SMV512K32-SP
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SLVSA21H - 2011年6月 - 修订2013年7月
16 Mb的抗辐射SRAM
检查样品：
SMV512K32-SP
1
特点
20纳秒读取， 13.8纳秒写入通过最大
存取时间
在功能上兼容与商业
512K ×32的SRAM器件
内置EDAC （错误检测和校正）
缓解软错误
内置磨砂引擎自主
更正
CMOS兼容输入和输出电平，
三态双向数据总线
- 3.3 ± 0.3 V的I / O ， 1.8 ± 0.15 V内核
xxx
xxx
xxx
辐射性能
(1)
- 同时使用底工程
通过辐射硬化设计（ HBD ）
(2)
- TID免疫> 3E5 RAD （SI ）
- SER < 5E - 17搅得/位日
（核心采用EDAC和磨砂）
(3)
- 闭锁免疫力> LET = 110兆电子伏
（T = 398K ）
可在一个76引脚陶瓷四方扁平封装
耐辐射是基于最初的设备的典型值
资格。辐射数据和批量验收测试是
可用 - 与工厂联系获取详细信息。
HardSIL
TM
根据许可技术和内存设计
与Silicon空间技术（ SST ）的协议。
SER计算使用CREME96的地球同步轨道，
太阳活动极小。
(1)
(2)
(3)
描述
该SMV512K32是由32位组织为524288字高性能异步CMOS SRAM 。这是
针两种模式之间进行选择：主站或从站。主设备的选择提供了用户自定义
自治区EDAC擦洗选项。从设备选择采用点播功能的磨砂膏，可以
由主器件启动。三读周期和4个写周期（如下所述）可
取决于用户的需要。
表1.订购信息
(1)
T
C
-55 ° C至125°C
25°C
(1)
(2)
(3)
包
(2)
76针HFG
订购型号
SMV512K32HFG
5962-1123701VXC
SMV512K32HFGMPR
顶部端标记
SMV512K32HFG
5962-1123701VXC
SMV512K32HFG/EM
(3)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
这些单元仅用于工程评价。它们被加工成一个非兼容的流（例如，没有老化），并且仅检测
在+ 25°C 。这些单元不适合于鉴定，生产，辐射试验或飞行使用。部分不保证为向
性能随温度和使用寿命。
xxx
HardSIL
TM
是Silicon空间技术（ SST ）的商标。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2011-2013 ，德州仪器
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
图1. SMV512K32框图
WZ
E1Z
E2
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
行解码器
o
o
o
o
o
o
o
o
存储阵列
有512K ×32
GZ
DQ （ 31 ： 0 ）
读/写
电路
°
°
°
°
EDAC
I / O电路
列解码器
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A17 A18
MBE
SCRUBZ
BUSYZ
57
VDD1 __
58
VDD1 __
A10 __
A9 __
A8 __
A7 __
A6 __
WZ __
A18 __
VSS1 __
A17 __
A5 __
A4 __
A3 __
A2 __
A1 __
A0 __
VSS2 __
VSS2 __
76
39
38
20
__VSS2
__ MSS
__ VDD2
__ MBE
__ BUSYZ
__ SCRUBZ
__ VSS1
__ VDD2
__ E2
__ GZ
__ E1Z
__ A16
__ A15
__ A14
__ A13
__ A12
__ A11
__ VDD1
__ VDD1
2
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VSS2 __
1
DQ0 __
DQ1 __
DQ2 __
DQ3 __
DQ4 __
DQ5 __
DQ6 __
DQ7 __
VSS1 __
DQ8 __
DQ9 __
DQ10 __
DQ11 __
DQ12 __
DQ13 __
DQ14 __
DQ15 __
VDD1 __
19
__ VDD1
__ DQ16
__ DQ17
__ DQ18
__ DQ19
__ DQ20
__ DQ21
__ DQ22
__ DQ23
__ VSS1
__ DQ24
__ DQ25
__ DQ26
__ DQ27
__ DQ28
__ DQ29
__ DQ30
__ DQ31
__ VSS2
图2. SMV512K32引脚输出
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
终端功能
引脚名称
A[18:0]
DQ [31：0 ]
E1Z
E2
WZ
GZ
VDD1
VDD2
VSS1
VSS2
MSS
TYPE
输入
双向
输入
输入
输入
输入
动力
动力
动力
动力
输入
活跃
不适用
不适用
低
高
低
低
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
地址
数据输入/输出
芯片使能 - 1
芯片使能 - 2
写使能
输出使能双向输入/输出
电源（ 1.8 V ）
电源（ 3.3 V ）
地（核心）
接地（ I / O）
用于设置主/从选择。
连接到VSS2为主机操作和
VDD2为从机操作。
多个位或单个位错误指示符
（输出 - 用户可编程）
EDAC功能选择（输入）
主SCRUBZ （输出）
奴隶SCRUBZ （输入）
主BUSYZ （输出）
从站（不使用）
描述
MBE
SCRUBZ
BUSYZ
双向
双向
产量
高
低
低
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明） 。
V
DD1
V
DD2
V
I / O
T
英镑
P
D
T
J
θ
JC
I
I
(1)
直流电源电压（核心）
直流供电电压（I / O）的
任何引脚电压
储存温度
最大功率耗散
最高结温
热阻，结到外壳
DC输入电流
(1)
价值
-0.3 2.0
-0.3 3.8
-0.3 3.8
-65到150
1.2
150
5
±5
单位
V
V
V
°C
W
°C
° C / W
mA
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
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100.00
←
连续T
预计使用寿命（年）
10.00
J
95 ℃，结果在15.03年工作寿命。
1.00
70
80
90
100
110
120
130
140
150
160
0.10
连续T
J
(°C)
注意事项：
(1)
(2)
(3)
请查阅技术资料绝对最高和最低推荐的工作条件。
MIL-PRF 38535 ，附录B， B.3.4节在65℃针对15年的运行寿命
≤
T
J
≤
95°C.
