SN54LS224A ， SN74LS224A
16
×
4同步先入先出MEMORIES
具有三态输出
SDLS023E - 1991年1月 - 修订2003年4月
D
D
D
D
D
D
D
D
独立的同步输入和
输出
16字由4位每个
三态输出驱动公交线路直达
数据传输速率高达10 MHz的
秋季，经过时间50 ns典型
安排印制电路数据终端
电路板布局
可扩展，使用外部选通
封装在标准塑料（ N）和
陶瓷（J ） 300万骤降，以及陶瓷片
电信运营商（ FK ）
SN54LS224A 。 。 。 包装
SN74LS224A 。 。 。 N包装
（ TOP VIEW ）
OE
IR
LDCK
D0
D1
D2
D3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
UNCK
OR
Q0
Q1
Q2
Q3
CLR
先入先出（ FIFO）存储器是存储
装置，其允许数据写入和读
从其在独立的数据传输速率阵列。这些
FIFO的设计为速率高达过程数据
10兆赫的位并行格式，一字一句。
NC - 无内部连接
负载时钟（ LDCK ）通常保持低电平时，数据被写入到存储器上的高到低转换
LDCK 。卸载时钟（ UNCK ）通常被高举，并且数据被读出的由低到高的转变
UNCK 。存储器已满时的字的数量主频在超过了16时钟的单词数
出。当存储空间已满， LDCK信号对驻留在内存中的数据没有影响。当存储器
是空的， UNCK信号有任何影响。
FIFO存储器的状态是由IR和OR标志位未充分和不空的状态进行监测。
IR为高，只有当内存不充分和LDCK低。或为高，只有当内存不空
和UNCK高。
在清除（ CLR ）输入的低电平复位内部堆栈指针的控制，并设置红外线高或低
以表明旧数据残留在数据输出是无效的。数据输出是同相，相对于
输入的数据，并处于高阻抗，当输出使能（OE）输入为低。 OE不影响
IR和OR输出。
该SN74LS224A的特点是操作从0℃至70℃。该SN54LS224A的特点是在
整个军用温度范围为-55 ° C至125°C 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
2003年，德州仪器
关于产品符合MIL -PRF- 38535 ，所有参数进行测试
除非另有说明。在所有其他产品，生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
GND
该SN54LS224A和SN74LS224A 64位，
低功耗肖特基记忆被组织成
16个字的每个4位。它们可以扩展
在15米+ 1个字或4n个位，或两者的倍数
（其中，n是包在垂直数
阵列和m是在包装的数量
水平排列） ;然而，一些外部选通
是必须的。对于较长的字，输入就绪（IR）的
的第一列的包信号，并
最后一列的输出就绪（ OR）信号
包装必须与运算正确
同步。
3
2
1
LDCK
D0
NC
D1
D2
4
5
6
7
8
20 19
18
17
16
15
UNCK
OR
Q0
NC
Q1
Q2
Q3
描述
SN54LS224A 。 。 。 FK包装
（ TOP VIEW ）
14
9 10 11 12 13
D3
CLR
NC
VCC
OE
NC
IR
1
SN54LS224A ， SN74LS224A
16
×
4同步先入先出MEMORIES
具有三态输出
SDLS023E - 1991年1月 - 修订2003年4月
逻辑符号
FIFO 16
×
4
OE
CLR
1
9
EN5
CT = 0
CT < 16
LDCK
3
＆放大器;
+ /C1
Z2
3
CT > 0
UNCK
15
＆放大器;
–
Z3
CT = 0
2
D0
D1
D2
D3
4
5
6
7
1D
＆放大器;
V4
4, 5
13
12
11
10
Q0
Q1
Q2
Q3
14
OR
CTR
2
2
IR
这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984和IEC出版617-12 。这个符号在功能上是准确的，但不
没有表现出实现的细节;对于这些细节，参见逻辑图。的符号表示，如果它是由控制的存储器
一个计数器，其内容是存储在所述时间的字的数量。输出数据是无效的，当该计数器的内容（ CT）的值为0。
显示引脚数是歼和N包。
2
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SN54LS224A ， SN74LS224A
16
×
4同步先入先出MEMORIES
具有三态输出
SDLS023E - 1991年1月 - 修订2003年4月
逻辑图（正逻辑）
OE
CLR
LDCK
1
9
3
S
1D
C1
环
计数器
CTR
1
DIV 16
2
16
P
P=Q+1
Q
P = Q
空
COMP
Q=P+1
S
2D
C2
3
4
+
5
6
写
7
地址
8
9
10
11
12
CT = 1
13
14
15
16
2
14
UNCK
15
R
3D
C3
环
计数器
CTR
1
2
DIV 16
3
4
5
6
读
7
8
地址
9
10
11
12
CT = 1
13
14
15
16
IR
OR
16
16
+
R
4D
C4
内存
16
×
4
1
1A 16
16
2A
1
16
EN
C5
4
D0
5
D1
6
D2
D3 7
显示引脚数是歼和N包。
1A ， 2A 5D
≥1
13
12
11
10
Q0
Q1
Q2
Q3
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3
SN54LS224A ， SN74LS224A
16
×
4同步先入先出MEMORIES
具有三态输出
SDLS023E - 1991年1月 - 修订2003年4月
输入和输出的原理图
等效CLR输入
VCC
13 kΩ的NOM
输入
等效其他投入
VCC
19 kΩ的NOM
输入
典型的IR和OR输出
VCC
120
喃
典型Q输出
VCC
100
喃
产量
产量
4
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SN54LS224A ， SN74LS224A
16
×
4同步先入先出MEMORIES
具有三态输出
SDLS023E - 1991年1月 - 修订2003年4月
时序图
CLR
LDCK
UNCK
D0–D3
IR
OR
Q0–Q3
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
CC
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
输入电压范围，V
I
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
关断状态下输出电压范围，V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至5.5 V
封装的热阻抗，
θ
JA
：N封装（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67 ° C / W
N包装， （见注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 88 ° C / W
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有电压值相对于GND 。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-3 。
W1
W2
W1
W2
W15
W16
无效
WORD 1
WORD 2
初始化
负载
两个词
UNLOAD
两个词
邮政信箱655303
无效
WORD 1
WORD 2
载满为止
UNLOAD
达拉斯，德克萨斯州75265
5
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