SMT100
电气特性（环境温度Tamb 25 ° C）
符号
V
RM
I
RM
V
R
V
BR
C
参数
对峙电压
在对峙电压漏电流
连续反向电压
击穿电压
电容
符号
V
RO
I
H
I
BO
I
PP
I
R
参数
击穿电压
保持电流
导通电流
峰值脉冲电流
连续反向电流
热阻
符号
R
TH
（J- I）中
R
TH
（J- I）中
参数
结到引线
结到环境的印刷电路
（与标准尺寸的足迹）
价值
20
100
单位
°
C / W
°
C / W
绝对最大额定值（环境温度Tamb 25 ° C）
符号
I
PP
参数
峰值脉冲电流：
10 / 1000μS （开路电压波形的1kV的10 / 1000μS ）
5 / 310μS （开路电压波形为4kV 10 / 700μS ）
8 / 20μS （开路电压波形为4kV 1.2 / 50μS ）
2 / 10μS （开路电压波形2.5kV的2 / 10μS ）
I
TSM
通态电流不重复浪涌峰值
F = 50Hz的
通态电流不重复浪涌峰值
F = 50Hz的
T
L
T
英镑
T
j
铅的最大温度范围
存储温度范围
最高结温
50Hz
60Hz
0.2s
2s
100
150
250
500
55
60
25
12
260
-55到+150
150
A
A
A
A
A
A
A
A
价值
单位
°C
°C
°C
TYPE
记号
I
RM
@ V
RM
最大
(A)
2
2
2
2
2
2
2
(V)
32
55
110
120
170
200
230
I
RM
@ V
R
最大
(A)
50
50
50
50
50
50
50
(V)
35
65
120
140
200
230
270
V
BO
@ I
BO
最大
(V)
55
80
160
200
265
300
350
（MA ）
800
800
800
800
800
800
800
I
H
民
（注1 ）
C
最大
（PF ）
180
160
140
140
130
120
120
激光
SMT100-35
SMT100-65
SMT100-120
SMT100-140
SMT100-200
SMT100-230
SMT100-270
B035
B065
B120
B140
B200
B230
B270
（MA ）
150
150
150
150
150
150
150
注1： @ 1V的偏差， 1M
赫兹。
所有参数均采用FET测试模型3600进行测试。
TM
52
W W瓦特升I T T E升F美即C 0米
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