SN74AUP1G32

www.ti.com

SCES580F - 2004年6月 - 修订2010年3月

低功耗单路2输入正或门

检查样品：

SN74AUP1G32

1

特点

可以在德州仪器采用NanoStar

包

低静态功耗

(I

CC

= 0.9

mA

MAX ）

低动态功耗

(C

pd

= 4.3 pF的典型值在3.3 V ）

低输入电容（C

I

= 1.5 pF的典型值）

低噪声 - 过冲和下冲

第五<10 ％

CC

I

关闭

支持部分掉电模式

手术

输入迟滞允许慢速输入转换

和更好的开关噪声抗扰性的

输入（V

HYS

= 250 mV的典型值在3.3 V ）

DBV包装

（ TOP VIEW ）

宽工作V

CC

0.8 V至3.6 V范围

优化的3.3 -V操作

3.6 V的I / O容错支持混合模式

信号操作

t

pd

= 4.6 ns（最大值） 3.3 V

适用于点对点的应用点

闭锁性能超过100mA的每

JESD 78 ， II类

ESD性能测试每JESD 22

- 2000 -V人体模型

（ A114 -B ， II级）

- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）

DCK包装

（ TOP VIEW ）

DRL包装

（ TOP VIEW ）

A

B

GND

1

5

V

CC

A

B

1

2

3

5

V

CC

A

B

GND

1

2

3

5

V

CC

Y

2

4

GND

4

4

Y

3

Y

DSF包

（ TOP VIEW ）

YZP包装

（ TOP VIEW ）

YFP套餐

（ TOP VIEW ）

干包装

（ TOP VIEW ）

A

B

1

2

3

6

V

CC

北卡罗来纳州

Y

A

B

GND

1

2

3

6

5

4

V

CC

北卡罗来纳州

Y

5

4

A

B

GND

A1

B1

C1

1

2

3

5

A2

V

CC

Y

4

C2

A

B

GND

A1

B1

C1

1

2

3

6

A2

5

B2

4

C2

V

CC

DNU

Y

GND

DNU =不使用

NC - 无内部连接

请参见机械图纸尺寸。

描述/订购信息

该AUP系列是TI公司的主要解决方案业界的低功耗需求在电池供电的便携式

应用程序。这个家族确保了整个V很低的静态和动态功耗

CC

范围

为0.8V到3.6V ，从而增加电池寿命。该产品还保持优异的信号完整性（见

图1

和

图2）。

这种单2输入正或门执行布尔函数

Y

+

A

)

B或Y

+

A

B

在正逻辑。

采用NanoStar 封装技术是IC封装概念的重大突破，采用了模为

封装。

1

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用

仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

版权所有2004-2010 ，德州仪器

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这个装置是用我的部分掉电应用完全指定

关闭

。在我

关闭

电路禁止输出，

防止有害的电流回流通过该装置，当它被断电。

静态功耗

(A)

100%

80%

60%

40%

20%

0%

AUP

3.3-V

逻辑

动态功耗

（PF ）

100%

80%

电压 - V

60%

40%

20%

0%

AUP

3.3-V

LVC

逻辑

开关特性

在25 MHz的

3.5

3

2.5

2

1.5

1

0.5

0

0.5

输入

产量

0

5

10

15

单，双和三栅极

20 25 30

时间 - NS

35

40

45

位于C AUP1G08数据= 15 pF的

L

图1. AUP -功耗最低的家庭

图2.优异的信号完整性

订购信息

(1)

T

A

包

(2)

采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）

0.23毫米大的凸起 - YFP

（无铅）

采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）

0.23毫米大的凸起 - YZP

（无铅）

QFN - 干

-40 ° C至85°C

UQFN - DSF

SOT （ SOT - 23 ） - DBV

SOT （ SC - 70 ） - DCK

SOT （ SOT - 553 ） - DRL

(1)

(2)

(3)

3000卷

订购型号

SN74AUP1G32YFPR

顶部端标记

(3)

