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SN66060B
4通道语音控制器
1
介绍
SN66060B是60秒单芯片4通道的语音合成器IC,可
包括I / O引脚和一个小控制器。通过微小的控制器编程,
用户的应用程序,包括部分相结合,触发模式,输出状态,
高性能的旋律,多种声音和其他逻辑功能,可以通过
实现的。
2
特点
单电源2.4V - 5.1V
内置微型控制器
提供语音容量60秒
一个4位输入端口, 2个4位I / O端口和一个4位输出端口提供
提供了128 * 4位RAM
提供最大64K程序ROM
ROM读取数据的代码
内置高品质的语音合成器
四个独立的声音通道
从4K - 40kHz的自适应播放速度提供了所有4个通道
个别地
自动重复,每通道
6位* 8位乘法器嵌入调制合成声音的音量
两个数字混频器(带饱和度控制)提供
两个8位电流输出DA转换器(通道1 +通道的2
DA1,
通道3 + 4通道
DA2 )
系统时钟: 2M赫兹( RC型或晶体选项)
低电压复位
版本: 1.1
1
2004年12月6日
SN66060B
4通道语音控制器
3
框图
只读存储器
程序/语音/旋律/仪器的波形
184K12位
地址指针/堆栈
SRAM ( 128半字节)
采样速率计数器
×
4
定时
发电机
OSC
DA8-bit
DA8-bit
IO4
IO1
定时器
ALU
IO2
声音
合成
IO3
4
引脚分配
符号
P13, P12, P11, P10
P23, P22, P21, P20
P33, P32, P31, P30
P43, P42, P41, P40
VDD
GND
OSC / XIN
XOUT
CKSEL
I / O功能说明
I
输入端口1的第3位第0位
我/的I / O端口2 O位3 位0
我/的I / O端口3 O位3 位0
O
I
I
I
O
I
输出端口4的位3位0
正电源。
负电源
振荡器/晶体
水晶退房
时钟类型选择
“L”或浮
RC振荡器
‘H’
水晶
D / A的电流输出,通道1和2
的D / A输出电流,对信道3和4
2
VO1
VO2
O
O
版本: 1.1
2004年12月6日
SN66060B
4通道语音控制器
5
功能说明
5.1 。振荡器
SN66060B接受晶体振荡器/陶瓷谐振器或RC振荡器
(由销CKSEL选择),用于系统时钟。典型电路图振荡器
列举如下。
VDD
VDD
20pf
CKSEL
OSC / XIN
XOUT
CKSEL
OSC / XIN
XOUT
20pf
2MHz
晶振/谐振器
RC振荡器
5.2 。只读存储器
SN66060B包含184K字(12位)的内部ROM 。程序,声音,旋律,
数据,以及仪器的波形共享相同的ROM与其他人。
5.3 。内存
SN66060B包含128个半字节RAM 。 128半字节RAM被分成两个
页( 0页,第1页) 。一个隐含的页面指示器用来指定页面
地址。两条指令, PAGE0和PAGE1 ,可以切换页面指示器。所有64
各页的半字节可通过直接模式(被访问到的数据指定M0 M63的
传输类型的说明。 )
5.4 。掉电模式
“结束”指令将让SN66060B进入掉电模式和消费很少
量的电流。 ( <2uA @ VDD = 3V和<5uA @ VDD = 5V) SN66060B进入后
掉电模式下,任何有效的数据转换( LH或HL )对任何输入发生
端口或IO端口( P1,P2和P3),铅SN66060B返回到正常操作模式。
版本: 1.1
3
2004年12月6日
SN66060B
4通道语音控制器
5.5 。采样速率计数器
4个独立的采样速率计数器,专用于4个独立的语音通道
玩不同的播放率的声音。播放速率为4KHz的可编程
到40KHz的。每个采样速率计数器的采样周期的分辨率为0.25美元。
此功能有助于SN66060B播放声音,在音乐的情况下,准确的间距
乐器合成。
5.6 。自动重复
自动重复功能可以帮助SN66060B实现“循环”自动音
硬件无需任何软件的努力。
配备有此功能。
SN66060B.
自动重复功能是非常有用的
机制,落实“延”声音合成仪。所有4个通道
重复的声音的任意长度由接纳
5.7 。 I / O端口
P1是一个4位的输入端口,P2 / P3为两个4位I / O端口和P4是一个4位输出端口。任何
P2和P3的位可被编程为输入或输出单独地。任何有效数据
过渡P1,P2和P3的(HL或LH)可以激活该芯片时,它是在
掉电阶段。
PAD
内部数据总线
读控制
输入端口配置( P10 P13 )
版本: 1.1
4
2004年12月6日
SN66060B
4通道语音控制器
端口数据
PAD
端口状态
内部数据总线
读控制
I / O端口配置( P20 P23 , P30 P33 )
端口数据
PAD
端口状态
输出端口配置( P40 P43 )
注:所有弱N型MOS的可以作为上拉电阻低。
版本: 1.1
5
2004年12月6日
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