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SMS4003K
公司Bauelemente
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
0.5 A ， 30V
N沟道MOSFET
特点
低栅极阈值电压V
GS （ TH）
便于驱动电路设计
低门电荷的快速切换
ESD保护门
30V最小击穿电压额定值
1
SOT-23
A
L
3
3
顶视图
2
C B
1
2
K
E
D
应用
电平转换器
液位开关
低端负载开关
便携式应用
F
G
H
J
REF 。
A
B
C
D
E
F
器件标识： TR8
3
漏
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.04
2.10
2.80
1.20
1.60
0.89
1.40
1.78
2.04
0.30
0.50
REF 。
G
H
J
K
L
毫米
分钟。
马克斯。
-
0.18
0.40
0.60
0.08
0.20
0.6 REF 。
0.85
1.15
1
门
*
*门
Pretection
二极管
来源
2
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
连续漏电流，稳定牛逼
A
=25°
C
状态
T
A
=85°
C
功耗
1
，稳定状态
连续漏电流
1
， t<10s
功耗
1
， t<5s
漏电流脉冲
稳定状态
最高结 - 环境
t<10s
1
2
1
1
符号
V
DS
V
GS
I
D
P
D
等级
30
±20
0.5
0.37
0.69
0.56
0.40
0.83
1.7
180
150
300
150, -55~150
1.0
260
单位
V
V
A
W
A
W
A
°
C / W
°
C
A
°
C
T
A
=25°
C
T
A
=85°
C
I
D
P
D
I
DM
R
θJA
T
J
, T
英镑
I
S
T
L
稳定状态
源电流（体二极管）
工作结&存储温度范围
从无铅焊接温度的目的（ 1/8“
10秒的情况下
注意：
（以平方【 1盎司】包括铜痕迹面积= 1.127 ）1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸。
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
10 -JAN- 2010版本A
第1页4
SMS4003K
公司Bauelemente
0.5 A ， 30V
N沟道MOSFET
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
漏源击穿电压
门源阈值电压
栅极 - 源极漏电流
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
3
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
下降时间
4
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
T
J
=25°
C
T
J
=125°
C
4
4
4
3
3
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
T
D（上）
T
R
T
D（关闭）
T
F
Q
G
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
民
30
0.8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
1.5
1.0
0.33
21
19.7
8.1
16.7
47.9
65.1
64.2
1.15
0.15
0.32
0.23
0.65
0.45
14
最大
-
1.6
±1.0
1.0
2.0
1.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.7
-
-
单位
V
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=100A
V
DS
= V
GS ，
I
D
=250A
V
GS
=±10V
V
DS
=30V, V
GS
= 0V ，T
J
=25°
C
V
GS
= 2.5V ，我
D
=10mA
V
GS
= 4.0V ，我
D
=10mA
静态CARACTERISTICS
A
S
V
DS
= 3V ，我
D
=10mA
V
DS
=5V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
GS
=4.5V
V
DD
=5V
I
D
=0.1A
R
G
=50
V
GS
=5V
V
DS
=24V
I
D
=0.1A
动态特性
pF
开关特性
打开-O FF延迟时间
nS
nC
源极 - 漏极二极管CARACTERISTICS
正向电压上
反向恢复时间
V
SD
T
rr
V
nS
V
GS
=0V
I
S
=10mA
V
GS
= 0V时，我
S
= 10毫安， DLS / DT = 8A /微秒
注意：
3.脉冲测试：脉冲宽度
≦300s,
占空比
≦2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
10 -JAN- 2010版本A
第2页4
SMS4003K
公司Bauelemente
0.5 A ， 30V
N沟道MOSFET
特性曲线
10 -JAN- 2010版本A
第3页4
SMS4003K
公司Bauelemente
0.5 A ， 30V
N沟道MOSFET
特性曲线
10 -JAN- 2010版本A
第4页4
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