_ _HG_

3000卷

5000卷

5000卷

3000卷

250的卷轴

3000卷

250的卷轴

4000卷

SN74AUP1G32YZPR

SN74AUP1G32DRYR

SN74AUP1G32DSFR

SN74AUP1G32DBVR

SN74AUP1G32DBVT

SN74AUP1G32DCKR

SN74AUP1G32DCKT

SN74AUP1G32DRLR

_ _HG_

HG

HG

H32_

● HG

● HG

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI

网站：

www.ti.com 。

包装图纸，热数据和符号可在

www.ti.com/packaging 。

DBV / DCK / DRL ：实际的顶部端标记有一个指定的晶圆制造/装配现场一个额外的字符。

YFP / YZP ：实际的顶端标记有以下三个在先字符来表示年，月，和序列码，和一个

字符来指定晶圆厂/装配现场。引脚1标识符表示焊料凸点组成（ 1 =锡铅， =无铅） 。

功能表

输入

A

L

L

H

H

B

L

H

L

H

产量

Y

L

H

H

H

逻辑图（正逻辑）

A

B

1

2

4

Y

2

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绝对最大额定值

(1)

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

民

V

CC

V

I

V

O

V

O

I

IK

I

OK

I

O

电源电压范围

输入电压范围

(2)

(2)

最大

4.6

4.6

4.6

V

CC

+ 0.5

–50

–50

±20

±50

单位

V

V

V

V

mA

mA

mA

mA

–0.5

–0.5

–0.5

–0.5

电压范围应用于任何输出的高阻抗或电源关断状态

电压范围应用于任何输出的高或低的状态

(2)

输入钳位电流

输出钳位电流

连续输出电流

连续电流通过V

CC

或GND

DBV包装

DCK包装

DRL包装

V

I

＆ LT ; 0

V

O

＆ LT ; 0

206

252

142

300

234

132

132

–65

150

°C

° C / W

q

JA

封装的热阻抗

(3)

DSF包

干包装

YFP套餐

YZP包装

T

英镑

(1)

(2)

(3)

存储温度范围

超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值

只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作

conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。

封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

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推荐工作条件

(1)

民

V

CC

电源电压

V

CC

= 0.8 V

V

IH

高电平输入电压

V

CC

= 1.1 V至1.95 V

V

CC

= 2.3 V至2.7 V

V

CC

= 3 V至3.6 V

V

CC

= 0.8 V

V

IL

低电平输入电压

V

CC

= 1.1 V至1.95 V

V

CC

= 2.3 V至2.7 V

V

CC

= 3 V至3.6 V

V

I

V

O

输入电压

输出电压

V

CC

= 0.8 V

V

CC

= 1.1 V

I

OH

高电平输出电流

V

CC

= 1.4 V

V

CC

= 1.65 V

V

CC

= 2.3 V

V

CC

= 3 V

V

CC

= 0.8 V

V

CC

= 1.1 V

I

OL

低电平输出电流

V

CC

= 1.4 V

V

CC

= 1.65 V

V

CC

= 2.3 V

V

CC

= 3 V

ΔT/ ΔV

T

A

(1)

输入过渡上升或下降速率

工作自由空气的温度

V

CC

= 0.8 V至1.95 V

–40

0

0

0.8

V

CC

0.65 × V

CC

1.6

2

0

0.35 × V

CC

0.7

0.9

3.6

V

CC

–20

–1.1

–1.7

–1.9

–3.1

–4

20

1.1

1.7

1.9

3.1

4

200

85

NS / V

°C

mA

mA

mA

V

V

mA

V

V

最大

3.6

单位

V

该设备的所有未使用的输入必须在V举行

CC

或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，

慢或浮动CMOS输入的影响，

文献编号SCBA004 。

4

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电气特性

在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）

参数

测试条件

I

OH

= –20

mA

I

OH

= -1.1毫安

I

OH

= -1.7毫安

V

OH

I

OH

= -1.9毫安

I

OH

= -2.3毫安

I

OH

= -3.1毫安

I

OH

= -2.7毫安

I

OH

= -4毫安

I

OL

= 20

mA

I

OL

= 1.1毫安

I

OL

= 1.7毫安

V

OL

I

OL

= 1.9毫安

I

OL

= 2.3毫安

I

OL

= 3.1毫安

I

OL

= 2.7毫安

I

OL

= 4毫安

I

I

I

关闭

ΔI

关闭

I

CC

ΔI

CC

C

i

C

o

(1)

