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SN54ACT7881
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主频先入先出存储器
SGAS004A - 1995年8月 - 修订1998年4月
D
D
D
D
D
D
德州仪器会员
Widebus家庭
独立的异步输入和
输出
读取和写入操作可以
同步到独立系统
可编程几乎满/几乎空
引脚对引脚兼容SN74ACT7882 ,
SN74ACT7884和SN74ACT7811
输入就绪,已准备好输出和半满
FL AGS
D
D
D
D
D
级联的字宽和/或Word
深度
13 ns的快速存取时间为50 pF的
负载
高输出驱动用于直接总线接口
释放DSCC SMD (标准
微电路图纸) 5962-9562701QYA
和5962-9562701NXD
封装选项包括68引脚陶瓷
四方扁平( HV)和80引脚塑料四方扁平
( PN )封装
HV封装
( TOP VIEW )
D14
D13
D12
D11
D10
D9
V
CC
D8
GND
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
D15
D16
D17
GND
RDCLK
RDEN1
RDEN2
OE
RESET
V
CC
GND
OR
V
CC
Q17
Q16
GND
Q15
9
10
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25
8 7
6
5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
60
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56
55
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53
52
51
50
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45
26
44
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
V
CC
Q14
Q13
GND
Q12
Q11
V
CC
Q10
Q9
GND
Q8
Q7
V
CC
Q6
Q5
GND
Q4
DAF
GND
WRTCLK
WRTEN1
WRTEN2
V
CC
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
Widebus是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
AF / AE
GND
IR
HF
V
CC
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
Q0
Q1
GND
Q2
Q3
V
CC
版权
1998年,德州仪器
关于产品符合MIL -PRF- 38535 ,所有参数进行测试
除非另有说明。在所有其他产品,生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
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SN54ACT7881
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主频先入先出存储器
SGAS004A - 1995年8月 - 修订1998年4月
PN包装
( TOP VIEW )
Q14
Q13
GND
GND
Q12
Q11
V
CC
Q10
Q9
GND
Q8
Q7
V
CC
Q6
Q5
80 79 78 77 76 75 74 73 72 71 70 69 68 67 66 65 64 63 62 61
NC
GND
GND
Q16
Q17
V
CC
OR
GND
V
CC
RESET
OE
RDEN2
RDEN1
RDCLK
GND
D17
D16
D15
NC
NC
Q15
V
CC
GND
GND
Q4
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
1
2
3
4
5
6
7
8
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21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40
V
CC
V
CC
NC
Q3
Q2
GND
Q1
Q0
V
CC
HF
IR
GND
GND
AF / AE
V
CC
WRTEN2
WRTEN1
WRTCLK
GND
NC
NC
D14
D13
D12
D11
D10
D9
V
CC
NC - 无内部连接
描述
甲FIFO存储器是一个存储装置,它允许数据被写入,并从它的阵列读出独立
数据速率。该SN54ACT7881组织1024
×
18位和流程,速率高达50 MHz和数据
的13纳秒以比特并行格式访问时间。数据输出是同相相对于所述数据输入。
扩张是在这两个词的宽度和深度的字很容易完成。
该SN54ACT7881有正常的输入总线,输出总线的异步操作。特殊的使能电路
添加到同步独立的读取和写入到它们各自的系统时钟的能力。
该SN54ACT7881的特点是工作在-55 ° C至125°C的整个军用温度范围。
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邮政信箱655303
D8
GND
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
DAF
NC
达拉斯,德克萨斯州75265
SN54ACT7881
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主频先入先出存储器
SGAS004A - 1995年8月 - 修订1998年4月
逻辑符号
Φ
FIFO
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RESET
WRTCLK
WRTEN1
WRTEN2
RDCLK
RDEN1
OE
RDEN2
DAF
1
29
30
RESET
WRTCLK
&放大器;
在RDY
WRTEN
半满
35
36
33
66
IR
HF
AF / AE
OR
31
5
4
2
3
27
RDCLK
&放大器;
EN1
殆满/空
OUT RDY
RDEN
DEF几乎满
38
39
41
42
44
46
47
49
数据
数据
50
1
52
53
55
56
58
59
61
63
17
17
64
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D9
D10
D11
D12
D13
D14
D15
D16
D17
26
25
24
23
22
21
20
19
17
15
14
13
12
11
10
9
8
7
0
0
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
Q8
Q9
Q10
Q11
Q12
Q13
Q14
Q15
Q16
Q17
这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984和IEC出版617-12 。
显示引脚的数字是针对HV封装。
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
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SN54ACT7881
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主频先入先出存储器
SGAS004A - 1995年8月 - 修订1998年4月
功能框图
OE
D0–D17
RDCLK
RDEN1
RDEN2
同步
控制
位置1
指针
地点2
内存
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WRTCLK
WRTEN1
WRTEN2
同步
控制
指针
复位逻辑
RESET
注册
Q0–Q17
OR
DAF
状态 -
逻辑
IR
HF
AF / AE
4
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
SN54ACT7881
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主频先入先出存储器
SGAS004A - 1995年8月 - 修订1998年4月
终端功能
终奌站?
