SMZ1 ... SMZ200 （ 2 W ）
SMZ1 ... SMZ200 （ 2 W ）
表面贴装硅稳压二极管（非平面技术）
Flchendiffundierte硅齐纳Dioden献给死去Oberflchenmontage
Version 2006-04-27
最大功率耗散
Maximale Verlustleistung
标称Z-电压
Nominale Z- Spannung
0.5
2.5
2W
1...200 V
DO-213AB
0.12 g
TYPE
典型值
塑料外壳MELF
Kunststoffgehuse MELF
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
5.0
尺寸 - 集体[MM ]
标准的齐纳电压容差分级，国际E 24 （ ± 5 ％）的标准。
其它电压容差和要求较高的齐纳电压。
死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER internationalen
Reihe街上E 24 （ ± 5 ％ ） 。企业的其它Toleranzen奥德hhere Arbeitsspannungen奥夫Anfrage 。
最大额定值和特性
功耗
Verlustleistung
不重复峰值功耗， T＆ LT ; 10毫秒
Einmalige IMPULS - Verlustleistung ， T＆ LT ; 10毫秒
T
A
= 50°C
T
A
= 25°C
P
合计
P
ZSM
T
j
T
S
R
THA
R
THT
0.5
Grenz- UND Kennwerte
SMZ系列
2 W
1
)
60 W
+150°C
-50...+175°C
<45 K / W
1
)
<15 K / W
马克斯。工作结温 - 马克斯。 Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热阻结到终端
Wrmewiderstand Sperrschicht - 德奥合并
23
齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nchsten页首
1
2
3
安装在P.C。板与50毫米
2
铜焊盘中的每一个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院50毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
测试了脉冲 - Gemessen MIT Impulsen
该SMZ1是在前进模式中操作的二极管。因此，所有参数的指数应为“ F”，而不是“ Z” 。
阴极，由一个白色带表示，具有被连接到负极。
死在Durchlass betriebene硅二极管SMZ1 IST EINE 。达希尔北京时间贝·艾伦Kenn- UND Grenzwerten DER指数
"F “ anstatt ”Z“祖setzten 。模具MIT weiem Balken gekennzeichnete Kathode北京时间MIT数字高程模型Minuspol祖verbinden 。
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
SMZ1 ... SMZ200 （ 2 W ）
最大额定值
TYPE
典型值
齐纳电压
2
)
齐纳Spannung
2
)
I
Z
= I
ZTEST
V
ZMIN
[V]
SMZ1
3
)
SMZ5.6
SMZ6.2
SMZ6.8
SMZ7.5
SMZ8.2
SMZ9.1
SMZ10
SMZ11
SMZ12
SMZ13
SMZ15
SMZ16
SMZ18
SMZ20
SMZ22
SMZ24
SMZ27
SMZ30
SMZ33
SMZ36
SMZ39
SMZ43
SMZ47
SMZ51
SMZ56
SMZ62
SMZ68
SMZ75
SMZ82
SMZ91
SMZ100
SMZ110
SMZ120
SMZ130
SMZ150
SMZ160
SMZ180
SMZ200
0.71
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
114
124
138
153
168
188
V
ZMAX
[V]
0.82
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
116
127
141
156
171
191
212
测试电流
Mestrom
I
ZTEST
[马]
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
动态电阻
差异。 Widerstand
I
ZTEST
/ F = 1kHz的
r
zj
[]
0.5 （小于1）
1 （小于3）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
2 （小于4）
2 （小于4）
4 （小于7）
4 （小于7）
5 （小于10）的
5 （小于10）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
7 （小于15）的
7 （小于15）的
8 （小于15）的
8 （小于15）的
16 （ <40 ）
20 （小于40）的
24 （ <45 ）
24 （ <45 ）
25 （小于60）的
25 （小于60）的
25 （小于80）的
25 （小于80）的
30 （小于100）
30 （小于100）
40 （ <200 ）
60 （ <200 ）
80 （ <250 ）
80 （ <250 ）
90 （ <300 ）
100 （ <300 ）
110 （ <350 ）
120 （小于350）
150 （小于350）
温度。 Coeffiz 。
Z-电压
... DER Z- Spannung
α
VZ
[10
-4
/°C]
–26…–16
–3…+5
–1…+6
0…+7
0…+7
+3…+8
+3…+8
+5…+9
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
反向电压。
Sperrspanng 。
I
R
= 1
μA
V
R
[V]
–
> 0.5 / 3 μA
＆ GT ; 1.5
>2
>2
＆ GT ; 3.5