A或B输入

V

I

= GND至3.6 V

V

I

或V

O

= 0 V至3.6 V

V

I

或V

O

= 0 V至3.6 V

V

I

= GND或（V

CC

至3.6 V ） ，

I

O

= 0

V

I

= V

CC

– 0.6 V

(1)

,

I

O

= 0

V

I

= V

CC

或GND

V

O

= GND

一个输入在V

CC

- 0.6 V，在V其他输入

CC

或GND 。

V

CC

0.8 V至3.6 V

1.1 V

1.4 V

1.65 V

2.3 V

3V

0.8 V至3.6 V

1.1 V

1.4 V

1.65 V

2.3 V

3V

0 V至3.6 V

0V

0 V至0.2 V

0.8 V至3.6 V

3.3 V

0V

3.6 V

0V

1.5

1.5

3

T

A

= 25°C

民

V

CC

– 0.1

0.75 × V

CC

1.11

1.32

2.05

1.9

2.72

2.6

0.1

0.3 × V

CC

0.31

0.31

0.31

0.44

0.31

0.44

0.1

0.2

0.2

0.5

40

典型值

最大

T

A

= -40 ° C至85°C

民

V

CC

– 0.1

0.7 × V

CC

1.03

1.3

1.97

1.85

2.67

2.55

0.1

0.3 × V

CC

0.37

0.35

0.33

0.45

0.33

0.45

0.5

0.6

0.6

0.9

50

mA

mA

mA

mA

mA

pF

pF

V

V

最大

单位

开关特性

在推荐工作的自由空气的温度范围内，C

L

= 5 pF（除非另有说明）（见

科幻gure 3

和

图4）

参数

从

（输入）

TO

（输出）

V

CC

0.8 V

1.2 V ± 0.1 V

t

pd

A或B

Y

1.5 V ± 0.1 V

1.8 V ± 0.15 V

2.5 V ± 0.2 V

3.3 V ± 0.3 V

2.6

1.4

1

1

1

T

A

= 25°C

民

典型值

18

7.3

5.2

4.2

3

2.4

13.5

9.1

7

4.7

3.7

2.1

0.9

0.5

0.5

0.5

16.8

11

8.8

6

4.6

ns

最大

T

A

= –40°C

至85℃

民

最大

单位

版权所有2004-2010 ，德州仪器

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SN74AUP1G32

低功耗，单2输入正或门

SCES580C - 2004年6月 - 修订2005年6月

D

可以在德州仪器

D

D

D

D

D

D

采用NanoStar 和NanoFree 软件包

低静态功耗;

I

CC

= 0.9 μA（最大值）

低动态功耗;

C

pd

= 4.3 pF的典型值在3.3 V

低输入电容;

i

= 1.5 pF的典型值

低噪声 - 过冲和下冲

<10%

V的

CC

I

关闭

支持部分掉电模式

手术

输入迟滞允许慢速输入

过渡和更好的开关噪声

免疫力在输入

(V

HYS

= 250 mV的典型值在3.3 V ）

DBV包装

（ TOP VIEW ）

DCK包装

（ TOP VIEW ）

D

宽工作V

CC

0.8 V至3.6 V范围

D

优化的3.3 -V操作

D

3.6 V的I / O容错支持混合模式

D

D

D

D

信号操作

t

pd

= 4.6 ns（最大值） 3.3 V

适用于点对点的应用点

闭锁性能超过100mA的每

JESD 78 ， II类

ESD性能测试每JESD 22

- 2000 -V人体模型

（ A114 -B ， II级）

- 200 -V机型号（ A115 -A ）

- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）

ESD保护超过

±5000

V带

人体模型

DRL包装

（ TOP VIEW ）

YEP或YZP包装

（底视图）

D

A

B

GND

1

5

V

CC

A

B

1

2

3

5

V

CC

A

B

GND

1

2

3

5

V

CC

Y

GND

B

3 4

2

1 5

Y

2

4

A

VCC

GND

4

4

Y

3

Y

请参见机械图纸尺寸。

描述/订购信息

该AUP系列是TI公司的主要解决方案业界的低功耗需求在电池供电的便携式

应用程序。这个家族确保了整个V很低的静态和动态功耗

CC

范围

为0.8V到3.6V ，从而增加电池寿命。该产品还保持优异的信号完整性（见

图1和图2）。

静态功耗

(A)

