SN74ACT244-EP
八路缓冲器/驱动器
具有三态输出
www.ti.com
SCAS724B - 2003年10月 - 修订2006年3月
特点
控制基线
- 一个封装/测试网站，一个制造
现场
最多扩展温度性能
-55 ° C至125°C
提高制造业递减
源（ DMS ）支持
增强型产品更改通知
资质谱系
(1)
4.5 V至5.5 V V
CC
手术
输入接受电压为5.5 V
最大牛逼
pd
9.5纳秒的5 V
输入是TTL兼容
按照JEDEC和组件认证
行业标准，以确保可靠运行了一个多
扩展级温度范围。这包括，但不限于
到，高加速应力测试（ HAST ）或偏见85/85 ，
温度循环，高压灭菌器或无偏HAST ，
电，债券间的生活，和模塑料
生活。这样的资格测试不应该被看作是
超出规定的证明使用该组件的
性能和环境限制。
DW或NS包装
（ TOP VIEW ）
(1)
1OE
1A1
2Y4
1A2
2Y3
1A3
2Y2
1A4
2Y1
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
2OE
1Y1
2A4
1Y2
2A3
1Y3
2A2
1Y4
2A1
描述/订购信息
该SN74ACT244 -EP八进制缓冲/驱动器是专为改善的性能和密度
三态存储器地址驱动器，时钟驱动器和总线面向接收机和发射机。
该设备被组织成两个4位缓冲器/驱动器有独立的输出使能（OE）输入。当OE为低电平时，
该设备通过从A输入到Y输出同相数据。当OE为高电平时，输出在
高阻抗状态。
为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
订购信息
T
A
-55 ° C至125°C
-40 ° C至85°C
SOIC - DW
SOP - NS
SOIC - DW
包
(1)
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购型号
SN74ACT244MDWREP
SN74ACT244MNSREP
SN74ACT244IDWREP
顶部端标记
SACT244MEP
SACT244MEP
SACT244IEP
(1)
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
功能表
（每个缓冲器）
输入
OE
L
L
H
A
H
L
X
产量
Y
H
L
Z
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2003-2006 ，德州仪器
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具有三态输出
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逻辑图（正逻辑）
1OE
1
2OE
19
1A1
2
18
1Y1
2A1
11
9
2Y1
1A2
4
16
1Y2
2A2
13
7
2Y2
1A3
6
14
1Y3
2A3
15
5
2Y3
1A4
8
12
1Y4
2A4
17
3
2Y4
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压范围
输入电压范围
(2)
输出电压
范围
(2)
V
I
＆ LT ; 0或V
I
＆ GT ; V
CC
V
O
＆ LT ; 0或V
O
＆ GT ; V
CC
V
O
= 0至V
CC
DW包装
NS封装
–65
输入钳位电流
输出钳位电流
连续输出电流
连续电流通过V
CC
或GND
θ
JA
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
封装的热阻抗
(3)
存储温度范围
(4)
–0.5
–0.5
–0.5
最大
7
V
CC
+ 0.5
V
CC
+ 0.5
±20
±20
±50
±200
58
60
150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
° C / W
°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
在最大推荐工作条件长期高温保存和/或长期使用可能导致减少的
整个设备寿命。见http://www.ti.com/ep_quality关于增强塑料包装的附加信息。
推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
IH
V
IL
V
I
V
O
I
OH
I
OL
ΔT/ ΔV
T
A
(1)
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输入电压
输出电压
高电平输出电流
低电平输出电流
输入过渡上升或下降速率
工作自由空气的温度
SN74ACT244M-EP
SN74ACT244I-EP
–55
–40
0
0
4.5
2
0.8
V
CC
V
CC
–24
24
8
125
85
最大
5.5
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
NS / V
°C
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
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电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）
参数
测试条件
I
OH
= –50
A
V
OH
I
OH
= -24毫安
I
OH
= –75
mA
(1)
V
CC
4.5 V
5.5 V
4.5 V
5.5 V
5.5 V
4.5 V
5.5 V
4.5 V
5.5 V
5.5 V
5.5 V
5.5 V
I
O
= 0
5.5 V
5.5 V
5V
5V
0.6
2.5
8
±0.25
±0.1
4
±5
±1
80
1.6
0.001
0.001
0.1
0.1
0.36
0.36
0.1
0.1
0.5
0.5
T
A
= 25°C
民
4.4
5.4
3.86
4.86
典型值
4.49
5.49
最大
SN74ACT244M-EP
民
4.4
5.4
3.7
4.7
最大
SN74ACT244I-EP
民
4.4
5.4
3.76
4.76
3.85
0.1
0.1
0.44
0.44
1.65
±2.5
±1
40
1.5
A
A
A
mA
pF
pF
V
V
最大
单位
I
OL
= 50
A
V
OL
I
OL
= 24毫安
I
OL
= 75
I
OZ
I
I
I
CC
I
CC (2)
C
i
C
o
(1)
(2)
mA
(1)
V
O
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND ，
一个输入在3.4 V，
在GND或V等输入
CC
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND
不超过一个的输出应在同一时间进行测试，并在测试的持续时间不得超过2毫秒。
这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的TTL电压电平中的一个，而不是0 V或V
CC
.
