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SN65LVDS122
SN65LVDT122
SLLS525B - 2002年5月 - 修订2004年6月
1.5 - Gbps的2
×
2 LVDS交叉点开关
特点
专为信令速率
(1)
最多
1.5 Gbps的
总抖动< 65 PS
引脚兼容， SN65LVDS22和
SN65LVDM22
的接收器输入阈值迟滞25毫伏
在0 V至4 V共模范围
输入电兼容慢性粒细胞白血病，
LVPECL和LVDS信号电平
传播延迟时间， 900 PS最大
LVDT集成110 Ω的终端电阻
采用SOIC和TSSOP
描述
该SN65LVDS122和SN65LVDT122是
使用低电压差分交叉点开关
信令（ LVDS ）来实现信号传输速率高达
1.5 Gbps的。它们是引脚兼容的速度向上
等级到SN65LVDS22和SN65LVDM22 。该
内部信号路径保持差分信号对
高转速和低信号歪斜。这些设备
有一个0 V至4伏的共模输入范围
接受LVDS ， LVPECL ， CML或输入。两个逻辑
引脚（ S0和S1 ）设置的内部结构BE-
补间的差分输入和输出。这使得
灵活地进行如下配置：
2× 2交叉点开关，2:1输入多路转换器，1:2
在一个分离器或双中继/翻译
装置。此外， SN65LVDT122采用了
110 Ω的终端电阻为这些应用程序
电路板空间是非常宝贵的。虽然这些
装置被设计为1.5Gbps时，一些应用
在一个2 - Gbps的数据速率可以根据被支持
装载和信号质量。
该设备的预期应用是理想的
环回切换为诊断程序，扇出
时钟缓存/数据分配提供保护
在容错系统，时钟复用的光
的模块，以及用于整体信号升压比
延长距离。
该SN65LVDS122和SN65LVDT122
特点是操作温度范围为-40 ° C至85°C 。
输出眼图
同时运行
1Y
1Z
应用
10 -G （ OC - 192 ）光模块
622 - MHz的局端时钟分配
无线基站
低抖动时钟中继器/多路复用器
保护倒换串行背板
(1)
一行的signlaing速率是电压的数量
即每秒制成的过渡表达的单位
基点（每秒比特）。
是
工作原理图
1DE
1A
110
1B
V
CC
= 3.3 V
S0
S1
2A
110
2B
2DE
在SN65LVDT122集成终端仅
MUX
V
ID
= 200 mV时， V
IC
= 1.2 V
垂直标度= 200 mV /格
2Y
2Z
1.5 Gbps的
2
23
- 1 PRBS
输出1
输出2
水平比例尺= 200 PS / DIV
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2002-2004 ，德州仪器
SN65LVDS122
SN65LVDT122
SLLS525B - 2002年5月 - 修订2004年6月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备
贮藏期间放置在导电泡棉或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
包
SOIC
SOIC
TSSOP
TSSOP
(1)
终端电阻
No
是的
No
是的
产品型号
(1)
SN65LVDS122D
SN65LVDT122D
SN65LVDS122PW
SN65LVDT122PW
符号
LVDS122
LVDT122
LVDS122
LVDT122
添加后缀R表示卷带封装载体
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
(1)
SN65LVDS122 ， SN65LVDT122
V
CC
电源电压范围
(2)
（A ， B）
电压范围
|V
A
-V
B
| （ LVDT只）
（ DE， S0，S1 ）
（ Y， Z）
ESD
人体模型
(3)
带电器件模型
(4)
连续功率耗散
T
英镑
存储温度范围
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
(1)
(2)
(3)
(4)
A，B ，Y ，Z和GND
所有引脚
所有引脚
-0.5V至4 V
-0.7 V至4.3 V
1V
-0.5V至4 V
-0.5V至4 V
±4
kV
±2
kV
±1500
V
见耗散额定值表
-65_C到150_C
