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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1199页 > SN74AUC2G53YZPR
www.ti.com
SN74AUC2G53
单刀双掷( SPDT )模拟开关或
2 : 1模拟复用器/解复用器
SCES484A - 2003年8月 - 修订2005年3月
特点
可以在德州仪器
采用NanoStar 和NanoFree 软件包
工作在0.8 V至2.7 V
分1 -V可操作
低功耗, 10
A
在2.7 V
高开 - 关输出电压比
线性程度高
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型( A114 -A )
- 200 -V机型号( A115 -A )
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
DCT或DCU包装
( TOP VIEW )
COM
INH
GND
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
Y1
Y2
A
YEP或YZP包装
(底视图)
GND
GND
INH
COM
4 5
3 6
2 7
1 8
A
Y2
Y1
V
CC
描述/订购信息
该模拟开关是在业务上0.8 V至2.7 -VV
CC
但对于1.1 -V的特别设计, 2.7 -VV
CC
操作。
该SN74AUC2G53可以处理模拟和数字信号。该设备允许以高达振幅信号
到V
CC
(峰),以在任一方向进行传输。
采用NanoStar 和NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破,采用了
模具作为包。
应用包括信号选通,剁碎,调制或解调器(调制解调器) ,以及信号复用为
模拟 - 数字和数字 - 模拟转换系统。
订购信息
T
A
(1)
采用NanoStar - WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起 - YEP
-40 ° C至85°C
NanoFree - WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起 - YZP (无铅)
SSOP - DCT
VSSOP - DCU
(1)
(2)
订购型号
SN74AUC2G53YEPR
磁带和卷轴
SN74AUC2G53YZPR
磁带和卷轴
磁带和卷轴
SN74AUC2G53DCTR
SN74AUC2G53DCUR
U53_ _ _
U53_
_ _ _U4_
顶部端标记
(2)
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DCT :实际的顶部端标记有一个指定的年,月,和封装/测试网站另外三个字符。
DCU :实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
YEP / YZP :实际的顶端标记有以下三个在先字符来表示年,月,和序列码,和一个
字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成( 1 =锡铅,
=无铅) 。
功能表
控制
输入
INH
L
L
H
A
L
H
X
ON
通道
Y1
Y2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
采用NanoStar , NanoFree是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2003-2005 ,德州仪器
SN74AUC2G53
单刀双掷( SPDT )模拟开关或
2 : 1模拟复用器/解复用器
SCES484A - 2003年8月 - 修订2005年3月
www.ti.com
逻辑图(正逻辑)
A
5
SW
7
Y1
SW
INH
2
6
1
Y2
COM
注意一个:为了简单起见,通过图4和图6至10示出在图1中的试验条件为多路分解器构成。信号可能
从COM传递到Y1 ( Y2 ),或从Y1 ( Y2 ),以COM 。
简化示意图,各开关(SW)
COM
Y
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
V
CC
V
I
V
I / O
I
IK
I
I / OK
I
T
电源电压范围
(2)
输入电压范围
(2) (3)
开关I / O电压范围
(2) (3)
控制输入钳位电流
I / O端口二极管电流
通态电流开关电流
连续电流通过V
CC
或GND
DCT包
θ
JA
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
封装的热阻抗
(4)
存储温度范围
DCU包装
YEP / YZP包
–65
V
I
& LT ; 0
V
I / O
& LT ; 0或V
I / O
& GT ; V
CC
V
I / O
= 0至V
CC
