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SN74ACT7807
2048
×
9
主频先入先出存储器
SCAS200D - 1991年1月 - 修订1998年4月
D
D
D
D
D
D
D
自由运行的读写时钟可以
是异步或重合
读取和写入操作同步
以独立的系统时钟
输入准备好标志同步写
时钟
输出就绪标志同步阅读
时钟
2048字由9位
低功耗先进的CMOS技术
可编程几乎满/几乎空
D
D
D
D
D
D
输入就绪,已准备好输出和半满
FL AGS
级联的字宽和/或Word
深度
12 ns的快速存取时间为50 pF的
负载
数据速率高达67 MHz的
三态输出
封装选项包括44引脚塑料
引线芯片载体( FN )和64引脚薄型
四方扁平( PAG , PM )封装
描述
该SN74ACT7807是2048字由9位的FIFO以高速和快速的存取时间。它在处理数据
率高达12 ns的比特并行格式67兆赫和访问时间。数据输出同相对于
到数据输入端。扩展是很容易实现在这两个词的宽度和深度的字。
写时钟( WRTCLK )和读时钟( RDCLK )输入要自由运行,并且可以是异步
或重合。数据被写入到存储器上WRTCLK的上升沿时的写使能( WRTEN1 / DP9 ,
WRTEN2 )输入都是高电平和输入就绪(IR)的标志输出是高的。数据从存储器中读出的上升
RDCLK的边缘时允许读出( RDEN1 , RDEN2 )和输出使能(OE)输入为高,并且
输出就绪(OR )标志输出为高电平。写入到存储器中的第一个字是通过时钟到输出缓冲器
无论在RDEN1 , RDEN2和OE的水平。的或标志指示有效数据存在于
输出缓冲器。
该FIFO可复位异步WRTCLK和RDCLK 。 RESET必须置位,而在至少四个
WRTCLK和4 RDCLK周期发生清除同步寄存器。复位FIFO将初始化
红外光谱,OR和半满(HF)标志低和几乎满/几乎空( AF / AE )标记高。在FIFO必须复位
上电时。
该SN74ACT7807的特点是操作从0℃至70℃。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
1998年,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
SN74ACT7807
2048
×
9
主频先入先出存储器
SCAS200D - 1991年1月 - 修订1998年4月
FN包装
( TOP VIEW )
D0
D1
D2
GND
D3
D4
D5
V
CC
D6
D7
D8
V
CC
HF
AF / AE
GND
RESET
V
CC
NC
OE
GND
Q0
6 5
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
4 3
2 1 44 43 42 41 40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
17
18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28
Q1
V
CC
Q2
Q3
GND
Q4
V
CC
Q5
Q6
GND
Q7
Q2
Q3
GND
GND
Q4
V
CC
V
CC
Q5
Q6
GND
GND
Q1
V
CC
V
CC
GND
WRTCLK
WRTEN1/DP9
WRTEN2
IR
OR
RDEN2
RDEN1
RDCLK
V
CC
PAG或PM包装
( TOP VIEW )
Q8
Q7
NC
64 63 62 61 60 59 58 57 56 55 54 53 52 51 50 49
NC
Q0
GND
GND
OE
NC
V
CC
V
CC
RESET
GND
GND
AF / AE
HF
V
CC
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
NC
Q8
V
CC
V
CC
RDCLK
RDEN1
NC
RDEN2
OR
IR
WRTEN2
WRTEN1/DP9
WRTCLK
GND
GND
NC
NC - 无内部连接
2
NC
D0
D1
D2
GND
GND
D3
D4
NC
D5
V
CC
V
CC
D6
D7
D8
NC
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达拉斯,德克萨斯州75265
SN74ACT7807
2048
×
9
主频先入先出存储器
SCAS200D - 1991年1月 - 修订1998年4月
逻辑符号
Φ
FIFO 2048
×
9
SN74ACT7807
RESET
WRTCLK
&放大器;
WRTEN
RDCLK
EN1
&放大器;
RDEN
RDEN2
24
2
项目启用
40
39
37
36
数据
数据
1
34