260°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值，除了差分I / O总线的电压，是相对于网络的接地端子。
经测试符合JEDEC标准22 ，测试方法A114- A.7 。
经测试符合JEDEC标准22 ，测试方法C101 。
推荐工作条件
民
V
CC
V
IH
V
IL
|V
ID
|
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
差分输入电压幅度
S0 ， S1 ， 1DE ，二维超声心动图
S0 ， S1 ， 1DE ，二维超声心动图
LVDS
LVDT
3
2
0
0.1
0.1
0
–40
喃
3.3
最大
3.6
4
0.8
1
0.8
4
85
单位
V
V
V
V
V
°C
输入电压（共模或输入信号的任意组合）
T
A
工作自由空气的温度
包装耗散额定值
包
PW
D
(1)
T
A
≤
25°C
额定功率
712毫瓦
1002毫瓦
降额因子
(1)
上述牛逼
A
= 25°C
6.2毫瓦/°C的
8.7毫瓦/°C的
T
A
= 85°C
额定功率
340毫瓦
480毫瓦
这是结到环境的热阻的倒数时，板装且没有空气流动。
2
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SN65LVDS122
SN65LVDT122
SLLS525B - 2002年5月 - 修订2004年6月
输入电气特性
在推荐工作条件（除非另有说明）
参数
V
IT +
V
IT-
正向差分输入电压阈值
负向差分输入电压阈值
DE
S0, S1
DE
S0, S1
测试条件
参见图1和表1中
参见图1和表1中
–100
(2)
25
V
IH
= 2
V
IL
= 0.8 V
R
L
= 100
残
V
I
= 0 V或2.4 V ，其他输入在1.2 V
V
I
= 4 V，其他输入在1.2 V
V
I
= 0 V或2.4 V ，其他输入开放
V
I
= 4 V，其他输入开放
V
CC
= 1.5 V, V
I
= 0 V或2.4 V ，
其他输入在1.2 V
V
CC
= 1.5 V, V
I
= 2.4 V或24 V ，
其他输入在1.2 V
V
CC
= 1.5 V, V
I
= 0 V或2.4 V ，
其他输入开放
V
CC
= 1.5 V, V
I
= 2.4 V或24 V ，
其他输入开放
V
IA
= V
IB
, 0
≤
V
IA
≤
4 V
V
ID
= 300 mV至500 mV时，
V
IC
= 0 V至2.4 V
V
ID
= 300 mV至500 mV时，
V
CC
= 1.5 V, V
IC
= 0 V至2.4 V
V
I
= 0.4罪（ 4E6πt ） + 0.5 V
断电（V
CC
= 1.5 V)
–20
0
–40
0
–20
0
–40
0
–6
90
90
110
110
3
3
–10
0
–10
80
35
0
20
0
20
100
45
20
33
40
66
20
A
33
40
A
66
6
132
132
pF
A
最小值典型值
(1)
最大
100
单位
mV
mV
mV
A
A
mA
A
A
V
ID （ HYS ）
差分输入电压迟滞（V
IT +
– V
IT-
)
I
IH
I
IL
I
CC
高层次的输入电流
低电平输入电流
电源电流
输入电流（ A或B输入' LVDS ）
I
I
输入电流（ A或B输入' LVDT ）
输入电流（ A或B输入' LVDS ）
I
我（关闭）
输入电流（ A或B输入' LVDT ）
I
IO
R
T
输入失调电流（ | I
IA
– I
IB
| ） “ LVDS
终端电阻（' LVDT ）
终端电阻（' LVDT具有断电）
C
I
(1)
(2)
差分输入电容（'与LVDT
断电）
所有典型值是在25 ° C和一个3.3 V电源。
其中最小正（最负）限制指定为最低的代数约定用于本数据表中。
输出电气特性
在推荐工作条件（除非另有说明）
参数
|V
OD
|
|V
OD
|
V
OC （ SS ）
V
OC （ SS ）
V
OC （ PP ）
I
OS
I
操作系统（D）的
I
OZ
C
o
(1)
差分输出电压幅值
改变逻辑之间的差分输出电压幅度
国
稳态共模输出电压
变化在稳态之间的共模输出电压
逻辑状态
峰对峰的共模输出电压
输出短路电流
差动输出短路电流
高阻抗输出电流
差分输出电容
所有典型值是在25 ° C和一个3.3 V电源。
V
O（ Y）
或V
O（ Z）
= 0 V
V
OD
= 0 V
V
OD