＆ GT ; 3.5
>5
>5
>7
>7
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 12
＆ GT ; 12
＆ GT ; 14
＆ GT ; 14
＆ GT ; 17
＆ GT ; 17
＆ GT ; 20
＆ GT ; 20
＆ GT ; 24
＆ GT ; 24
＆ GT ; 28
＆ GT ; 28
＆ GT ; 34
＆ GT ; 34
＆ GT ; 41
＆ GT ; 41
＆ GT ; 50
＆ GT ; 50
＆ GT ; 60
＆ GT ; 60
＆ GT ; 75
＆ GT ; 75
＆ GT ; 90
＆ GT ; 90
Grenzwerte
Z-电流
1
)
Z-斯特罗姆
1
)
T
A
= 50°C
I
ZMAX
[马]
1200
333
303
278
253
230
208
189
172
157
142
128
117
105
94
86
78
69
63
57
53
49
43
40
37
33
30
28
25
23
21
19
17
16
14
13
12
10
9
1
注意事项见前页 - Funoten世赫vorhergehende页首
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
SMZ 1 ... SMZ 200 （ 2 W ）
表面贴装硅稳压二极管
（非平面技术）的
Flchendiffundierte硅齐纳Dioden
献给死去Oberflchenmontage
2.5
最大功率耗散
Maximale Verlustleistung
标称Z-电压 - Nominale Z- Spannung
塑料外壳MELF
Kunststoffgehuse MELF
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
TYPE
典型值
2W
1…200 V
DO-213AB
0.12 g
5.0
0.5
0.5
尺寸/集体单位为毫米
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
参见第18页
世赫页首18
标准的齐纳电压容差分级，国际E 24 （ 5 ％）的标准。
其它电压容差和要求较高的齐纳电压。
死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER
internationalen Reihe街上E 24 （ 5 ％ ） 。企业的其它Toleranzen奥德hhere Arbeitsspannungen奥夫
Anfrage 。
最大额定值和特性
功耗 - Verlustleistung
不重复峰值功耗， T＆ LT ; 10毫秒
Einmalige IMPULS - Verlustleistung ， T＆ LT ; 10毫秒
工作结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热阻结到终端
Wrmewiderstand Sperrschicht - Kontaktflche
T
A
= 50°C
T
A
= 25°C
Grenz- UND Kennwerte
P
合计
P
ZSM
T
j
T
S
R
THA
R
THT
2 W
1
)
60 W
– 50...+150°C
– 50...+175°C
＆ LT ; 45 K / W
1
)
＆ LT ; 10 K / W
齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nchsten页首
1
）安装在交媾板与50毫米
2
铜焊盘中的每一个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院50毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
2
）测试与脉冲 - Gemessen MIT Impulsen
3
）的SMZ 1是在向前操作的二极管。因此，所有参数的指数应为“ F”，而不是“ Z” 。
阴极，由一个白圈指示的是将要连接到负极。
死在Durchla betriebene硅二极管SMZ 1 IST EINE 。达希尔北京时间贝·艾伦Kenn- UND Grenzwerten DER指数
“F” anstatt “Z”祖setzten 。死第三人以登WEISSEN环gekennzeichnete Kathode北京时间MIT数字高程模型Minuspol祖verbinden 。
214
01.10.2002
SMZ 1 ... SMZ 200 （ 2 W ）
最大额定值
TYPE
典型值
齐纳电压
2
)
齐纳Spanng 。
2
)
I
Z
= I
ZTEST
V
ZMIN
[V] V
ZMAX
0.71
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
114
124
138
153
168
188
0.82
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
116
127
141
156
171
191
212
测试CUR 。
Me-
斯特罗姆
I
ZTEST
[马]
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
达因。阻力
差异。 Widerst 。
I
ZTEST
/ 1千赫
r
zj
[]
0.5 （小于1）
4 （小于7）
4 （小于7）
4 （小于7）
2 （小于5）
1 （小于3）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
2 （小于4）
2 （小于4）
4 （小于7）
4 （小于7）
5 （小于10）的
5 （小于10）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
7 （小于15）的
7 （小于15）的
8 （小于15）的
8 （小于15）的
16 （ <40 ）
20 （小于40）的
24 （ <45 ）
24 （ <45 ）
25 （小于60）的
25 （小于60）的
25 （小于80）的
25 （小于80）的
30 （小于100）
30 （小于100）
