SN74ACT373 EP

八路D型透明锁存器

具有三态输出

SCAS726 - 2003年10月

D

控制基线

D

D

D

D

D

- 一个封装/测试网站，一个制造

现场

扩展温度性能

-55 ° C至125°C

提高制造业递减

源（ DMS ）支持

增强型产品更改通知

资质谱系

4.5 V至5.5 V V

CC

手术

D

输入接受电压为5.5 V

D

最大牛逼

pd

10纳秒在5 V

D

输入是TTL电压兼容

DW包装

（ TOP VIEW ）

按照JEDEC和产业组件资质

标准，以确保可靠的操作在长时间

温度范围。这包括，但不限于，高

加速应力测试（ HAST ）或偏见85/85 ，温度

循环，高压灭菌器或偏见的HAST ，电，债券

间的生活，模塑料的使用寿命。该项资格

检测不应该被看作是证明使用该组件的

超出规定的性能和环境的限制。

OE

1Q

1D

2D

2Q

3Q

3D

4D

4Q

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

20

19

18

17

16

15

14

13

12

11

V

CC

8Q

8D

7D

7Q

6Q

6D

5D

5Q

LE

描述/订购信息

这8位锁存功能三态输出专为驱动高容性或相对设计

低阻抗负载。该装置特别适用于实现缓冲寄存器，I / O端口，

双向总线驱动器和工作寄存器。

这八个锁存器D型透明锁存器。当锁存使能（ LE）的输入为高时， Q输出跟随

的数据（D）输入端。当LE为低电平时， Q输出锁存逻辑电平设置在D输入端。

具有缓冲的输出使能（OE）输入可用于放置在任何一个正常的逻辑状态的八个输出（高

或低逻辑电平）或者高阻抗状态。在高阻抗状态下，输出没有负载也没有驱动

公交线路显著。高阻抗状态，增加驱动器提供驱动公交线路的能力

在总线组织系统，而不需要对接口或上拉部件。

OE不影响锁存器的内部操作。旧的数据可以被保留或新的数据可被输入

而输出处于高阻抗状态。

为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应当连接到V

CC

通过上拉

电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。

订购信息

TA

-55 ° C至125°C

SOIC - DW

包装

磁带和卷轴

订购

产品型号

SN74ACT373MDWREP

TOP- SIDE

记号

SACT373MEP

包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计准则

可在www.ti.com/sc/package 。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

2003年，德州仪器

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SN74ACT373 EP

八路D型透明锁存器

具有三态输出

功能表

（每个锁存器）

输入

OE

L

L

L

H

LE

H

H

L

X

D

H

L

X

X

产量

Q

H

L

Q0

Z

逻辑图（正逻辑）

OE

LE

1

11

C1

1D

3

1D

2

1Q

七其他渠道

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压范围，V

CC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的

输入电压范围，V

I

（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V

CC

+ 0.5 V

输出电压范围，V

O

（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V

CC

+ 0.5 V

输入钳位电流，I

IK

(V

I

＆ LT ; 0或V

I

＆ GT ; V

CC)

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±20

mA

输出钳位电流，I

OK

(V

O

＆ LT ; 0或V

O

＆ GT ; V

CC)

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±20

mA

连续输出电流，I

O

(V

O

= 0至V

CC

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±50

mA

连续电流通过V

CC

或GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

±200

mA

封装的热阻抗，

θ

JA

（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58 ° C / W

存储温度范围，T

英镑

（见注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注释：1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。