100%

80%

60%

40%

20%

0%

AUP

3.3-V

逻辑

动态功耗

（PF ）

100%

80%

电压 - V

60%

40%

20%

0%

AUP

3.3-V

LVC

逻辑

开关特性

在25兆赫

3.5

3

2.5

2

1.5

1

0.5

0

0.5

0

5

10

15

20 25 30

时间 - NS

35

40

45

输入

产量

单，双和三栅极

在CL = 15 pF的AUP1G08数据

图1. AUP -功耗最低的家庭

图2.优异的信号完整性

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

采用NanoStar和NanoFree是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

2005年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

1

SN74AUP1G32

低功耗，单2输入正或门

SCES580C - 2004年6月 - 修订2005年6月

描述/订购信息（续）

这种单2输入正或门执行布尔函数Y

+

A

)

B或Y

+

A

乙正逻辑。

采用NanoStar 和NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破，采用了

模具作为包。

这个装置是用我的部分掉电应用完全指定

关闭

。在我

关闭

电路禁止输出，

防止有害的电流回流通过该装置，当它被断电。

订购信息

TA

包装

采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）

0.23毫米大的凸起 - YEP

NanoFree - WCSP （ DSBGA ）

0.23毫米大的凸起 - YZP （无铅）

-40 ° C至85°C

SOT （ SOT - 23 ） - DBV

SOT （ SC - 70 ） - DCK

SOT （ SOT - 553 ） - DRL

订购

产品型号

SN74AUP1G32YEPR

3000卷

SN74AUP1G32YZPR

3000卷

250的卷轴

3000卷

250的卷轴

4000卷

SN74AUP1G32DBVR

SN74AUP1G32DBVT

SN74AUP1G32DCKR

SN74AUP1G32DCKT

SN74AUP1G32DRLR

TOP- SIDE

标记

_ _HG_

H32_

● HG

● HG

● HG

包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在

www.ti.com/sc/package 。

DBV / DCK / DRL ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。

YEP / YZP ：实际的顶部端标记有三个前述的字符来表示年，月，和序列码，和一个

下面的字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成

（1 =锡铅，

=无铅） 。

功能表

输入

A

L

L

H

H

B

L

H

L

H

产量

Y

L

H

H

H

逻辑图（正逻辑）

A

B

1

2

4

Y

2

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

SN74AUP1G32

低功耗，单2输入正或门

SCES580C - 2004年6月 - 修订2005年6月

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压范围，V

CC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V

输入电压范围，V

I

（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V

电压范围应用于任何输出的高阻抗或断电状态下，V

O

（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V

在高或低的状态下，V输出电压范围

O

（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V

CC

+ 0.5 V

输入钳位电流，I

IK

(V

I

＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安

输出钳位电流，I

OK

(V

O

＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安

连续输出电流，I

O

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±20

mA

连续电流通过V

CC

或GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

±50

mA

封装的热阻抗，

θ

JA

（见注2 ） ： DBV封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 206 ° C / W

DCK包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 252 ° C / W

DRL包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 142 ° C / W

YEP / YZP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 132 ° C / W

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注意：如果输入和输出电流额定值，观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。