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围，V
CC
= 5 V
±
0.5伏（除非另有说明）（见
图1）
参数
t
PLH
t
PHL
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
从
（输入）
A
OE
OE
TO
（输出）
Y
Y
Y
T
A
= 25°C
民
2
2
1.5
2
2
2.5
典型值
6.5
7
7
7
8
7.5
最大
9
9
8.5
9.5
9.5
10
SN74ACT244M-EP
民
1
1
1
1
1
1
最大
10
10
9.5
11
11
11.5
SN74ACT244I-EP
民
1.5
1.5
1
1.5
1.5
2
最大
10
10
9.5
10.5
10.5
10.5
单位
ns
ns
ns
工作特性
V
CC
= 5 V ，T
A
= 25°C
参数
C
pd
功率耗散电容
测试条件
C
L
= 50 pF的，
F = 1 MHz的
典型值
45
单位
pF
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参数测量信息
2
×
V
CC
从输出
被测
C
L
= 50 pF的
（见注一）
500
S1
开放
TEST
t
PLH
/t
PHL
t
PLZ
/t
PZL
t
PHZ
/t
PZH
S1
开放
2
×
V
CC
开放
500
负载电路
产量
控制
（低电平
使能）
3V
t
PZL
产量
波形1
S1在2
×
V
CC
（见注B）
t
PZH
V
OH
产量
波形2
S1在打开
（见注B）
3V
1.5 V
1.5 V
0V
t
PLZ
≈V
CC
50% V
CC
V
OL
+ 0.3 V
t
PHZ
50% V
CC
V
OH
0.3 V
V
OH
≈0
V
电压波形
V
OL
输入
1.5 V
1.5 V
0V
t
PHL
t
PLH
产量
50% V
CC
50% V
CC
V
OL
电压波形
注意事项： A.
L
包括探头和夹具电容。
B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平时，除由输出控制禁止时。
波形2是内部条件的输出，使得输出为高电平，除非输出控制禁止时。
C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR
≤
1 MHz时，Z
O
= 50
,
t
r
≤
2.5纳秒，T
f
≤
2.5纳秒。
D的输出被测量一次，每测一个输入过渡。
图1.负载电路和电压波形
4
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封装选项附录
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5-Feb-2007
包装信息
订购设备
SN74ACT244IDWREP
SN74ACT244MDWREP
SN74ACT244MNSREP
V62/04620-01XE
V62/04620-01YE
V62/04620-02XE
(1)
状态
(1)
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
包
TYPE
SOIC
SOIC
SO
SOIC
SO
SOIC
包
制图
DW
DW
NS
DW
NS
DW
引脚封装环保计划
(2)
数量
20
20
20
20
20
20
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
2000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
铅/焊球涂层
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
MSL峰值温度
(3)
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
营销状态值的定义如下：
ACTIVE ：
建议用于新设计产品的设备。
LIFEBUY ：
德州仪器日前宣布，该设备将停止，并且终身购买期间生效。
NRND ：
不建议用于新设计。设备是生产以支持现有客户，但TI不推荐使用这部分
新的设计。
预览：
设备已宣告但尚未投入生产。样品可以是或可以不是可用的。
已过时：
TI已经停止生产该设备的。
(2)
环保计划 - 该计划的环保分级：无铅（符合RoHS ） ，无铅（ RoHS豁免）或绿色环保（RoHS &无Sb / Br） - 请检查
http://www.ti.com/productcontent
获得最新供货信息和附加产品目录明细。
TBD ：
无铅/绿色转换计划尚未确定。
无铅（ RoHS指令） ：
TI的条款"Lead - Free"或"Pb - Free"意味着与当前RoHS要求的半导体产品
对于所有6种物质，其中包括铅的重量不超过均质材料0.1 ％的要求。其中，设计成被焊接
在高温下， TI无铅产品适用于特定的无铅工艺。
无铅（ RoHS豁免） ：
该组件符合RoHS豁免要么1 ）铅基模之间采用倒装芯片焊料凸点
包，或2）基于铅的管芯和引线框架之间使用裸片粘合剂。该组件，否则视为无铅（ RoHS指令
尺寸）的定义同上。
绿色环保（RoHS &无锑/溴） ：
TI定义"Green"意味着无铅（符合RoHS标准） ，无溴（ Br）和锑（Sb ）的火焰
阻燃剂（溴或锑不均质材料重量超过0.1 ％ ）
(3)
MSL ，峰值温度。 - 根据JEDEC行业标准分类的湿度敏感等级评级，并将峰值焊接
温度。
重要信息及免责声明：
本页提供的信息代表了TI的知识和信念，这是日期
提供的。 TI基于其上由第三方提供的信息，知识和信念，不作任何陈述或保证的
这些信息的准确性。正在努力更好地整合来自第三方的信息。 TI已经采取并将继续采取
合理步骤，以提供有代表性的，准确的信息，但可能还没有进行破坏性测试或化学分析
传入的材料和化学品。 TI及其供应商认为某些信息是专有的，因此CAS号码和其他有限
信息可能不提供用于释放。
在任何情况下，所产生的这种信息TI的责任超过了TI的部分（ S）的总购买价格问题由TI出售本文档中
为客户在年度基础上。
附录1页
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