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SN65LVEL11
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SLLS927 - 2008年12月
3.3 V ECL 1 : 2扇出缓冲器
1
特点
1 : 2 ECL扇出缓冲器
工作范围
- PECL V
CC
= 3.0 V至3.8 V带
V
EE
= 0 V
- NECL : V
CC
= 0 V与V
EE
= –3.0
为-3.8V
输出之间的5 ps的偏移
支持时钟频率> 2.0 GHz的
265 ps的典型传播延迟
开放确定性的输入输出值
条件或当输入= V
EE
内置温度补偿
在兼容下降到MC10LVEL11 ,
MC100LVEL11
内置输入下拉电阻
描述
该SN65LVEL11是一个全差分1 : 2扇出ECL
缓冲区。该装置包括电路,以保持
众所周知逻辑电平输入时,处于开放状态。
该SN65LVEL11在功能上等同于
SN65EL11具有改进的性能。该
SN65LVEL11坐落在一个工业标准
SOIC-8封装,也是可用的
TSSOP - 8封装选项。
引脚排列分配
Q
0
1
Q
0
2
8
V
CC
D
7
Q
1
3
6
D
V
EE
应用
数据和时钟传输背板
信号电平转换
Q
1
4
5
表1.引脚说明
D, D
Q
0
, Q
0
, Q
1
, Q
1
V
CC
V
EE
功能
PECL / ECL数据输入
PECL / ECL输出
正电源
负电源
订购信息
(1)
产品型号
SN65LVEL11D
SN65LVEL11DGK
(1)
最热
SN65LVEL11
SN65LVEL11
SOIC
SOIC , TSSOP
无铅封装
镍钯金
镍钯金
含铅设备选项最初不可。联系TI销售代表了解更多详情。
1
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2008 ,德州仪器
SN65LVEL11
SLLS927 - 十二月2008............................................................................................................................................................................................
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
(1)
参数
绝对PECL模式电源电压,V
CC
绝对NECL模式电源,V
EE
PECL模输入电压
NECL模输入电压
输出电流
工作温度范围
存储温度范围
(1)
条件
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V; V
I
VCC
V
CC
= 0 V; V
I
V
EE
连续
浪涌
价值
6
–6
6
–6
50
100
-40到85
-65到150
单位
V
V
V
V
mA
°C
°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
功率耗散额定值
SOIC
SOIC , TSSOP
电路板
模型
低K
高K
低K
高K
额定功率
T
A
< 25℃
( mW)的
719
840
469
527
热阻,
结到环境
没有空气流动
139
119
213
189
降额因子
T
A
> 25℃
(毫瓦/ ° C)
7
8
5
5
额定功率
T
A
= 85°C
( mW)的
288
336
188
211
热特性
参数
θ
JB
θ
JC
结至电路板的热阻
结到外壳热阻
SOIC
SOIC , TSSOP
SOIC
SOIC , TSSOP
价值
79
120
98
74
° C / W
单位
° C / W
关键属性
特征
内部输入下拉电阻
湿度敏感度等级
阻燃等级(氧指数:28 34 )
ESD - HBM
防静电机器型号
静电电荷设备模型
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78闭锁测试
价值
75 k
LEVEL 1
符合UL 94 V -0在0.125
4千伏
200 V
2千伏
2
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2008 ,德州仪器
SN65LVEL11
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LVPECL直流特性
(1)
(V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0.0 V
(2)
特征
I
CC
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
电源电流
输出高电压
输出低电压
(3)
–40°C
2215
1470
2135
1490
典型值
20
最大
25
2420
1680
2420
1825
25°C
典型值
20
2215 2286
1470 1584
2135
1490
最大
25
2420
1680
2420
1825
2215
1470
2135
1490
85°C
TYP MAX
21
25
2420
1680
2420
1825
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
(3)
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输入高电压共模范围
(差分)
(4)
V
pp
< 500毫伏
V
pp
> 500毫伏
1.2
1.4
3.1
3.1
150
1.1
1.3
3.1
3.1
150
1.1
1.3
3.1
3.1
150
A
A
I
IH
I
IL
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
–600
0.5
–600
0.5
–600
(1)
(2)
(3)
(4)
安装在插座或印刷电路板上,当设备将符合规格的热平衡成立后
维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数只在宣布工作温度保证
范围内。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制值应用
单独正常工作条件下,而不是同时有效。
输入和输出参数发生变化1: 1结合V
CC
. V
EE
可以改变± 0.3 V
输出通过一个50终止
电阻TO V
CC
– 2.0 V.