= 600毫伏
V
O
= 0 V或V
CC
V
I
= 0.4罪（ 4E6πt ） + 0.5 V
–24
–12
–1
–1
3
见图3
见图2
测试条件
最小值典型值
(1)
247
–50
1.125
–50
50
310
最大
454
50
1.375
50
150
24
12
1
1
mV
V
mV
mV
mA
mA
A
pF
单位
3
SN65LVDS122
SN65LVDT122
SLLS525B - 2002年5月 - 修订2004年6月
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时序特性
参数
t
SET
t
HOLD
t
开关
输入选择设置时间
输入选择保持时间
选择开关量输出
测试条件
民
0
0.5
1
2
2.6
喃最大
单位
ns
ns
ns
开关特性
在推荐工作条件（除非另有说明）
参数
t
PLH
t
PHL
t
r
t
f
t
SK （p）的
t
SK （PP）的
t
JIT （ PER ）
t
JIT （ CC ）
t
JIT （ PP）
t
JIT （ DET ）
t
PHZ
t
PLZ
t
PZH
t
PZL
t
SK （ O）
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
传播延迟时间，由低到高级别输出
传播延迟时间，从高至低电平输出
差分输出信号的上升时间（20％ - 80％）
差分输出信号的下降时间（20％ - 80％）
脉冲偏差（ |吨
PHL
- t
PLH
|)
(2)
部分到部分斜
(3)
周期抖动， RMS （ 1个标准
周期到周期抖动（峰）
(4)
峰 - 峰值
抖动
(4)
确定性抖动，峰 - 峰
(4)
传播延迟时间，高级别到高阻抗输出
传播延迟时间，低电平到高阻抗输出
传播延迟时间，高阻抗到高的电平输出
传播延迟时间，高阻抗到低电平输出
输出偏斜
(9)
偏差）
(4)
V
ID
= 0.2 V
750 MHz时钟
1.5 Gbps的
2
23
–1
输入
(5)
PRBS
输入
(7)
1
10
33
17
6
6
4
4
15
750 MHz的时钟输入
(6)
1.5 Gbps的2
7
-1 PRBS输入
(8)
参见图5
参见图5
参见图5
参见图5
10
参见图4
测试条件
民
400
400
喃
(1)
最大
650
650
900
900
280
280
50
100
2.2
17
65
50
8
8
6
6
40
单位
ps
ps
ps
ps
ps
ps
ps
ps
ps
ps
ns
ns
ns
ns
ps
所有典型值是在25 ° C和一个3.3 V电源。
t
SK （p）的
是将n之间的时间差的大小
PLH
和T
PHL
的单个设备的任何输出。
t
SK （PP）的
是差的传播延迟时间的两个设备时，两个器件的任何特定网络连接编端子之间的大小
用相同的电源电压下工作，在同一温度下，与具有相同的封装和测试电路。
抖动是由设计和特性指定。刺激的抖动被减掉。
输入电压= V
ID
= 200毫伏，占空比为50％ ，在750兆赫，叔
r
= t
f
= 50ps的（20 ％80％ ），测量值超过1000个样本。
输入电压= V
ID
= 200毫伏，占空比为50％ ，在750兆赫，叔
r
= t
f
= 50的ps （20％至80％）。
输入电压= V
ID
= 200 mV时， 2
23
在1.5 Gbps的-1 PRBS码型，T
r
= t
f
= 50ps的（20 ％80％ ），测量值超过200的k个样本。
输入电压= V
ID
= 200 mV时， 2
7
在1.5 Gbps的-1 PRBS码型，T
r
= t
f
= 50的ps （20％至80％）。
输出偏移是具有连接在一起的所有输入的单个设备的输出之间的时间延迟差的大小。
4
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SN65LVDS122
SN65LVDT122
SLLS525B - 2002年5月 - 修订2004年6月
引脚分配
D组或PW包装
（ TOP VIEW ）
1B
1A
S0
1DE
S1
2A
2B
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
V
CC
1Y
1Z
2DE
2Z
2Y
GND
电路功能表
输入
(1)
1V
ID
X
> 100毫伏
< -100 mV的
< -100 mV的
> 100毫伏
> 100毫伏