上述降级是基于一个更坏的情况下电源电流条件下的连续的I
DD1
（ OP
2
）写操作
在50MHz ，而不代表实际的使用情况。
图3. SMV512K32工作寿命减额图
（电迁移失效模式）
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明） 。
民
V
DD1
V
DD2
T
C
V
IN
直流电源电压（核心）
直流供电电压（I / O）的
外壳温度范围
直流输入电压
1.7
3.0
–55
0
典型值
1.8
3.3
最大
1.9
3.6
125
V
DD2
单位
V
V
°C
V
4
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电气特性
T
C
= -55 ° C至125°C ，V
DD1
= 1.7 V至1.9 V ，V
DD2
= 3 V至3.6 V （除非另有说明）
参数
V
IH
V
IL
V
OL
V
OH
C
IN
C
IO
I
IN
I
OZ
I
OS
(2) (3)
(1)
(1)
测试条件
民
0.7 x
V
DD2
最大
单位
V
高电平输入电压
低电平输入电压
低电平输出电压
高电平输出电压
输入电容
双向I / O容量
输入漏电流
三态输出漏
当前
输出短路电流
I
OL
= 4毫安， V
DD2
= V
DD2
（分钟）
I
OH
= -4毫安，V
DD2
= V
DD2
（分钟）
F = 1 MHz时为0V
F = 1 MHz时为0V
V
IN
=V
DD2
和V
SS
V
O
= V
DD2
和V
SS
V
DD2
= V
DD2
（最大） ， GZ = V
DD2
（最大）
V
DD2
= V
DD2
（最大值） ，V
O
= V
DD2
V
DD
= V
DD2
（最大值） ，V
O
= V
SS
输入： V
IL
= V
SS
+ 0.2 V,
V
IH
= V
DD2
- 0.2 V，I
OUT
= 0 A,
V
DD1
= V
DD1
（最大） ，
V
DD2
= V
DD2
（最大）
输入： V
IL
= V
SS
+ 0.2 V,
V
IH
= V
DD2
- 0.2 V，I
OUT
= 0 A,
V
DD1
= V
DD1
（最大） ，
V
DD2
= V
DD2
（最大）
输入： V
IL
= V
SS
+ 0.2 V,
V
IH
= V
DD2
- 0.2 V，I
OUT
= 0 A,
V
DD1
= V
DD1
（最大） ，
V
DD2
= V
DD2
（最大）
输入： V
IL
= V
SS
+ 0.2 V,
V
IH
= V
DD2
- 0.2 V，I
OUT
= 0 A,
V
DD1
= V
DD1
（最大） ，
V
DD2
= V
DD2
（最大）
CMOS输入，我
OUT
= 0 A
E1Z = V
DD2
- 0.2 V ， E2 = GND ，
V
DD1
= V
DD1
（最大） ，
V
DD2
= V
DD2
（最大）
CMOS输入，我
OUT
= 0 A
E1Z = V
DD2
- 0.2 V ， E2 = GND ，
V
DD1
= V
DD1
（最大） ，
V
DD2
= V
DD2
（最大）
CMOS输入，我
OUT
= 0 A
E1Z = V
DD2
- 0.2 V ， E2 = GND ，
V
DD1
= V
DD1
（最大） ，
V
DD2
= V
DD2
（最大）
CMOS输入，我
OUT
= 0 A
E1Z = V
DD2
- 0.2 V ， E2 = GND ，
V
DD1
= V
DD1
（最大） ，
V
DD2
= V
DD2
（最大）
写
读
写
读
写
读
写
读
-55 ° C到25°C时
125°C
-55 ° C到25°C时
125°C
-55 ° C到25°C时
125°C
-55 ° C到25°C时
125°C
-55 ° C到25°C时
125°C
-55 ° C到25°C时
125°C
-55 ° C到25°C时
125°C
-55 ° C到25°C时
125°C
0.3 x
V
DD2
0.2 x
V
DD2
0.8 x
V
DD2
4.5
4.5
–500
–500
–46
500
500
46
18
31
13
27
635
460
365
315
255
255
5.2
5.1
5.9
1.2
275
120
0.375
17
330
330
4.4
21
1.6
0.8
V
V
V
pF
pF
nA
nA
mA
I
DD1
（ OP
1
)
V
DD1
电源工作电流
在1 MHz
mA
I
DD1
（ OP
2
)
V
DD1
电源工作电流
在50MHz
mA
A
mA
I
DD2
（ OP
1
)
V
DD2
电源工作电流
在1 MHz
I
DD2
（ OP
2
)
V
DD2
电源工作电流
在50MHz
mA
-55 ° C到25°C时
125°C
-55 ° C到25°C时
125°C
-55 ° C到25°C时
125°C
-55 ° C到25°C时
125°C
I
DD1
（SB）
(4)
供应待机电流
在0兆赫
mA
I
DD2
（SB）
(4)
供应待机电流
在0兆赫
A
I
DD1
（SB）
(4)
供应待机电流
A [ 16 ： 0 ]在50兆赫
mA
I
DD2
（SB）
(4)
供应待机电流
A [ 16 ： 0 ]在50兆赫
mA
(1)
(2)
(3)
(4)
测定在初步认证后，可能会影响输入/输出电容工艺或设计变更。
作为一个设计的限制，但不能保证或测试。
不超过一个的输出可以在一个时间为一秒的最大持续时间短。
V
IH
= V
DD2
（最大值） ，V
IL
= 0 V
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