SN74ACT7804
512
×
18选通的先入先出存储器
SCAS204C - 1992年4月 - 修订1998年4月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
德州仪器会员
Widebus家庭
加载时钟和卸载时钟可
异步或重合
512字由18位
低功耗先进的CMOS技术
满，空和半满标志
可编程几乎满/几乎空
旗
15 ns的快速存取时间为50 pF的
加载和所有数据输出开关
同时
数据速率高达50 MHz的
三态输出
引脚对引脚兼容SN74ACT7806
和SN74ACT7814
封装在小外形300万
封装采用25密耳中心到中心
间距
DL包装
（ TOP VIEW ）
描述
甲FIFO存储器是一个存储装置，它允许
数据被写入，并从它的阵列读出
独立的数据速率。该SN74ACT7804是
512个字由18位的FIFO用于高速和快
访问时间。它的速率处理数据达
的15纳秒以比特并行50兆赫和访问时间
格式。
数据被写入到存储器上的一个低到高的
在负载时钟跳变（ LDCK ）输入，并
读出的由低到高的转变
卸载时钟（ UNCK ）输入。内存已满
当单词的数目主频在超过
字数主频由512的时
内存已满， LDCK信号，对无影响
驻留在内存中的数据。当存储器是
空， UNCK信号有任何影响。
RESET
D17
D16
D15
D14
D13
D12
D11
D10
V
CC
D9
D8
GND
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
HF
笔
AF / AE
LDCK
NC
NC
满
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
OE
Q17
Q16
Q15
GND
Q14
V
CC
Q13
Q12
Q11
Q10
Q9
GND
Q8
Q7
Q6
Q5
V
CC
Q4
Q3
Q2
GND
Q1
Q0
UNCK
NC
NC
空
NC - 无内部连接
FIFO存储器的状态由满（FULL） ，空的（ EMPTY ） ，半满（ HF）的监视，并且
几乎全/近空（ AF / AE ）标志。全力输出为低电平时内存已满，高的时候
内存是不是满了。空输出为低电平时，内存是空的，高的时候是不是空的。高频
输出为高电平时， FIFO包含256个或更多的词。在AF / AE状态标志是一个可编程的标志。该
第一个或两个低到高LDCK的跃迁复位后用于编程的几乎空的偏移值
（ X）和几乎满的偏移值（ Y），如果程序启动（PEN）是低的。在AF / AE标志为高电平时FIFO
含有X或更少的字或（512 - Y）或更多的单词。在AF / AE标志为低电平时， FIFO中包含的
（ X + 1 ）和（ 511 - Y）的话。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
Widebus是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1998年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
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512
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18选通的先入先出存储器
SCAS204C - 1992年4月 - 修订1998年4月
描述（续）
上电复位（ RESET ）输入的低电平复位内部堆栈指针，并设置全高， AF / AE高， HF
低，空低。 Q输出不返回到任何特定的逻辑电平。该FIFO必须复位时
电。
加载到内存空的第一个字会导致空变高，并将数据显示在Q输出。
要注意的是第一个字没有被卸载是很重要的。数据输出是同相同
对于数据输入和处于高阻抗状态时，输出使能（OE）输入为高。
该SN74ACT7804的特点是操作从0℃至70℃。
逻辑符号
Φ
FIFO 512
×
18
SN74ACT7804
RESET
LDCK
UNCK
EN1
项目启用
满
半满
殆满/空
空
28
22
24
29
空
满
HF
AF / AE
RESET
LDCK
UNCK
OE
笔
1
25
32
56
23
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D9
D10
D11
D12
D13
D14
D15
D16
D17
21
20
19
18
17
16
15
14
12
11
9
8
7
6
5
4
3
2
0
0
33
34
36
37
38
40
41
42
43
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
Q8
Q9
Q10
Q11
Q12
Q13
Q14
Q15
Q16
Q17
数据
数据
1
45
46
47
48
49
51
53
54
17
17
55
这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984和IEC出版617-12 。
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功能框图
OE
D0–D17
位置1
UNCK
读
指针
地点2
512
×
18 SRAM
写
指针
LDCK
地点511
地点512
Q0–Q17
空
RESET
笔
RESET
逻辑
状态 -
旗
逻辑
满
HF
AF / AE
终端功能
终奌站
名字
AF / AE
号
24
2–9, 11–12,
14–21
29
28
22
25
56
23
33–34, 36–38,
40–43, 45–49,
51, 53–55
1
32
I / O
描述
几乎全/近空标志。深度偏移值可以被编程为AF / AE ，或默认值
64 ，可用于两个几乎空的偏移量（ X）与几乎满的偏移量（Y）的。 AF / AE为高电平时
存储器中包含X或更少的字或（512 - Y）或更多的单词。 AF / AE复位后高。
18位的数据输入端口
空标志。 EMPTY为低电平时， FIFO为空。一个FIFO复位也会导致空变低。
满标志。全为低电平时， FIFO满。一个FIFO复位会使FULL变高。
半满标志。 HF为高时，在FIFO存储器包含256个或更多的话。 HF是复位后低。
加载时钟。数据被写入到FIFO上LDCK的上升沿时，全高。
输出使能。当OE为高电平时，数据输出端处于高阻抗状态。
程序启用。复位之后和之前的第一个字被写入到FIFO中，在D0-D7中的二进制值
被锁定为AF / AE偏移值，当PEN低， LDCK高。
18位的数据输出端口
复位。 RESET的低电平复位FIFO和驱动AF / AE和全高和HF和EMPTY低。
卸载时钟。数据从FIFO中读取UNCK的上升沿，当空高。
O
D0–D17
空
满
HF
LDCK
OE
笔
I
O
O
O
I
I
I
Q0–Q17
RESET
UNCK
O
I
I
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偏移AF / AE值
该AF / AE标志具有两个可编程的限制：在几乎空的偏移值（ X）和几乎满的偏移值
（ Y） 。他们可以通过编程的FIFO复位后，之前的第一个字写入内存。在AF / AE
标志为高时， FIFO中含有X或更少的字或（ 512 - Y）或更多的词。
编程的偏移值， PEN可以拉低复位后，只有当LDCK低。在以下
低到高的LDCK ，在D0-D7中的二进制值的过渡被存储为几乎空的偏移值（X）和
几乎满的偏移值（ Y） 。持笔低LDCK另一个低到高的转变重新编程Y到
在D0 - D7二进制值在第二LDCK低到高的过渡时间。写入FIFO存储器是
禁用而偏移进行编程。 255的最大值可以被编程为X或Y （见
图1）。要使用X的缺省值= Y = 64 ， PEN必须保持高。
RESET
LDCK
笔
D0–D7
不在乎
X和Y的
Y
空
图1.编程X和Y分别
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邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
不在乎
RESET
笔
LDCK
1
0
D0–D17
UNCK
W1
W2
W
(X+1)
W256
W
(512–Y)
W512
不在乎
Q0–Q17
W1
W2
W
(Y+1)
W
(Y+2)
W257
W258
W
(512–X)
W
(513–X)
W511
空
AF / AE
HF
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OE
1
0
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满
定义AF / AE标志使用
X和Y的默认值
图2.写入，读取和标志时序参考
QQ：2880707522 复制