V
IHCMR
分变化1: 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 : 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围被引用到的最正侧
差分输入信号。如果高电平落入特定网络连接编范围和峰 - 峰电压谎内获得正常操作
V之间
PP
分和1 V.
(2)
85°C
最大
25
–880
–1620
–880
–1475
–1085
–1830
–1165
–1810
典型值
21
最大
25
–880
–1620
–880
–1475
LVPNECL直流特性
(1)
(V
EE
= –3.3 V; V
CC
= 0.0 V;)
特征
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
电源电流
输出高电压
(3)
–40°C
最小值典型值
20
–1085
–1830
–1165
–1810
最大
25
–880
–1620
–880
–1475
–1085
–1830
–1165
–1810
25°C
典型值
20
–1013
–1722
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
输出低电压
(3)
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输入高电压共模范围
(差分)
(4)
V
pp
< 500毫伏
V
pp
> 500毫伏
–2.1
–1.9
–0.2
–0.2
150
–2.2
–2.0
–0.2
–0.2
150
–2.2
–2.0
–0.2
–0.2
150
A
A
I
IH
I
IL
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
–600
0.5
–600
0.5
–600
(1)
(2)
(3)
(4)
安装在插座或印刷电路板上,当设备将符合规格的热平衡成立后
维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数只在宣布工作温度保证
范围内。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制值应用
单独正常工作条件下,而不是同时有效。
输入和输出参数发生变化1: 1结合V
CC
. V
EE
可以相差± 0.3 V.
输出通过一个50终止
电阻TO V
CC
– 2.0 V.
VIHCMR分钟变化1: 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 : 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围被引用到的最正侧
差分输入信号。如果高电平落入特定网络连接编范围和峰 - 峰电压谎内获得正常操作
VPP分和1 V之间
2008 ,德州仪器
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SN65LVEL11
3
SN65LVEL11
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AC特性
(1)
(V
CC
= 3.3 V; V
EE
= 0.0 V或V
CC
= 0.0 V; V
EE
= –3.3 V)
(2)
–40°C
235
10
10
5
0.2
200
150
1000
300
200
150
TYP MAX
2.9
350
18
25
15
235
10
10
5
0.2
1000
300
200
150
25°C
典型值
2.7
350
18
25
15
235
10
10
5
0.2
1000
300
最大
85°C
典型值
2.4
350
18
25
15
最大
单位
GHz的
ps
ps
ps
ps
ps
mV
ps
特征
f
最大
t
PLH
/t
PHL
t
SKEW
t
抖动
V
PP
t
r
/t
f
(1)
最大开关频率
(3)
SEE
图6
传播延迟到输出
在设备倾斜
占空比偏移
(6)
随机时钟抖动( RMS)
输入摆幅
(7)
输出上升/下降时间Q( 20 %-80%)
(4)
设备到设备斜
(5)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
安装在一个测试插座或印刷电路板时,设备将符合规格的热平衡成立后
与维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数只在宣布工作放心
温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制值
正常工作条件下单独地施加和不同时有效。
V
EE
可以改变± 0.3 V
测得的300 mVpp的输出幅度最大开关频率。
内装置歪斜被定义为通过一个设备类似的路径相同的转换。
设备设备歪斜的定义是相同的跳变,相同的VCC电平。
占空比歪斜是叔之间的区别
PLH
和T
PHL
通过一个装置的传播延迟。
V
PP(分钟)
是最小输入摆幅其中AC参数的保证。
典型的终端的输出驱动器
P
Z
O
= 50
W
P
司机
接收器
N
Z
O
= 50
W
N
50
W
50
W
V
TT
V
TT
= V
CC
- 2 V
图1.终端的输出驱动器
D
D
Q
Q
t
PLH
t
PHL
图2.传播延迟
4
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2008 ,德州仪器
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D
V
PP(分钟)
V
峰值(最大值)
D
图3.输入电压摆幅
80%
20%
t
r
t
f
图4.输出上升和下降时间
D
D
Q
0
Q
0
t
PLH0
Q
1
t
PHL0
Q
1
t
PLH1
t
PHL1
设备倾斜=
高[ (叔
PLH1
- t
PLH0
), (t
PHL1
- t
PHL0
)]
图5.设备倾斜
2008 ,德州仪器
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5
SN65LVEL11
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3.3 V ECL 1 : 2扇出缓冲器
