SN74AUP1G58
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SCES504J - 2003年11月 - 修订2010年3月
低功耗可配置的多功能的门
检查样品：
SN74AUP1G58
1
特点
可以在德州仪器采用NanoStar
套餐
低静态功耗
(I
CC
= 0.9
mA
MAX ）
低动态功耗
(C
pd
= 4.6 pF的典型值在3.3 V ）
低输入电容（C
i
= 1.5 pF的典型值）
低噪声 - 过冲和下冲<10 ％
V的
CC
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
包括施密特触发器输入
DBV包装
（ TOP VIEW ）
宽工作V
CC
0.8 V至3.6 V范围
优化的3.3 -V操作
3.6 V的I / O容错支持混合模式
信号操作
t
pd
= 5.5 ns（最大值） 3.3 V
适用于点对点的应用点
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
（ A114 -B ， II级）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
DRL包装
（ TOP VIEW ）
DCK包装
（ TOP VIEW ）
ln1
GND
ln0
1
2
3
6
5
4
ln2
V
CC
Y
ln1
GND
ln0
1
2
3
6
5
4
ln2
V
CC
Y
ln1
GND
ln0
1
2
3
6
5
4
ln2
V
CC
Y
干包装
（ TOP VIEW ）
DSF包
（ TOP VIEW ）
YFP套餐
（ TOP VIEW ）
YZP包装
（ TOP VIEW ）
In1
GND
1
2
3
6
In2
V
CC
Y
In1
GND
In0
1
2
3
6
5
4
In2
V
CC
Y
5
4
In0
In1
GND
In0
A1
B1
C1
1
2
3
6
A2
5
B2
4
C2
In2
V
CC
Y
In1
GND
In0
A1
B1
C1
1
2
3
6
A2
5
B2
4
C2
In2
V
CC
Y
请参见机械图纸尺寸。
描述/订购信息
该AUP系列是TI公司的主要解决方案业界的低功耗需求在电池供电的便携式
应用程序。这个家族确保了整个V很低的静态和动态功耗
CC
范围
为0.8V到3.6V ，从而导致电池寿命的增加。该产品还保持优异的信号完整性，
产生非常低的下冲和过冲的特性。
该SN74AUP1G58具有可配置的多种功能。输出状态由8模式的确定
3位输入。用户可以选择的逻辑功能AND，OR ， NAND ， NOR ， XNOR ，逆变器和noninverter 。所有
输入可连接到V
CC
或GND 。
该设备的功能与施密特触发器输入一个独立的门，这让缓慢的输入和转换
更好的开关噪声抑制能力的投入。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2003-2010 ，德州仪器
SN74AUP1G58
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采用NanoStar 封装技术是IC封装概念的重大突破，采用了模为
封装。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出，
防止有害的电流回流通过该装置，当它被断电。
订购信息
(1)
T
A
包
(2)
采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YFP （无铅）
采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YZP （无铅）
-40 ° C至85°C
QFN - 干
UQFN - DSF
SOT （ SOT - 23 ） - DBV
SOT （ SC - 70 ） - DCK
SOT （ SOT - 553 ） - DRL
(1)
(2)
(3)
3000卷
3000卷
5000卷
5000卷
3000卷
3000卷
4000卷
订购型号
SN74AUP1G58YFPR
SN74AUP1G58YZPR
SN74AUP1G58DRYR
SN74AUP1G58DSFR
SN74AUP1G58DBVR
SN74AUP1G58DCKR
SN74AUP1G58DRLR
TOP- SIDE
记号
(3)
_ _HJ_
_ _HJ_
HJ
HJ
H58_
HJ “
HJ “
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
DBV / DCK / DRL ：实际的顶部端标记有一个指定的晶圆制造/装配现场一个额外的字符。
YFP / YZP ：实际的顶端标记有以下三个在先字符来表示年，月，和序列码，和一个
字符来指定晶圆厂/装配现场。引脚1标识符表示焊料凸点组成（ 1 =锡铅， =无铅） 。
功能表
输入
In2
L
L
L
L
H
H
H
H
In1
L
L
H
H
L
L
H
H
In0
L
H
L
H
L
H
L
H
产量
Y
L
H
L
H
H
H
L
L
逻辑图（正逻辑）
In0
3
4
In1
1
Y
In2
6
2
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功能选择表
逻辑功能
2 ，输入带反向输入
2输入与非
二输入NAND与反相两个输入
2输入或
2输入或用反相两个输入
2输入NOR与反相输入
2-输入异或
图号
2, 3
1
4
4
1
2, 3
5
逻辑配置
V
CC
A
B
A
B
Y
A
Y
1
2
3
6
5
4
Y
B
A
B
Y
A
B
Y
A
1
2
3
6
5
4
Y
B
V
CC
图1. 2输入与非门
V
CC
图2. 2输入与门倒置A输入
V
CC
A
Y
1
A
Y
B
2
Y
A
3
6
5
4
Y
B
A
B
Y
1
6
5
4
B
B
A
B
2
Y
A
3
图3. 2输入与门倒置B输入
图4. 2输入或门