40 （ <200 ）
60 （ <200 ）
80 （ <250 ）
80 （ <250 ）
90 （ <300 ）
100 （ <300 ）
110 （ <350 ）
120 （小于350）
150 （小于350）
温度。 Coeffiz 。
Z-电压
... DER Z- spanng 。
α
VZ
[10
-4
/°C]
–26…–16
–7…+2
–7…+3
–7…+4
–6…+5
–3…+5
–1…+6
0…+7
0…+7
+3…+8
+3…+8
+5…+9
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
Grenzwerte
反向电压。
Sperrspanng 。
I
R
= 1 A
V
R
[V]
–
–
–
–
–
＆ GT ; 1.5
＆ GT ; 1.5
>2
>2
＆ GT ; 3.5
＆ GT ; 3.5
>5
>5
>7
>7
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 12
＆ GT ; 12
＆ GT ; 14
＆ GT ; 14
＆ GT ; 17
＆ GT ; 17
＆ GT ; 20
＆ GT ; 20
＆ GT ; 24
＆ GT ; 24
＆ GT ; 28
＆ GT ; 28
＆ GT ; 34
＆ GT ; 34
＆ GT ; 41
＆ GT ; 41
＆ GT ; 50
＆ GT ; 50
＆ GT ; 60
＆ GT ; 60
＆ GT ; 75
＆ GT ; 75
＆ GT ; 90
＆ GT ; 90
Z-电流
1
)
Z-斯特罗姆
1
)
T
A
= 50°C
I
ZMAX
[马]
1000
488
435
400
370
333
303
278
253
230
208
189
172
157
142
128
117
105
94
86
78
69
63
57
53
49
43
40
37
33
30
28
25
23
21
19
17
16
14
13
12
10
9
SMZ 1
3
)
SMZ 3.9
SMZ 4.3
SMZ 4.7
SMZ 5.1
SMZ 5.6
SMZ 6.2
SMZ 6.8
SMZ 7.5
SMZ 8.2
SMZ 9.1
SMZ 10
SMZ 11
SMZ 12
SMZ 13
SMZ 15
SMZ 16
SMZ 18
SMZ 20
SMZ 22
SMZ 24
SMZ 27
SMZ 30
SMZ 33
SMZ 36
SMZ 39
SMZ 43
SMZ 47
SMZ 51
SMZ 56
SMZ 62
SMZ 68
SMZ 75
SMZ 82
SMZ 91
SMZ 100
SMZ 110
SMZ 120
SMZ 130
SMZ 150
SMZ 160
SMZ 180
SMZ 200
1
）注意事项请参见上页 - Funoten世赫vorhergehende页首
01.10.2002
215
SMZ1 ... SMZ200 （ 2 W ）
SMZ1 ... SMZ200 （ 2 W ）
表面贴装硅稳压二极管（非平面技术）
Flchendiffundierte硅齐纳Dioden献给死去Oberflchenmontage
版本2011-10-17
最大功率耗散
Maximale Verlustleistung
标称Z-电压
Nominale Z- Spannung
0.5
2.5
2W
1...200 V
DO-213AB
0.12 g
TYPE
典型值
塑料外壳MELF
Kunststoffgehuse MELF
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
5.0
尺寸 - 集体[MM ]
标准的齐纳电压容差分级，国际E 24 （ ± 5 ％）的标准。
其它电压容差和要求较高的齐纳电压。
死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER internationalen
Reihe街上E 24 （ ± 5 ％ ） 。企业的其它Toleranzen奥德hhere Arbeitsspannungen奥夫Anfrage 。
最大额定值和特性
功耗
Verlustleistung
不重复峰值功耗， T＆ LT ; 10毫秒
Einmalige IMPULS - Verlustleistung ， T＆ LT ; 10毫秒
T
A
= 50°C
T
A
= 25°C
P
合计
P
ZSM
T
j
T
S
R
THA
R
THT
0.5
Grenz- UND Kennwerte
SMZ系列
2 W
1
)
60 W
+150°C
-50...+175°C
<45 K / W
1
)
<15 K / W
马克斯。工作结温 - 马克斯。 Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热阻结到终端
Wrmewiderstand Sperrschicht - 德奥合并
23
齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nchsten页首
1
2
3
安装在P.C。板与50毫米
2
铜焊盘中的每一个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院50毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
测试了脉冲 - Gemessen MIT Impulsen
该SMZ1是在前进模式中操作的二极管。因此，所有参数的指数应为“ F”，而不是“ Z” 。
阴极，由一个白色带表示，具有被连接到负极。
死在Durchlass betriebene硅二极管SMZ1 IST EINE 。达希尔北京时间贝·艾伦Kenn- UND Grenzwerten DER指数
"F “ anstatt ”Z“祖setzten 。模具MIT weiem Balken gekennzeichnete Kathode北京时间MIT数字高程模型Minuspol祖verbinden 。
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
SMZ1 ... SMZ200 （ 2 W ）
最大额定值
TYPE
典型值
齐纳电压
2
)
齐纳Spannung