–0.5
–0.5
–0.5
最大
3.6
3.6
V
CC
+ 0.5
–50
±50
±50
±100
220
227
102
150
°C
° C / W
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只,而根据"recommended操作指示的装置,在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压都是相对于地,除非另有规定。
如果输入和输出电流额定值是观察到的输入负电压和输出电压额定值可能被超过。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
2
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SN74AUC2G53
单刀双掷( SPDT )模拟开关或
2 : 1模拟复用器/解复用器
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推荐工作条件
(1)
V
CC
V
IH
电源电压
V
CC
= 0.8 V
高电平输入电压
V
CC
= 1.1 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 0.8 V
V
IL
V
I / O
V
I
ΔT/ ΔV
T
A
(1)
低电平输入电压
I / O端口电压
控制输入电压
V
CC
= 0.8 V至1.6 V
输入过渡上升或下降速率
工作自由空气的温度
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
–40
V
CC
= 1.1 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
0
0
0.8
V
CC
0.65 × V
CC
1.7
0
0.35 × V
CC
0.7
V
CC
3.6
20
10
3.5
85
°C
NS / V
V
V
V
V
最大
2.7
单位
V
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。
电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围(除非另有说明)
参数
r
on
通态电阻开关
测试条件
V
I
= V
CC
或GND ,
V
INH
= V
IL
(参见图1和
图2)
V
I
= V
CC
到GND ,
V
INH
= V
IL
(参见图1和
图2)
V
I
= V
CC
到GND ,
V
C
= V
IH
(参见图1和
图2)
V
I
= V
CC
和V
O
= GND ,或
V
I
= GND和V
O
= V
CC
,
V
INH
= V
IH
(参见图3)
V
I
= V
CC
或GND ,V
INH
= V
IL
,
V
O
=打开(见图4)
V
C
= V
CC
或GND
V
C
= V
CC
或GND
Y
COM
I
S
= 4毫安
I
S
= 8毫安
I
S
= 4毫安
I
S
= 8毫安
I
S
= 4毫安
I
S
= 8毫安
V
CC
1.1 V
1.65 V
2.3 V
1.1 V
1.65 V
2.3 V
1.1 V
1.65 V
2.3 V
2.7 V
12.5
6
131
32
15
最小值典型值
(1)
最大
40
20
15
180
80
20
4
1
1
±1
±0.1
(1)
±1
±0.1
(1)
±5
10
2
3
4.5
9
A
A
A
A
pF
pF
pF
单位
r
对(p)的
峰值导通电阻
r
on
通态电阻的差别
交换机之间
I
S( OFF)
断态开关漏电流
I
秒(上)
I
I
I
CC
C
ic
C
io的(OFF)的
C
io的(上)
(1)
通态开关漏电流
控制输入电流
电源电流
控制输入电容
开关量输入/输出电容
开关量输入/输出电容
2.7 V
2.7 V
2.7 V
2.5 V
2.5 V
2.5 V
T
A
= 25°C
3
SN74AUC2G53
单刀双掷( SPDT )模拟开关或
2 : 1模拟复用器/解复用器
SCES484A - 2003年8月 - 修订2005年3月
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开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内,C
L
= 15 pF(除非另有说明)(见图5)
参数
t
pd
(1)
(输入)
COM或Y
INH
A
TO
(输出)
Y或COM
COM或Y
COM或Y
V
CC
= 0.8 V
典型值
0.3
9.2
8.1
9.2
10
V
CC
= 1.2 V
± 0.1 V
0.5
0.5
0.5
0.5
最大
0.3
3.5
4.2
3.6
3.6
V
CC
= 1.5 V
± 0.1 V
0.5
0.5
0.5
0.5
最大
0.3
2.2
3.2
2.3
2.3
V
CC
= 1.8 V
± 0.15 V
0.5
0.5
0.5
0.5
典型值
1
1.9
