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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第194页 > SMT50-100
SMT50
电气特性
一个SMT50器件的电特性类似于
那的自门控可控硅，但SMT50是一个双端
设备，没有门。门功能是由一个实现
内部电流控制的机制。
像T.V.S.二极管，该SMT50有断态电压（ VRM ）
这应该是等于或大于操作
该系统的电压进行保护。在该电压（VRM）
该SMT50的电流消耗可以忽略不计，并会
不影响受保护的系统。
该装置复位到非导通状态是
当发生负载瞬变时，横跨SMT50上的电压将
增加，直至击穿电压（VBR）被达到。在这
指向该设备将在一个类似的方式操作到一个瞬态
装置，并在雪崩模式。
如同雪崩T.V.S.设备，如果SMT50经受
瞬时的电压现在将是有限的，并会只
由几伏提高作为装置转移更多的电流。如
该瞬态电流的增大，电流的电平通过
到一个浪涌电流，它是超出其最大额定值，那么
该装置将在短路模式故障，从而确保
设备的最终保障。
由流过器件的电流进行控制。当
电流下降到低于一定的值，被称为保持
电流（IH ） ，该装置自动复位。
装置到达（揖），其使装置转换到一个
完全导通状态，使得在器件上的电压
现在只有几伏（ Vt）时。的电压在该装置
从雪崩模式切换到完全导通
州（VT）是被称为击穿电压（ VBO ） 。当
装置中的Vt的状态下，高电流可以改
而不损坏SMT50由于横跨低压
该装置中，由于在这种装置中的限制因素是
耗散功率（V ×1 ） 。
选择SMT50
1.当选择SMT50装置中，重要的是
该装置的VRM是等于或大于
该系统的工作电压。
2.最小维持电流（IH）必须大于
比当前的系统能够提供的
否则，设备将保持导通之后
瞬变状态。
的V-I图的表示符号
和术语的SMT50激增
保护装置。
I
BO
I
H
I
RM
V
RM
V
BR
V
BO
V
R
V
I
pp
I
符合
下列标准
峰值浪涌
电压
(V)
电压
波形
(
S)
10/700
10/700
10/700
1.2/50
10/700
1.2/500
10/160
10/560
9/720
2/10
10/1000
2/10
0.5/700
当前
波形
(
S)
5/310
5/310
5/310
1/20
5/310
8/20
10/160
10/560
5/320
2/10
10/1000
2/10
0.8/310
可受理
IPP
必要
电阻器
(
)
-
-
-
-
-
-
12.5
6.5
-
11.5
10
11.5
-
(A)
25
38
50
50
50
100
75
55
25
150
50
150
25
（ CCITT ） ITU- K20
（ CCITT ） ITU- K17
VDE0433
VDE0878
IEC-1000-4-5
FCC第68部分，雷击浪涌
A型
FCC第68部分，雷击浪涌
B型
BELLCORE TR- NWT- 001089
第一级
BELLCORE TR- NWT- 001089
二级
CNET
I31-24
1000
1500
2000
2000
LEVEL 3
4级
1500
800
1000
2500
1000
5000
1000
48
W W瓦特升I T T E升F美即C 0米
SMT50
电气特性（环境温度Tamb 25 ° C）
符号
V
RM
I
RM
V
R
V
BR
C
参数
对峙电压
在对峙电压漏电流
连续反向电压
击穿电压
电容
符号
V
BO
I
H
I
BO
I
PP
参数
击穿电压
保持电流
导通电流
峰值脉冲电流
热阻
符号
R
TH
（J- I）中
R
TH
（J- I）中
参数
结到引线
结到环境的印刷电路
（与标准尺寸的足迹）
价值
20
100
单位
°
C / W
°
C / W
绝对最大额定值（环境温度Tamb 25 ° C）
符号
P
I
PP
参数
功耗
峰值脉冲电流
T
领导
10/1000S
8/20S
I
TSM
dv / dt的
T
英镑
T
j
T
L
不重复浪涌峰值通态电流
断态电压临界上升率
存储温度范围
最高结温
在10秒的最大无铅焊接温度的
TP + 20毫秒
V
RM
价值
5
50
100
30
5
-55到+150
150
260
单位
W
A
A
A
KV / μs的
°
C
°
C
T
英镑
TYPE
记号
I
RM
@ V
RM
最大
(A)
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
(V)
56
60
90
180
117
162
180
198
216
243
I
RM
@ V
R
最大
(A)
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
(V)
62
68
100
120
130
180
200
220
240
270
V
BO
@
I
BO
最大
(V)
82
90
133
160
173
240
267
293
320
360
（MA ）
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
I
H
民
（注1 ）
C
最大
（PF ）
150
150
100
100
100
100
100
100
100
100
激光
SMT50-62
SMT50-68
SMT50-100
SMT50-120
SMT50-130
SMT50-180
SMT50-200
SMT50-220
SMT50-240
SMT50-270
A062
A068
A100
A120
A130
A180
A200
A220
A240
A270
（MA ）
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
所有参数进行测试@ 25
°
除非另有说明。
注1： @ 1V的偏差， 1M
HZ
所有参数均采用FET的测试模型进行测试3600
TM
W W瓦特升I T T E升F美即C 0米
49
SMT50
50
W W瓦特升I T T E升F美即C 0米
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