< -100 mV的
> 100毫伏
< -100 mV的
< -100 mV的
< -100 mV的
> 100毫伏
> 100毫伏
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
< -100 mV的
< -100 mV的
> 100毫伏
> 100毫伏
> 100毫伏
< -100 mV的
(1)
2V
ID
X
X
X
X
X
X
X
X
X
< -100 mV的
> 100毫伏
< -100 mV的
> 100毫伏
> 100毫伏
< -100 mV的
> 100毫伏
< -100 mV的
< -100 mV的
> 100毫伏
> 100毫伏
< -100 mV的
> 100毫伏
< -100 mV的
< -100 mV的
> 100毫伏
< -100 mV的
> 100毫伏
X
X
S1
X
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
S0
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
1DE
L
H
H
H
H
L
L
H
H
H
H
H
H
L
L
H
H
H
H
L
L
H
H
H
H
H
H
L
L
2DE
L
L
L
H
H
H
H
L
L
H
H
H
H
H
H
L
L
H
H
H
H
L
L
H
H
H
H
H
H
输出
(1)
1V
OD
Z
H
L
L
H
Z
Z
H
L
L
L
H
H
Z
Z
H
L
L
H
Z
Z
H
L
L
H
L
H
Z
Z
2V
OD
Z
Z
Z
L
H
H
L
Z
Z
L
H
L
H
H
L
Z
Z
L
H
H
L
Z
Z
L
L
H
H
H
L
2A / 2B
2Y / 2Z
2DE
图1A / 1B
1DE
1Y / 1Z
2A / 2B
2Y / 2Z
2DE
图1A / 1B
1DE
1Y / 1Z
2A / 2B
2Y / 2Z
2DE
图1A / 1B
1DE
1Y / 1Z
图1A / 1B
2A / 2B
1DE
1Y / 1Z
逻辑图
2Y / 2Z
2DE
H =水平高， L =水平低， Z =高阻抗， X =无所谓
5
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SN65LVDS122
SN65LVDT122
SLLS525B - 2002年5月 - 修订2004年6月
1.5 - Gbps的2
×
2 LVDS交叉点开关
特点
专为信令速率
(1)
最多
1.5 Gbps的
总抖动< 65 PS
引脚兼容， SN65LVDS22和
SN65LVDM22
的接收器输入阈值迟滞25毫伏
在0 V至4 V共模范围
输入电兼容慢性粒细胞白血病，
LVPECL和LVDS信号电平
传播延迟时间， 900 PS最大
LVDT集成110 Ω的终端电阻
采用SOIC和TSSOP
描述
该SN65LVDS122和SN65LVDT122是
使用低电压差分交叉点开关
信令（ LVDS ）来实现信号传输速率高达
1.5 Gbps的。它们是引脚兼容的速度向上
等级到SN65LVDS22和SN65LVDM22 。该
内部信号路径保持差分信号对
高转速和低信号歪斜。这些设备
有一个0 V至4伏的共模输入范围
接受LVDS ， LVPECL ， CML或输入。两个逻辑
引脚（ S0和S1 ）设置的内部结构BE-
补间的差分输入和输出。这使得
灵活地进行如下配置：
2× 2交叉点开关，2:1输入多路转换器，1:2
在一个分离器或双中继/翻译
装置。此外， SN65LVDT122采用了
110 Ω的终端电阻为这些应用程序
电路板空间是非常宝贵的。虽然这些
装置被设计为1.5Gbps时，一些应用
在一个2 - Gbps的数据速率可以根据被支持
装载和信号质量。
该设备的预期应用是理想的
环回切换为诊断程序，扇出
时钟缓存/数据分配提供保护
在容错系统，时钟复用的光
的模块，以及用于整体信号升压比
延长距离。
该SN65LVDS122和SN65LVDT122
特点是操作温度范围为-40 ° C至85°C 。
输出眼图
同时运行
1Y
1Z
应用
10 -G （ OC - 192 ）光模块
622 - MHz的局端时钟分配
无线基站
低抖动时钟中继器/多路复用器
保护倒换串行背板
(1)
一行的signlaing速率是电压的数量
即每秒制成的过渡表达的单位
基点（每秒比特）。
是
工作原理图
1DE
1A
110
1B
V
CC
= 3.3 V
S0
