【SN7002WSIPMOS小信号三极管特征N沟道增强型逻辑电平dv / dt的额定漏3脚门pin1来】,IC型号SN7002W,SN7002W PDF资料,SN7002W经销商,ic,电子元器件-51电子网

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SN7002W

SIPMOS

小信号三极管

特征

N沟道

增强型

逻辑电平

dv / dt的额定

漏

3脚

门

pin1

来源

销2

产品概述

V

DS

R

DS （ ON）

I

D

60

5

0.23

PG-SOT-323

V

A

TYPE

SN7002W

SN7002W

包

PG-SOT-323

PG-SOT-323

无铅

是的

是的

磁带和卷轴信息

L6327 ： 3000个/卷

L6433 ： 10000个/卷

记号

SSN

SSN

最大额定值，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

连续漏电流

T

A

=25°C

T

A

=70°C

价值

0.23

0.18

单位

A

I

D

漏电流脉冲

T

A

=25°C

I

PULS

dv / dt的

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

0.92

6

±20

0 （ <250V ）

0.5

-55... +150

55/150/56

W

°C

KV / μs的

V

反向二极管的dv / dt

I

S

=0.23A,

V

DS

= 48V ，的di / dt = 200A / μs的，

T

JMAX

=150°C

门源电压

防静电类（ JESD22 - A114- HBM ）

功耗

T

A

=25°C

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

修订版2.4

第1页

2009-08-19

SN7002W

热特性

参数

特征

热阻，结 - 环境

以最小的足迹

R

thjs

-

-

250

K / W

符号

分钟。

值

典型值。

马克斯。

单位

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

静态特性

漏源击穿电压

V

GS

=0,

I

D

=250A

符号

分钟。

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TH）

I

DSS

-

-

I

GSS

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

-

-

-

60

0.8

值

典型值。

-

1.4

马克斯。

-

1.8

单位

V

栅极阈值电压，

V

GS

=

V

DS

I

D

=26A

零栅极电压漏极电流

V

DS

=60V,

V

GS

=0,

T

j

=25°C

V

DS

=60V,

V

GS

=0,

T

j

=150°C

A

-

-

-

4.1

2.3

0.1

5

10

7.5

5

nA

栅极 - 源极漏电流

V

GS

=20V,

V

DS

=0

漏源导通电阻

V

GS

=4.5V,

I

D

=0.2A

漏源导通电阻

V

GS

=10V,

I

D

=0.23A

修订版2.4

第2页

2009-08-19

SN7002W

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

动态特性

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

DD

=48V,

I

D

=0.23A,

V

GS

= 0至10V

V

DD

=48V,

I

D

=0.23A

符号

条件

分钟。

值

典型值。

0.21

34

7.2

3

2.4

2.8

6

8.5

马克斯。

-

45

9.6

4.5

3.6

4.2

9

12.75

单位

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DS

≥2*I

D

*R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=0.18A

V

GS

=0,

V

DS

=25V,

f=1MHz

0.1

-

-

-

-

-

-

-

S

pF

V

DD

=30V,

V

GS

=10V,

I

D

=0.23A,

R

G

=6

ns

-

-

-

-

0.11

0.42

1

3.4

0.17

0.63

1.5

-

nC

V

（高原）

V

DD

=48V,

I

D

= 0.23 A

V

反向二极管

逆二极管连续

正向电流

INV 。二极管直流， pulsedI

SM

逆二极管正向电压

V

SD

反向恢复时间

t

rr

反向恢复电荷

Q

rr

V

GS

=0,

I

F

=0.23A

V

R

=30V,

I

F =

l

S

,

di

F

/dt=100A/s

I

S

T

A

=25°C

-

-

-

-

-

-

-

0.85

10.8

3.2

0.23

0.92

1.2

16.2

4.8

A

V

ns

nC

修订版2.4

第3页

2009-08-19

SN7002W

1功耗

P

合计

=

f

(T

A

)

0.55

SN7002W

2漏极电流

I

D

=

f

(T

A

)