1.1
1.1
最大
0.2
1.9
3.4
1.9
2
V
CC
= 2.5 V
± 0.2 V
0.5
0.5
0.5
0.5
最大
0.1
1.8
2.6
1.6
1.6
单位
ns
ns
ns
t
en
t
DIS
t
en
t
DIS
(1)
传播延迟是典型的通态电阻,开关和所述特定网络连接编负载的所计算的RC时间常数
电容,当由一个理想电压源(零输出阻抗)驱动。
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内,C
L
= 30 pF(除非另有说明)(见图5)
参数
t
PD (1)
t
en
t
DIS
t
en
t
DIS
(1)
(输入)
COM或Y
INH
A
TO
(输出)
Y或COM
COM或Y
COM或Y
0.5
0.5
0.5
0.5
1.6
2.2
1.6
1.6
V
CC
= 1.8 V
± 0.15 V
典型值
最大
0.4
3.1
3.4
3
3
0.5
0.5
0.5
0.5
V
CC
= 2.5 V
± 0.2 V
最大
0.2
2.2
2.2
2.2
2.3
ns
ns
ns
单位
传播延迟是典型的通态电阻,开关和所述特定网络连接编负载的所计算的RC时间常数
电容,当由一个理想电压源(零输出阻抗)驱动。
模拟开关特性
T
A
= 25°C
参数
(输入)
TO
(输出)
测试条件
V
CC
0.8 V
C
L
= 50 pF的,R
L
= 600
,
f
in
正弦波
(参见图6)
频率响应
(1)
(开关)
COM或Y
Y或COM
C
L
= 5 pF的,R
L
= 50
,
f
in
正弦波
(参见图6)
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
(1)
调整F
in
电压,以获得0 dBm的输出处。增加F
in
频率,直到分贝仪读取-3分贝。
典型值
90
101
110
122
198
>500
>500
>500
>500
>500
兆赫
单位
4
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SN74AUC2G53
单刀双掷( SPDT )模拟开关或
2 : 1模拟复用器/解复用器
SCES484A - 2003年8月 - 修订2005年3月
模拟开关特性(续)
T
A
= 25°C
参数
(输入)
TO
(输出)
测试条件
V
CC
0.8 V
C
L
= 50 pF的,R
L
= 600
,
f
in
= 1兆赫(正弦波)
(参见图7 )
相声
(2)
(之间切换)
COM或Y
Y或COM
C
L
= 5 pF的,R
L
= 50
,
f
in
= 1兆赫(正弦波)
(参见图7 )
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
相声
(控制输入到信号输出)
INH
COM或Y
C
L
= 50 pF的,R
L
= 600
,
f
in
= 1兆赫(方
波)
(参见图8)
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
C
L
= 50 pF的,R
L
= 600
,
f
in
= 1兆赫(正弦波)
(参见图9)
馈通衰减
(2)
(开关OFF)
COM或Y
Y或COM
C
L
= 5 pF的,R
L
= 600
,
f
in
= 1兆赫(正弦波)
(参见图9)
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
C
L
= 50 pF的,R
L
= 10 k,
f
in
= 1千赫(正弦波)
(参见图10)
正弦波失真
COM或Y
Y或COM
C
L
= 50 pF的,R
L
= 10 k,
f
in
= 10千赫(正弦波)
(参见图10)
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
典型值
–59
–59
–59
–59
–60
–55
–55
–55
–55
–55
0.56
0.68
0.81
0.93
1.5
–60
–60
–60
–60
–60
–59
–59
–59
–59
–59
6.19
0.39
0.06
0.02
0.01
3.55
0.38
0.04
0.02
0.02
%
dB
mV
dB
单位
(2)
调整F
in
电压,以获得0 dBm的输入端。
工作特性
对INH输入,T
A
= 25°C
参数
C
pd
功耗
电容
TEST
条件
F = 10MHz的
V
CC
= 0.8 V
典型值
3
V
CC
= 1.2 V
典型值
3
V
CC
= 1.5 V
典型值
3
V
CC
= 1.8 V
典型值
3
V
CC
= 2.5 V
典型值
3
单位
pF
5
SN74AUC2G53
www.ti.com
................................................................................................................................................
