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SN54HCT373 , SN74HCT373
八路透明D类锁存器
具有三态输出
SCLS009D - 1984年3月 - 修订2003年8月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
操作的4.5 V电压范围为5.5 V
大电流三态真正的输出可
驱动多达15个输入通道负载
低功耗, 80 μA最大I
CC
典型的牛逼
pd
= 21 ns的
±6-mA
输出驱动器的5 V
1低输入电流
A
最大
输入是TTL电压兼容
八个大电流锁存器在单
为加载全并行访问
SN54HCT373 。 。 ·J或W包装
SN74HCT373 。 。 .DB , DW ,N , NS ,或PW包装
( TOP VIEW )
OE
1Q
1D
2D
2Q
3Q
3D
4D
4Q
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
8Q
8D
7D
7Q
6Q
6D
5D
5Q
LE
描述/订购信息
这8位锁存器配备了3态输出
专为驱动高容性设计
或相对低的阻抗负载。他们是
特别适合于实现缓冲
寄存器,I / O端口,双向总线驱动程序,
工作寄存器。
这八个锁存器中的“ HCT373设备是
透明
D型
锁存器。
锁存使能( LE)的输入为高时, Q输出
按照数据(D)输入端。当LE为低电平时,
在Q输出锁存是那样的水平
设在D输入。
订购信息
TA
PDIP - N
SOIC - DW
–40°C 85°C
-40 ℃至85℃
SOP - NS
SSOP - DB
TSSOP - PW
CDIP - J
–55°C 125°C
-55℃至125℃
CFP - 含
LCCC - FK
包装
20管
25管
2000年卷
2000年卷
2000年卷
70管
2000年卷
250的卷轴
20管
85管
55管
订购
产品型号
SN74HCT373N
SN74HCT373DW
SN74HCT373DWR
SN74HCT373NSR
SN74HCT373DBR
SN74HCT373PW
SN74HCT373PWR
SN74HCT373PWT
SNJ54HCT373J
SNJ54HCT373W
SNJ54HCT373FK
SNJ54HCT373J
SNJ54HCT373W
SNJ54HCT373FK
HT373
TOP- SIDE
记号
SN74HCT373N
HCT373
HCT373
HT373
SN54HCT373 。 。 .FK包装
( TOP VIEW )
1D
1Q
OE
V
CC
8Q
2D
2Q
3Q
3D
4D
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
8D
7D
7Q
6Q
6D
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计准则
可在www.ti.com/sc/package 。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
2003年,德州仪器
关于产品符合MIL -PRF- 38535 ,所有参数进行测试
除非另有说明。在所有其他产品,生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
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达拉斯,德克萨斯州75265
4Q
GND
LE
5Q
5D
1
SN54HCT373 , SN74HCT373
八路透明D类锁存器
具有三态输出
SCLS009D - 1984年3月 - 修订2003年8月
描述/订购信息(续)
输出使能(OE)输入放置八个输出中的任一个正常的逻辑状态(高或低逻辑电平)或
高阻抗状态。在高阻抗状态下,输出没有负载也不驱动总线线路
显著。高阻抗状态,增加驱动器提供驱动公交线路无能力
接口或上拉部件。
OE不影响锁存器的内部操作。旧的数据可以被保留或新的数据可被输入
而输出关闭。
功能表
(每个锁存器)
输入
OE
L
L
L
H
LE
H
H
L
X
D
H
L
X
X
产量
Q
H
L
Q0
Z
逻辑图(正逻辑)
OE
1
LE
11
C1
2
1D
3
1D
1Q
七其他渠道
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压范围,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
输入钳位电流,I
IK
(V
I
& LT ; 0或V
I
& GT ; V
CC
) (见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±20
mA
输出钳位电流,I
OK
(V
O
& LT ; 0或V
O
& GT ; V
CC
) (见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±20
mA
连续输出电流,I
O
(V
O
= 0至V
CC
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±35
mA
连续电流通过V
CC
或GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±70
mA
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注2 ) : DB包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70 ° C / W
DW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58 ° C / W
N包装, 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 69 ° C / W
NS包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60 ° C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 83 ° C / W
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注释:1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
2
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SN54HCT373 , SN74HCT373
八路透明D类锁存器
具有三态输出
SCLS009D - 1984年3月 - 修订2003年8月
推荐工作条件(见注3 )
SN54HCT373
VCC
VIH
VIL
VI
VO
ΔT/ ΔV
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输入电压
输出电压
输入过渡的上升/下降时间
