 ° C / W

YEP / YZP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 123 ° C / W

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注释：1.输入负电压和输出电压额定值，可能会超过如果输入和输出电流额定值观察。

2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

推荐工作条件（见注3 ）

民

VCC

VI

VO

电源电压

输入电压

输出电压

VCC - 0.8 V

VCC = 1.1 V

IOH

高电平输出电流

VCC = 1.4 V

VCC = 1.65

VCC = 2.3 V

VCC = 3 V

VCC - 0.8 V

VCC = 1.1 V

IOL

低电平输出电流

VCC = 1.4 V

VCC = 1.65 V

VCC = 2.3 V

VCC = 3 V

ΔT/ ΔV

输入过渡上升或下降速率

VCC = 0.8 V至3.6 V

0.8

0

0

最大

3.6

3.6

VCC

20

1.1

1.7

1.9

3.1

4

20

1.1

1.7

1.9

3.1

4

200

NS / V

mA

A

mA

单位

V

V

V

A

TA

工作自由空气的温度

40

85

°C

注3 ：该设备的所有未使用的输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，

慢或浮动CMOS输入的影响，

文献编号SCBA004 。

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

5