SCES484C - 2003年8月 - 修订2009年1月
单刀双掷( SPDT )模拟开关或
2 : 1模拟复用器/解复用器
1
特点
可以在德州仪器NanoFree
工作在0.8 V至2.7 V
分1 -V可操作
低功耗, 10
A
在2.7 V
高开 - 关输出电压比
线性程度高
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型( A114 -A )
- 200 -V机型号( A115 -A )
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
2
DCT或DCU包装
( TOP VIEW )
COM
INH
GND
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
Y1
Y2
A
YZP包装
D
C
B
A
2 1
激光打标查看
D
C
B
A
1 2
凹凸查看
YZP端子分配
D
C
B
A
GND
GND
INH
COM
1
A
Y2
Y1
V
CC
2
描述/订购信息
该模拟开关是在业务上0.8 V至2.7 -VV
CC
但对于1.1 -V的特别设计, 2.7 -VV
CC
操作。
该SN74AUC2G53可以处理模拟和数字信号。该设备允许以高达振幅信号
到V
CC
(峰),以在任一方向进行传输。
NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破,采用了模为
封装。
应用包括信号选通,剁碎,调制或解调器(调制解调器) ,以及信号复用为
模拟 - 数字和数字 - 模拟转换系统。
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
NanoFree是德州仪器的商标。
版权所有2003-2009 ,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
SN74AUC2G53
SCES484C - 2003年8月 - 修订2009年1月
................................................................................................................................................
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订购信息
T
A
(1) (2)
NanoFree - WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起 - YZP (无铅)
-40℃至85℃
SSOP - DCT
VSSOP - DCU
(1)
(2)
(3)
3000卷
3000卷
3000卷
订购型号
SN74AUC2G53YZPR
SN74AUC2G53DCTR
SN74AUC2G53DCUR
顶部端标记
(3)
_ _ _U4_
U53_ _ _
U53_
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站:
www.ti.com 。
包装图纸,热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
DCT :实际的顶部端标记有一个指定的年,月,和封装/测试网站另外三个字符。
DCU :实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
YZP :实际的顶端标记有以下三个在先字符来表示年,月,和序列码,和一个
字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成( 1 =锡铅, =无铅) 。
功能表
控制
输入
INH
L
L
H
A
L
H
X
ON
通道
Y1
Y2
逻辑图(正逻辑)
A
5
SW
7
Y1
SW
INH
2
6
1
Y2
COM
注意一个:为了简单起见,通过图4和图6至10示出在图1中的试验条件为多路分解器构成。信号可能
从COM传递到Y1 ( Y2 ),或从Y1 ( Y2 ),以COM 。
简化示意图,各开关(SW)
COM
Y
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版权所有2003-2009 ,德州仪器
SN74AUC2G53
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SCES484C - 2003年8月 - 修订2009年1月
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
V
CC
V
I
V
I / O
I
IK
I
I / OK
I
T
电源电压范围
(2)
最大
3.6
3.6
V
CC
+ 0.5
–50
50
50
100
220
227
102
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
C / W
C
–0.5
–0.5
(2) (3)
输入电压范围
(2) (3)
开关I / O电压范围
I / O端口二极管电流
通态电流开关电流
连续电流通过V
CC
或GND
DCT包
控制输入钳位电流
V
I
& LT ; 0
V
I / O
& LT ; 0或V
I / O
& GT ; V
CC
V
I / O
= 0至V
CC
–0.5
θ
JA
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
封装的热阻抗
(4)
存储温度范围