2
)
I
Z
= I
ZTEST
V
ZMIN
[V]
SMZ1
3
)
SMZ5.6
SMZ6.2
SMZ6.8
SMZ7.5
SMZ8.2
SMZ9.1
SMZ10
SMZ11
SMZ12
SMZ13
SMZ15
SMZ16
SMZ18
SMZ20
SMZ22
SMZ24
SMZ27
SMZ30
SMZ33
SMZ36
SMZ39
SMZ43
SMZ47
SMZ51
SMZ56
SMZ62
SMZ68
SMZ75
SMZ82
SMZ91
SMZ100
SMZ110
SMZ120
SMZ130
SMZ150
SMZ160
SMZ180
SMZ200
0.71
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
114
124
138
153
168
188
V
ZMAX
[V]
0.82
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
116
127
141
156
171
191
212
测试电流
Mestrom
I
ZTEST
[马]
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
动态电阻
差异。 Widerstand
I
ZTEST
/ F = 1kHz的
r
zj
[Ω]
0.5 （小于1）
1 （小于3）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
2 （小于4）
2 （小于4）
4 （小于7）
4 （小于7）
5 （小于10）的
5 （小于10）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
7 （小于15）的
7 （小于15）的
8 （小于15）的
8 （小于15）的
16 （ <40 ）
20 （小于40）的
24 （ <45 ）
24 （ <45 ）
25 （小于60）的
25 （小于60）的
25 （小于80）的
25 （小于80）的
30 （小于100）
30 （小于100）
40 （ <200 ）
60 （ <200 ）
80 （ <250 ）
80 （ <250 ）
90 （ <300 ）
100 （ <300 ）
110 （ <350 ）
120 （小于350）
150 （小于350）
温度。 Coeffiz 。
Z-电压
... DER Z- Spannung
α
VZ
[10
-4
/°C]
–26…–16
–3…+5
–1…+6
0…+7
0…+7
+3…+8
+3…+8
+5…+9
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
反向电压。
Sperrspanng 。
I
R
= 1 μA
V
R
[V]
–
> 0.5 / 3 μA
＆ GT ; 1.5
>2
>2
＆ GT ; 3.5
＆ GT ; 3.5
>5
>5
>7
>7
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 12
＆ GT ; 12
＆ GT ; 14
＆ GT ; 14
＆ GT ; 17
＆ GT ; 17
＆ GT ; 20
＆ GT ; 20
＆ GT ; 24
＆ GT ; 24
＆ GT ; 28
＆ GT ; 28
＆ GT ; 34
＆ GT ; 34
＆ GT ; 41
＆ GT ; 41
＆ GT ; 50
＆ GT ; 50
＆ GT ; 60
＆ GT ; 60
＆ GT ; 75
＆ GT ; 75
＆ GT ; 90
＆ GT ; 90
Grenzwerte
Z-电流
1
)
Z-斯特罗姆
1
)
T
A
= 50°C
I
ZMAX
[马]
1200
333
303
278
253
230
208
189
172
157
142
128
117
105
94
86
78
69
63
57
53
49
43
40
37
33
30
28
25
23
21
19
17
16
14
13
12
10
9
1
注意事项见前页 - Funoten世赫vorhergehende页首
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
SMZ1 ... SMZ200 （ 2 W ）
120
[%]
100
100
150
1
T
j
= 25°C
[马]
5,6
6,8
6,2
7,5
8,2
I
ZMAX
9,1
I
ZT
80
50
I
Z
I
Z
= 5毫安
60
40
0
20
P
合计
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
0
4
5
7
V
Z
2
3
6
8
典型的击穿特性
- 测试与脉冲
Typische Abbruchspannung
- gemessen MIT Impulsen
[V]
10
功耗与环境温度
1
)
Verlustleistung在ABH 。冯 。 Umgebungstemp 。
1
)
10
2
[A]
10
T
j
= 125°C
10
18
24
30
36
43
51
56
62
68
75
82
91
100
T
j
= 25°C
I
ZMAX
1
T
j
= 25°C
I
ZT
10
I
F
-1
10
-2
0.4
30a-(1a-1.1v)
典型的击穿特性
- 测试与脉冲
Typische Abbruchspannung
- gemessen MIT Impulsen
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
正向特性（典型值）
Durchlasskennlinien （ typische Werte ）
[ pF的]
V
R
= 0V
V
R
= 4V
T
j
= 25°C
F = 1.0 MHz的
V
R
= 20V
V
R
= 40V
C
j
V
Z
[V]
结电容与齐纳电压（典型值）
Sperrschichtkapazitt在ABH 。 v.d. Zenerspg 。 （典型值）。
德欧泰克半导体公司
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3
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