VCC = 4.5 V至5.5 V
VCC = 4.5 V至5.5 V
4.5
2
0.8
0
0
VCC
VCC
500
0
0
5
最大
5.5
SN74HCT373
4.5
2
0.8
VCC
VCC
500
5
最大
5.5
单位
V
V
V
V
V
ns
TA
工作自由空气的温度
–55
125
–40
85
°C
注3 :该设备的所有未使用的输入必须在VCC或GND举行,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明)
参数
VOH
VOL
II
IOZ
ICC
I
CC
Ci
测试条件
VI = VIH或VIL
VI = VIH或VIL
VI = VCC或0
VO = VCC或0
VI = VCC或0 ,
IO = 0
一个输入在0.5 V或2.4 V ,
在0或VCC的其他投入
IOH = -20
A
IOH = -6毫安
IOL = 20
A
IOL = 6毫安
VCC
4.5 V
4.5 V
5.5 V
5.5 V
5.5 V
5.5 V
4.5 V
至5.5 V
1.4
3
TA = 25°C
典型值
最大
4.4
3.98
4.499
4.3
0.001
0.17
±0.1
±0.01
0.1
0.26
±100
±0.5
8
2.4
10
SN54HCT373
4.4
3.7
0.1
0.4
±1000
±10
160
3
10
最大
SN74HCT373
4.4
3.84
0.1
0.33
±1000
±5
80
2.9
10
最大
单位
V
V
nA
A
A
mA
pF
这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的TTL电压电平中的一个,而不是为0V或者VCC 。
时序要求在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非另有
说明)
VCC
tw
TSU
th
脉冲持续时间, LE高
建立时间, LE ↑前数据
保持时间, LE ↑后的数据
4.5 V
5.5 V
4.5 V
5.5 V
4.5 V
5.5 V
TA = 25°C
最大
20
17
10
9
10
10
SN54HCT373
30
27
15
14
10
10
最大
SN74HCT373
25
23
13
12
10
10
最大
单位
ns
ns
ns
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3
SN54HCT373 , SN74HCT373
八路透明D类锁存器
具有三态输出
SCLS009D - 1984年3月 - 修订2003年8月
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内,C
L
= 50 pF的
(除非另有说明)(参见图1)
参数
(输入)
D
tPD的
LE
TEN
TDI发动机
tt
任何Q
任何Q
任何Q
任何Q
TO
(输出)
Q
VCC
4.5 V
5.5 V
4.5 V
5.5 V
4.5 V
5.5 V
4.5 V
5.5 V
4.5 V
5.5 V
TA = 25°C
典型值
最大
25
21
28
25
26
23
23
22
10
9
35
32
35
32
35
32
35
32
12
11
SN54HCT373
最大
53
48
53
48
53
48
53
48
18
16
SN74HCT373
最大
44
40
44
40
44
40
44
40
15
14
ns
ns
ns
ns
单位
OE
OE
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内,C
L
= 150 pF的
(除非另有说明)(参见图1)
参数
(输入)
D
tPD的
LE
TEN
tt
任何Q
任何Q
任何Q
TO
(输出)
Q
VCC
4.5 V
5.5 V
4.5 V
5.5 V
4.5 V
5.5 V
4.5 V
5.5 V
TA = 25°C
典型值
最大
32
27
38
36
33
28
18
16
52
47
52
47
52
47
42
38
SN54HCT373
最大
79
71
79
71
79
71
63
57
SN74HCT373
最大
65
59
65
59
65
59
53
48
ns
ns
ns
单位
OE
经营特色,T
A
= 25°C
参数
CPD
每个锁存器的功率耗散电容
测试条件
空载
典型值
50
单位
pF
4
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SN54HCT373 , SN74HCT373
八路透明D类锁存器
具有三态输出
SCLS009D - 1984年3月 - 修订2003年8月
参数测量信息
VCC
S1
RL
参数
TEN
tpZH
tPZL
tPHZ
tPLZ
1 k
RL
1 k
CL
50 pF的
or
150 pF的
50 pF的
50 pF的
or
150 pF的
S1
开放
关闭
开放
关闭
––
开放
S2
关闭
开放
关闭
开放
开放
从输出
被测
CL
(见注一)
TEST
TDI发动机
S2
TPD或TT
负载电路
参考
输入
3V
1.3 V
0V
TSU
th
2.7 V
3V
1.3 V
0.3 V 0 V
tf
高位
脉冲
3V
1.3 V
tw
1.3 V
0V
3V
1.3 V
1.3 V
0V
电压波形
脉冲持续时间
低电平
脉冲
数据
输入1.3 V
0.3 V
2.7 V
tr
电压波形
建立和保持与输入上升和下降时间
3V
输入
1.3 V
TPLH
在相
产量
1.3 V
10%
的TPH1
90%
1.3 V
10%
tf
90%
tr
出OF-
产量
TPLH
1.3 V
10%
90%
tr
VOH
VOL
1.3 V
0V
的TPH1
90%
VOH
1.3 V
10% V
OL
tf
产量
控制
(低电平
使能)
tPZL
产量
波形1
(见注B)
tpZH
产量
波形2
(见注B)
3V
1.3 V
1.3 V
0V
tPLZ
≈V
CC
1.3 V
10%
tPHZ
1.3 V
90%
VOH
≈0
V
VOL
电压波形
传播延迟和输出上升和下降时间
电压波形
启用和禁用时间3态输出
注:A CL包括探头和测试夹具电容。
B.波形1是内部条件的输出,使得输出为低电平除非输出控制禁止时。
波形2是内部条件的输出,使得输出为高,除去被禁止输出的时候。
波形C之间的相位关系进行任意选择。所有输入脉冲由具有以下的发电机供给
特点: PRR
1 MHz时, ZO = 50
,
TR = 6纳秒, TF = 6纳秒。
D的输出被测量的一个在每个测量一个输入转换的时间。
大肠杆菌tPLZ和tPHZ相同TDIS 。
F. tPZL和tPZH是相同的10 。
G. tPLH的和的TPH1相同公吨。
图1.负载电路和电压波形
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    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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