DCU包装
YZP包装
–65
150
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只,而根据"recommended操作指示的装置,在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压都是相对于地,除非另有规定。
如果输入和输出电流额定值是观察到的输入负电压和输出电压额定值可能被超过。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
V
CC
V
IH
电源电压
V
CC
= 0.8 V
高电平输入电压
V
CC
= 1.1 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 0.8 V
V
IL
V
I / O
V
I
ΔT/ ΔV
T
A
(1)
低电平输入电压
I / O端口电压
控制输入电压
V
CC
= 0.8 V至1.6 V
输入过渡上升或下降速率
工作自由空气的温度
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
–40
V
CC
= 1.1 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
0
0
0.8
V
CC
0.65
V
CC
1.7
0
0.35
V
CC
0.7
V
CC
3.6
20
10
3.5
85
C
NS / V
V
V
V
V
最大
2.7
单位
V
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。
电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围(除非另有说明)
参数
r
on
通态电阻开关
测试条件
V
I
= V
CC
或GND ,
V
INH
= V
IL
(见
图1
图2)
V
I
= V
CC
到GND ,
V
INH
= V
IL
(见
图1
图2)
I
S
= 4毫安
I
S
= 8毫安
I
S
= 4毫安
I
S
= 8毫安
V
CC
1.1 V
1.65 V
2.3 V
1.1 V
1.65 V
2.3 V
12.5
6
131
32
15
最小值典型值
(1)
最大
40
20
15
180
80
20
单位
r
对(p)的
峰值导通电阻
(1)
T
A
= 25C
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电气特性(续)
在推荐工作的自由空气的温度范围(除非另有说明)
参数
Δr
on
通态电阻的差别
交换机之间
测试条件
V
I
= V
CC
到GND ,
V
C
= V
IH
(见
图1
图2)
V
I
= V
CC
和V
O
= GND ,或
V
I
= GND和V
O
= V
CC
,
V
INH
= V
IH
(见
图3)
V
I
= V
CC
或GND ,V
INH
= V
IL
,
V
O
=打开(见
图4)
V
C
= V
CC
或GND
V
C
= V
CC
或GND
Y
COM
I
S
= 4毫安
I
S
= 8毫安
V
CC
1.1 V
1.65 V
2.3 V
2.7 V
最小值典型值
(1)
最大
4
1
1
1
0.1
(1)
1
0.1
(1)
5
10
2
3
4.5
9
A
A
A
A
pF
pF
pF
单位
I
S( OFF)
断态开关漏电流
I
秒(上)
I
I
I
CC
C
ic
C
io的(OFF)的
C
io的(上)
通态开关漏电流
控制输入电流
电源电流
控制输入电容
开关量输入/输出电容
开关量输入/输出电容
2.7 V
2.7 V
2.7 V
2.5 V
2.5 V
2.5 V
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内,C
L
= 15 pF(除非另有说明)(见
图5)
参数
t
PD (1)
t
en
t
DIS
t
en
t
DIS
(1)
(输入)
COM或Y
INH
A
TO
(输出)
Y或COM
COM或Y
COM或Y
V
CC
= 0.8 V
典型值
0.3
9.2
8.1
9.2
10
0.5
0.5
0.5
0.5
V
CC
= 1.2 V
0.1 V
最大
0.3
3.5
4.2
3.6
3.6
0.5
0.5
0.5
0.5
V
CC
= 1.5 V
0.1 V
最大
0.3
2.2
3.2
2.3
2.3
0.5
0.5
0.5
0.5
1
1.9
1.1
1.1
V
CC
= 1.8 V
0.15 V
典型值
最大
0.2
1.9
3.4
1.9
2
0.5
0.5
0.5
0.5
V
CC
= 2.5 V
0.2 V
最大
0.1
1.8
2.6
1.6
1.6
ns
ns
ns
单位
传播延迟是典型的通态电阻,开关和所述特定网络连接编负载的所计算的RC时间常数
电容,当由一个理想电压源(零输出阻抗)驱动。
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内,C
L
= 30 pF(除非另有说明)(见
图5)
参数
t
pd
(1)
(输入)
COM或Y
INH
A
TO
(输出)
Y或COM
COM或Y
COM或Y
V
CC
= 1.8 V
0.15 V
0.5
0.5
0.5
0.5
典型值
1.6
2.2
1.6
1.6
最大
0.4
3.1
3.4
3
3
V
CC
= 2.5 V
0.2 V
0.5
0.5
0.5
0.5
最大
0.2
2.2
2.2
2.2
2.3
单位
ns
ns
ns
t
en
t
DIS
t
en
t
DIS
(1)
传播延迟是典型的通态电阻,开关和所述特定网络连接编负载的所计算的RC时间常数