S1
2A
110
2B
2DE
在SN65LVDT122集成终端仅
MUX
V
ID
= 200 mV时， V
IC
= 1.2 V
垂直标度= 200 mV /格
2Y
2Z
1.5 Gbps的
2
23
- 1 PRBS
输出1
输出2
水平比例尺= 200 PS / DIV
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2002-2004 ，德州仪器
SN65LVDS122
SN65LVDT122
SLLS525B - 2002年5月 - 修订2004年6月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备
贮藏期间放置在导电泡棉或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
包
SOIC
SOIC
TSSOP
TSSOP
(1)
终端电阻
No
是的
No
是的
产品型号
(1)
SN65LVDS122D
SN65LVDT122D
SN65LVDS122PW
SN65LVDT122PW
符号
LVDS122
LVDT122
LVDS122
LVDT122
添加后缀R表示卷带封装载体
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
(1)
SN65LVDS122 ， SN65LVDT122
V
CC
电源电压范围
(2)
（A ， B）
电压范围
|V
A
-V
B
| （ LVDT只）
（ DE， S0，S1 ）
（ Y， Z）
ESD
人体模型
(3)
带电器件模型
(4)
连续功率耗散
T
英镑
存储温度范围
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
(1)
(2)
(3)
(4)
A，B ，Y ，Z和GND
所有引脚
所有引脚
-0.5V至4 V
-0.7 V至4.3 V
1V
-0.5V至4 V
-0.5V至4 V
±4
kV
±2
kV
±1500
V
见耗散额定值表
-65_C到150_C
260°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值，除了差分I / O总线的电压，是相对于网络的接地端子。
经测试符合JEDEC标准22 ，测试方法A114- A.7 。
经测试符合JEDEC标准22 ，测试方法C101 。
推荐工作条件
民
V
CC
V
IH
V
IL
|V
ID
|
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
差分输入电压幅度
S0 ， S1 ， 1DE ，二维超声心动图
S0 ， S1 ， 1DE ，二维超声心动图
LVDS
LVDT
3
2
0
0.1
0.1
0
–40
喃
3.3
最大
3.6
4
0.8
1
0.8
4
85
单位
V
V
V
V
V
°C
输入电压（共模或输入信号的任意组合）
T
A
工作自由空气的温度
包装耗散额定值
包
PW
D
(1)
T
A
≤
25°C
额定功率
712毫瓦
1002毫瓦
降额因子
(1)
上述牛逼
A
= 25°C
6.2毫瓦/°C的
8.7毫瓦/°C的
T
A
= 85°C
额定功率
340毫瓦
480毫瓦
这是结到环境的热阻的倒数时，板装且没有空气流动。
2
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SN65LVDS122
SN65LVDT122
SLLS525B - 2002年5月 - 修订2004年6月
输入电气特性
在推荐工作条件（除非另有说明）
参数
V
IT +
V
IT-
正向差分输入电压阈值
负向差分输入电压阈值
DE
S0, S1
DE
S0, S1
测试条件
参见图1和表1中
参见图1和表1中
–100
(2)
25
V
IH
= 2
V
IL
= 0.8 V
R
L
= 100
残
V
I
= 0 V或2.4 V ，其他输入在1.2 V
V
I
= 4 V，其他输入在1.2 V
V
I
= 0 V或2.4 V ，其他输入开放
V
I
= 4 V，其他输入开放
V
CC
= 1.5 V, V
I
= 0 V或2.4 V ，
其他输入在1.2 V
V
CC
= 1.5 V, V
I
= 2.4 V或24 V ，
其他输入在1.2 V
V
CC
= 1.5 V, V
I
= 0 V或2.4 V ，
其他输入开放
V
CC
= 1.5 V, V