1
特点
1 : 2 ECL扇出缓冲器
工作范围
- PECL V
CC
= 3.0 V至3.8 V带
V
EE
= 0 V
- NECL : V
CC
= 0 V与V
EE
= –3.0
为-3.8V
输出之间的5 ps的偏移
支持时钟频率> 2.0 GHz的
265 ps的典型传播延迟
开放确定性的输入输出值
条件或当输入= V
EE
内置温度补偿
在兼容下降到MC10LVEL11 ,
MC100LVEL11
内置输入下拉电阻
描述
该SN65LVEL11是一个全差分1 : 2扇出ECL
缓冲区。该装置包括电路,以保持
众所周知逻辑电平输入时,处于开放状态。
该SN65LVEL11在功能上等同于
SN65EL11具有改进的性能。该
SN65LVEL11坐落在一个工业标准
SOIC-8封装,也是可用的
TSSOP - 8封装选项。
引脚排列分配
Q
0
1
Q
0
2
8
V
CC
D
7
Q
1
3
6
D
V
EE
应用
数据和时钟传输背板
信号电平转换
Q
1
4
5
表1.引脚说明
D, D
Q
0
, Q
0
, Q
1
, Q
1
V
CC
V
EE
功能
PECL / ECL数据输入
PECL / ECL输出
正电源
负电源
订购信息
(1)
产品型号
SN65LVEL11D
SN65LVEL11DGK
(1)
最热
SN65LVEL11
SN65LVEL11
SOIC
SOIC , TSSOP
无铅封装
镍钯金
镍钯金
含铅设备选项最初不可。联系TI销售代表了解更多详情。
1
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2008 ,德州仪器
SN65LVEL11
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
(1)
参数
绝对PECL模式电源电压,V
CC
绝对NECL模式电源,V
EE
PECL模输入电压
NECL模输入电压
输出电流
工作温度范围
存储温度范围
(1)
条件
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V; V
I
VCC
V
CC
= 0 V; V
I
V
EE
连续
浪涌
价值
6
–6
6
–6
50
100
-40到85
-65到150
单位
V
V
V
V
mA
°C
°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
功率耗散额定值
SOIC
SOIC , TSSOP
电路板
模型
低K
高K
低K
高K
额定功率
T
A
< 25℃
( mW)的
719
840
469
527
热阻,
结到环境
没有空气流动
139
119
213
189
降额因子
T
A
> 25℃
(毫瓦/ ° C)
7
8
5
5
额定功率
T
A
= 85°C
( mW)的
288
336
188
211
热特性
参数
θ
JB
θ
JC
结至电路板的热阻
结到外壳热阻
SOIC
SOIC , TSSOP
SOIC
SOIC , TSSOP
价值
79
120
98
74
° C / W
单位
° C / W
关键属性
特征
内部输入下拉电阻
湿度敏感度等级
阻燃等级(氧指数:28 34 )
ESD - HBM
防静电机器型号
静电电荷设备模型
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78闭锁测试
价值
75 k
LEVEL 1
符合UL 94 V -0在0.125
4千伏
200 V
2千伏
2
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2008 ,德州仪器
SN65LVEL11
www.ti.com............................................................................................................................................................................................
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LVPECL直流特性
(1)
(V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0.0 V
(2)
特征
I
CC
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
电源电流
输出高电压
输出低电压
(3)
–40°C
2215
1470
2135
1490
典型值
20
最大
25
2420
1680
2420
1825
25°C
典型值
20
2215 2286
1470 1584
2135
1490
最大
25
2420
1680
2420
1825
2215
1470
2135
1490
85°C
TYP MAX
21
25
2420
1680
2420
1825
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
(3)
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输入高电压共模范围
(差分)
(4)
V
pp
< 500毫伏
V
pp
> 500毫伏
1.2
1.4
3.1
3.1
150
1.1
1.3
3.1
3.1
150
1.1
1.3
3.1
3.1
150
A
A
I
IH
I
IL
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
–600
0.5
–600
0.5
–600
(1)
(2)
(3)
(4)
安装在插座或印刷电路板上,当设备将符合规格的热平衡成立后
维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数只在宣布工作温度保证
范围内。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制值应用
单独正常工作条件下,而不是同时有效。
输入和输出参数发生变化1: 1结合V
CC
. V
EE
可以改变± 0.3 V
输出通过一个50终止
电阻TO V
CC
– 2.0 V.