电容,当由一个理想电压源(零输出阻抗)驱动。
4
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模拟开关特性
T
A
= 25C
参数
(输入)
TO
(输出)
测试条件
V
CC
0.8 V
C
L
= 50 pF的,R
L
= 600
,
f
in
正弦波
(见
图6)
频率响应
(1)
(开关)
COM或Y
Y或COM
C
L
= 5 pF的,R
L
= 50
,
f
in
正弦波
(见
图6)
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
C
L
= 50 pF的,R
L
= 600
,
f
in
= 1兆赫(正弦波)
(见
图7)
相声
(2)
(之间切换)
COM或Y
Y或COM
C
L
= 5 pF的,R
L
= 50
,
f
in
= 1兆赫(正弦波)
(见
图7)
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
相声
(控制输入到信号输出)
INH
COM或Y
C
L
= 50 pF的,R
L
= 600
,
f
in
= 1兆赫(方
波)
(见
图8)
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
C
L
= 50 pF的,R
L
= 600
,
f
in
= 1兆赫(正弦波)
(见
图9)
馈通衰减
(3)
(开关OFF)
COM或Y
Y或COM
C
L
= 5 pF的,R
L
= 600
,
f
in
= 1兆赫(正弦波)
(见
图9)
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
典型值
90
101
110
122
198
>500
>500
>500
>500
>500
–59
–59
–59
–59
–60
–55
–55
–55
–55
–55
0.56
0.68
0.81
0.93
1.5
–60
–60
–60
–60
–60
–59
–59
–59
–59
–59
dB
mV
dB
兆赫
单位
(1)
(2)
(3)
调整F
in
电压,以获得0 dBm的输出处。增加F
in
频率,直到分贝仪读取-3分贝。
调整F
in
电压,以获得0 dBm的输入端。
调整F
in
电压,以获得0 dBm的输入端。
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SN74AUC2G53
单刀双掷( SPDT )模拟开关或
2 : 1模拟复用器/解复用器
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特点
可以在德州仪器
NanoFree 封装
工作在0.8 V至2.7 V
分1 -V可操作
低功耗, 10
A
在2.7 V
高开 - 关输出电压比
线性程度高
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型( A114 -A )
- 200 -V机型号( A115 -A )
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
DCT或DCU包装
( TOP VIEW )
COM
INH
GND
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
Y1
Y2
A
YZP包装
(底视图)
GND
GND
INH
COM
4 5
3 6
2 7
1 8
A
Y2
Y1
V
CC
描述/订购信息
该模拟开关是在业务上0.8 V至2.7 -VV
CC
但对于1.1 -V的特别设计, 2.7 -VV
CC
操作。
该SN74AUC2G53可以处理模拟和数字信号。该设备允许与振幅信号
高达V
CC
(峰),以在任一方向进行传输。
NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破,采用了模为
封装。
应用包括信号选通,剁碎,调制或解调器(调制解调器) ,以及信号复用为
模拟 - 数字和数字 - 模拟转换系统。
订购信息
T
A
-40 ° C至
85°C
(1)
NanoFree - WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起 - YZP (无铅)
SSOP - DCT
VSSOP - DCU
(1)
(2)
3000卷
3000卷
3000卷
订购型号
SN74AUC2G53YZPR
SN74AUC2G53DCTR
SN74AUC2G53DCUR
顶部端标记
(2)
_ _ _U4_
U53_ _ _
U53_
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DCT :实际的顶部端标记有一个指定的年,月,和封装/测试网站另外三个字符。
DCU :实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
YZP :实际的顶端标记有以下三个在先字符来表示年,月,和序列码,和一个
字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成( 1 =锡铅,
=无铅) 。
功能表
控制
输入
INH
L
L
H
A
L
H
X
ON
通道
Y1
Y2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
NanoFree是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2003-2007 ,德州仪器