2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

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3

SN74AUP1G32

低功耗，单2输入正或门

SCES580C - 2004年6月 - 修订2005年6月

推荐工作条件（见注3 ）

民

VCC

电源电压

VCC - 0.8 V

VCC = 1.1 V至1.95 V

VCC = 2.3 V至2.7 V

VCC = 3 V至3.6 V

VCC - 0.8 V

VCC = 1.1 V至1.95 V

VCC = 2.3 V至2.7 V

VCC = 3 V至3.6 V

0

0

VCC - 0.8 V

VCC = 1.1 V

IOH =

高电平输出电流

VCC = 1.4 V

VCC = 1.65 V

VCC = 2.3 V

VCC = 3 V

VCC - 0.8 V

VCC = 1.1 V

IOL

低电平输出电流

VCC = 1.4 V

VCC = 1.65 V

VCC = 2.3 V

VCC = 3 V

ΔT/ ΔV

输入过渡上升或下降速率

VCC = 0.8 V至3.6 V

0.8

VCC

0.65

×

VCC

1.6

2

0

0.35

×

VCC

0.7

0.9

3.6

VCC

20

1.1

1.7

1.9

3.1

4

20

1.1

1.7

1.9

3.1

4

200

NS / V

mA

A

mA

V

V

A

V

最大

3.6

单位

V

VIH

高电平输入电压

V

VIL

低电平输入电压

VI

VO

输入电压

输出电压

TA

工作自由空气的温度

40

85

°C

由信号完整性的要求和设计目标的优先级定义

注3 ：该设备的所有未使用的输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，

慢或浮动CMOS输入的影响，

文献编号SCBA004 。

4

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低功耗，单2输入正或门

SCES580C - 2004年6月 - 修订2005年6月

电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非

另有说明）

参数

测试条件

IOH = -20

A

IOH = -1.1毫安

IOH = -1.7毫安

IOH = -1.9毫安

IOH = -2.3毫安

IOH = -3.1毫安

IOH = -2.7毫安

IOH = -4毫安

IOL = 20

A

IOL = 1.1毫安

IOL = 1.7毫安

IOL = 1.9毫安

IOL = 2.3毫安

IOL = 3.1毫安

IOL = 2.7毫安

IOL = 4毫安

II

IOFF

I

关闭

ICC

I

CC

Ci

Co

A或B输入

VI = GND至3.6 V

VI或VO = 0 V至3.6 V

VI或VO = 0 V至3.6 V

VI = GND或

IO = 0

（ VCC为3.6 V ）

VI = VCC - 0.6 V

VI = VCC或GND

IO = 0

VCC

0.8 V至3.6 V

1.1 V

1.4 V

1.65 V

2.3 V

3V

0.8 V至3.6 V

1.1 V

1.4 V

1.65 V

2.3 V

3V

0 V至3.6 V

0V

0 V至0.2 V

0.8 V至3.6 V

3.3 V

0V

3.6 V

0V

1.5

1.5

3

pF

pF

民

TA = 25°C

典型值

最大

TA = -40 ° C至85°C

民

最大

VCC - 0.1

0.7

×

VCC

1.03

1.3

1.97

1.85

2.67

2.55

0.1

0.3

×

VCC

0.31

0.31

0.31

0.44

0.31

0.44

0.1

0.2

0.2

0.5

40

0.1

0.3

×

VCC

0.37

0.35

0.33

0.45

0.33

0.45

0.5

0.6

0.6

0.9

50

A

A

A

A

A

V

V

单位

VCC - 0.1

0.75

×

VCC

1.11

1.32

2.05

1.9

2.72

2.6

VOH

VOL

VO = GND

一个输入在VCC - 0.6 V，在VCC和GND其他输入

开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内，C

L

= 5 pF的

（除非另有说明）（见图3和图4）

参数

从

（输入）

TO

（输出）

VCC

民

0.8 V

1.2 V

±

0.1 V

tPD的

A或B

Y

1.5 V

±

0.1 V

1.8 V

±

0.15 V

2.5 V

±

0.2 V

3.3 V

±

0.3 V

2.6

1.4

1

1

1

TA = 25°C

典型值

18

7.3

5.2

4.2

3

2.4

13.5

9.1

7

4.7

3.7

2.1

0.9

0.5

0.5

0.5

16.8

11

8.8

6

4.6

ns

最大

TA = -40°C

至85℃

民

最大

单位

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达拉斯，德克萨斯州75265

5