V
CC
A
Y
B
A
1
2
3
6
5
4
B
Y
图5. 2输入异或门
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3
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
I
V
O
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压范围
输入电压范围
(2)
(2)
最大
4.6
4.6
4.6
V
CC
+ 0.5
–50
–50
±20
±50
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
–0.5
–0.5
–0.5
–0.5
V
I
＆ LT ; 0
V
O
＆ LT ; 0
电压范围应用于任何输出的高阻抗或电源关断状态
在高或低的状态，输出电压范围
(2)
输入钳位电流
输出钳位电流
连续输出电流
连续电流通过V
CC
或GND
DBV包装
DCK包装
DRL包装
DSF包
干包装
YFP / YZP包
165
259
142
300
234
123
–65
150
°C
° C / W
q
JA
封装的热阻抗
(3)
T
英镑
(1)
(2)
(3)
存储温度范围
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
如果输入和输出电流额定值是观察到的输入负电压和输出电压额定值可能被超过。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
I
V
O
电源电压
输入电压
输出电压
V
CC
= 0.8 V
V
CC
= 1.1 V
I
OH
高电平输出电流
V
CC
= 1.4 V
V
CC
= 1.65
V
CC
= 2.3 V
V
CC
= 3 V
V
CC
= 0.8 V
V
CC
= 1.1 V
I
OL
低电平输出电流
V
CC
= 1.4 V
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
V
CC
= 3 V
T
A
(1)
工作自由空气的温度
–40
0.8
0
0
最大
3.6
3.6
V
CC
–20
–1.1
–1.7
–1.9
–3.1
–4
20
1.1
1.7
1.9
3.1
4
85
°C
mA
mA
mA
单位
V
V
V
mA
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入，文献编号SCBA004的影响。
4
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电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）
Parmeter
V
T+
测试条件
V
CC
0.8 V
1.1 V
正向
输入阈值
电压
1.4 V
1.65 V
2.3 V
3V
V
T–
0.8 V
1.1 V
负向
输入阈值
电压
1.4 V
1.65 V
2.3 V
3V
ΔV
T
0.8 V
1.1 V
1.4 V
迟滞
(V
T+
– V
T–
)
1.65 V
2.3 V
3V
I
OH
= –20
mA
I
OH
= -1.1毫安
I
OH
= -1.7毫安
V
OH
I
OH
= -1.9毫安
I
OH
= -2.3毫安
I
OH
= -3.1毫安
I
OH
= -2.7毫安
I
OH
= -4毫安
I
OL
= 20
mA
I
OL
= 1.1毫安
I
OL
= 1.7毫安
V
OL
I
OL
= 1.9毫安
I
OL
= 2.3毫安
I
OL
= 3.1毫安
I
OL
= 2.7毫安
I
OL
= 4毫安
I
I
I
关闭
ΔI
关闭
I
CC
ΔI
CC
C
i
C
o
(1)
所有的输入
V
I
= GND至3.6 V
V
I
或V
O
= 0 V至3.6 V
V
I
或V
O
= 0 V至3.6 V
V
I
= GND或（V
CC
至3.6 V ） ，
I
O
= 0
V
I
= V
CC
– 0.6 V
(1)
,
I
O
= 0
V
I
= V
CC
或GND
V
O
= GND
0.8 V至3.6 V
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
3V
0.8 V至3.6 V
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
3V
0 V至3.6 V
0V
0 V至0.2 V
0.8 V至3.6 V
3.3 V
0V
3.6 V
0V
1.5
1.5
3
T
A
= 25°C
民
0.3
0.53
0.74
0.91
1.37
1.88
0.1
0.26
0.39
0.47
0.69
0.88
0.07
0.08
0.18
0.27
0.53
0.79
V
CC
– 0.1
0.75 × V
CC
1.11
1.32
2.05
1.9
2.72
2.6
0.1
0.3 × V
CC
0.31
0.31
0.31
0.44
0.31
0.44
0.1
0.2
0.2
0.5
40
典型值
最大
0.6
0.9
1.11
1.29
1.77
2.29
0.6
0.65
0.75
0.84
1.04
1.24
0.5
0.46
0.56
0.66
0.92
1.31
T
A
= -40 ° C至85°C
民
0.3
0.53
0.74
0.91
1.37
1.88
0.1
0.26
0.39
0.47
0.69
0.88
0.07
0.08
0.18
0.27
0.53
0.79
V
CC
– 0.1
0.7 × V
CC
1.03
1.3
1.97
1.85
2.67
2.55
0.1
0.3 × V
CC
0.37
0.35
0.33
0.45
0.33
0.45
0.5
0.6
0.6
0.9
50
mA
mA
mA
mA
mA
pF
pF
V
V
最大
0.6
0.9
1.11
1.29
1.77
2.29
0.6
0.65
0.75
