【数据表SMV1702 ：超突变结调谐变容二极管特点专为大批量，低成本的电池应用●低串联电阻●高电容比】,IC型号SMV1702,SMV1702 PDF资料,SMV1702经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

SMV1702 ：超突变结调谐变容二极管

特点

专为大批量，低成本的电池应用

●

低串联电阻

●

高电容比

●

可用铅（ Pb），且符合RoHS标准的MSL - 1 @ 260℃

根据JEDEC J- STD- 020

●

SOD- 323封装

●

可在磁带和卷轴包装

●

绝对最大额定值

特征

价值

20毫安

250毫瓦

-55 ° C至+150°C

-55 ° C至+125°C

CLASS 0

正向电流（I

)

功耗（P

)

存储温度（T

)

工作温度（T

)

ESD人体模型

描述

该SMV1702设备是硅超突变结变容二极管

二极管专为电池供电的设计。指定

高电容率和低R

这些变容二极管使他们

适合于无线频率使用低噪声压控振荡器

系统。应用包括低噪声和宽带UHF和

VHF压控振荡器。

性能保证仅在在规格表中列出的条件，是

下的绝对最大规格所述的全范围（ S）不能保证。

超过任何绝对最大/最小规格的可导致永久

损坏设备，并会导致保修失效。

新

Skyworks公司提供铅（Pb ） - 免费，符合RoHS （限制的

有害物质）标准包装。

注意事项：

虽然此设备被设计成如作为鲁棒

可能的话， ESD （静电放电）可能会损坏

此设备。此设备必须在任何时候都受到保护

从ESD 。静电荷可以很容易地产生电位

几千伏，对人体tials或

设备，它可以排出而不被发现。

行业标准的ESD防范措施，必须采用

在任何时候。

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数据表 SMV1702

电气规格在25℃

参数

反向电流（I

)

电容（C

)

电容（C

)

电容（C

)

电容比（C

)

串联电阻（R

)

击穿电压（V

)

= 8 V

= 0.1 V，F = 1兆赫

= 2 V ， F = 1兆赫

= 4 V，F = 1兆赫

（ 0.1 V） / C

(4 V)

= 5 V ， F = 470 MHz的

= 10 A

3.6

条件

分钟。

典型值。

＆ LT ; 0.01

100

0.45

1.25

马克斯。

110

单位

单身

SOD-323

SMV1702-011

标记： CJ

SMV1702-011LF

标记： HJ

= 1.5 nH的

LF表示铅（Pb ） - 免费，符合RoHS标准的封装选项，以替代我们

标准的锡/铅（Sn / Pb）的包装。

典型性能数据

120

100

电容 - 电压

(V)

（PF ）

103.3

65.1

46.38

33.57

24.2

18.08

15.01

13.8

13.21

12.84

12.58

电容（pF）

电压（V）的

电容 - 电压

推荐

SOLDER

回流曲线

参阅

“推荐回流焊简介”

应用笔记。

磁带和卷轴信息

参阅

“分立器件和集成电路开关/衰减器

卷带式封装定向“

应用笔记。

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数据表 SMV1702

SPICE模型

帽

C = C

IND

L = L

PORT

P_Cathode

端口= 1

水库

R = R

SOD-323

0.090 （2.30 mm）最小。

0.108 （2.74 mm）最大。

0.010

（0.25 mm）最小。

0.016

（0.40 mm）最大。

0.063 （1.60 mm）最小。

0.071 （1.80 mm）最大。

PORT

P_anode

端口= 2

0.045 （1.15 mm）最小。

0.053 （1.35 mm）最大。

二极管

Varactor_Diode

面积= 1

MODEL = Diode_Model

MODE =非线性

阴极

指标

0.008 （0.20 MM） NOM 。

0.006

（ 0.15毫米） TYP 。

0.050

（1.25 mm）最大。

0.004 （0.10 mm）最大。

0.010 （0.25 mm）最小。

SPICE模型参数

参数

XTI

ISR

IKF

NBV

IBVL

NBVL

TNOM

FFE

CPKG

串联电阻

发射系数（与IS ，确定二极管的DC特性）

运输时间

零偏压结电容（在V

和M定义非线性

二极管的结电容）

接电位（用V

和M定义了二极管的非线性结电容）

分级系数（用V

和M定义了二极管的非线性结电容）

能隙（带XTI ，有助于定义的IS对温度的依赖）

饱和电流的温度指数（为E

，帮助定义

的依赖是对温度）

闪烁噪声系数

闪烁噪声指数

正向偏置耗尽电容系数

反向击穿电压

电流反向击穿电压

复合电流参数

排放系数ISR

高注入电流的膝盖

反向击穿理想因子

低级别的反向击穿电流膝盖

低级别的反向击穿理想因子

推导出这些模型参数的标称其环境温度

闪烁噪声频率指数

–

°C

–

0.12

1.5

1e-5

1e-3

120e-12

0.89

0.925

描述

饱和电流（与N，确定二极管的DC特性）

单位

0.5

价值

默认

1e-14

0.5

1.11

0.5

该表包含典型的SPICE参数SMV1720-011 。缺省值应当用于为其中的“值”列是空白的任何参数。

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