名字
I / O
描述
几乎全/近空标志。在AF / AE边界由AF / AE定义的偏移值( X) 。这
值可以复位过程中被编程,或者可以使用256的缺省值。 AF / AE为高电平时
的FIFO中包含(X + 1)个或更少的话,或( 1025 - X)或更多的单词。 AF / AE为低电平时, FIFO
之间含有(X + 2)和(1024 - X)的话。
用于AF / AE编程过程 - 的AF / AE标志复位每个周期内编程。该
AF / AE偏移值(X ),可以是一个用户定义的值或第X = 256指令的默认程序
AF / AE使用这两种方法如下:
AF / AE
47
O
用户定义的X
第1步:以DAF从高分到低分。
第2步:如果复位是不是已经很低,拿RESET低。
第3步:用DAF保持低电平,复位采取高。这定义了使用X的AF / AE
第4步:保留目前的下一个复位偏移,保持DAF低。
默认的X
要使用X = 256的默认值重新定义AF / AE ,抱在复位周期DAF高。
DAF
D0–D17
HF
39
18–16, 27–22,
29, 38–31
51
I
I
O
定义 - 几乎满。 DAF的高到低转换存储的数据输入的二进制值
AF / AE偏移值(X ) 。与DAF保持为低电平,上电复位低脉冲定义了使用X的AF / AE标志
对于18位宽的数据的数据输入将要存储在存储器中。的DAF捕捉高向低转换
从D8 -D0数据的AF / AE偏移(X)中。
半满标志。 HF为高,当FIFO中包含512个或更多的话,是低时数
在内存中的字是小于FIFO的一半的深度。
输入准备好标志。 IR为高时, FIFO未满低时,该设备已满。在复位过程中, IR
被驱动为低电平的第二WRTCLK脉冲的上升沿。红外然后驱动高的上升沿
第二WRTCLK脉冲后, RESET变高。经过FIFO的填充和IR驱动为低电平,红外
在之后的第一个有效的读取驱动为高电平的第二WRTCLK脉冲。
输出使能。的Q0- Q17输出处于高阻抗状态时, OE为低。 OE要高
RDCLK的上升沿之前,从存储器读出一个字。
输出就绪标志。或高当FIFO不为空,低当FIFO为空。中
复位,或者被设置为低于第三RDCLK脉冲的上升沿。或者被设置为高的上升沿
后的第一个字被写入到FIFO中发生的第三RDCLK脉冲。或者设置较低的上升
最后一个字后的第一个RDCLK脉冲的边缘被读取。
数据输出。第一个数据字被加载到FIFO移动到Q0- Q17的上升沿
第三RDCLK脉冲之后的第一个有效的写操作的发生。 RDEN1和RDEN2不影响本
操作。以下数据被卸载在RDCLK的上升沿时RDEN1 , RDEN2 , OE和
或者是很高的。
读时钟。数据被读出内存RDCLK如果OR , OE , RDEN1低到高的转变,
和RDEN2高。 RDCLK是自由运行的时钟和用作用于所有的同步时钟
数据传输从FIFO中。或也被同步地驱动相对于RDCLK 。
读使能。 RDEN1和RDEN2要高上之前RDCLK的上升沿读一个字了
的存储器。 RDEN1和RDEN2不用于读取存储在存储器中的第一个字。
复位。复位时,采取RESET低,产生最少四个RDCLK和实现
WRTCLK周期。这确保了内部读和写指针被复位,该OR ,HF和
IR低, AF / AE高。该FIFO必须是上电复位。用DAF在低水平,低
脉冲的RESET定义使用AF / AE自动对焦/自动曝光偏移值( X) ,其中X是先前值
存储。与DAF在一个较高的水平,上电复位低电平脉冲定义使用默认的AF / AE标志
X = 256的值。
写时钟。数据被写入到存储器上的一个低到高的WRTCLK的过渡,如果红外, WRTEN1 ,并
WRTEN2高。 WRTCLK是自由运行的时钟和用作用于所有的同步时钟
数据传送到FIFO。红外光谱也被同步地驱动相对于WRTCLK 。
写使能。 WRTEN1和WRTEN2要高之前,在WRTCLK上升沿的字
被写入到存储器中。 WRTEN1和WRTEN2不影响AF / AE的存储偏移值(X ) 。
IR
50
O
OE
11
I
OR
7
O
Q0–Q17
4, 5, 53, 54,
56, 57, 61, 64,
65, 67, 68, 70,
71, 73, 74, 77,
78, 80,
14
13
12
O
RDCLK
RDEN1
RDEN2
I
I
RESET
10
I
WRTCLK
WRTEN1
WRTEN2
29
30
31
I
I
上市终端是针对PN包。
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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