SN65LVDS33 -EP ， SN65LVDT33 -EP
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SGLS309B - 2005年6月 - 修订2007年4月
高速差分接收器
特点
控制基准 - 一个组装/测试
网站，一个网站制作
最多扩展温度性能
-55 ° C至125°C
增强递减制造源
（ DMS ）支持
增强型产品更改通知
资质谱系
(1)
400 - Mbps的信令速率
(2)
和200 - Mxfr / s的
数据传输速率
采用单3.3V电源
-4 V至5 V共模输入电压
范围
差分输入阈值<
±50
用毫伏
50 mV的磁滞在整个
共模输入电压范围
集成110 - Ω线路终端电阻
在LVDT产品
符合TIA / EIA- 644 （LVDS）
主动故障安全保证了高级别输出
无输入
总线引脚ESD保护超过15 kV的HBM
输入保持高阻抗电源上
下
按照JEDEC和组件认证
行业标准，以确保可靠运行了一个多
扩展级温度范围。这包括，但不限于
到，高加速应力测试（ HAST ）或偏见85/85 ，
温度循环，高压灭菌器或无偏HAST ，
电，债券间的生活，和模塑料
生活。这样的资格测试不应该被看作是
超出规定的证明使用该组件的
性能和环境限制。
一条线的信号传输速率是电压的数量
即每秒制成的过渡表达的单位
基点（每秒比特）。
T
A
-55 ° C至125°C
(1)
(2)
(3)
SOIC - D
SOIC - D
包
(2)
2500卷
2500卷
TTL输入为5V容限
引脚兼容的AM26LS32 ，
SN65LVDS32B ， μA9637 ， SN65LVDS9637B
描述
这一家四口的LVDS数据线接收器报价
在最宽的共模输入电压范围
业。这些接收器提供一个输入电压
范围规范与5 -V PECL兼容
信号，以及一个整体地增加噪声
耐受性。他们是行业标准的足迹
集成终端作为一个选项。
差动输入电压的精确控制
阈值，允许列入50 mV的输入
电压滞后，以改善噪声抑制
缓慢变化的输入信号。输入阈值
仍然不超过50 mV的整个输入
共模电压范围。
(1)
(2)
订购信息
(1)
订购型号
SN65LVDS33MDREP
SN65LVDT33MDREP
(3)
顶部端标记
LVDS33M
LVDT33M
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
产品预览
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
除非另有说明这个文件包含
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2005-2007 ，德州仪器
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描述（续）
LVDS信号的高速交换，通常就必须在使用的线的阻抗匹配电阻器的
电缆或传输媒介的接收端。该SN65LVDT系列接收机消除这种外部
电阻器通过将其与接收器集成。该nonterminated SN65LVDS系列也可用于多点或
其他的终端电路。
该接收器可以承受
±15-kV
人体模型（ HBM ）和
±600-V
机器模型（ MM ）静电
排放到接收器的输入引脚相对于地没有损坏。这提供了可靠的电缆
和其它连接，其中潜在的破坏性的噪声始终是一个威胁。
该接收器还包括一个（专利申请中）故障保护电路，后提供一个高层次的输出在600纳秒
损失与输入信号。信号损失的最常见的原因是断开的电缆，短路线路，或
已关闭发射器。故障保护电路，防止噪声下，这些被接收的有效数据
故障情况。此功能也可用于线或总线的信令。看
的主动失效保护功能
在SN65LVDS32B
应用笔记。
这些设备的预期应用和信令技术是点至点的基带数据传输
在约100受控阻抗媒体
.
传输介质可以是印刷电路板
痕迹，背板或电缆。最终的速率和距离的数据传输取决于衰减
媒体和噪声耦合到环境中的特征。
该SN65LVDS33 -EP的特点是操作从-55°C至125°C 。
功能表
(1)
SN65LVDS33和SN65LVDT33
差分输入
V
ID
= V
A
– V
B
V
ID
≥
-32毫伏
100mV的< V
ID
≤
-32毫伏
V
ID
≤
100mV的
X
开放
(1)
G
H
X
H
X
H
X
L
H
X
使
G
X
L
X
L
X
L
H
X
L
产量
Y
H
H
?
?
L
L
Z
H
H
H =水平高， L =水平低，X =无关， Z =高阻抗（关） ？ =不确定
2
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等效输入和输出示意图说明
V
CC
衰减
网
V
CC
1 pF的
60 k
A输入
200 k
3 pF的
250 k
7V
7V
6.5 k
衰减
网
6.5 k
衰减
网
B输入
7V
7V
LVDT只有110 Ω
V
CC
V
CC
300 k
（仅G）
100
启用
输入
7V
37
Y输出
7V
300 k
（仅G）
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150C （ 2岁）
估计引线键合的生活在高温下设备LVDS33MD
0.1
195℃ （16天）
0.01
175C （ 98天）
185℃ （40天）
150C （ 2岁）
1 / TF天
0.001
0.0001
0.00001
芯片工作寿命设计目标为10年@ 105℃结温
0.000001
0.0021
0.0022
0.0023
0.0024
1 /结温在°K，
0.0025
0.0026
0.0027
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
值/单位
电源电压范围，V
CC
电压范围
静电放电
带电设备模式
连续功率耗散
存储温度范围
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
(1)
(2)
(3)
(4)
(2)
-0.5V至4 V
启用或Y
A或B
| VA - VB | （ LVDT ）
A， B和GND
(3)
所有引脚
(4)
-1 V至6 V
-5 V至6 V
1V
第3类，A ： 15千伏， B： 500 V
±500
V
见耗散额定值表
-65_C到150_C
260°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值，除了差分I / O总线的电压，是相对于网络的接地端子。
经测试符合JEDEC标准22 ，测试方法A114 -A 。
经测试符合JEDEC标准22 ，测试方法C101 。
耗散额定值
包
D16
(1)
T
A
≤
25°C
额定功率
950毫瓦
工作因子
(1)
上述牛逼
A
= 25°C
7.6毫瓦/°C的
T
A
= 85°C
额定功率
494毫瓦
T
A
= 125°C
额定功率
189毫瓦
这是结到环境的热阻的倒数，当电路板安装和没有空气
流动。
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推荐工作条件
民
V
CC
V
IH
V
IL
|V
ID
|
V
I
或V
IC
T
A
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
差分输入电压幅度
使
使
LVDS
LVDT
–4
–55
3
2
0
0.1
喃
3.3
最大
3.6
5
0.8
3
0.8
5
125
单位
V
V
V
V
°C
电压在任何总线终端（单独或共模）
工作自由空气的温度
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5
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