V
IHCMR
分变化1: 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 : 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围被引用到的最正侧
差分输入信号。如果高电平落入特定网络连接编范围和峰 - 峰电压谎内获得正常操作
V之间
PP
分和1 V.
(2)
85°C
最大
25
–880
–1620
–880
–1475
–1085
–1830
–1165
–1810
典型值
21
最大
25
–880
–1620
–880
–1475
LVPNECL直流特性
(1)
(V
EE
= –3.3 V; V
CC
= 0.0 V;)
特征
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
电源电流
输出高电压
(3)
–40°C
最小值典型值
20
–1085
–1830
–1165
–1810
最大
25
–880
–1620
–880
–1475
–1085
–1830
–1165
–1810
25°C
典型值
20
–1013
–1722
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
输出低电压
(3)
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输入高电压共模范围
(差分)
(4)
V
pp
< 500毫伏
V
pp
> 500毫伏
–2.1
–1.9
–0.2
–0.2
150
–2.2
–2.0
–0.2
–0.2
150
–2.2
–2.0
–0.2
–0.2
150
A
A
I
IH
I
IL
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
–600
0.5
–600
0.5
–600
(1)
(2)
(3)
(4)
安装在插座或印刷电路板上,当设备将符合规格的热平衡成立后
维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数只在宣布工作温度保证
范围内。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制值应用
单独正常工作条件下,而不是同时有效。
输入和输出参数发生变化1: 1结合V
CC
. V
EE
可以相差± 0.3 V.
输出通过一个50终止
电阻TO V
CC
– 2.0 V.
VIHCMR分钟变化1: 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 : 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围被引用到的最正侧
差分输入信号。如果高电平落入特定网络连接编范围和峰 - 峰电压谎内获得正常操作
VPP分和1 V之间
2008 ,德州仪器
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SN65LVEL11
3
SN65LVEL11
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AC特性
(1)
(V
CC
= 3.3 V; V
EE
= 0.0 V或V
CC
= 0.0 V; V
EE
= –3.3 V)
(2)
–40°C
235
10
10
5
0.2
200
150
1000
300
200
150
TYP MAX
2.9
350
18
25
15
235
10
10
5
0.2
1000
300
200
150
25°C
典型值
2.7
350
18
25
15
235
10
10
5
0.2
1000
300
最大
85°C
典型值
2.4
350
18
25
15
最大
单位
GHz的
ps
ps
ps
ps
ps
mV
ps
特征
f
最大
t
PLH
/t
PHL
t
SKEW
t
抖动
V
PP
t
r
/t
f
(1)
最大开关频率
(3)
SEE
图6
传播延迟到输出
在设备倾斜
占空比偏移
(6)
随机时钟抖动( RMS)
输入摆幅
(7)
输出上升/下降时间Q( 20 %-80%)
(4)
设备到设备斜
(5)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
安装在一个测试插座或印刷电路板时,设备将符合规格的热平衡成立后
与维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数只在宣布工作放心
温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制值
正常工作条件下单独地施加和不同时有效。
V
EE
可以改变± 0.3 V
测得的300 mVpp的输出幅度最大开关频率。
内装置歪斜被定义为通过一个设备类似的路径相同的转换。
设备设备歪斜的定义是相同的跳变,相同的VCC电平。
占空比歪斜是叔之间的区别
PLH
和T
PHL
通过一个装置的传播延迟。
V
PP(分钟)
是最小输入摆幅其中AC参数的保证。
典型的终端的输出驱动器
P
Z
O
= 50
W
P
司机
接收器
N
Z
O
= 50
W
N
50
W
50
W
V
TT
V
TT
= V
CC
- 2 V
图1.终端的输出驱动器
D
D
Q
Q
t
PLH
t
PHL
图2.传播延迟
4
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2008 ,德州仪器
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D
V
PP(分钟)
V
峰值(最大值)
D
图3.输入电压摆幅
80%
20%
t
r
t
f
图4.输出上升和下降时间
D
D
Q
0
Q
0
t
PLH0
Q
1
t
PHL0