0.84
1.04
1.24
0.5
0.46
0.56
0.66
0.92
1.31
V
V
V
单位
一个输入在V
CC
- 0.6 V，在V其他投入
CC
或GND 。
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低功耗可配置的多功能的门
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1
特点
3.6 V的I / O容错支持混合模式
信号操作
t
pd
= 5.5 ns（最大值） 3.3 V
适用于点对点的应用点
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
（ A114 -B ， II级）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
ESD保护超过± 5000 V带
人体模型
可以在德州仪器NanoFree
套餐
低静态功耗
(I
CC
= 0.9
A
MAX ）
低动态功耗
(C
pd
= 4.6 pF的典型值在3.3 V ）
低输入电容（C
i
= 1.5 pF的典型值）
低噪声 - 过冲和下冲<10 ％
V的
CC
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
包括施密特触发器输入
宽工作V
CC
0.8 V至3.6 V范围
优化的3.3 -V操作
2
ln1
GND
ln0
干包装
（ TOP VIEW ）
ln2
V
CC
Y
ln1
GND
ln0
ln2
V
CC
Y
ln1
GND
ln0
ln2
V
CC
Y
YZP或YZT包装
（底视图）
YFP套餐
（底视图）
ln1
GND
1
2
6
I
V
5
E
3
4
ln0
PR
ln2
W
E
Y
ln0
GND
ln1
V
CC
Y
V
CC
ln2
ln0
Y
W
IE
V
CC
GND
V
ln1
E
ln2
R
P
请参见机械图纸尺寸。
描述/订购信息
该AUP系列是TI公司的主要解决方案业界的低功耗需求在电池供电的便携式
应用程序。这个家族确保了整个V很低的静态和动态功耗
CC
范围
为0.8V到3.6V ，从而导致电池寿命的增加。该产品还保持优异的信号完整性，
产生非常低的下冲和过冲的特性。
该SN74AUP1G58具有可配置的多种功能。输出状态由8模式的确定
3位输入。用户可以选择的逻辑功能AND，OR ， NAND ， NOR ， XNOR ，逆变器和noninverter 。所有
输入可连接到V
CC
或GND 。
该设备的功能与施密特触发器输入一个独立的门，这让缓慢的输入和转换
更好的开关噪声抑制能力的投入。
NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破，采用了模为
封装。
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
NanoFree是德州仪器的商标。
版权所有 2003-2007 ，德州仪器
除非另有说明这个文件包含
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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描述/订购信息
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出，
防止有害的电流回流通过该装置，当它被断电。
订购信息
T
A
包
(1) (2)
NanoFree - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YFP （无铅）
NanoFree - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YZP （无铅）
-40 ° C至85°C
NanoFree - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YZT （无铅）
SON - 干
SOT （ SOT - 23 ） - DBV
SOT （ SC - 70 ） - DCK
SOT （ SOT - 553 ） - DRL
(1)
(2)
(3)
3000卷
3000卷
3000卷
5000卷
3000卷
3000卷
4000卷
订购型号
SN74AUP1G58YFPR
SN74AUP1G58YZPR
SN74AUP1G58YZTR
SN74AUP1G58DRYR
SN74AUP1G58DBVR
SN74AUP1G58DCKR
SN74AUP1G58DRLR
顶部端标记
(3)
预览
_ _HJ_
_ _HJ_
预览
H58_
HJ “
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
DBV / DCK / DRL /干：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
YFP / YZP / YZT ：实际的顶部端标记有三个前述的字符来表示年，月，和序列码，和一个
下面的字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成（ 1 =锡铅， =无铅） 。
功能表
输入
In2
L
L
L
L
H
H
H
H
In1
L
L
H
H
L
L
H
H
In0
L
H
L
H
L
H
L
H
产量
Y
L
H
L
H
H
H
L
L
逻辑图（正逻辑）
In0
3
4
In1
1
Y
In2
6
2
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功能选择表
逻辑功能
2 ，输入带反向输入
2输入与非
二输入NAND与反相两个输入
2输入或
2输入或用反相两个输入
2输入NOR与反相输入
2-输入异或
图号
2, 3
1
4
4
1
2, 3
5
逻辑配置
V
CC
A
B
A
B
Y
A
Y
1
2
3
6
5
4
Y