32
31
29
8
8
28
在RDY
半满
26
42
25
殆满/空
OUT RDY
22
5
4
23
IR
HF
AF / AE
OR
RESET
WRTCLK
WRTEN1/DP9
WRTEN2
RDCLK
OE
RDEN1
1
19
20
21
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
7
8
9
11
12
13
15
16
17
0
0
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
Q8
这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984和IEC出版617-12 。
显示引脚数都为FN包。
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SN74ACT7807
2048
×
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主频先入先出存储器
SCAS200D - 1991年1月 - 修订1998年4月
功能框图
OE
D0–D8
位置1
RDCLK
RDEN1
RDEN2
同步
控制
指针
地点2
2048
×
9 RAM
WRTCLK
WRTEN1/DP9
WRTEN2
同步
控制
指针
位置2047
位置2048
注册
Q0 – Q8
RESET
RESET
逻辑
状态 -
逻辑
OR
IR
HF
AF / AE
4
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SN74ACT7807
2048
×
9
主频先入先出存储器
SCAS200D - 1991年1月 - 修订1998年4月
终端功能
终奌站
名字
AF / AE
D0–D8
HF
IR
I / O
描述
几乎全/近空标志。深度偏移值可以被编程为AF / AE或256罐中的默认值
同时用于在几乎空的偏移量( X)与几乎满的偏移量(Y)的。 AF / AE为高时,存储器包含
X或更少的话,或(2048 - Y)或更多的单词。 AF / AE复位后高。
九位的数据输入端口
半满标志。 HF为高时,在FIFO存储器包含1024个或更多的话。 HF是复位后低。
输入准备好标志。红外同步到WRTCLK的低到高转变。当IR为低时,FIFO为满并
写操作被禁止。 IR为低电平复位期间,去高点WRTCLK后的第二低到高的转变
复位。
输出使能。当OE , RDEN1 , RDEN2和OR高,数据从FIFO中读出一个低到高的转变
的RDCLK 。当OE为低电平时,读取是残疾人和数据输出处于高阻抗状态。
输出就绪标志。或同步到RDCLK低到高的转变。时或低时, FIFO为空
并读取被禁用。准备好数据出现在Q0 - Q17何时或高。或者是低电平复位期间变高
在RDCLK的第一个字后的第三低到高的转变被加载到内存空。
程序启用。复位后的第一个字被写入到FIFO ,在D0- D8和DP9的二进制值之前
被锁定为AF / AE偏移值,当PEN低, WRTCLK高。
九位的数据输出端口。后空内存的第一个有效的写,第一个单词是Q0 - Q8输出在第三
上升RDCLK的边缘。或者也被置为高电平,此时,表示准备好数据。时或低时,最后一个字
从FIFO中读出存在于Q0 - Q8 。
读时钟。 RDCLK是一个连续的时钟,并且可以是异步或重合到WRTCLK 。低到高
RDCLK的转变从内存中读取数据时RDEN1 , RDEN2 , OE和OR高。或者是同步的
到RDCLK低到高的转变。
读使能。当RDEN1 , RDEN2 , OE ,和OR高,数据从FIFO中读取低到高
RDCLK的过渡。
复位。要复位FIFO , RDCLK四低到高的转变和WRTCLK四低到高的转变绝
发生当RESET为低。此设置的HF ,IR和OR低和AF / AE高。
写时钟。 WRTCLK是一个连续的时钟,并且可以是异步或重合到RDCLK 。低到高
WRTCLK的转变将数据写入内存时WRTEN1 / DP9 , WRTEN2和红外高。 IR是同步的
以WRTCLK低到高的转变。
写使能/数据引脚9.当WRTEN1 / DP9 , WRTEN2和IR是高时,数据被写入到FIFO上的
低到高的WRTCLK的过渡。当编程AF / AE偏移值, WRTEN1 / DP9作为
最显著的数据位。
写使能。当WRTEN1 / DP9 , WRTEN2和IR是高时,数据被写入到FIFO上一个低到高
WRTCLK的过渡。
O
I
O
O
OE
I
OR
O
I
Q0–Q8
O
RDCLK
RDEN1
RDEN2
RESET
I
I
I
WRTCLK
I
WRTEN1/DP9
I
WRTEN2
I
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