SMS318
公司Bauelemente
220毫安, 50V ,R
DS ( ON)
3.5
N沟道增强型MOSFET
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
特点
SOT-23
A
3
3
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
1
L
顶视图
2
C B
1
2
机械数据
K
E
D
案例: SOT -23
外壳材料:模压塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
码头:每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀(雾锡完成了退火
合金引线框架42 )
终端连接:见图
重量: 0.008克(近似值)
F
G
H
J
REF 。
A
B
C
D
E
F
记号
产品
标识代码
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.04
2.10
2.80
1.20
1.60
0.89
1.40
1.78
2.04
0.30
0.50
REF 。
G
H
J
K
L
毫米
分钟。
马克斯。
-
0.18
0.40
0.60
0.08
0.20
0.6 REF 。
0.85
1.15
SMS318
H03 / SS
包装信息
包
SOT-23
MPQ
3K
负责人尺寸
7'寸
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压(R
GS
≦20K)
连续的栅源电压
连续漏电流
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
等级
50
50
±20
220
单位
V
V
V
mA
热阻率
功耗
1
热阻,结到环境
1
结温和存储温度范围
P
D
R
θJA
T
J
, T
英镑
300
417
-55~150
mW
° C / W
°C
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规范的任何更改将不个别通知。
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DS ( ON)
3.5
N沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
分钟。
50
-
-
典型值。
-
-
-
马克斯。
-
0.5
±100
单位
V
μA
nA
乳头条件
V
GS
= 0, I
D
= 250μA
V
GS
= 0V, V
DS
= 50V
V
GS
=±20V, V
DS
= 0V
开关特性
2
基本特征
2
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
0.5
-
100
-
-
-
2.0
3.5
-
V
mS
V
DS
= V
GS
, I
D
=250μA
V
GS
= 10V ,我
D
=0.22A
V
DS
=25V,
,
I
D
= 0.2A , F = 1.0KHz
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
-
-
-
-
-
-
50
25
8.0
pF
pF
pF
V
DS
=10V, V
GS
= 0中,f = 1MHz的
开关特性
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
td
(上)
td
(关闭)
-
-
-
-
20
20
nS
V
DD
= 30V ,我
D
=0.2A,
R
根
=50,
注意事项:
1.装置安装在FR- 5 PCB 1.0× 0.75× 0.062英寸的焊盘布局。
2.短持续时间脉冲试验中使用,以尽量减少自热效应。
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N沟道增强型MOSFET
特性曲线
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