B
图1. 2输入与非门
V
CC
A
B
A
B
Y
A
Y
1
2
3
6
5
4
Y
B
图2. 2输入与门倒置A输入
V
CC
A
B
1
A
B
2
Y
A
3
6
5
4
Y
B
Y
图3. 2输入与门倒置B输入
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V
CC
A
B
1
A
B
2
Y
A
3
6
5
4
Y
B
Y
图4. 2输入或门
V
CC
A
Y
B
A
1
2
3
6
5
4
B
Y
图5. 2输入异或门
4
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
I
V
O
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压范围
输入电压范围
(2)
电压范围应用于任何输出的高阻抗或电源关断状态
在高或低的状态，输出电压范围
输入钳位电流
输出钳位电流
连续输出电流
连续电流通过V
CC
或GND
DBV包装
DCK包装
θ
JA
封装的热阻抗
(3)
(2)
(2)
最大
4.6
4.6
4.6
V
CC
+ 0.5
–50
–50
±20
±50
165
259
142
234
123
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
–0.5
–0.5
–0.5
–0.5
V
I
＆ LT ; 0
V
O
＆ LT ; 0
DRL包装
干包装
YFP / YZP / YZT包
° C / W
T
英镑
(1)
(2)
(3)
存储温度范围
–65
150
°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
如果输入和输出电流额定值是观察到的输入负电压和输出电压额定值可能被超过。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
I
V
O
电源电压
输入电压
输出电压
V
CC
= 0.8 V
V
CC
= 1.1 V
I
OH
高电平输出电流
V
CC
= 1.4 V
V
CC
= 1.65
V
CC
= 2.3 V
V
CC
= 3 V
V
CC
= 0.8 V
V
CC
= 1.1 V
I
OL
低电平输出电流
V
CC
= 1.4 V
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
V
CC
= 3 V
T
A
(1)
工作自由空气的温度
–40
0.8
0
0
最大
3.6
3.6
V
CC
–20
–1.1
–1.7
–1.9
–3.1
–4
20
1.1
1.7
1.9
3.1
4
85
°C
mA
A
mA
单位
V
V
V
A
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
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SN74AUP1G58
5
SN74AUP1G58
低功耗可配置的多功能的门
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SCES504D - 2003年11月 - 修订2005年6月
特点
可以在德州仪器
采用NanoStar 和NanoFree 软件包
低静态功耗
(I
CC
= 0.9
A
MAX ）
低动态功耗
(C
pd
= 4.6 pF的典型值在3.3 V ）
低输入电容（C
i
= 1.5 pF的典型值）
低噪声 - 过冲和下冲<10 ％
V的
CC
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
包括施密特触发器输入
宽工作V
CC
0.8 V至3.6 V范围
DBV包装
（ TOP VIEW ）
DCK包装
（ TOP VIEW ）
优化的3.3 -V操作
3.6 V的I / O容错支持混合模式
信号操作
t
pd
= 5.5 ns（最大值） 3.3 V
适用于点对点的应用点
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
（ A114 -B ， II级）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
ESD保护超过± 5000 V带
人体模型
DRL包装
（ TOP VIEW ）
YEP或YZP包装
（底视图）
In1
GND
In0
1
6
In2
V
CC
Y
In1
GND
1
2
3
6
5
4
In2
V
CC
Y
In1
GND
In0
1
2
3
6
5
4
In2
V
CC
Y
In0
GND
In1
3 4
2 5
1 6
Y
V
CC
In2
2
5
In0
3
4
请参见机械图纸尺寸。
描述/订购信息
该AUP系列是TI公司的主要解决方案业界的低功耗需求在电池供电的便携式
应用程序。这个家族确保了整个V很低的静态和动态功耗
CC
范围
为0.8V到3.6V ，从而导致电池寿命的增加。该产品还保持优异的信号完整性，
产生非常低的下冲和过冲的特性。
订购信息
T
A
包
(1)
采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YEP
-40 ° C至85°C
NanoFree - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YZP （无铅）
SOT （ SOT - 23 ） - DBV
SOT （ SC - 70 ） - DCK
SOT （ SOT - 553 ） - DRL
(1)
(2)
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
4000卷
订购型号
SN74AUP1G58YEPR
_ _HJ_
SN74AUP1G58YZPR
SN74AUP1G58DBVR
SN74AUP1G58DCKR
SN74AUP1G58DRLR
H58_
HJ “