参数：

V

GS

≥

10 V

0.26

SN7002W

W

0.45

A

0.22

0.2

0.4

0.18

P

合计

I

D

20

40

60

80

100

120

0.35

0.3

0.25

0.2

0.15

0.16

0.14

0.12

0.1

0.08

0.06

0.1

0.05

0

0

0.04

0.02

°C

160

0

0

20

40

60

80

100

120

°C

160

T

A

T

A

3安全工作区

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

A

= 25 °C

10

1

SN7002W

4瞬态热阻抗

Z

thJA

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

3

SN7002W

A

K / W

10

0

/

I

D

=

V

DS

)

（上

DS

t

= 25.0s

p

10

2

R

Z

thJA

100 s

I

D

1毫秒

10

1

10

-1

10毫秒

D = 0.50

10

0

0.20

0.10

10

-2

0.05

DC

10

-1

单脉冲

0.02

0.01

10

-3

10

0

10

1

V

10

2

10

-2 -7

10

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

V

DS

修订版2.4

第4页

t

p

2009-08-19

SN7002W

5典型。输出特性

I

D

=

f

(V

DS

)

参数：

T

j

= 25 °C,

V

GS

0.6

6典型。上电阻漏 - 源

R

DS （ ON）

=

f

(I

D

)

参数：

T

j

= 25 °C,

V

GS

7.5

A

ID

0.4

10

7V

6V

5V

4.5V

4V

3.7V

3.5V

3.0V

6

5.25

4.5

3.75

3

3.1V

3.5V

3.7V

4.1V

4.5V

5V

6V

7V

10V

0.3

0.2

2.25

1.5

0.1

0.75

0

0

0

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

V

RDS （ ON）

5

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

A

0.7

VDS

ID

7典型。传输特性

I

D

=

f

(

V

GS

);

V

DS

≥

2 x

I

D

x

R

DS （ ON）最大值

参数：

T

j

= 25 °C

0.5

8典型。正向跨导

g

fs

= F（我

D

)