SN74AUC2G53
单刀双掷( SPDT )模拟开关或
2 : 1模拟复用器/解复用器
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逻辑图(正逻辑)
A
5
SW
7
Y1
SW
INH
2
6
1
Y2
COM
注意一个:为了简单起见,通过图4和图6至10示出在图1中的试验条件为多路分解器构成。信号可能
从COM传递到Y1 ( Y2 ),或从Y1 ( Y2 ),以COM 。
简化示意图,各开关(SW)
COM
Y
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
V
CC
V
I
V
I / O
I
IK
I
I / OK
I
T
电源电压范围
(2)
输入电压范围
(2) (3)
开关I / O电压范围
(2) (3)
控制输入钳位电流
I / O端口二极管电流
通态电流开关电流
连续电流通过V
CC
或GND
DCT包
θ
JA
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
封装的热阻抗
(4)
存储温度范围
DCU包装
YZP包装
–65
V
I
& LT ; 0
V
I / O
& LT ; 0或V
I / O
& GT ; V
CC
V
I / O
= 0至V
CC
–0.5
–0.5
–0.5
最大
3.6
3.6
V
CC
+ 0.5
–50
±50
±50
±100
220
227
102
150
°C
° C / W
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只,而根据"recommended操作指示的装置,在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压都是相对于地,除非另有规定。
如果输入和输出电流额定值是观察到的输入负电压和输出电压额定值可能被超过。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
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单刀双掷( SPDT )模拟开关或
2 : 1模拟复用器/解复用器
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推荐工作条件
(1)
V
CC
V
IH
电源电压
V
CC
= 0.8 V
高电平输入电压
V
CC
= 1.1 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 0.8 V
V
IL
V
I / O
V
I
ΔT/ ΔV
T
A
(1)
低电平输入电压
I / O端口电压
控制输入电压
V
CC
= 0.8 V至1.6 V
输入过渡上升或下降速率
工作自由空气的温度
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
–40
V
CC
= 1.1 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
0
0
0.8
V
CC
0.65 × V
CC
1.7
0
0.35 × V
CC
0.7
V
CC
3.6
20
10
3.5
85
°C
NS / V
V
V
V
V
最大
2.7
单位
V
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。
电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围(除非另有说明)
参数
r
on
通态电阻开关
测试条件
V
I
= V
CC
或GND ,
V
INH
= V
IL
(见
图1
图2)
V
I
= V
CC
到GND ,
V
INH
= V
IL
(见
图1
图2)
V
I
= V
CC
到GND ,
V
C
= V
IH
(见
图1
图2)
V
I
= V
CC
和V
O
= GND ,或
V
I
= GND和V
O
= V
CC
,
V
INH
= V
IH
(见
图3)
V
I
= V
CC
或GND ,V
INH
= V
IL
,
V
O
=打开(见
图4)
V
C
= V
CC
或GND
V
C
= V
CC
或GND
Y
COM
I
S
= 4毫安
I
S
= 8毫安
I
S
= 4毫安
I
S
= 8毫安
I
S
= 4毫安
I
S
= 8毫安
V
CC
1.1 V
1.65 V
2.3 V
1.1 V
1.65 V
2.3 V
1.1 V
1.65 V
2.3 V
2.7 V
12.5
6
131
32
15
最小值典型值
(1)
最大
40
20
15
180
80
20
4
1
1
±1
±0.1
(1)
±1
±0.1
(1)
±5
10
2
3
4.5
9
A
A
A
A
pF
pF
pF
单位
r
对(p)的
峰值导通电阻
r
on
通态电阻的差别
交换机之间
I
S( OFF)
断态开关漏电流
I
秒(上)
I
I
I
CC
C
ic
C
io的(OFF)的
C
io的(上)
(1)
通态开关漏电流
控制输入电流
电源电流
控制输入电容
开关量输入/输出电容
开关量输入/输出电容
2.7 V
2.7 V
2.7 V
2.5 V
2.5 V
2.5 V
T
A
= 25°C
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SN74AUC2G53
单刀双掷( SPDT )模拟开关或
2 : 1模拟复用器/解复用器
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开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内,C
