SN65HVD233-HT
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SLLS933F - 2008年11月 - 修订2012年8月
3.3 -V CAN收发器
检查样品:
SN65HVD233-HT
1
特点
总线引脚故障保护超过± 36 V
总线引脚ESD保护超过16 kV的人
人体模型( HBM )
符合ISO 11898
信令速率
(1)
高达1 Mbps
扩展-7 V至12 V共模范围
高输入阻抗允许为120个节点
LVTTL I / O是5V容限
可调驾驶员转换时间为
提高信号质量
电节点不干扰总线
低电流待机模式。 。 。 200
μA
典型
上电/下无干扰总线输入和
输出
- 高输入阻抗低V
CC
- 单片输出时功率自行车
环回可诊断功能
的DeviceNet 供应商ID # 806
一条线的信号传输速率是电压的数量
即每秒制成的过渡表达的单位
基点(每秒比特)。
2
SUPPORTS极端气温
应用
控制基线
一个封装/测试网站
一个网站制作
可在极端( -55°C / 210 ° C)
温度范围
(1)
延长产品生命周期
扩展产品更改通知
产品可追溯性
德州仪器的高温产品
利用高度优化的硅(芯片)解决方案
与设计和工艺改进
在扩展性能最大化
温度。
描述/订购信息
该SN65HVD233是用在应用中用人
该
调节器
区域
网
(CAN)
串行
按照该通信物理层
ISO 11898标准,所不同的是该
热关断将被删除。作为一个CAN收发器,
该设备提供发送和接收能力的
差分CAN总线和CAN之间
控制器,具有信令速率高达1 Mbps 。
尤其是在恶劣的操作设计
环境,设备功能交叉线,
过压和失的接地保护至± 36 V ,
在± 100 V共模瞬变保护
该器件工作在-7 V至12 V共
模范围最大为60个节点的总线上。
如果共模范围被限制到了ISO
11898标准范围为-2 V至7伏,多达120个
节点可连接在总线上。该收发器
接口单端CAN与控制器
在工业,建筑差分CAN总线发现
自动化和汽车应用。
(1)
自定义的温度范围内工作
(1)
应用
潜孔钻
高温度环境下
工业自动化
- 的DeviceNet 数据总线
- 智能分布式系统( SDS )
SAE J1939数据总线接口
NMEA 2000数据总线接口
ISO 11783数据总线接口
CAN数据总线接口
XXX
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
DeviceNet是开放设备网络供应商协会的注册商标。
版权所有 2008-2012 ,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序,可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降,完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害,因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
描述/订购信息(续)
R
S
(引脚8)提供了三种操作模式:高速,斜率控制,或低功率待机模式。该
操作的高速模式的选择通过连接
S
直接接地,从而使驱动器输出
晶体管来尽可能快地与没有限制在上升开关和关断斜率和下降斜率。兴衰
斜率可以通过一个电阻连接到地为R进行调整
S
中,由于斜率正比于引脚的输出
电流。斜率控制为10 kΩ的电阻值来实现,实现的压摆率
15伏/微秒,和一个
100 kΩ的价值实现
2.0 V / μs压摆率。有关斜率控制的更多信息,请参阅应用
信息部分。
该SN65HVD233进入低电流待机模式,在此期间,驱动器被关掉和接收机
如果一个高逻辑电平被施加至R保持有效
S
。当地协议控制器逆转这种低电流待机
模式时,它需要传输到总线上。
逻辑上高SN65HVD233的环回( LBK , 5脚)时,总线输出和总线输入在高
阻抗状态。其余的电路保持活跃,可为驾驶者接收器环回,自
诊断节点的功能,而不会干扰该总线。
可选项
产品型号
SN65HVD233HD
SN65HVD233SJD
SN65HVD233SKGDA
SN65HVD233SHKJ
SN65HVD233SHKQ
低功耗模式
200 μA待机模式
200 μA待机模式
200 μA待机模式
200 μA待机模式
200 μA待机模式
坡
控制
可调整的
可调整的
可调整的
可调整的
可调整的
诊断
环回
是的
是的
是的
是的
是的
自动波特率
环回
No
No
No
No
No
订购信息
(1)
T
A
-55°C至175℃
包
(2)
D
KGD
-55°C至210℃
HKJ
HKQ
JD
(1)
(2)
订购零件
数
SN65HVD233HD
SN65HVD233SKGDA
SN65HVD233SHKJ
SN65HVD233SHKQ
SN65HVD233SJD
TOP- SIDE
记号
233S
不适用
SN65HVD233SHKJ
HVD233SHKQ
SN65HVD233SJD
有关最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站:
www.ti.com 。
包装图纸,热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
功能框图
R
S
8
D
1
6
4
5
LBK
7
CANH
CANL
R
2
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裸芯片信息
模具厚度
15密耳。
背面完成
硅与研磨用
背面
潜力
GND
焊盘
金属化成分
铝 - 硅 - 铜(0.5%)
起源
a
b
c
d
表1.债券垫坐标以微米 - 版本A
详细描述
D
GND
GND
VCC
VCC
R
LBK
CANL
CANH
RS
盘数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
a
86.40
1035.05
1168.15
1572.05
1711.95
2758.85
2774.25
1549.90
1351.45
83.50
b
157.85
69.75
69.75
51.85
51.85
237.65
1429.985
1544.95
1544.95
1429.95
c
203.40
1150.05
1283.15
1687.05
1826.95
2873.85
2889.25
1664.90
1466.45
198.50
d
274.85
184.75
184.75
166.85
166.85
352.65
1544.95
1659.95
1659.95
1544.95
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设备信息
D, JD或HKJ包装
( TOP VIEW )
HKQ包装
( TOP VIEW )
8
1
D
GND
V
CC
R
1
2
3
4
8
7
6
5
R
S
CANH
CANL
LBK
R
S
CANH
CANL
LBK
D
GND
V
CC
R
5
4
HKQ所形成或HKJ安装死的bug
等效输入和输出示意图说明
D输入
V
CC
100 k
1 k
输入
9V
输入
40 V
输入
9 k
R
S
输入
V
CC
110 k
45 k
9 k
CANH输入
V
CC
+
_
CANL输入
V
CC
110 k
45 k
输入
40 V
9 k
9 k
CANH和CANL输出
V
CC
右输出
V
CC
5
产量
40 V
产量
9V
LBK输入
V
CC
1 k
输入
9V
100 k
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