Q
1
t
PLH1
t
PHL1
设备倾斜=
高[ (叔
PLH1
- t
PLH0
), (t
PHL1
- t
PHL0
)]
图5.设备倾斜
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3.3 V ECL 1 : 2扇出缓冲器
1
特点
1 : 2 ECL扇出缓冲器
工作范围
- PECL V
CC
= 3.0 V至3.8 V带
V
EE
= 0 V
- NECL : V
CC
= 0 V与V
EE
= –3.0
为-3.8V
输出之间的5 ps的偏移
支持时钟频率> 2.0 GHz的
265 ps的典型传播延迟
开放确定性的输入输出值
条件或当输入= V
EE
内置温度补偿
在兼容下降到MC10LVEL11 ,
MC100LVEL11
内置输入下拉电阻
描述
该SN65LVEL11是一个全差分1 : 2扇出ECL
缓冲区。该装置包括电路,以保持
众所周知逻辑电平输入时,处于开放状态。
该SN65LVEL11在功能上等同于
SN65EL11具有改进的性能。该
SN65LVEL11坐落在一个工业标准
SOIC-8封装,也是可用的
TSSOP - 8封装选项。
引脚排列分配
Q
0
1
Q
0
2
8
V
CC
D
7
Q
1
3
6
D
V
EE
应用
数据和时钟传输背板
信号电平转换
Q
1
4
5
表1.引脚说明
D, D
Q
0
, Q
0
, Q
1
, Q
1
V
CC
V
EE
功能
PECL / ECL数据输入
PECL / ECL输出
正电源
负电源
订购信息
(1)
产品型号
SN65LVEL11D
SN65LVEL11DGK
(1)
最热
SN65LVEL11
SN65LVEL11
SOIC
SOIC , TSSOP
无铅封装
镍钯金
镍钯金
含铅设备选项最初不可。联系TI销售代表了解更多详情。
1
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
(1)
参数
绝对PECL模式电源电压,V
CC
绝对NECL模式电源,V
EE
PECL模输入电压
NECL模输入电压
输出电流
工作温度范围
存储温度范围
(1)
条件
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V; V
I
VCC
V
CC
= 0 V; V
I
V
EE
连续
浪涌
价值
6
–6
6
–6
50
100
-40到85
-65到150
单位
V
V
V
V
mA
°C
°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
功率耗散额定值
SOIC
SOIC , TSSOP
电路板
模型
低K
高K
低K
高K
额定功率
T
A
< 25℃
( mW)的
719
840
469
527
热阻,
结到环境
没有空气流动
139
119
213
189
降额因子
T
A
> 25℃
(毫瓦/ ° C)
7
8
5
5
额定功率
T
A
= 85°C
( mW)的
288
336
188
211
热特性
参数
θ
JB
θ
JC
结至电路板的热阻
结到外壳热阻
SOIC
SOIC , TSSOP
SOIC
SOIC , TSSOP
价值
79
120
98
74
° C / W
单位
° C / W
关键属性
特征
内部输入下拉电阻
湿度敏感度等级
阻燃等级(氧指数:28 34 )
ESD - HBM
防静电机器型号
静电电荷设备模型
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78闭锁测试
价值
75 k
LEVEL 1
符合UL 94 V -0在0.125
4千伏
200 V
2千伏
2
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LVPECL直流特性
(1)
(V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0.0 V
(2)
特征
I
CC
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
电源电流
输出高电压
输出低电压
(3)
–40°C
2215
1470
2135
1490
典型值
20
最大
25
2420
1680
2420
1825
25°C
典型值
20
2215 2286
1470 1584
2135
1490
最大
25
2420
1680
2420
1825
2215
1470
2135
1490
85°C
TYP MAX
21
25
2420
1680
2420
1825
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
(3)
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输入高电压共模范围
(差分)
(4)
V
pp
< 500毫伏
V
pp
> 500毫伏
1.2
1.4
3.1
3.1
150
1.1
1.3
3.1
3.1
150
1.1
1.3
3.1
3.1
150
A
A
I
IH
I
IL
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
–600
0.5
–600
0.5
–600
(1)
(2)
(3)
(4)
安装在插座或印刷电路板上,当设备将符合规格的热平衡成立后
维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数只在宣布工作温度保证
范围内。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制值应用
单独正常工作条件下,而不是同时有效。
输入和输出参数发生变化1: 1结合V
CC
. V
EE
可以改变± 0.3 V
输出通过一个50终止
电阻TO V
CC
– 2.0 V.