L
= 15 pF(除非另有说明)(见
图5)
参数
t
pd
(1)
(输入)
COM或Y
INH
A
TO
(输出)
Y或COM
COM或Y
COM或Y
V
CC
= 0.8 V
典型值
0.3
9.2
8.1
9.2
10
V
CC
= 1.2 V
± 0.1 V
0.5
0.5
0.5
0.5
最大
0.3
3.5
4.2
3.6
3.6
V
CC
= 1.5 V
± 0.1 V
0.5
0.5
0.5
0.5
最大
0.3
2.2
3.2
2.3
2.3
V
CC
= 1.8 V
± 0.15 V
0.5
0.5
0.5
0.5
典型值
1
1.9
1.1
1.1
最大
0.2
1.9
3.4
1.9
2
V
CC
= 2.5 V
± 0.2 V
0.5
0.5
0.5
0.5
最大
0.1
1.8
2.6
1.6
1.6
单位
ns
ns
ns
t
en
t
DIS
t
en
t
DIS
(1)
传播延迟是典型的通态电阻,开关和所述特定网络连接编负载的所计算的RC时间常数
电容,当由一个理想电压源(零输出阻抗)驱动。
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内,C
L
= 30 pF(除非另有说明)(见
图5)
参数
t
PD (1)
t
en
t
DIS
t
en
t
DIS
(1)
(输入)
COM或Y
INH
A
TO
(输出)
Y或COM
COM或Y
COM或Y
0.5
0.5
0.5
0.5
1.6
2.2
1.6
1.6
V
CC
= 1.8 V
± 0.15 V
典型值
最大
0.4
3.1
3.4
3
3
0.5
0.5
0.5
0.5
V
CC
= 2.5 V
± 0.2 V
最大
0.2
2.2
2.2
2.2
2.3
ns
ns
ns
单位
传播延迟是典型的通态电阻,开关和所述特定网络连接编负载的所计算的RC时间常数
电容,当由一个理想电压源(零输出阻抗)驱动。
模拟开关特性
T
A
= 25°C
参数
(输入)
TO
(输出)
测试条件
V
CC
0.8 V
C
L
= 50 pF的,R
L
= 600
,
f
in
正弦波
(见
图6)
频率响应
(1)
(开关)
COM或Y
Y或COM
C
L
= 5 pF的,R
L
= 50
,
f
in
正弦波
(见
图6)
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
(1)
调整F
in
电压,以获得0 dBm的输出处。增加F
in
频率,直到分贝仪读取-3分贝。
典型值
90
101
110
122
198
>500
>500
>500
>500
>500
兆赫
单位
4
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单刀双掷( SPDT )模拟开关或
2 : 1模拟复用器/解复用器
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模拟开关特性(续)
T
A
= 25°C
参数
(输入)
TO
(输出)
测试条件
V
CC
0.8 V
C
L
= 50 pF的,R
L
= 600
,
f
in
= 1兆赫(正弦波)
(见
图7)
相声
(2)
(之间切换)
COM或Y
Y或COM
C
L
= 5 pF的,R
L
= 50
,
f
in
= 1兆赫(正弦波)
(见
图7)
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
相声
(控制输入到信号输出)
INH
COM或Y
C
L
= 50 pF的,R
L
= 600
,
f
in
= 1兆赫(方
波)
(见
图8)
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
C
L
= 50 pF的,R
L
= 600
,
f
in
= 1兆赫(正弦波)
(见
图9)
馈通衰减
(2)
(开关OFF)
COM或Y
Y或COM
C
L
= 5 pF的,R
L
= 600
,
f
in
= 1兆赫(正弦波)
(见
图9)
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
C
L
= 50 pF的,R
L
= 10 k,
f
in
= 1千赫(正弦波)
(见
图10)
正弦波失真
COM或Y
Y或COM
C
L
= 50 pF的,R
L
= 10 k,
f
in
= 10千赫(正弦波)
(见
图10)
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
0.8 V
1.1 V
1.4 V
1.65 V
2.3 V
典型值
–59
–59
–59
–59
–60
–55
–55
–55
–55
–55
0.56
0.68
0.81
0.93
1.5
–60
–60
–60
–60
–60
–59
–59
–59
–59
–59
6.19
0.39
0.06
0.02
0.01
3.55
0.38
0.04
0.02
0.02
%
dB
mV
dB
单位
(2)
调整F
in
电压,以获得0 dBm的输入端。
工作特性
对INH输入,T
A
= 25°C
参数
C
pd
功耗
电容
TEST
条件
F = 10MHz的
V
CC
= 0.8 V
典型值
3
V
CC
= 1.2 V
典型值
3
V
CC
= 1.5 V
典型值
3
V
CC
= 1.8 V
典型值
3
V
CC
= 2.5 V
典型值
3
单位
pF
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