超突变结调谐变容二极管
SMV1142–SMV1148
特点
s
频率线性设计
s
低串联电阻
s
可在SOD- 323和SC- 79
套餐
s
专为大批量商业
应用
s
SPICE模型可
描述
该SMV1142 - SMV1148系列硅超突变的
结变容二极管是专门与设计
增加伽马对电压特性。这
特性将导致改善的VCO的频率 - 电压
线性度，相比于以往的超突变
结变容二极管。这个家庭变容二极管的特点是
对电容和电阻随温度。 SPICE
提供了模型。
绝对最大额定值
特征
反向电压（V
R
)
正向电流（I
F
)
功耗（P
D
)
存储温度（T
ST
)
工作温度（T
OP
)
价值
12 V
20毫安
250毫瓦
-55 ° C至+ 150°C
-55 ° C至+ 125°C
单身
SC-79
单身
SOD-323
o
SMV1142-011
o
SMV1143-011
o
SMV1144-011
o
SMV1145-079
o
SMV1145-011
o
SMV1146-011
o
SMV1147-011
o
SMV1148-011
L
S
= 0.7 nH的
L
S
= 1.5 nH的
o
通过分销。
对于其他的包或配置，请与工厂联系。
阿尔法工业公司
[781] 935-5150
传真
[617] 824-4579
电子邮件
sales@alphaind.com
www.alphaind.com
规格如有变更，恕不另行通知。 1 / 01A
1
超突变结调谐变容二极管
SMV1142–SMV1148
典型电容值
SMV1142
V
R
(V)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5
10.0
10.5
11.0
11.5
12.0
C
T
（PF ）
13.38
10.70
9.10
7.98
7.12
6.42
5.83
5.32
4.86
4.45
4.09
3.75
3.46
3.21
3.00
2.84
2.72
2.63
2.56
2.50
2.45
2.41
2.36
2.35
2.32
SMV1143
C
T
（PF ）
18.99
15.18
12.90
11.30
10.08
9.08
8.24
7.51
6.87
6.29
5.76
5.29
4.87
4.51
4.22
3.99
3.82
3.69
3.58
3.50
3.43
3.37
3.31
3.28
3.25
SMV1144
C
T
（PF ）
24.01
19.18
16.30
14.28
12.73
11.46
10.40
9.48
8.66
7.93
7.26
6.66
6.13
5.68
5.31
5.02
4.80
4.63
4.50
4.40
4.31
4.24
4.15
4.15
4.08
SMV1145
C
T
（PF ）
41.81
33.38
28.35
24.82
22.11
19.91
18.06
16.45
15.02
13.73
12.57
11.53
10.60
9.81
9.17
8.66
8.29
7.99
7.76
7.58
7.43
7.30
7.15
7.10
7.02
SMV1146
C
T
（PF ）
61.13
48.97
41.43
36.26
32.30
29.08
26.37
24.01
21.92
20.04
18.34
16.81
15.45
14.30
13.36
12.62
12.07
11.63
11.30
11.03
10.81
10.62
10.40
10.33
10.21
SMV1147
C
T
（PF ）
89.52
71.44
60.65
53.07
47.27
42.55
38.58
35.12
32.06
29.31
26.81
24.57
22.58
20.89
19.52
18.43
17.63
16.98
16.50
16.10
15.78
15.50
15.18
15.08
14.90
SMV1148
C
T
（PF ）
104.71
83.27
70.48
61.48
54.56
48.92
44.13
39.97
36.29
32.99
30.03
27.43
25.22
23.43
22.06
21.01
20.22
19.61
19.12
18.72
18.38
18.11
17.87
17.65
17.43
SPICE模型
PORT
P_anode
端口= 1
IND
L
S
L = L
S
DIODEM
Diode_Model
I
S
= 1.00e-14
R
S
= 0
N=1
T
T
= 0
C
JO
= C
JO
M=M
V
J
E
G
= 1.11
X
TI
= 3
K
F
=0
A
F
=1
F
C
= 0.5
B
V
= 0
I
BV
= 1e-3
I
SR
= 0
N
R
= 2
I
KF
= 0
N
BV
= 1
I
BVL
= 0
N
BVL
= 1
T
BV1
= 0
T
喃
= 27
F
FE
= 1
部分
数
SMV1142
SMV1143
SMV1144
SMV1145
SMV1146
SMV1147
SMV1148
C
JO
（PF ）
13.38
18.99
24.01
41.80
61.13
89.52
104.70
V
J
(V)
2.20
2.20
2.20
2.50
2.50
2.50
2.25
M
1.0
1.0
1.0
1.1
1.1
1.1
1.1
C
P
（PF ）
0
0
0
0
0
0
0
R
S
()
0.70
0.65
0.65
0.60
0.60
0.55
0.50
水库
R
S
R = R
S
二极管
Varactor_Diode
面积= 1
MODEL = Diode_Model
MODE =非线性
帽
C
P
C = C
P
1.价值观从实测性能提取。
2.封装电感（L
S
）指封装类型。
3，欲了解更多详细信息，请参阅“变容二极管SPICE模型RF VCO
应用程序“应用笔记。
PORT
P_Cathode
端口= 2
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