V
IHCMR
分变化1: 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 : 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围被引用到的最正侧
差分输入信号。如果高电平落入特定网络连接编范围和峰 - 峰电压谎内获得正常操作
V之间
PP
分和1 V.
(2)
85°C
最大
25
–880
–1620
–880
–1475
–1085
–1830
–1165
–1810
典型值
21
最大
25
–880
–1620
–880
–1475
LVPNECL直流特性
(1)
(V
EE
= –3.3 V; V
CC
= 0.0 V;)
特征
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
电源电流
输出高电压
(3)
–40°C
最小值典型值
20
–1085
–1830
–1165
–1810
最大
25
–880
–1620
–880
–1475
–1085
–1830
–1165
–1810
25°C
典型值
20
–1013
–1722
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
输出低电压
(3)
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输入高电压共模范围
(差分)
(4)
V
pp
< 500毫伏
V
pp
> 500毫伏
–2.1
–1.9
–0.2
–0.2
150
–2.2
–2.0
–0.2
–0.2
150
–2.2
–2.0
–0.2
–0.2
150
A
A
I
IH
I
IL
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
–600
0.5
–600
0.5
–600
(1)
(2)
(3)
(4)
安装在插座或印刷电路板上,当设备将符合规格的热平衡成立后
维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数只在宣布工作温度保证
范围内。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制值应用
单独正常工作条件下,而不是同时有效。
输入和输出参数发生变化1: 1结合V
CC
. V
EE
可以相差± 0.3 V.
输出通过一个50终止
电阻TO V
CC
– 2.0 V.
VIHCMR分钟变化1: 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 : 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围被引用到的最正侧
差分输入信号。如果高电平落入特定网络连接编范围和峰 - 峰电压谎内获得正常操作
VPP分和1 V之间
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AC特性
(1)
(V
CC
= 3.3 V; V
EE
= 0.0 V或V
CC
= 0.0 V; V
EE
= –3.3 V)
(2)
–40°C
235
10
10
5
0.2
200
150
1000
300
200
150
TYP MAX
2.9
350
18
25
15
235
10
10
5
0.2
1000
300
200
150
25°C
典型值
2.7
350
18
25
15
235
10
10
5
0.2
1000
300
最大
85°C
典型值
2.4
350
18
25
15
最大
单位
GHz的
ps
ps
ps
ps
ps
mV
ps
特征
f
最大
t
PLH
/t
PHL
t
SKEW
t
抖动
V
PP
t
r
/t
f
(1)
最大开关频率
(3)
SEE
图6
传播延迟到输出
在设备倾斜
占空比偏移
(6)
随机时钟抖动( RMS)
输入摆幅
(7)
输出上升/下降时间Q( 20 %-80%)
(4)
设备到设备斜
(5)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
安装在一个测试插座或印刷电路板时,设备将符合规格的热平衡成立后
与维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数只在宣布工作放心
温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制值
正常工作条件下单独地施加和不同时有效。
V
EE
可以改变± 0.3 V
测得的300 mVpp的输出幅度最大开关频率。
内装置歪斜被定义为通过一个设备类似的路径相同的转换。
设备设备歪斜的定义是相同的跳变,相同的VCC电平。
占空比歪斜是叔之间的区别
PLH
和T
PHL
通过一个装置的传播延迟。
V
PP(分钟)
是最小输入摆幅其中AC参数的保证。
典型的终端的输出驱动器
P
Z
O
= 50
W
P
司机
接收器
N
Z
O
= 50
W
N
50
W
50
W
V
TT
V
TT
= V
CC
- 2 V
图1.终端的输出驱动器
D
D
Q
Q
t
PLH
t
PHL
图2.传播延迟
4
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2008 ,德州仪器
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D
V
PP(分钟)
V
峰值(最大值)
D
图3.输入电压摆幅
80%
20%
t
r
t
f
图4.输出上升和下降时间
D
D
Q
0
Q
0
t
PLH0
Q
1
t
PHL0
Q
1
t
PLH1
t
PHL1
设备倾斜=
高[ (叔
PLH1
- t
PLH0
), (t
PHL1
- t
PHL0
)]
图5.设备倾斜
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3.3 V ECL 1 : 2扇出缓冲器