I
= 2.4 V或24 V ，
其他输入开放
V
IA
= V
IB
, 0
≤
V
IA
≤
4 V
V
ID
= 300 mV至500 mV时，
V
IC
= 0 V至2.4 V
V
ID
= 300 mV至500 mV时，
V
CC
= 1.5 V, V
IC
= 0 V至2.4 V
V
I
= 0.4罪（ 4E6πt ） + 0.5 V
断电（V
CC
= 1.5 V)
–20
0
–40
0
–20
0
–40
0
–6
90
90
110
110
3
3
–10
0
–10
80
35
0
20
0
20
100
45
20
33
40
66
20
A
33
40
A
66
6
132
132
pF
A
最小值典型值
(1)
最大
100
单位
mV
mV
mV
A
A
mA
A
A
V
ID （ HYS ）
差分输入电压迟滞（V
IT +
– V
IT-
)
I
IH
I
IL
I
CC
高层次的输入电流
低电平输入电流
电源电流
输入电流（ A或B输入' LVDS ）
I
I
输入电流（ A或B输入' LVDT ）
输入电流（ A或B输入' LVDS ）
I
我（关闭）
输入电流（ A或B输入' LVDT ）
I
IO
R
T
输入失调电流（ | I
IA
– I
IB
| ） “ LVDS
终端电阻（' LVDT ）
终端电阻（' LVDT具有断电）
C
I
(1)
(2)
差分输入电容（'与LVDT
断电）
所有典型值是在25 ° C和一个3.3 V电源。
其中最小正（最负）限制指定为最低的代数约定用于本数据表中。
输出电气特性
在推荐工作条件（除非另有说明）
参数
|V
OD
|
|V
OD
|
V
OC （ SS ）
V
OC （ SS ）
V
OC （ PP ）
I
OS
I
操作系统（D）的
I
OZ
C
o
(1)
差分输出电压幅值
改变逻辑之间的差分输出电压幅度
国
稳态共模输出电压
变化在稳态之间的共模输出电压
逻辑状态
峰对峰的共模输出电压
输出短路电流
差动输出短路电流
高阻抗输出电流
差分输出电容
所有典型值是在25 ° C和一个3.3 V电源。
V
O（ Y）
或V
O（ Z）
= 0 V
V
OD
= 0 V
V
OD
= 600毫伏
V
O
= 0 V或V
CC
V
I
= 0.4罪（ 4E6πt ） + 0.5 V
–24
–12
–1
–1
3
见图3
见图2
测试条件
最小值典型值
(1)
247
–50
1.125
–50
50
310
最大
454
50
1.375
50
150
24
12
1
1
mV
V
mV
mV
mA
mA
A
pF
单位
3
SN65LVDS122
SN65LVDT122
SLLS525B - 2002年5月 - 修订2004年6月
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时序特性
参数
t
SET
t
HOLD
t
开关
输入选择设置时间
输入选择保持时间
选择开关量输出
测试条件
民
0
0.5
1
2
2.6
喃最大
单位
ns
ns
ns
开关特性
在推荐工作条件（除非另有说明）
参数
t
PLH
t
PHL
t
r
t
f
t
SK （p）的
t
SK （PP）的
t
JIT （ PER ）
t
JIT （ CC ）
t
JIT （ PP）
t
JIT （ DET ）
t
PHZ
t
PLZ
t
PZH
t
PZL
t
SK （ O）
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
传播延迟时间，由低到高级别输出
传播延迟时间，从高至低电平输出
差分输出信号的上升时间（20％ - 80％）
差分输出信号的下降时间（20％ - 80％）
脉冲偏差（ |吨
PHL
- t
PLH
|)
(2)
部分到部分斜
(3)
周期抖动， RMS （ 1个标准
周期到周期抖动（峰）
(4)
峰 - 峰值
抖动
(4)
确定性抖动，峰 - 峰
(4)
传播延迟时间，高级别到高阻抗输出
传播延迟时间，低电平到高阻抗输出
传播延迟时间，高阻抗到高的电平输出
传播延迟时间，高阻抗到低电平输出
输出偏斜
(9)
偏差）
(4)
V
ID
= 0.2 V
750 MHz时钟
1.5 Gbps的
2
23
–1
输入
(5)
PRBS
输入
(7)
1
10
33
17
6
6
4
4
15
750 MHz的时钟输入
(6)
1.5 Gbps的2
7
-1 PRBS输入
(8)
参见图5
参见图5
参见图5
参见图5
10
参见图4
