SN74AUP1G126
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SCES596F - 2004年7月 - 修订2010年5月
低功耗单路总线缓冲器门
具有三态输出
检查样品：
SN74AUP1G126
1
特点
可以在德州仪器采用NanoStar
包
低静态功耗
(I
CC
= 0.9
mA
MAX ）
低动态功耗
(C
pd
= 4 pF的典型值在3.3 V ）
低输入电容（C
i
= 1.5 pF的典型值）
低噪声 - 过冲和下冲
第五<10 ％
CC
输入禁止功能允许浮动输入
条件
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
输入迟滞允许慢速输入转换
和更好的开关噪声抗扰性，在输入
宽工作V
CC
0.8 V至3.6 V范围
优化的3.3 -V操作
3.6 V的I / O容错支持混合模式
信号操作
t
pd
= 4.6 ns（最大值） 3.3 V
适用于点对点的应用点
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD性能测试每JESD 22-
- 2000 -V人体模型
（ A114 -B ， II级）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
DRL包装
（ TOP VIEW ）
DBV包装
（ TOP VIEW ）
DCK包装
（ TOP VIEW ）
OE
1
5
V
CC
OE
A
1
2
3
5
V
CC
OE
A
GND
1
2
3
5
V
CC
A
2
4
Y
GND
4
4
Y
GND
3
Y
干包装
（ TOP VIEW ）
DSF包
（ TOP VIEW ）
YFP套餐
（ TOP VIEW ）
YZP包装
（ TOP VIEW ）
OE
A
GND
1
2
3
6
V
CC
北卡罗来纳州
Y
OE
A
GND
1
2
3
6
5
4
V
CC
北卡罗来纳州
Y
5
4
OE
A
GND
A1
B1
C1
1
2
3
6
A2
5
B2
4
C2
V
CC
北卡罗来纳州
Y
OE
A
GND
A1
B1
C1
1
2
3
5
A2
V
CC
Y
4
C2
北卡罗来纳州 - 无内部连接。
请参见机械图纸尺寸。
描述/订购信息
该AUP系列是TI公司的主要解决方案业界的低功耗需求在电池供电的便携式
应用程序。这个家族确保了整个V很低的静态和动态功耗
CC
范围
为0.8V到3.6V ，从而导致电池寿命的增加。该产品还保持优异的信号完整性（见
图1
和
图2
).
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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开关特性
在25 MHz的
(1)
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3.3-V
逻辑
(1)
3.3-V
逻辑
(1)
(1)
单，双和三栅极
(1)
位于C AUP1G08数据
L
= 15 pF的
图1. AUP - 功耗最低的家庭
图2.优异的信号完整性
这个总线缓冲器栅极是具有三态输出的单一线路驱动器。输出时禁用输出使能
（ OE ）输入为低。该器件具有输入禁用特性，允许浮动的输入信号。
为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应通过一个连接到GND
下拉电阻;该电阻的最小值由驾驶员的电流源的能力来确定。
采用NanoStar 封装技术是IC封装概念的重大突破，采用了模为
封装。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出，
防止有害的电流回流通过该装置，当它被断电。
订购信息
(1)
T
A
包
(2)
采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YFP
采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YZP （无铅）
QFN - 干
-40 ° C至85°C
mQFN
- DSF
SOT （ SOT - 23 ） - DBV
SOT （ SC - 70 ） - DCK
SOT （ SOT - 553 ） - DRL
(1)
(2)
(3)
3000卷
3000卷
5000卷
5000卷
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
4000卷
订购零件
数
SN74AUP1G126YFPR
SN74AUP1G126YZPR
SN74AUP1G126DRYR
SN74AUP1G126DSFR
SN74AUP1G126DBVR
SN74AUP1G126DBVT
SN74AUP1G126DCKR
SN74AUP1G126DCKT
SN74AUP1G126DRLR
TOP- SIDE
记号
(3)
_ _ _ _ HN
_ _ _ _ HN
HN
HN
H26_
HN_
HN_
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
DBV / DCK / DRL ：实际的顶部端标记有一个指定的晶圆制造/装配现场一个额外的字符。
YZP / YZT ：实际的顶端标记有以下三个在先字符来表示年，月，和序列码，和一个
字符来指定晶圆厂/装配现场。引脚1标识符表示焊料凸点组成（ 1 =锡铅， =无铅） 。
功能表
输入
OE
H
H
L
(1)
A
H
L
X
(1)
产量
Y
H
L
Z
浮动输入允许
2
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逻辑图（正逻辑）
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
I
V
O
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压范围
输入电压范围
(2)
(2)
最大
4.6
4.6
4.6
V
CC
+ 0.5
–50
–50
±20
±50
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
–0.5
–0.5
–0.5
–0.5
V
I
＆ LT ; 0
V
O
＆ LT ; 0
电压范围应用于任何输出的高阻抗或电源关断状态
在高或低的状态，输出电压范围
(2)
输入钳位电流
输出钳位电流
连续输出电流
连续电流通过V
CC
或GND
DBV包装
DCK包装
q
JA
封装的热阻抗
(3)
DRL包装
DSF包
干包装
YFP / YZP / YZT包
T
英镑
(1)
(2)
(3)
存储温度范围
–65
206
252
142
待定
234
132
150
°C
° C / W
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
如果输入和输出电流额定值是观察到的输入负电压和输出电压额定值可能被超过。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
4
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推荐工作条件
(1)
民
V
CC
电源电压
V
CC
= 0.8 V
V
IH
高电平输入电压
V
CC
= 1.1 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3 V至3.6 V
V
CC
= 0.8 V
V
IL
低电平输入电压
V
CC
= 1.1 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3 V至3.6 V
V
O
输出电压
活动状态
3-state
V
CC
= 0.8 V
V
CC
= 1.1 V
I
OH
高电平输出电流
V
CC
= 1.4 V
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
V
CC
= 3 V
V
CC
= 0.8 V
V
CC
= 1.1 V
I
OL
低电平输出电流
V
CC
= 1.4 V
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
V
CC
= 3 V
ΔT/ ΔV
T
A
(1)
输入过渡上升或下降速率
工作自由空气的温度
V
CC
= 0.8 V至3.6 V
–40
0
0
0
0
0
0.8
V
CC
0.65 × V
CC
1.6
2
最大
3.6
3.6
3.6
3.6
3.6
0
0.35 × V
CC
0.7
0.9
V
CC
3.6
–20
–1.1
–1.7
–1.9
–3.1
–4
20
1.1
1.7
1.9
3.1
4
200
85
NS / V
°C
mA
mA
mA
V
mA
V
V
单位
V
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢浮动CMOS输入，文献编号SCBA004的影响。
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5
QQ：2880707522 复制