1
特点
1 : 2 ECL扇出缓冲器
工作范围
- PECL V
CC
= 3.0 V至3.8 V带
V
EE
= 0 V
- NECL : V
CC
= 0 V与V
EE
= –3.0
为-3.8V
输出之间的5 ps的偏移
支持时钟频率> 2.0 GHz的
265 ps的典型传播延迟
开放确定性的输入输出值
条件或当输入= V
EE
内置温度补偿
在兼容下降到MC10LVEL11 ,
MC100LVEL11
内置输入下拉电阻
描述
该SN65LVEL11是一个全差分1 : 2扇出ECL
缓冲区。该装置包括电路,以保持
众所周知逻辑电平输入时,处于开放状态。
该SN65LVEL11在功能上等同于
SN65EL11具有改进的性能。该
SN65LVEL11坐落在一个工业标准
SOIC-8封装,也是可用的
TSSOP - 8封装选项。
引脚排列分配
Q
0
1
Q
0
2
8
V
CC
D
7
Q
1
3
6
D
V
EE
应用
数据和时钟传输背板
信号电平转换
Q
1
4
5
表1.引脚说明
D, D
Q
0
, Q
0
, Q
1
, Q
1
V
CC
V
EE
功能
PECL / ECL数据输入
PECL / ECL输出
正电源
负电源
订购信息
(1)
产品型号
SN65LVEL11D
SN65LVEL11DGK
(1)
最热
SN65LVEL11
SN65LVEL11
SOIC
SOIC , TSSOP
无铅封装
镍钯金
镍钯金
含铅设备选项最初不可。联系TI销售代表了解更多详情。
1
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2008 ,德州仪器
SN65LVEL11
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
(1)
参数
绝对PECL模式电源电压,V
CC
绝对NECL模式电源,V
EE
PECL模输入电压
NECL模输入电压
输出电流
工作温度范围
存储温度范围
(1)
条件
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V; V
I
VCC
V
CC
= 0 V; V
I
V
EE
连续
浪涌
价值
6
–6
6
–6
50
100
-40到85
-65到150
单位
V
V
V
V
mA
°C
°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
功率耗散额定值
SOIC
SOIC , TSSOP
电路板
模型
低K
高K
低K
高K
额定功率
T
A
< 25℃
( mW)的
719
840
469
527
热阻,
结到环境
没有空气流动
139
119
213
189
降额因子
T
A
> 25℃
(毫瓦/ ° C)
7
8
5
5
额定功率
T
A
= 85°C
( mW)的
288
336
188
211
热特性
参数
θ
JB
θ
JC
结至电路板的热阻
结到外壳热阻
SOIC
SOIC , TSSOP
SOIC
SOIC , TSSOP
价值
79
120
98
74
° C / W
单位
° C / W
关键属性
特征
内部输入下拉电阻
湿度敏感度等级
阻燃等级(氧指数:28 34 )
ESD - HBM
防静电机器型号
静电电荷设备模型
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78闭锁测试
价值
75 k
LEVEL 1
符合UL 94 V -0在0.125
4千伏
200 V
2千伏
2
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2008 ,德州仪器
SN65LVEL11
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SLLS927 - 2008年12月
LVPECL直流特性
(1)
(V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0.0 V
(2)
特征
I
CC
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
电源电流
输出高电压
输出低电压
(3)
–40°C
2215
1470
2135
1490
典型值
20
最大
25
2420
1680
2420
1825
25°C
典型值
20
2215 2286
1470 1584
2135
1490
最大
25
2420
1680
2420
1825
2215
1470
2135
1490
85°C
TYP MAX
21
25
2420
1680
2420
1825
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
(3)
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输入高电压共模范围
(差分)
(4)
V
pp
< 500毫伏
V
pp
> 500毫伏
1.2
1.4
3.1
3.1
150
1.1
1.3
3.1
3.1
150
1.1
1.3
3.1
3.1
150
A
A
I
IH
I
IL
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
–600
0.5
–600
0.5
–600
(1)
(2)
(3)
(4)
安装在插座或印刷电路板上,当设备将符合规格的热平衡成立后
维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数只在宣布工作温度保证
范围内。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制值应用
单独正常工作条件下,而不是同时有效。
输入和输出参数发生变化1: 1结合V
CC
. V
EE
可以改变± 0.3 V
输出通过一个50终止
电阻TO V
CC
– 2.0 V.
