SN74ACT7806
256
×
18
选通的先入先出存储器
SCAS438C - 1992年4月 - 修订1998年4月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
德州仪器会员
Widebus家庭
加载时钟和卸载时钟可
异步或重合
256个字由18位
低功耗先进的CMOS技术
满,空和半满标志
可编程几乎满/几乎空
旗
15 ns的快速存取时间为50 pF的
加载和所有数据输出开关
同时
数据速率高达50 MHz的
三态输出
引脚对引脚兼容SN74ACT7804
和SN74ACT7814
封装在小外形300万
封装采用25密耳中心到中心
间距
DL包装
( TOP VIEW )
描述
甲FIFO存储器是一个存储装置,它允许
数据被写入,并从它的阵列读出
独立的数据速率。该SN74ACT7806是
256个字由18位的FIFO用于高速和快
访问时间。它的速率处理数据达
的15纳秒以比特并行50兆赫和访问时间
格式。
数据被写入到存储器上的一个低到高的
在负载时钟跳变( LDCK )输入,并
读出在卸载由低到高的转变
时钟( UNCK )输入。内存已满时,
字数在计时超过数
也就是说主频由256当内存
满, LDCK信号对数据没有影响
驻留在内存中。当存储器是空的,
UNCK信号有任何影响。
RESET
D17
D16
D15
D14
D13
D12
D11
D10
V
CC
D9
D8
GND
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
HF
笔
AF / AE
LDCK
NC
NC
满
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
OE
Q17
Q16
Q15
GND
Q14
V
CC
Q13
Q12
Q11
Q10
Q9
GND
Q8
Q7
Q6
Q5
V
CC
Q4
Q3
Q2
GND
Q1
Q0
UNCK
NC
NC
空
NC - 无内部连接
FIFO存储器的状态由满(FULL) ,空的( EMPTY ) ,半满( HF)的监视,并且
几乎全/近空( AF / AE )标志。全力输出为低电平时内存已满,高的时候
内存是不是满了。空输出为低电平时,内存是空的,高的时候是不是空的。高频
输出为高时,在FIFO中包含128个或更多的话。在AF / AE状态标志是一个可编程的标志。该
第一个或两个低到高LDCK的跃迁复位后用于编程的几乎空的偏移值
( X)和几乎满的偏移值( Y),如果程序启动(PEN)是低的。在AF / AE标志为高电平时FIFO
含有X或更少的字或(256 - Y)或更多的单词。在AF / AE标志为低电平时, FIFO中包含的
(x + 1)和(255 - Y)的话。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
Widebus是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1998年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
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SN74ACT7806
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选通的先入先出存储器
SCAS438C - 1992年4月 - 修订1998年4月
描述(续)
上电复位( RESET )输入的低电平复位内部堆栈指针,并设置全高,高频低,
空低。 Q输出不返回到任何特定的逻辑电平。该FIFO必须在电源理想管材进行复位
加载到内存中的空字第使得空变高,并将数据显示在Q输出。这是
重要的是要注意,第一字不必被卸载。数据输出是同相相
到数据输入端,并处于高阻抗状态时,输出使能(OE)输入为高。
该SN74ACT7806的特点是操作从0℃至70℃。
逻辑符号
Φ
FIFO 256
×
18
SN74ACT7806
RESET
LDCK
UNCK
OE
笔
23
1
25
32
56
RESET
LDCK
UNCK
EN1
项目启用
33
34
36
37
38
40
41
42
43
数据
数据
1
45
46
47
48
49
51
53
54
17
17
55
满
半满
殆满/空
空
28
22
24
29
空
满
HF
AF / AE
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D9
D10
D11
D12
D13
D14
D15
D16
D17
21
20
19
18
17
16
15
14
12
11
9
8
7
6
5
4
3
2
0
0
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
Q8
Q9
Q10
Q11
Q12
Q13
Q14
Q15
Q16
Q17
这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984和IEC出版617-12 。
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选通的先入先出存储器
SCAS438C - 1992年4月 - 修订1998年4月
功能框图
OE
D0–D17
位置1
UNCK
读
指针
地点2
256
×
18 SRAM
写
指针
LDCK
地点255
地点256
Q0 – Q17
空
RESET
笔
RESET
逻辑
状态 -
旗
逻辑
满
HF
AF / AE
终端功能
终奌站
名字
AF / AE
号
24
2–9, 11–12,
12–14
29
28
22
25
56
23
33–34, 36–38,
40–43, 45–49,
51, 53–55
1
32
I / O
描述
几乎全/近空标志。深度偏移值可以被编程为AF / AE ,或默认值
32 ,可用于两个几乎空的偏移量( X)与几乎满的偏移量(Y)的。 AF / AE为高电平时
存储器中包含X或更少的字或(256 - Y)或更多的单词。 AF / AE复位后高。
18位的数据输入端口
空标志。空为高电平时FIFO存储器不为空; EMPTY为低电平时, FIFO存储器
为空或复位的断言。
满标志。 FULL为高电平时FIFO存储器未满或复位的断言;全为低电平时
FIFO存储器已满。
半满标志。 HF为高时,在FIFO存储器包含128个或更多的话。 HF是复位后低。
加载时钟。数据被写入到FIFO上LDCK的上升沿时,全高。
输出使能。当OE为高电平时,数据输出端处于高阻抗状态。
程序启用。复位之后和之前的第一个字被写入到FIFO中,在D0 D6中的二进制值
被锁定为AF / AE偏移值,当PEN低, WRTCLK高。
18位的数据输出端口
复位。在此输入的低电平复位FIFO和驱动FULL高, HF和EMPTY低。
卸载时钟。数据从FIFO中读取UNCK的上升沿,当空高。
O
D0–D17
空
满
HF
LDCK
OE
笔
I
O
O
O
I
I
I
Q0–Q17
RESET
UNCK
O
I
I
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偏移AF / AE值
在AF / AE标志有两个可编程的限制,几乎空偏移值( X)和几乎完全抵消
数值( Y) 。他们可以通过编程的FIFO复位后,之前的第一个字写入内存。该
AF / AE标志为高时, FIFO中含有X或更少的字或( 256 - Y)或更多的词。
编程的偏移值, PEN可以拉低复位后,只有当LDCK低。在以下
低到高的LDCK ,在D0 D6中的二进制值的过渡被存储为几乎空的偏移值(X)和
几乎满的偏移值( Y) 。持笔低LDCK另一个低到高的转变重新编程Y到
在D0 - D6二进制值在第二LDCK低到高的过渡时间。写入FIFO存储器是
禁用而偏移进行编程。 127的最大值可以设置为X或Y (见
图1)。要使用X的缺省值= Y = 32 , PEN必须保持高。
RESET
LDCK
笔
D0–D6
不在乎
X和Y的
Y
空
图1.编程X和Y分别
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不在乎
RESET
笔
LDCK
D0–D17
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1
0
W1
W2
W
(X+1)
W128
W
(256–Y)
W256
不在乎
UNCK
1
0
OE
Q0–Q17
W1
W
(Y+1)
W
(Y+2)
W
(256–X)
W
(257–X)
W2
W129
W130
W255
W256
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空
AF / AE
HF
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满
定义AF / AE标志使用
X和Y的默认值
图2.写入,读取和标志时序参考