测试条件
民
400
400
喃
(1)
最大
650
650
900
900
280
280
50
100
2.2
17
65
50
8
8
6
6
40
单位
ps
ps
ps
ps
ps
ps
ps
ps
ps
ps
ns
ns
ns
ns
ps
所有典型值是在25 ° C和一个3.3 V电源。
t
SK （p）的
是将n之间的时间差的大小
PLH
和T
PHL
的单个设备的任何输出。
t
SK （PP）的
是差的传播延迟时间的两个设备时，两个器件的任何特定网络连接编端子之间的大小
用相同的电源电压下工作，在同一温度下，与具有相同的封装和测试电路。
抖动是由设计和特性指定。刺激的抖动被减掉。
输入电压= V
ID
= 200毫伏，占空比为50％ ，在750兆赫，叔
r
= t
f
= 50ps的（20 ％80％ ），测量值超过1000个样本。
输入电压= V
ID
= 200毫伏，占空比为50％ ，在750兆赫，叔
r
= t
f
= 50的ps （20％至80％）。
输入电压= V
ID
= 200 mV时， 2
23
在1.5 Gbps的-1 PRBS码型，T
r
= t
f
= 50ps的（20 ％80％ ），测量值超过200的k个样本。
输入电压= V
ID
= 200 mV时， 2
7
在1.5 Gbps的-1 PRBS码型，T
r
= t
f
= 50的ps （20％至80％）。
输出偏移是具有连接在一起的所有输入的单个设备的输出之间的时间延迟差的大小。
4
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SN65LVDS122
SN65LVDT122
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引脚分配
D组或PW包装
（ TOP VIEW ）
1B
1A
S0
1DE
S1
2A
2B
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
V
CC
1Y
1Z
2DE
2Z
2Y
GND
电路功能表
输入
(1)
1V
ID
X
> 100毫伏
< -100 mV的
< -100 mV的
> 100毫伏
> 100毫伏
< -100 mV的
> 100毫伏
< -100 mV的
< -100 mV的
< -100 mV的
> 100毫伏
> 100毫伏
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
< -100 mV的
< -100 mV的
> 100毫伏
> 100毫伏
> 100毫伏
< -100 mV的
(1)
2V
ID
X
X
X
X
X
X
X
X
X
< -100 mV的
> 100毫伏
< -100 mV的
> 100毫伏
> 100毫伏
< -100 mV的
> 100毫伏
< -100 mV的
< -100 mV的
> 100毫伏
> 100毫伏
< -100 mV的
> 100毫伏
< -100 mV的
< -100 mV的
> 100毫伏
< -100 mV的
> 100毫伏
X
X
S1
X
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
S0
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
1DE
L
H
H
H
H
L
L
H
H
H
H
H
H
L
L
H
H
H
H
L
L
H
H
H
H
H
H
L
L
2DE
L
L
L
H
H
H
H
L
L
H
H
H
H
H
H
L
L
H
H
H
H
L
L
H
H
H
H
H
H
输出
(1)
1V
OD
Z
H
L
L
H
Z
Z
H
L
L
L
H
H
Z
Z
H
L
L
H
Z
Z
H
L
L
H
L
H
Z
Z
2V
OD
Z
Z
Z
L
H
H
L
Z
Z
L
H
L
H
H
L
Z
Z
L
H
H
L
Z
Z
L
L
H
H
H
L
2A / 2B
2Y / 2Z
2DE
图1A / 1B
1DE
1Y / 1Z
2A / 2B
2Y / 2Z
2DE
图1A / 1B
1DE
1Y / 1Z
2A / 2B
2Y / 2Z
2DE
图1A / 1B
1DE
1Y / 1Z
图1A / 1B
2A / 2B
1DE
1Y / 1Z
逻辑图
2Y / 2Z
2DE
H =水平高， L =水平低， Z =高阻抗， X =无所谓
5
QQ：2881677436 复制