参数：

T

j

= 25 °C

0.3

A

S

0.3

政府飞行服务队

V

ID

0.2

0.15

0.2

0.1

0.1

0.05

0

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4.5

0

0

0.1

0.2

0.3

0.4

A

0.6

VGS

修订版2.4

第5页

ID

2009-08-19

最终数据

SN7002W

SIPMOS

小信号三极管

特征

N沟道

增强型

逻辑电平

dv / dt的额定

漏

3脚

门

pin1

来源

销2

产品概述

V

DS

R

DS （ ON）

I

D

60

5

0.23

SOT-323

V

A

TYPE

SN7002W

SN7002W

包

SOT-323

SOT-323

订购代码

Q67042-S4186

Q67042-S4193

磁带和卷轴信息

E6327 ： 3000个/卷

E6433 ： 10000个/卷

记号

SSN

SSN

最大额定值，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

连续漏电流

T

A

=25°C

T

A

=70°C

价值

0.23

0.18

单位

A

I

D

漏电流脉冲

T

A

=25°C

I

PULS

dv / dt的

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

0.92

6

±20

1级

0.5

-55... +150

55/150/56

W

°C

KV / μs的

V

反向二极管的dv / dt

I

S

=0.23A,

V

DS

= 48V ，的di / dt = 200A / μs的，

T

JMAX

=150°C

门源电压

ESD敏感度（ HBM）按照MIL -STD 883

功耗

T

A

=25°C

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

第1页

2003-04-03

最终数据

SN7002W

热特性

参数

特征

热阻，结 - 环境

以最小的足迹

R

thjs

-

-

250

K / W

符号

分钟。

值

典型值。

马克斯。

单位

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

静态特性

漏源击穿电压

V

GS

=0,

I

D

=250A

符号

分钟。

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TH）

I

DSS

-

-

I

GSS

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

-

-

-

60

0.8

值

典型值。

-

1.4

马克斯。

-

1.8

单位

V

栅极阈值电压，

V

GS

=

V

DS

I

D

=26A

零栅极电压漏极电流

V

DS

=60V,

V

GS

=0,

T

j

=25°C

V

DS

=60V,

V

GS

=0,

T

j

=150°C

A

-

-

-

4.1

2.3

0.1

5

10

7.5

5

nA

栅极 - 源极漏电流

V

GS

=20V,

V

DS

=0

漏源导通电阻

V

GS

=4.5V,

I

D

=0.2A

漏源导通电阻

V

GS

=10V,

I

D

=0.23A

第2页

2003-04-03

最终数据

SN7002W

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

动态特性

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

DD

=48V,

I

D

=0.23A,

V

GS

= 0至10V

V

DD

=48V,

I

D

=0.23A

符号

条件

分钟。

值

典型值。

0.21

34

7.2

3

2.4

2.8

6

8.5

马克斯。

-

45

9.6

4.5

3.6

4.2

9

12.75

单位

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DS

≥2*I

D

*R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=0.18A

V

GS

=0,

V

DS

=25V,

f=1MHz

0.1

-

-

-

-

-

-

-

S

pF

V

DD

=30V,

V

GS

=10V,

I

D

=0.23A,

R

G

=6

ns

-

-

-

-

0.11

0.42

1

3.4

0.17

0.63

1.5

-

nC

V

（高原）

V

DD

=48V,

I

D

= 0.23 A

V

反向二极管

逆二极管连续

正向电流

INV 。二极管直流， pulsedI

SM

逆二极管正向电压

V

SD

反向恢复时间

t

rr

反向恢复电荷

Q

rr

V

GS

=0,

I

F

=0.23A

V

R

=30V,

I

F =

l

S

,

di

F

/dt=100A/s

I

S

T

A

=25°C

-

-

-

-

-

-

-

0.85

10.8

3.2

0.23

0.92

1.2

16.2

4.8

A

V

ns

nC

第3页

2003-04-03

最终数据

SN7002W

1功耗

P

合计

=

f

(T

A

)

0.55

SN7002W

2漏极电流

I

D

=

f

(T

A

)

参数：

V

GS

≥

10 V

0.26

SN7002W

W

0.45

A

0.22

0.2

0.4

0.18

P

合计

I

D

20

40

60

80

100

120

0.35

0.3

0.25

0.2

0.15

0.16

0.14

0.12

0.1

0.08

0.06

0.1

0.05

0

0

0.04

0.02

°C

160

0

0

20

40

60

80

100

120

°C

160

T

A

T

A

3安全工作区

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

A

= 25 °C

10

1

SN7002W

4瞬态热阻抗

Z

thJA

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

3

SN7002W

A

K / W

10

0

/

I

D

=

V

DS

)

（上

DS

t

= 25.0s

p

10

2

R

Z

thJA

100 s

I

D

1毫秒

10

1

10

-1

10毫秒

D = 0.50

10

0

0.20

0.10

10

-2

0.05

DC

10

-1

单脉冲

0.02

0.01

10

-3

10

0

10

1

V

10

2

10

-2 -7

10

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

V

DS

第4页

t

p

2003-04-03

最终数据

SN7002W

5典型。输出特性

I

D

=

f

(V

DS

)

参数：

T

j

= 25 °C,

V

GS

0.6

6典型。上电阻漏 - 源

R

DS （ ON）

=

f

(I

D

)

参数：

T

j

= 25 °C,

V

GS

7.5

A

ID

0.4

10

7V

6V

5V

4.5V

4V

3.7V

3.5V

3.0V

6

5.25

4.5

3.75

3

3.1V

3.5V

3.7V

4.1V

4.5V

5V

6V

7V

10V

0.3

0.2

2.25

1.5

0.1

0.75

0

0

0

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

V

RDS （ ON）

5

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

A

0.7

VDS

ID

7典型。传输特性

I

D

=

f

(

V

GS

);

V

DS

≥

2 x

I

D

x

R

DS （ ON）最大值

参数：

T

j

= 25 °C

0.5

8典型。正向跨导

g

fs

= F（我

D

)

参数：

T

j

= 25 °C

0.3

A

S

0.3

政府飞行服务队

V

ID

0.2

0.15

0.2

0.1

0.1

0.05

0

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4.5

0

0

0.1

0.2

0.3

0.4

A

0.6

VGS

第5页

ID

2003-04-03

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SN7002W

-

-

-

-

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深圳市壹芯创科技有限公司

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电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

SN7002W

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

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电话：18913062888

联系人：陈先生

地址：江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号

SN7002W

Infineon

24+

5200

PG-SOT323-3

原装正品现货

深圳信泰电子器材有限公司

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