顶部端标记
(2)
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DBV / DCK / DRL ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
YEP / YZP ：实际的顶端标记有以下三个在先字符来表示年，月，和序列码，和一个
字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成（ 1 =锡铅，
=无铅） 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
采用NanoStar ， NanoFree是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2003-2005 ，德州仪器
SN74AUP1G58
低功耗可配置的多功能的门
SCES504D - 2003年11月 - 修订2005年6月
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描述/订购信息（续）
该SN74AUP1G58具有可配置的多种功能。输出状态由8模式的确定
3位输入。用户可以选择的逻辑功能AND，OR ， NAND ， NOR ， XNOR ，逆变器和noninverter 。所有
输入可连接到V
CC
或GND 。
该设备的功能与施密特触发器输入一个独立的门，这让缓慢的输入和转换
更好的开关噪声抑制能力的投入。
采用NanoStar 和NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破，采用了
模具作为包。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出，
防止有害的电流回流通过该装置，当它被断电。
功能表
输入
In2
L
L
L
L
H
H
H
H
In1
L
L
H
H
L
L
H
H
In0
L
H
L
H
L
H
L
H
产量
Y
L
H
L
H
H
H
L
L
逻辑图（正逻辑）
In0
3
4
In1
1
Y
In2
6
2
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SN74AUP1G58
低功耗可配置的多功能的门
SCES504D - 2003年11月 - 修订2005年6月
功能选择表
逻辑功能
2 ，输入带反向输入
2输入与非
二输入NAND与反相两个输入
2输入或
2输入或用反相两个输入
2输入NOR与反相输入
2-输入异或
图号
2, 3
1
4
4
1
2, 3
5
逻辑配置
V
CC
A
B
A
B
Y
A
Y
1
2
3
6
5
4
Y
B
图1. 2输入与非门
V
CC
A
B
A
B
Y
A
Y
1
2
3
6
5
4
Y
B
图2. 2输入与门倒置A输入
V
CC
A
B
1
A
B
2
Y
A
3
6
5
4
Y
B
Y
图3. 2输入与门倒置B输入
3
SN74AUP1G58
低功耗可配置的多功能的门
SCES504D - 2003年11月 - 修订2005年6月
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V
CC
A
B
1
A
B
2
Y
A
3
6
5
4
Y
B
Y
图4. 2输入或门
V
CC
A
Y
B
A
1
2
3
6
5
4
B
Y
图5. 2输入异或门
4
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SN74AUP1G58
低功耗可配置的多功能的门
SCES504D - 2003年11月 - 修订2005年6月
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
I
V
O
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压范围
输入电压范围
(2)
电压范围应用于任何输出的高阻抗或电源关断状态
(2)
在高或低的输出电压范围
输入钳位电流
输出钳位电流
连续输出电流
连续电流通过V
CC
或GND
DBV包装
θ
JA
封装的热阻抗
(3)
DCK包装
DRL包装
YEP / YZP包
T
英镑
(1)
(2)
(3)
存储温度范围
–65
状态
(2)
V
I
＆ LT ; 0
V
O
＆ LT ; 0
–0.5
–0.5
–0.5
–0.5
最大
4.6
4.6
4.6
V
CC
+ 0.5
–50
–50
±20
±50
165
259
142
123
150
°C
° C / W
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
如果输入和输出电流额定值是观察到的输入负电压和输出电压额定值可能被超过。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
I
V
O
电源电压
输入电压
输出电压
V
CC
= 0.8 V
V
CC
= 1.1 V
I
OH
高电平输出电流
V
CC
= 1.4 V
V
CC
= 1.65
V
CC
= 2.3 V
V
CC
= 3 V
V
CC
= 0.8 V
V
CC
= 1.1 V
I
OL
低电平输出电流
V
CC
= 1.4 V
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
V
CC
= 3 V
ΔT/ ΔV
T
A
(1)
输入过渡上升或下降速率
工作自由空气的温度
V
CC
= 0.8 V至3.6 V
–40
0.8
0
0
最大
3.6
3.6
V
CC
–20
–1.1
–1.7
–1.9
–3.1
–4
20
1.1
1.7
1.9
3.1
4
200
85
NS / V
°C
mA
A
mA
单位
V
V
V
A
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
5
QQ：2880707522 复制