2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

3.长期高温存储和/或最大超期使用推荐的工作条件可能导致

降低整体设备的寿命。见http://www.ti.com/ep_quality关于增强塑料包装的附加信息。

2

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推荐工作条件（见注4 ）

民

VCC

VIH

VIL

VI

VO

IOH

IOL

ΔT/ ΔV

电源电压

高电平输入电压

低电平输入电压

输入电压

输出电压

高电平输出电流

低电平输出电流

输入过渡上升或下降速率

0

0

4.5

2

0.8

VCC

VCC

24

24

8

最大

5.5

单位

V

V

V

V

V

mA

mA

NS / V

TA

工作自由空气的温度

55

125

°C

注4 ：该设备的所有未使用的输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告

慢或浮动CMOS输入的影响，

文献编号SCBA004 。

电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非

另有说明）

参数

IOH = -50

A

A

VOH

IOH = -24毫安

IOL = 50

A

A

VOL

IOL = 24毫安

IOZ

II

ICC

I

CC

Ci

VO = VCC或GND

VI = VCC或GND

VI = VCC或GND ，

一个输入在3.4 V，

在GND或VCC的其他投入

IO = 0

测试条件

VCC

4.5 V

5.5 V

4.5 V

5.5 V

4.5 V

5.5 V

4.5 V

5.5 V

5.5 V

5.5 V

5.5 V

5.5 V

0.6

TA = 25°C

民

典型值

最大

4.4

5.4

3.86

4.86

0.1

0.1

0.36

0.36

±0.25

±0.1

4

4.49

5.49

民

4.4

5.4

3.7

4.7

0.1

0.1

0.44

0.44

±5

±1

80

1.5

A

A

A

mA

pF

V

V

最大

单位

VI = VCC或GND

5V

4.5

这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的TTL电压电平中的一个，而不是为0V或者VCC 。

在推荐工作的自由空气的温度范围内，V时序要求

CC

= 5 V

±

0.5 V

（除非另有说明）（参见图1）

TA = 25°C

民

最大

tw

TSU

th

脉冲持续时间， LE高

建立时间， LE ↑前数据

保持时间， LE ↑后的数据

7

7

0

民

8.5

8.5

1

最大

单位

ns

ns

ns

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开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内，

V

CC

= 5 V

±

0.5伏（除非另有说明）（参见图1）

参数

TPLH

的TPH1

TPLH

的TPH1

tpZH

tPZL

tPHZ

tPLZ

从

（输入）

D

LE

OE

OE

TO

（输出）

Q

Q

Q

Q

TA = 25°C

民

典型值

最大

2.5

2

2.5

2

2

2

2.5

1.5

8.5

8

8.5

8

8

7.5

9

7.5

10

10

11

10

9.5

9

11

8.5

民

1.5

1.5

1.5

1.5

1.5

1.5

1.5

1.5

最大

12.5

12.5

12.5

11.5

11.5

11

14

11

ns

ns

ns

ns

单位

经营特色，V

CC

= 5 V ，T

A

= 25°C

参数

CPD

功率耗散电容

测试条件

CL = 50 pF的，

F = 1 MHz的

典型值

40

单位

pF

4

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具有三态输出

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参数测量信息

2

×

VCC

从输出

被测

CL = 50 pF的

（见注一）

500

S1

开放

TEST

tPLH的/的TPH1

tPLZ / tPZL

tPHZ / tPZH

S1

开放

2

×

VCC

开放

500

3V

定时输入

负载电路

TSU

tw

3V

输入

1.5 V

1.5 V

0V

电压波形

产量

控制

（低电平

使能）

tPZL

3V

输入

1.5 V

TPLH

产量

50 ％ VCC

电压波形

1.5 V

0V

的TPH1

VOH

50 ％ VCC

VOL

产量

波形1

S1在2

×

VCC

（见注B）

tpZH

产量

波形2

S1在打开

（见注B）

50 ％ VCC

电压波形

50 ％ VCC

3V

1.5 V

1.5 V

0V

tPLZ

≈V

CC

VOL + 0.3 V

tPHZ

VOH - 0.3 V

VOH

≈0

V

VOL

数据输入

1.5 V

1.5 V

th

0V

3V

1.5 V

0V

电压波形

注：A CL包括探针和夹具电容。

B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平除非输出控制禁止时。

波形2是内部条件的输出，使得输出为高，除去被禁止输出的时候。

C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR

≤

1 MHz时， ZO = 50

,

tr

≤

2.5纳秒， TF

≤

2.5纳秒。

D的输出被测量的一个在每个测量一个输入转换的时间。

图1.负载电路和电压波形

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