V
IHCMR
分变化1: 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 : 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围被引用到的最正侧
差分输入信号。如果高电平落入特定网络连接编范围和峰 - 峰电压谎内获得正常操作
V之间
PP
分和1 V.
(2)
85°C
最大
25
–880
–1620
–880
–1475
–1085
–1830
–1165
–1810
典型值
21
最大
25
–880
–1620
–880
–1475
LVPNECL直流特性
(1)
(V
EE
= –3.3 V; V
CC
= 0.0 V;)
特征
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
电源电流
输出高电压
(3)
–40°C
最小值典型值
20
–1085
–1830
–1165
–1810
最大
25
–880
–1620
–880
–1475
–1085
–1830
–1165
–1810
25°C
典型值
20
–1013
–1722
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
输出低电压
(3)
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输入高电压共模范围
(差分)
(4)
V
pp
< 500毫伏
V
pp
> 500毫伏
–2.1
–1.9
–0.2
–0.2
150
–2.2
–2.0
–0.2
–0.2
150
–2.2
–2.0
–0.2
–0.2
150
A
A
I
IH
I
IL
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
–600
0.5
–600
0.5
–600
(1)
(2)
(3)
(4)
安装在插座或印刷电路板上,当设备将符合规格的热平衡成立后
维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数只在宣布工作温度保证
范围内。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制值应用
单独正常工作条件下,而不是同时有效。
输入和输出参数发生变化1: 1结合V
CC
. V
EE
可以相差± 0.3 V.
输出通过一个50终止
电阻TO V
CC
– 2.0 V.
VIHCMR分钟变化1: 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 : 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围被引用到的最正侧
差分输入信号。如果高电平落入特定网络连接编范围和峰 - 峰电压谎内获得正常操作
VPP分和1 V之间
2008 ,德州仪器
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3
SN65LVEL11
SLLS927 - 十二月2008............................................................................................................................................................................................
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AC特性
(1)
(V
CC
= 3.3 V; V
EE
= 0.0 V或V
CC
= 0.0 V; V
EE
= –3.3 V)
(2)
–40°C
235
10
10
5
0.2
200
150
1000
300
200
150
TYP MAX
2.9
350
18
25
15
235
10
10
5
0.2
1000
300
200
150
25°C
典型值
2.7
350
18
25
15
235
10
10
5
0.2
1000
300
最大
85°C
典型值
2.4
350
18
25
15
最大
单位
GHz的
ps
ps
ps
ps
ps
mV
ps
特征
f
最大
t
PLH
/t
PHL
t
SKEW
t
抖动
V
PP
t
r
/t
f
(1)
最大开关频率
(3)
SEE
图6
传播延迟到输出
在设备倾斜
占空比偏移
(6)
随机时钟抖动( RMS)
输入摆幅
(7)
输出上升/下降时间Q( 20 %-80%)
(4)
设备到设备斜
(5)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
安装在一个测试插座或印刷电路板时,设备将符合规格的热平衡成立后
与维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数只在宣布工作放心
温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制值
正常工作条件下单独地施加和不同时有效。
V
EE
可以改变± 0.3 V
测得的300 mVpp的输出幅度最大开关频率。
内装置歪斜被定义为通过一个设备类似的路径相同的转换。
设备设备歪斜的定义是相同的跳变,相同的VCC电平。
占空比歪斜是叔之间的区别
PLH
和T
PHL
通过一个装置的传播延迟。
V
PP(分钟)
是最小输入摆幅其中AC参数的保证。
典型的终端的输出驱动器
P
Z
O
= 50
W
P
司机
接收器
N
Z
O
= 50
W
N
50
W
50
W
V
TT
V
TT
= V
CC
- 2 V
图1.终端的输出驱动器
D
D
Q
Q
t
PLH
t
PHL
图2.传播延迟
4
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2008 ,德州仪器
SN65LVEL11
www.ti.com............................................................................................................................................................................................
SLLS927 - 2008年12月
D
V
PP(分钟)
V
峰值(最大值)
D
图3.输入电压摆幅
80%
20%
t
r
t
f
图4.输出上升和下降时间
D
D
Q
0
Q
0
t
PLH0
Q
1
t
PHL0
Q
1
t
PLH1
t
PHL1
设备倾斜=
高[ (叔
PLH1
- t
PLH0
), (t
PHL1
- t
PHL0
)]
图5.设备倾斜
2008 ,德州仪器
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